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文檔簡介
第三章電阻式傳感器本章學習要點理解電阻式傳感器的分類掌握常用電阻式傳感器的工作原理理解電阻式傳感器的測量電路了解常用電阻式傳感器的應用
電阻式傳感器的基本原理:將被測物理量的變化(位移、振動、加速度)轉換成電阻值的變化,再經相應的測量電路顯示或記錄被測量值的變化。其種類繁多,應用廣泛。
按照其工作原理可分為:變阻器(電位器)式、應變式電阻、固態(tài)壓阻式、熱敏電阻式、氣敏電阻式、磁敏電阻式等。應變式電阻傳感器是利用導體和半導體材料的應變效應,把非電量的壓力和位移等參數(shù)轉換為電阻變化的傳感器,最常用的傳感元件為電阻應變片。3.1電位式傳感器是將位移或其他能夠派生為位移的物理量轉換為電阻分壓比或電阻變化的傳感器特點:結構簡單,穩(wěn)定性和線性較好,受環(huán)境影響小,輸出信號大,可作任意函數(shù)特征輸出,適用于較大位移測量。缺點:存在摩擦、磨損,要求有較大能量輸入,可靠性和壽命受限。電位器安結構形式可分為:線繞式、薄膜式、光電式按其特性可分為:線性和函數(shù)電位器按測量類型單圈電位器、多圈電位器、直線滑動式電位器3.1.1線性電位器的空載特性1、電位器位移傳感器
線性電位器是在橫截面積處處相等的骨架上由材料均勻的導線,按相等的節(jié)距繞制而成。L-變阻器總長X—電刷位移量等效電路分析R:總電阻RL:電刷電阻UL:激勵電壓UX:輸出電壓K:電位器靈敏度線繞電位器是由一匝匝的離散導線繞制而成,它的輸出電壓與位移X呈現(xiàn)階梯形變化的曲線3.1.2線繞電位器的階梯特性和階梯誤差電刷從一匝到另一匝,輸出電壓出現(xiàn)階梯變化W—總匝數(shù)階梯誤差——理想階梯曲線和理論直線的最大偏差電壓與最大輸出電壓之比的百分數(shù)。W↑,ρj↓。但尺寸限制,W不能無限大。2、電位器式角度傳感器電阻與角度的關系為:Ui:激勵電壓U0:輸出電壓K:電位器靈敏度3.1.3非線性電位器空載時,輸出電壓(電阻)與電刷位移之間具有非線性函數(shù)關系。通過它,可獲得特殊要求的各種非線性函數(shù),對傳感器彈性元件的非線性和電位器的負載特性進行線性補償。t:相鄰兩導線的間距,b:骨架厚度,h:骨架度,a:導線截面積,:導線的電阻率。若希望R按一定規(guī)律隨位移X變化,即可用右式求出骨架高度隨X的變化規(guī)律變骨架式電位器是利用改變骨架高度或寬度(即骨架截面積)的方法來實現(xiàn)非線性函數(shù)特性當電刷有一匝移到另一匝時,電阻的變化率為:2、變節(jié)距式電位器在保持、a、b、h不變的條件下,用改變節(jié)距t的方法來實現(xiàn)所要求的非線性特性節(jié)距為:根據需要,令進行設計3.1.4光電電位器特點:非接觸式以光束代替電刷(避免磨損,提高穩(wěn)定和壽命)阻值寬:500
~15M
壽命:億萬次循環(huán)分辨率高有較大延時工作溫度范圍窄1:光電導層2:基體3:電阻帶4:窄光束5:集電極3.1.5電位器的負載特性接入負載時,由于負載電阻和電位器的比值有限,此時所得的特性為負載特性負載特性偏離理想空載特性的偏差稱為電位器的負載誤差電位器的負載電阻為RL,則此電位器的輸出電壓為:設:負載誤差:負載特性偏離空載特征的值。令:對于線性電位器:r=x
