絕緣放電基本原理 絕緣試驗(yàn) 介質(zhì)損耗正切值的測(cè)量

絕緣預(yù)防性試驗(yàn)概述第一章第二章第三章第四章第五章第六章絕緣電阻和吸收比測(cè)量介質(zhì)損耗正切值的測(cè)量局部放電的測(cè)量工頻交流耐壓試驗(yàn)直接泄露及直流耐壓試驗(yàn)絕緣油的氣相色譜分析西林電橋測(cè)量法的電磁干擾西林電橋測(cè)量法的基本原理介質(zhì)損耗正切值的測(cè)量西林電橋測(cè)量法的其它影響因素01介質(zhì)損耗正切值的測(cè)量西林電橋測(cè)量法的基本原理介質(zhì)損耗：電介質(zhì)在電壓作用下有能量損耗，電介質(zhì)的能量損耗簡(jiǎn)稱介質(zhì)損耗。電介質(zhì)的等值電路：當(dāng)絕緣介質(zhì)劣化時(shí)，介質(zhì)損耗增加，但介質(zhì)損耗難以形成標(biāo)準(zhǔn)。介質(zhì)損耗正切值的測(cè)量西林電橋測(cè)量法的基本原理介質(zhì)損耗角δ為功率因數(shù)角的余角，其正切值tanδ又稱為介質(zhì)損耗因數(shù)，常用百分比(%)表示：介質(zhì)損耗角正切值只與介質(zhì)材料本身屬性有關(guān)，與電氣設(shè)備的尺寸和絕緣的結(jié)構(gòu)無(wú)關(guān)，所以對(duì)介質(zhì)損耗的測(cè)量主要是指測(cè)量介質(zhì)損耗角正切。tanδ的測(cè)量方法：西林電橋法。測(cè)量設(shè)備：（a）QS-1型西林電橋（b）智能型介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x介質(zhì)損耗正切值的測(cè)量西林電橋測(cè)量法的基本原理QS-1型西林電橋原理接線圖介質(zhì)損耗正切值的測(cè)量西林電橋測(cè)量法的基本原理

西林電橋原理接線圖介質(zhì)損耗正切值的測(cè)量西林電橋測(cè)量法的基本原理

介質(zhì)損耗正切值的測(cè)量西林電橋測(cè)量法的基本原理由于絕大多數(shù)電氣設(shè)備的金屬外殼是直接放在接地底座上的，換言之，被試品的一極往往是固定接地的。這時(shí)就不能用上述正接線來(lái)測(cè)量它們的tanδ，而應(yīng)改用如圖所示的反接線法進(jìn)行測(cè)量。西林電橋反接線原理圖西林電橋測(cè)量法的電磁干擾西林電橋測(cè)量法的基本原理介質(zhì)損耗正切值的測(cè)量西林電橋測(cè)量法的其它影響因素01介質(zhì)損耗正切值的測(cè)量西林電橋測(cè)量法的電磁干擾在現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行測(cè)量時(shí)，試品和橋體往往處在周圍帶電部分的電場(chǎng)作用范圍之內(nèi)，雖然電橋本體及連接線都如前所述采取了屏蔽，但對(duì)試品通常無(wú)法做到全部屏蔽。這時(shí)等值干擾電源電壓就會(huì)通過(guò)對(duì)試品高壓電極的雜散電容產(chǎn)生干擾電流，影響測(cè)量。外接電源引起的電磁干擾介質(zhì)損耗正切值的測(cè)量西林電橋測(cè)量法的電磁干擾因?yàn)楸辉嚻返淖杩贡萊3和變壓器漏抗大得多，所以干擾電流流過(guò)R3和變壓器形成回路。（2）采用移相電源法移相電源消除干擾的接線圖介質(zhì)損耗正切值的測(cè)量西林電橋測(cè)量法的電磁干擾短接BD點(diǎn)，干擾電流I`和原電流Ix同時(shí)通過(guò)驗(yàn)流計(jì)G，設(shè)該電流為Ix。調(diào)節(jié)移相器，改變電源相位，使電流Ix最小，此時(shí)干擾電流與原電流相位相同，不影響介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)量。撤消BD短接，再調(diào)節(jié)測(cè)量介質(zhì)損耗角正切值。介質(zhì)損耗正切值的測(cè)量西林電橋測(cè)量法的電磁干擾

介質(zhì)損耗正切值的測(cè)量西林電橋測(cè)量法的電磁干擾被試品實(shí)際介質(zhì)損耗角正切值為：介質(zhì)損耗正切值的測(cè)量西林電橋測(cè)量法的其它影響因素1.溫度的影響溫度對(duì)tanδ值的影響很大，具體的影響程度隨絕緣材料和結(jié)構(gòu)的不同而異。一般來(lái)說(shuō)，tanδ隨溫度的增高而增大?，F(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)時(shí)的絕緣溫度是不一定的，所以為了便于比較，應(yīng)將在各種溫度下測(cè)得的tanδ值換算到20℃時(shí)的值。

2.試驗(yàn)電壓的影響與試驗(yàn)電壓的典型關(guān)系曲線1良好的絕緣2絕緣中存在氣隙3受潮絕緣介質(zhì)損耗正切值的測(cè)量西林電橋測(cè)量法的其它影響因素3.試品電容量的影響對(duì)于電容量較小的試品(例如套管、互感器等)，測(cè)量tanδ能有效地發(fā)現(xiàn)局部集中性缺陷和整體分布性缺陷。但對(duì)電容量較大的試品(例如大中型發(fā)電機(jī)、變壓器、電力電纜、電力電容器等)測(cè)量tanδ只能發(fā)現(xiàn)整體分