大學(xué)化學(xué)2知識(shí)點(diǎn)歸納

化學(xué)反應(yīng)能否發(fā)生（反應(yīng)方向）能量轉(zhuǎn)換（熱效應(yīng)）反應(yīng)限度（化學(xué)平衡）反應(yīng)速率反應(yīng)機(jī)理化學(xué)熱力學(xué)化學(xué)動(dòng)力學(xué)反應(yīng)的可能性反應(yīng)的現(xiàn)實(shí)性第一章基本框架體系境敞開體系封閉體系孤立體系物質(zhì)交換能量交換性質(zhì)深度.廣度狀態(tài)函數(shù)環(huán)狀態(tài)物理.化學(xué)熱力學(xué)第一定律

?U=Q?W過程函數(shù)熱力學(xué)第二定律

封閉體系：?G<0,自發(fā)過程孤立體系：?S

>0,自發(fā)過程熱力學(xué)第三定律

T=0K,純物質(zhì)完整晶態(tài)，混亂度最小，S=0-ΔGT,P=(W有用)

最大概念：1.熱力學(xué)標(biāo)準(zhǔn)態(tài);狀態(tài)函數(shù)；內(nèi)能U;熱Q;功W2.熱效應(yīng)；焓（變）（H,△H,△rHθ,△rHθm,△fHθm)3.吉布斯自由能(G,△G,△rGθ,△rGθm,△fGθm)4.熵（Sθm,△rSθm）計(jì)算：1.蓋斯定律ΔrHθm(T)＝∑

vBΔfHθm(B，T)2.吉布斯－赫姆霍茲公式：

ΔG(T)＝ΔH(T)－TΔS(T)

T轉(zhuǎn)3.ΔrG

m(298.15K)＝∑

vB

ΔfG

m(B，298.15K)4.ΔrS

m(298.15K)＝∑

vBSm

(B，298.15K)5.(1)ΔfH

m、ΔfG

m單位是kJ·mol-1,Sm

(T)的單位是J·K-1·mol-1;(2)參考態(tài)單質(zhì)ΔfH

m

＝0；ΔfG

m

＝0；

Sm

(T)≠0。第三章基本知識(shí)點(diǎn)及要求1.道爾頓分壓定律:pi=p總

xi2.平衡常數(shù)：（1）氣相反應(yīng)：Kp,Kθ

（注意單位）

（2）溶液反應(yīng):αB,Kc,Kθ

（3）意義及書寫注意事項(xiàng)（4）多重平衡規(guī)則：Kθ=Kθ1.

Kθ23.化學(xué)反應(yīng)等溫方程式：

（1）ΔrG

m(T)

＝-RTlnK

(T)

（2）ΔrGm

(T)＝

RTlnJc/K

ΔrGm

(T)＝

RTlnJp

/K

lnK2θK1θ＝ΔrHθm

R

T2–T1

T2×T1（）（3）lnKθ(T)＝-ΔrHθm/RT+ΔrSθm/R

4.一元弱酸弱堿的電離平衡：c(H+)={Ka.c(HA)}1/2c(OH－)≈{Kb.c(B)}1/25.緩沖溶液：（1）定義；組成；緩沖原理（加酸，加堿，稀釋）

c(弱酸)c(弱酸鹽)c(H+)≈Ka

c(弱堿)c(弱堿鹽)c(OH－)≈Kb

（2）6.沉淀-溶解平衡：（1）溶度積Ks及與溶解度關(guān)系

（2）溶度積規(guī)則：比較離子積與Ks7.配離子的離解平衡：

（1）配合物的構(gòu)成(中心離子，配位原子，配位數(shù))

（2）配合物的命名（配正，配負(fù)，2個(gè)以上配體）c(HAc)/Ka≥400c(NH3·H2O)/Kb≥400c(弱酸)c(弱酸鹽)pH≈pKa－

lg

c(弱堿)c(弱堿鹽)pH≈14－pKb＋lg1.原電池(△G＜0)組成；正負(fù)極反應(yīng)及配平；書寫符號(hào)；電極類型；電對(duì)書寫2.電極電勢(shì)E?及電動(dòng)勢(shì)E標(biāo)準(zhǔn)氫(甘汞)電極；無加和性與方程式書寫無關(guān)；介質(zhì)酸堿性有關(guān)3.Nernst方程意義，正確書寫及應(yīng)用aO+ze-=bR(R=8.315J·K-1·mol-1