上式分子分母同除R2,則:當Rl↓,α↓時,e↑減少負載誤差的方法:①采用線性校正網絡;②采用非線性電位器。則負載誤差:空載時Yk=X對上式進行微分并令其等于零,可求出誤差最大值若令:負載系數(shù)m=0為空載特性負載輸出電壓比空載輸出電壓低則負載誤差:為減小負載誤差盡量減小m。可采用高輸入阻抗放大器3.1.6電位器式傳感器實例電位器式傳感器因動態(tài)范圍大,輸出信號大,多用于測量比較強的物理量在生物醫(yī)學測量中,可用于測量呼吸等生理參數(shù)電位器式傳感器包括電位器式位移傳感器、電位器式壓力傳感器、電位器式加速度傳感器彈簧管—電位器式壓力傳感器彈簧管受氣體和液體壓力作用時,其自由端發(fā)生位移,推動電刷,改變它在電位器的位置,從而得到電刷上電壓的變化波紋管—電位器式壓力傳感器波紋管受氣體和液體壓力作用時,其自由段發(fā)生位移推動電刷,改變它在電位器上的位置從而得到電刷上電壓的變化電位器式壓力傳感器被測流體通過膜盒的內腔—>膜盒硬中心產生彈性位移—>推動連桿上移—>使曲柄軸帶動電位器的電刷滑動輸出一個與被測壓力成比例的電壓信號1—膜盒;2—連桿;3—曲柄;4—電刷;5—電阻元件電位器式加速度傳感器1—慣性塊2—片狀彈簧3—電阻元件4—電刷5—殼體6—活塞阻尼器慣性質量塊在被測加速度的作用下—>使片狀彈簧產生正比于被測加速度的位移—>引起電刷在電位器的電阻元件上滑動—>輸出一個與加速度成比例的電壓信號。3.2電阻應變式傳感器3.2.1金屬導線的電阻應變效應3.2.2電阻應變片的種類3.2.3電阻應變片的特性3.2.4應變片的粘貼技術和選擇3.2.5電阻應變片傳感器的應用電阻應變片式傳感器由彈性元件、電阻應變片和其他附件組成彈性元件實物圖被測量——→彈性元件(形變)——→電阻應變片(形變)——→電阻變化-—→輸出電阻相對變化K—電阻應變片靈敏度系數(shù)工作原理:1856年,湯姆森(W.Thomson)對金屬絲進行拉伸試驗,發(fā)現(xiàn)金屬性應變和電阻變化有函數(shù)關系1938年,西門斯(E.Simmons)等人制作出第一批實用的紙基絲繞式電阻應變片40年代,出現(xiàn)由測量電橋和放大器組成的應變計,開始廣泛應用1953年,P杰克遜利用光刻技術,制作出箔式應變片1954年,史密斯發(fā)現(xiàn)半導體壓阻效應1957年,半導體應變片問世60年代,出現(xiàn)直流放大器的電阻應變片LordKelvin(1824-1907)惠斯登電橋(WheatstoneBridge)3.1.1金屬導線的電阻應變效應當彈性元件在外力作用下發(fā)生機械變形時,粘貼在表面的電阻應變片也隨之變形,其電阻隨著所受機械變形(伸長或縮短)的變化而發(fā)生變化的現(xiàn)象電阻相對變化△R/R與變形△L/L的關系為:其中k為電阻應變片的靈敏度系數(shù),應變?yōu)?/p>
=△L/L金屬導線的電阻應變效應根據電阻材料的電導率與尺寸的關系,對于圓形截面有:其中
s為金屬材料的泊松比(或者稱為橫向變形系數(shù));ks為金屬絲的靈敏系數(shù)兩邊取對數(shù)后再微分:金屬導線的電阻應變效應電阻絲的(軸向)應變:電阻絲的(徑向)應變:泊松比:金屬導線的電阻應變效應金屬材料的靈敏系數(shù):制作應變片的要求:第一項幾何變形引起,第二項材料ρ變化,實驗測定。靈敏系數(shù)Kc在盡可能大的應變范圍內是常數(shù),即電阻變化與應變呈線性關系Kc盡可能大具有足夠的熱穩(wěn)定性,電阻溫度系數(shù)小,高溫時耐氧化性能好電阻率高,當要求應變片有一定的電阻值時,線材的長度短,則線柵的尺寸小優(yōu)良的加工與焊接性能制作應變片的材料:銅鎳合金、鎳鉻合金、鐵鉻合金、鐵鎳鉻合金和貴金屬3.2.2電阻應變片的種類和特點電阻應變計,也稱為應變計或應變片,是一種能將機械構件上的應變的變化轉換為電阻變化的傳感元件。