第二節(jié)-金屬晶體和離子晶體

第二節(jié)金屬晶體和離子晶體一、晶體的種類分子晶體復習回顧離子晶體金屬晶體原子晶體金屬晶體：金屬原子通過金屬鍵作用形成的晶體。一、金屬晶體

金屬鍵沒有方向性和飽和性，因此金屬最常見的結構模型具有堆積密度大，原子配位數(shù)高，能充分利用空間等特點。

金屬的特點①常溫下，單質都是固體，汞(Hg)除外；②大多數(shù)金屬呈銀白色，有金屬光澤，但金(Au)——色，銅(Cu)——色，鉍(Bi)——色，鉛(Pb)——色。

黃紅微紅

藍白最常見的堆積為三種.面心立方最密堆積（A1）、六方最密堆積(A3)、體心立方堆積(A2)。

金屬晶體的密堆積結構金屬晶體的3種堆積模型對比)金屬晶體的共同性質

①導電性金屬晶體中存在許多自由電子，這些自由電子的運動是沒有方向性的，但在外加電場的作用下，自由電子就會發(fā)生定向移動形成電流，所以金屬容易導電。注意：金屬導電的帶電微粒是電子，離子晶體熔化或溶于水后導電的微粒是陽離子和陰離子；金屬導電過程不生成新物質，屬物理變化，而電解質導電的同時要在陰、陽兩極生成新物質，屬于化學變化，故二者導電的本質是不同的。金屬結構對金屬性質的影響②導熱性自由電子在運動時與金屬離子碰撞而引起能量的交換，從而能量從溫度高的部分傳到溫度低的部分，使整塊金屬達到相同的溫度。③延展性大多數(shù)金屬具有較好的延展性，與金屬離子和自由電子之間的較強作用有關。當金屬受到外力時，晶體中的各離子層就會發(fā)生相對滑動，由于金屬離子與自由電子之間的相互作用沒有方向性，受到外力后相互作用沒有被破壞，金屬雖然發(fā)生了形變，但不會導致斷裂。④熔沸點金屬鍵的強弱與離子半徑、離子電荷有關。離子半徑越小，離子所帶電荷越多，則金屬鍵越強，金屬的熔、沸點越高，硬度越大。同周期的金屬單質，從左至右(如鈉、鎂、鋁)熔沸點升高，硬度增大；同主族的金屬單質，從上至下(如堿金焉)熔、沸點降低，硬度減小。一般地，合金的熔、沸點比其他各成分金屬的熔、沸點低。⑤顏色由于金屬原子以最緊密堆積狀態(tài)排列，內(nèi)部存在自由電子，所以當光線投射到它的表面上時，自由電子可以吸收所有頻率的光，然后很快放出各種頻率的光，這就使絕大多數(shù)金屬呈現(xiàn)銀灰色以至銀白色光澤而金屬在粉末狀態(tài)時，金屬的晶面取向雜亂，晶格排列得不規(guī)則，吸收可見光后輻射不出去，所以金屬粉末常呈暗灰色或黑色。(7)合金①概念：由金屬與金屬或金屬與非金屬混合而成具有金屬性質的物質稱為合金。如Na—K合金、Cu—Zn合金等。②合金的性質：

a．合金的熔點一般比組成它的各成分金屬熔點低。

b．形成舍金后硬度、強度增大(一般情況)。金屬之最應用最廣泛的金屬是鐵（Fe）最穩(wěn)定的金屬單質是金（Au）熔點最高的金屬單質是鎢(W)，最低的是汞(Hg)密度最小的是鋰(Li)延展性最好的是金（Au）導電性能最好的是銀（Ag）知識回顧：離子鍵1、

稱為離子鍵2、成鍵的微粒：陰、陽離子3、成鍵的本質：陰陽離子間的靜電作用4、成鍵的條件：活潑金屬元素的原子和活潑的非金屬元素的原子陰陽離子間強烈的相互作用5、通過離子鍵形成的化合物，均為

化合物，如

、

和

等。離子強堿大多數(shù)鹽金屬氧化物板書一、離子鍵2、電子式1、形成過程Na×

＋[]—Na+×NaClCaF2、NaOH、NH4Cl注意：離子鍵既無方向性，也無飽和性3、離子晶體的空間結構⑴、NaCl型⑵、CsCl型NaCl晶體結構示意圖Na+位置：體心、棱上Cl-位置：頂點、面心NaCl晶體結構示意圖Na+Cl-①在NaCl晶體的一個晶胞中，Cl-的個數(shù)等于

，Na+的個數(shù)等于

。44②在NaCl晶體中每個Na+同時吸引著

個Cl-。６NaCl的晶體結構示意圖Cl-Na+配位數(shù)：6氯化鈉晶體結構思考：與一個鈉離子相鄰最近且距離相等的氯離子有多少個？123456a氯化鈉晶體結構思考：與一個鈉離子相鄰最近且距離相等的鈉離子有多少個？a123456789101112

③在NaCl晶體中每個Na+同時吸引著。它們所圍成的空間幾何構型是

。正八面體④與一個Na+相鄰最近且距離相等的Na+有

個126個Cl-氯化銫晶體氯化銫的小晶胞銫離子：氯離子：思考：氯化銫晶體中氯離子和銫離子分別處于晶胞的什么位置？①、根據(jù)氯化銫的結構模型確定晶胞分析每個晶胞中有

Cs+，有

個Cl-11②、每個Cs+同時吸引

個Cl-每個Cl-同時吸引

個Cs+，而Cs+數(shù)目與Cl-數(shù)目之比為

。

881:1【CsCl型】③、在每個Cs+周圍與它最近的且距離相等的Cs+有

個６

典型晶體NaClCsCl一個晶胞內(nèi)包含的A或B離子個數(shù)與A離子等距離最近的A離子數(shù)配位數(shù)典型的離子晶體（AB型）板書1612864影響硬度和熔沸點離子鍵的強弱影響離子鍵的強弱的因素是什么？如何衡量離子鍵的強弱？衡量：晶格能（U）

影響：離子半徑、電荷數(shù)

2、硬度、熔沸點影響因素r↓,電荷數(shù)↑，則離子鍵↑，硬度、熔沸點↑板書晶格能（U）1、定義：將1mol離子晶體中的陰、陽離子完全氣化而遠離所吸收的能量。2、衡量離子鍵的強弱吸收的能量越多，晶格能越大，表示離子鍵越強，離子晶體越穩(wěn)定。3、影響因素（P81交流研討）離子半徑、電荷數(shù)、結構型式小結二、離子晶體c、熔沸點硬度較高，密度較大。隨著離子電荷的增加，離子間距的縮短，晶格能增大，熔點升高。b、固態(tài)時不導電，熔融狀態(tài)或在水溶液中能導電1、特性d、不存在單個分子a、一般易溶于水，而難溶于非極性溶劑。ZnS1、堿金屬與鹵素所形成的化合物大都具有的性質是（）①高沸點②能溶于水③水溶液能導電④低熔點⑤熔融狀態(tài)不導電

A①②③B③④⑤C①④⑤