半導(dǎo)體物理學(xué)期末復(fù)習(xí)試題及答案一

選擇題與絕緣體相比，半導(dǎo)體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需要的能量〔B〕。A.比絕緣體的大B.比絕緣體的小C.和絕緣體的一樣受主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供〔B〕，施主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供〔C〕，本征激發(fā)向半導(dǎo)體提供〔A〕。A.電子和空穴B.空穴C.電子對(duì)于一定的N型半導(dǎo)體材料，在溫度一定時(shí)，減小摻雜濃度，費(fèi)米能級(jí)會(huì)〔B〕。A.上移B.下移C.不變?cè)跓崞胶鉅顟B(tài)時(shí)，P型半導(dǎo)體中的電子濃度和空穴濃度的乘積為常數(shù)，它和〔B〕有關(guān)A.雜質(zhì)濃度和溫度B.溫度和禁帶寬度C.雜質(zhì)濃度和禁帶寬度D.雜質(zhì)類型和溫度MIS構(gòu)造發(fā)生多子積累時(shí)，外表的導(dǎo)電類型與體材料的類型〔B〕。A.一樣B.不同C.無(wú)關(guān)空穴是(B)。A.帶正電的質(zhì)量為正的粒子B.帶正電的質(zhì)量為正的準(zhǔn)粒子C.帶正電的質(zhì)量為負(fù)的準(zhǔn)粒子D.帶負(fù)電的質(zhì)量為負(fù)的準(zhǔn)粒子砷化稼的能帶構(gòu)造是〔A〕能隙構(gòu)造。A.直接B.間接將Si摻雜入GaAs中，假設(shè)Si取代Ga則起〔A〕雜質(zhì)作用，假設(shè)Si取代As則起〔B〕雜質(zhì)作用。A.施主B.受主C.陷阱D.復(fù)合中心在熱力學(xué)溫度零度時(shí)，能量比小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為〔D〕，當(dāng)溫度大于熱力學(xué)溫度零度時(shí)，能量比小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為〔A〕。A.大于1/2B.小于1/2C.等于1/2D.等于1E.如下圖的P型半導(dǎo)體MIS構(gòu)造的C-V特性圖中，AB段代表〔A〕，CD段代表〔B〕。A.多子積累B.多子耗盡C.少子反型D.平帶狀態(tài)P型半導(dǎo)體發(fā)生強(qiáng)反型的條件〔B〕。A.B.C.D.金屬和半導(dǎo)體接觸分為：〔B〕。A.整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸B.整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸C.非整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸D.非整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸一塊半導(dǎo)體材料，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，假設(shè)光照突然停頓后，其中非平衡載流子將衰減為原來(lái)的〔A〕。A.1/eB.1/2C.0D.載流子的漂移運(yùn)動(dòng)是由〔A〕引起的，反映擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)強(qiáng)弱的物理量是〔B〕。A.電場(chǎng)B.濃度差C.熱運(yùn)動(dòng)D.E.F.對(duì)摻雜的硅等原子半導(dǎo)體，主要散射機(jī)構(gòu)是：〔B〕。A.聲學(xué)波散射和光學(xué)波散射B.聲學(xué)波散射和電離雜質(zhì)散射C.光學(xué)波散射和電離雜質(zhì)散射D.光學(xué)波散射證明題對(duì)于某n型半導(dǎo)體，試證明其費(fèi)米能級(jí)在其本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)之上。即EFn>Ei。計(jì)算畫圖題三塊半導(dǎo)體Si室溫下電子濃度分布為，,〔NC=3*1019cm-3，NV=1*1019cm-3，ni=1010cmln1000＝6.9〕則〔1〕、計(jì)算三塊半導(dǎo)體的空穴濃度〔2〕、畫出三塊半導(dǎo)體的能帶圖〔3〕、計(jì)算出三塊半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)相對(duì)與的位置〔要求n型半導(dǎo)體求EC－EF，p型半導(dǎo)體求EF－Ev〕〔15分〕室溫下，本征鍺的電阻率為47，試求本征載流子濃度。假設(shè)鍺原子的濃度為，摻入施主雜質(zhì)，使每個(gè)鍺原子中有一個(gè)雜質(zhì)原子，計(jì)算室溫下電子濃度和空穴濃度(設(shè)雜質(zhì)全部電離)。試求該摻雜鍺材料的電阻率。設(shè)，且認(rèn)為不隨摻雜而變化。假設(shè)流過樣品的電流密度為，求所加的電場(chǎng)強(qiáng)度。畫出金屬和N型半導(dǎo)體接觸能帶圖〔，且忽略間隙〕，并分別寫出金屬一邊的勢(shì)壘高度和半導(dǎo)體一邊的勢(shì)壘高度表達(dá)式。如下圖，為P型半導(dǎo)體MIS構(gòu)造形成的能帶圖，畫出對(duì)應(yīng)的電荷分布圖