1電阻絲2基片3覆蓋層4引線L為應變計的標距,也稱為基柵a為基柵寬L×a為應變計的使用面積電阻絲應變片的基本結構電阻應變片的種類1、金屬電阻應變片(1)電阻絲式應變片:U型:常用,橫向效應比H型大H型:橫向部份電阻小,△R/R相對變化小;缺點:疲勞壽命低金屬電阻應變計常見的形式有絲式、箔式、薄膜式等1、金屬電阻應變片(2)金屬箔式應為片:橫向效應小,薄1μm~10μm,易粘貼在彎曲表面,較好反映表面變形,光刻腐蝕等工藝技術制造。1、金屬電阻應變片(3)金屬薄膜應變片:真空蒸發(fā)或層積,薄膜電阻薄膜(0.1μm下)不連續(xù)膜,電子隧道電流,靈敏度高1~2數(shù)量級。厚膜(25μm左右)連續(xù),不存在隧道傳導,靈敏度與(1)、(2)相當。優(yōu)點靈敏度高允許通過的電流密度大工作溫度范圍廣,可工作于197~319℃也可用于核輻射等特殊情況2、半導體應變片半導體應變片是基于半導體材料的電阻率隨作用應力而變化的所謂“壓阻效應”優(yōu)點靈敏度高,可測量微小應變機械滯后小,可測量靜態(tài)應變、低頻應變橫向效應小,體積小缺點靈敏度系數(shù)的非線性較大溫度穩(wěn)定性差,采用溫度補償或非線性補償2、半導體應變片基本原理:對于簡單的拉伸和壓縮,當作用力的方向與電流方向相同時,電阻率的相對變化與應力的關系為:——縱向壓阻系數(shù),——應力
(E—彈性模量,為應變)代入書中的公式3.12幾何尺寸壓阻效應材料晶向摻雜濃度1.電阻應變片的規(guī)格:一般用使用面積和電阻值表示靈敏軸線:指應變片的縱軸線,當縱軸線在試件上平行于最大的機械主應變方向時,產生的電阻變化最大標距:指能夠感受應變的電阻元件材料在應變片的靈敏軸線方向的長度。有圓弧的應變片,應從圓弧內側量起。也稱為敏感柵基長,通常為2~150mm工作寬度:能夠感受應變的電阻元件材料在與應變片的靈敏度軸線成90度方向上的寬度,敏感柵基寬基片長度和寬度:長度是基片在靈敏軸線方向上的長度,寬度只基片垂直于靈敏軸線方向的長度基片的最小修正長度和寬度:是在不改變應變片特性的條件下,根據外界條件需要將基片的長度和寬度修正的最小尺寸3.2.3電阻應變片的特性2.電阻應變片的靈敏度系數(shù)K3.2.3電阻應變片的特性指試件只在沿應變片靈敏軸線方向的單向荷載作用下,而其他所有變量保持不變時,粘帖在試件表面的應變片的單位電阻變化率與該試件表面沿應變片靈敏軸線上產生的單位變形之比。金屬應變片靈敏度系數(shù)K不變;無量綱;包裝盒上標注,非理論值,標定實驗測量。應變片K小于線材靈敏度系數(shù)Kc,膠體傳遞變形失真和橫向效應是主要原因。3.應變片的橫向效應——橫向應變使所測得的應變數(shù)值變化或使靈敏度系數(shù)減小的現(xiàn)象。3.2.3電阻應變片的特性橫向靈敏度:當縱向靈敏度:橫向效應系數(shù):當總電阻相對變化:3.2.3電阻應變片的特性應用誤差的產生:實際靈敏度系數(shù):標稱靈敏度系數(shù):條件:選用
0=2.85的鋼材,作貼片構件使用中:μ≠μ0,考慮產生的△R相同時橫向誤差:3.2.3電阻應變片的特性4.溫度特性:應變片受環(huán)境溫度影響較大。應變片材料的溫度系數(shù)引起,材料的電阻率歲溫度變化應變片材料與試件材料的線膨脹系數(shù)不同,引起應變片的敏感柵變性而產生為應變片的電阻溫度系數(shù)R為應變片的電阻值
2為試件材料的線膨脹系數(shù)