；F=96,485C·mol-1;T＝298.15K）第四章電化學(xué)原理及應(yīng)用E(電極)=E

(電極)＋lg

{c(R)/c

}b0.0592V{c(O)/c

}az（1）pH影響：氧化物（MnO2、PbO2）、含氧酸及其鹽(KMnO4、KClO3)pH減小(酸度增大)，電極電勢(shì)增加，氧化能力增強(qiáng)。（2）生成沉淀（配離子）影響：氧化型形成沉淀，Eq↓；還原型形成沉淀，Eq↑；

氧化型和還原型都形成沉淀，看二者Ks

的相對(duì)大小。4.電動(dòng)勢(shì)E與△G的關(guān)系5.電極電勢(shì)的應(yīng)用-DrG=Welec,maxDrGm=-

zFE

或DrGmθ=-

zFE

θ（1）氧化劑和還原劑相對(duì)強(qiáng)弱的比較

E（O/R)O氧化能力R還原能力（2）氧化還原方向的判斷

電動(dòng)勢(shì)E>0,DrGm<0,正向自發(fā)（3）氧化還原反應(yīng)進(jìn)行的次序

反應(yīng)首先發(fā)生在電極電勢(shì)差值較大的兩個(gè)電對(duì)之間

（4）氧化還原反應(yīng)進(jìn)行程度的衡量

lnKθ

＝zFEθ/RTlgKθ

＝zEθ/0.0592V（5）電極電勢(shì)的相對(duì)大小不能判斷反應(yīng)速率的大小6.化學(xué)電源：掌握鉛蓄電池電極反應(yīng)及充放電原理7.電解(△G>0)：

（1）電解池與原電池的區(qū)別：組成，原理，電極反應(yīng)（2）分解電壓，反電動(dòng)勢(shì)，超電勢(shì)（3）極化：濃差；電化學(xué).結(jié)果:E(陽)增大，E(陰)減小

8.電鍍，電拋光，電解加工，陽極氧化9.金屬腐蝕與防護(hù)：

（1）化學(xué)腐蝕

（2）電化學(xué)腐蝕析氫腐蝕；吸氧腐蝕；氧濃差腐蝕（水線腐蝕）（3）了解防護(hù)方法1.波爾理論：定態(tài)假設(shè)；軌道假設(shè)；躍遷假設(shè)2.微觀粒子的波﹑粒二象性:

λ=h/p=h/mv;波恩的統(tǒng)計(jì)解釋;概率波3.電子運(yùn)動(dòng)的三大特性：

能量量子化；波粒二象性；統(tǒng)計(jì)性4.薛定諤方程與波函數(shù)y：波函數(shù)=薛定鍔方程的合理解=原子軌道

概念意義；s,p軌道角度分布圖（形狀特點(diǎn)及描述）5.電子云y2與波函數(shù)y：

概念意義；s,p電子云角度分布圖（形狀特點(diǎn)及描述）電子云與原子軌道角度分布圖區(qū)別第5章原子結(jié)構(gòu)與周期系6.四個(gè)量子數(shù)n,l,m,ms：取值，意義7.核外電子排布：

（1）三原則：泡利不相容；能量最低；洪特規(guī)則

（2）電子進(jìn)入能級(jí)順序及電子分布式：重點(diǎn)4，5周期8.周期系與元素性質(zhì)：

（1）外層電子構(gòu)型與周期表中的位置（2）有效核電荷數(shù)，原子半徑，電負(fù)性描述了原子中電子出現(xiàn)幾率最大的區(qū)離核的遠(yuǎn)近。n值越大，電子出現(xiàn)幾率最大的區(qū)域離核越遠(yuǎn)，也可以說電子離核的平均距離越大。n值相同的各原子軌道電子離核的平均距離較接近，故常把具有相同主量子數(shù)n的各原子軌道歸并稱為同一個(gè)“電子層”。