1為應變片材料的線膨脹系數(shù)K0為應變片材料的應變靈敏系數(shù)當溫度變化
t℃時,應變片的電阻增量為3.2.3電阻應變片的特性5.動態(tài)特性(頻率響應和動態(tài)應變的響應特性)動態(tài)測量時,應變以應變波形式在材料中傳播,傳播速度v與聲速相同。(1)應變波為階躍波時,只有當應變波通過敏感柵全長后,即后,輸出才反映真正的應變值
,如圖c所示3.2.3電阻應變片的特性(2)輸入為正弦波時,應變波是L內應變量的平均值<實際的應變值。帶來的測量誤差隨應變片的標距增大而加大。設應變波方程為:沿標距的平均應變?yōu)椋?.2.3電阻應變片的特性由和差化積公式:中點應變?yōu)椋阂话阏J為應變片測出的應變?yōu)槠渲行牡膽?/p>
m測量誤差為:3.2.3電阻應變片的特性取決于/L,/L越大,越小。一般去/L=10~20,令用級數(shù)展開:略去高次項。
/L=n則應變片最高工作頻率應變片敏感柵長度L(mm)1251020最高工作頻率
(kHz)250125502512.5應用時,可根據動態(tài)測量誤差和最高工作頻率max來選擇應變片基長L3.2.5電阻應變片傳感器組成:彈性敏感元件——把被測物理量轉換為彈性體的應變值;應變片(絲)——把應變轉換為電阻值的變化;電阻應變片傳感器其可以分為兩類粘貼式傳感器是將應變片粘貼在彈性元件上,將彈性敏感元件的應變量轉換成電阻值的變化非粘貼式是將應變絲固接于殼體和敏感元件之間,用來將位移量轉換為金屬絲電阻值的變化應變式傳感器可以安用途來分應變式力傳感器應變式壓力傳感器應變式加速度傳感器應變式位移傳感器(1)非粘貼式傳感器應變絲通常為金屬絲,其直徑一般不超過0.002cm,阻值一般為100
~1000
,非粘貼式傳感器可用于測量力、壓力、位移、加速度等物理量非粘貼式應變壓力傳感器張絲式應變位移傳感器(2)粘貼式電阻應變傳感器可用于測量力、壓力、加速度、扭矩等非電物理量測力傳感器用彈性元件將力轉換為應變量,再利用粘貼在彈性元件上的應變片把應變變換為電阻值的變化常見的彈性元件有:柱式、懸臂梁式輪輻式、環(huán)式3.3固態(tài)壓阻式傳感器3.3.1壓阻效應壓阻效應——固體受力后,電阻率或電阻發(fā)生變化。粘貼型傳感器利用半導體材料的體電阻做成的粘貼式半導體應變片作為敏感元件的傳感器擴散型壓阻式傳感器在半導體材料的基片上用集成電路工藝制成的擴散電阻,以擴散電阻作為敏感元件3.3.1壓阻效應半導體材料是各向異性的,其壓阻效應與晶向(晶面的法線)有關,一般表達式為:
kl為應力,
k表示力的作用面方向,l表示應力方向。
ij為點電阻率,i表示電場強度方向,j表示電流密度方向。
ijkl為壓阻系致,4階張量,共有81個分量,n階張量有3n個張量分量其中l(wèi)為縱向壓阻系數(shù)E
為彈性模量,=E3.3.1壓阻效應電阻相對變化為:
//縱向應力,
橫向應力;
//縱向壓阻系數(shù),
橫向壓阻系數(shù)優(yōu)點:靈敏度系數(shù)高,(比金屬應變片高50~100倍);基片作為彈性元件,集成在基片上,可靠性高;傳感器外徑小,最小可達0.25mm,體積小,有效面積零點幾毫米;可測高頻脈動壓力,f0可達1.5MHz;準確度高0.1%~0.05%。缺點:溫度特性差,當T↑,↓,R↓,必須采用溫度補償措施3.3.2單晶硅的壓阻系數(shù)為書寫方便,令則壓阻系數(shù)
ijkl中,下標i、j代表電阻率的變化分量的方向。下標 k、l代表應力分量的方向。因為剪切應力:(j≠i)
kl和ij只有6個獨立分量下稱變換:11→1,22→2,33→3,23→4,13→5,12→632→4,31→5,21→6變換后:i—壓阻效應方向,j—應力方向3.3.2單晶硅的壓阻系數(shù)對
ij其中,i=1、2、…6,1~3表示x、y、z方向的電阻相對變化(正向壓阻效應),4~6表示繞x、y、z旋轉方向的電阻相對變化(剪切壓阻效應)。j=1、2、…6,1~3表示x、y、z方向受拉壓應力,4~6表示繞x、y、z方向經受剪切應力。(1)剪切應力不可能產生正向壓阻效應,即:i=1、2、3,j=4、5、6時,
ij=0,(2)拉壓應力不可能產生剪切壓阻效應,即:i=4、5、6,j=1、2、3時,
ij=0,(3)剪切應力只能在該剪切平面內產生壓阻效應,即:i=4、5、6,j=4、5、6,且i≠j時,
ij=0,3.3.2單晶硅的壓阻系數(shù)(4)由立方晶體的對稱性:①縱向壓阻效應相等,即:π11=π22=π33,例如,π11—x方向受到拉壓應力,在x方向產生正向壓阻效應。②橫向壓阻效應相等,即:π12=π21=π13=π31=π23=π32例如,π12-—y方向受到拉壓應力,在x方向產生橫向壓阻效應。③剪切壓阻效應相等,即:π44=π55=π66∴獨立壓阻系數(shù)分量只有π11、π12、π44,由實測獲得。3.3.2單晶硅的壓阻系數(shù)
晶軸坐標系壓阻系數(shù)矩陣可寫成:=π11—正向壓阻系數(shù)。π12—橫向壓阻系數(shù)。π44—剪切壓阻系數(shù)。以上的π11、π12、π44是相對于晶軸坐標而言,任意晶向的單晶硅受到縱向應力
//和橫向應力
,其縱向壓阻系數(shù)//和橫向壓阻系數(shù)
是3個壓阻系數(shù)的線性組合,即:3.3.2單晶硅的壓阻系數(shù)
l1,m1,n1
分別為壓阻元件縱向應力相對于立方晶體軸的方向余弦
l2,m2,n2
分別橫向應力相對于立方晶體軸的方向余弦如果縱向應力方向為<hkl>,則3.3.2單晶硅的壓阻系數(shù)
如果橫向應力方向為<rst>,則設計時,選擇適當?shù)那懈罹?、擴散電阻的方向,使電阻相對變化率滿足要求如果知道縱向應力和橫向應力方向,就可以通過π11、π12、π44計算出縱向壓阻系數(shù)π//和橫向壓阻系數(shù)π
,再通過公式就可以計算出電阻相對變化率3.3.2單晶硅的壓阻系數(shù)晶向表示法①密勒指數(shù)
截距表示法:晶面在三個晶軸上的截距分別為r、s、t,其最小公倍數(shù)與各截距的倒數(shù)1/r、1/s、1/t分別相乘,得到三個沒有公約數(shù)的整數(shù)a、b、c,稱為密勒指數(shù)。則晶向記作<abc>,當為負數(shù)時,記作例:晶面垂直于x軸,r=1,s=t=∞,則a=1/r,b=1/s=0,c=1/t=0,晶向為<100>②方向余弦法線表示法:過原點0作rst平面的法線,OP取為1個單位,與x、y、z軸的夾角為α、β、r,交點為L、M、N,用方向余弦cosα、cosβ、cosr表示晶向。3.3.2單晶硅的壓阻系數(shù)晶向表示法
核心部分:一塊圓形的膜片膜片的兩邊有兩個壓力腔4個電阻在應力作用下阻值發(fā)生變化,電橋失去平衡,輸出響應的電壓,這個電壓與膜片兩邊的壓差成正比3.3.3擴散型壓阻傳感器3.3.3擴散型壓阻傳感器1.擴散型壓阻式壓力傳感器在半導體基片上用集成電路工藝制成擴散電阻(4個等值電阻構成平衡電橋);優(yōu)點:靈敏度高,分辨力高,體積小,可靠性好;缺點:溫度特性差。工作原理:4個等值阻組成平衡電橋壓力作用阻值變化電橋失去平衡輸出電壓測量電壓測出壓力徑向應力:切向應力:r0—膜片有效半徑,r—計算點半徑,為泊松系數(shù),P為壓力1.