n=1,2,3,4,5,6等正整數(shù)，電子層分別用K,L,M,N,O,P表示,稱為電子層的符號(hào)。在氫原子中n值越大的電子層，電子的能量越高。但在多電子原子中，核外電子的能量則由主量子數(shù)n和角量子數(shù)l兩者決定。1.主量子數(shù)n角量子數(shù)l可表示原子軌道或電子云的形狀。

l=0,1,2,3,…,(n-1)l=0時(shí)（s軌道），原子軌道或電子云呈球形分布；

l=1時(shí)（p軌道），原子軌道的角度分布圖為雙球面，電子云的角度分布的圖為兩個(gè)交于原點(diǎn)的橄欖形曲面；

l=2（d軌道）及3（稱f軌道）時(shí),原子軌道的形狀更為復(fù)雜。角量子數(shù)就表示同一電子層n的不同“電子亞層”。

n,l相同的各原子軌道屬于同一“電子亞層”，簡(jiǎn)稱“亞層”。2.角量子數(shù)l

m=0，±1，±2，……±l。決定了原子軌道（或電子云）在空間的伸展方向。l=0，m=0，亞層只有一個(gè)球形的s軌道，無方向性。l=1，m=0﹑±1，p亞層有三個(gè)不同伸展方向的p軌道，常用pz，px，py表示這三個(gè)不同伸展方向。l=2，m=0﹑±1﹑±2，d亞層有5個(gè)不同伸展方向的d軌道。當(dāng)n,l,m都確定，就決定了是哪一個(gè)主層、什么形狀的亞層、某個(gè)伸展方向的軌道。3.磁量子數(shù)mms的取值只有+1/2和-1/2，不依賴于n，l，m三個(gè)量子數(shù)它描述了電子自旋運(yùn)動(dòng)的特征。電子的自旋只有兩個(gè)方向，通常稱為正自旋和反自旋，或順時(shí)針方向和反時(shí)針方向，可用向上或向下的箭頭“↑↓”來表示這兩個(gè)不同方向的電子自旋運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。4.自旋量子數(shù)msElectronspinvisualized

想象中的電子自旋兩種可能的自旋方向:

正向(+1/2)和反向(-1/2)自旋運(yùn)動(dòng)使電子具有類似于微磁體的行為，產(chǎn)生方向相反的磁場(chǎng)自旋相反的一對(duì)電子,磁場(chǎng)相互抵消.

MagneticfieldscreenSmallclearancespaceSilveratomicraykiln原子的外層電子構(gòu)型與周期表的分區(qū)最外層電子nsnp次外層電子（n-1）d（n-2）f分區(qū) 最后一個(gè)電子填入的軌道位置 外層電子構(gòu)型

s區(qū) s軌道 ⅠAⅡAns1--2

p區(qū) p軌道 ⅢA---零族ns2np1--6

d區(qū) d軌道 ⅢB---Ⅷ(n-1)d1-9ns1-2

ds區(qū) d軌道d10 ⅠBⅡB (n-1)d10ns1--2

f區(qū) f軌道鑭系錒系(n-2)f1--14(n-1)d0-2ns2外層電子構(gòu)型1.離子鍵：本質(zhì)，特征2.價(jià)鍵理論

理論要點(diǎn)，共價(jià)鍵本質(zhì)特征，

鍵和

鍵，鍵參數(shù)3.雜化軌道理論與分子構(gòu)型

理論要點(diǎn)；sp,sp2,sp3,不等性sp3雜化：分子構(gòu)型及書上實(shí)例4.分子間力和氫鍵

（1）共價(jià)鍵極性與分子極性（電偶極矩p與分子構(gòu)型）

(2)色散力，誘導(dǎo)力，取向力（3）氫鍵：特征；存在條件；對(duì)物性影響第六章化學(xué)鍵與分子結(jié)構(gòu)分子間的氫鍵存在使熔、沸點(diǎn)升高分子內(nèi)的氫鍵存在使熔、沸點(diǎn)降低

鍵與

鍵的對(duì)比表共價(jià)鍵類型

鍵

鍵原子軌道重疊方式頭碰頭肩并肩波函數(shù)分布對(duì)鍵軸呈圓柱形對(duì)稱對(duì)鍵軸上下反對(duì)