擴散型壓阻式壓力傳感器徑向應力拉應力壓應力壓應力<110>晶向的方向余弦:(∵a=1,b=1,c=0)其橫向<001>方向余弦:1.擴散型壓阻式壓力傳感器P型硅,π11、π12較小,可忽略,π44較大N型硅,π44較小,可忽略,π11較大這里為P型硅:內、外電阻相對變化分別為:——內外電阻徑向平均應力值1.擴散型壓阻式壓力傳感器內、外電阻相對變化分別為:——內外電阻徑向平均應力值適當選擇內、外電阻徑向位置,可使內、外電阻的變化方向相反,數(shù)值相等,可組成差動電橋。突出優(yōu)點:尺寸很小,固有頻率很高2.固態(tài)壓阻式加速度傳感器工作原理:分析方法和前面相同(略)用單晶硅作懸臂梁,在其根部擴散出4個電阻4個擴散等值阻組成平衡電橋阻值變化電橋失去平衡輸出電壓測量電壓測出加速度懸臂梁單晶硅加速度質量塊彎矩產生應力保證較好的線性度,應變不應超過400~500
正確選擇尺寸和阻尼,可測低頻加速度和直線加速度3.4電阻式傳感器的測量電路作用:將電阻變化轉換為電壓或電流的變化;通常將電阻轉化為電壓,有兩種電路3.4.1電位計式電路由傳感器電阻R+R串聯(lián)一個固定電阻Rb組成,U為激勵電壓,E為輸出電壓當當兩式相減3.4.1電位計式電路電位計式電路比較簡單,通常用于測量動態(tài)分量(如沖擊和振動)。如果用變壓器或隔直電容耦合,可把直流分量濾掉。分子分母同除R2,則分子為△E與△R/R之間不是線性關系。但是△R/R一般很小,當α>1,非線性誤差δ不會太大。α↑,δ↓,但輸出電壓E↓;一般取α=1~33.4.2惠斯登電橋電橋電路可以測量非常微弱的電阻變化,通過調整,可以使其輸出在靜態(tài)時為零電橋輸出電壓是A點和B點間的電位差,即:(1)恒壓式電橋(1)恒壓式電橋為了使被測量的量值變化前,電橋輸出為零,即電橋平衡,則應使:R1
R3=R2
R4當每個臂電阻值分別為:R1+R1,R2+R2,R3+R3,R4+R4時,輸出電壓近似為:在對稱情況下,即R1=R2,R3=R4,則(1)恒壓式電橋當R1=R4,R2=R3時,如果令則如果R1=R4=R2=R3=R,這時的輸出電壓為:為了提高靈敏度,增加輸出幅度,使4個橋臂電阻都隨被測量變化,并且使R1=R3=R+
R,R2=R4=R-
R,即接成全橋的形式,這時輸出電壓為:(1)恒壓式電橋非線性項為:精確的輸出電壓為:當電阻相對變化很小時,接近于零,可忽略;如果變化量大,應考慮非線性問題,加以修正。當(1)恒壓式電橋溫度變化會引起傳感器電阻變化,尤其是半導體應變片和固態(tài)電阻式傳感器。溫度引起的電阻變化
RT在各臂相同,故相互抵消,設:R1=R3=R+
RT+R,R2=R4=R+
RT
-R因為R>>
RT,故
RT
對電橋輸出影響很小。當輸出端接上負載RL時,根據載維南定理,先將RL開路,求出開路電壓u0和輸出阻抗R0,再計算輸出電流△I。考慮接成全橋形式,即R1=R3=R+△R,
R2=R4=R-△R(1)恒壓式電橋等效電阻Ro=R,則輸出電流為:小結:等臂電橋在單臂、雙臂、全臂工作時的情況討論如下:單臂電橋△E≈△R/R×(U/4)(R1=R2=R3=R4=RR1=△R+R)雙臂電橋△E=△R/R×(U/2)(R1=R+△RR2=R-△RR3=R4=R)全臂電橋△E=△R/R×U(R1=R3=R+△R,R2=R4=R-△R)開路電壓:輸出電壓:(2)恒流源電橋優(yōu)點:它比恒壓源電橋能更好地消除溫度影響設R1=R3=R+RT+R,R2=R4=R+RT-R,由于支路BAD和BCD的電阻相等,即:RBAD=RBCD=2(R+
RT)則:IBAD=IBCD=(1/2)I電橋輸出為:(2)恒流源電橋比恒壓源電橋更好地消除溫度影響,恒流源電橋的輸出與電阻的變化量成正比,即與被測量成正比,無非線性項,不受溫度的影響。恒壓電橋,無法消除溫度影響,輸出為:(3)電橋的平衡電橋平衡是使被測量為零時,電橋的輸出為零對于直流電橋,值考慮電阻平衡即可對于交流電橋,不僅不要電阻平衡,而且還需要對電抗分量進行平衡(主要是電容分布)1)電阻平衡法串聯(lián)平衡法并聯(lián)平衡法串聯(lián)平衡法∵R4~R1不可能完全相等,在電橋臂R3和R4之間接入一可變電阻Ru來調節(jié)電橋的平衡Ru的大小可由下式計算:其中△r1為電阻R1和R2的偏差△r2為電阻R3和R4的偏差并聯(lián)平衡法用改變Ra的中間觸點的位置來達到平衡的目的,即用改變并聯(lián)在橋臂R1和R2的電阻的方法,R1、R2上并聯(lián)Ru、Rb平衡能力的大小取決于Rb和Ru一般去Rb為:其中△r1為電阻R1和R2的偏差△r2為電阻R3和R4的偏差
Ru的值通常與Rb的值相等并聯(lián)方法Ru≈Rb電容平衡法常用的電容平衡電路,由電位器RH和固定電容C組成。當電橋用交流供電時,為了達到平衡,需要各橋臂滿足如下要求:將代入整理補償電路:串聯(lián)、并聯(lián)熱敏電阻。RP—負溫度系數(shù)假如:T↑,△R3↑,I1↓,UD↓,UD<UB電橋不平衡,Usc≠0
(4)電橋的溫度補償半導體應變片傳感器和固態(tài)壓阻傳感器的阻值和靈敏度系數(shù)受溫度影響較大,溫度變化時,會產生較大的零位漂移和靈敏度漂移零位溫度漂移—橋臂電阻隨溫度變化引起輸出變化。理論上,全橋零位溫漂為零,但工藝上不容易實現(xiàn)溫度系數(shù)相等。壓阻傳感器T↑,πij↓,
R/R↓
(4)電橋的溫度補償在低溫、高溫下,都需滿足電橋平衡方程:實測:計算出:(先設定溫度系數(shù)α、β)再計算出常溫下的Rs、RP,選擇溫度系數(shù)為α、β的電阻。
(4)電橋的溫度補償電橋的靈敏度溫度漂移——是由于壓阻系數(shù)隨溫度變化引起的。摻雜濃度高,當T↑,πij下降慢,甚至不降,但πij值較小。T↑、πij↓、T↓、πij↑∴傳感器靈敏度溫度系數(shù)是負值。補償方法——在電路中串聯(lián)二極管(負溫度特性,△T=1℃,△u↓=1.9~2.4mv)T↑,πij↓,
R/R↓靈敏度K↓,二極管△u↓,若橋壓u↑,Usc↑,K↑△u—需提高的橋壓θ—二極管正向壓降溫度系數(shù)(大約-2mv/℃)可計算出需串聯(lián)的二極管個數(shù)n。注意:補償溫度對靈敏度影響可改變,但提高系統(tǒng)靈敏時不采用該方法。3.5電阻式傳感器在醫(yī)學中的應用(1)脈象傳感器四塊應變片組成平衡式的全橋電路應變片采用半導體應變片當脈搏經過傳感釘子作用于等強度懸臂梁的自由端,使之彎曲變形,粘貼在梁上、下兩面的應變片接成全橋或半橋,輸出電壓波形反映脈管搏動變化波形。其頻率上限受懸臂梁的諧振頻率的限制。(2)心內導管壓阻式壓力傳感器組成:雙硅片懸臂梁、薄膜、雙臂電橋測量:心臟各腔室的壓力壓應力△R1↓拉應力△R2↑工作原理:
壓力→薄膜→雙硅片懸臂梁彎曲—→雙臂電橋—→u0技術指標:具有溫度補償效應,頻響1000Hz以上,靈敏度(3)呼吸氣流傳感器—應變片式基本原理:如果流體的質量密度和
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