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PAGE3介質(zhì)損耗和介電常數(shù)測(cè)量實(shí)驗(yàn)介電特性是電介質(zhì)材料極其重要的性質(zhì)。在實(shí)際應(yīng)用中,電介質(zhì)材料的介電系數(shù)和介質(zhì)損耗是非常重要的參數(shù)。例如,制造電容器的材料要求介電系數(shù)盡量大,而介質(zhì)損耗盡量小。相反地,制造儀表絕緣器件的材料則要求介電系數(shù)和介質(zhì)損耗都盡量小。而在某些特殊情況下,則要求材料的介質(zhì)損耗較大。所以,通過(guò)測(cè)定介電常數(shù)()及介質(zhì)損耗角正切(tg),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù)。一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、探討介質(zhì)極化與介電常數(shù)、介質(zhì)損耗的關(guān)系;2、了解高頻Q表的工作原理;3、掌握室溫下用高頻Q表測(cè)定材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值。二、實(shí)驗(yàn)原理按照物質(zhì)電結(jié)構(gòu)的觀點(diǎn),任何物質(zhì)都是由不同的電荷構(gòu)成,而在電介質(zhì)中存在原子、分子和離子等。當(dāng)固體電介質(zhì)置于電場(chǎng)中后會(huì)顯示出一定的極性,這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為極化。對(duì)不同的材料、溫度和頻率,各種極化過(guò)程的影響不同。1、介電常數(shù)():某一電介質(zhì)(如硅酸鹽、高分子材料)組成的電容器在一定電壓作用下所得到的電容量Cx與同樣大小的介質(zhì)為真空的電容器的電容量Co之比值,被稱(chēng)為該電介質(zhì)材料的相對(duì)介電常數(shù)。式中:Cx —電容器兩極板充滿介質(zhì)時(shí)的電容;C —電容器兩極板為真空時(shí)的電容; —電容量增加的倍數(shù),即相對(duì)介電常數(shù)介電常在絕緣技術(shù)中,特別是選擇絕緣材料或介質(zhì)貯能材料時(shí),都需要考慮電介質(zhì)的介電常數(shù)。此外,由于介電常數(shù)取決于極化,而極化又取決于電介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和分子運(yùn)動(dòng)的形式。所以,通過(guò)介電常數(shù)隨電場(chǎng)強(qiáng)度、頻率和溫度變化規(guī)律的研究,還可以推斷絕緣材料的分子結(jié)構(gòu)。2.介電損耗(tg):在工程中,常將介電損耗用介質(zhì)損耗角正切tg來(lái)表示。tg是絕緣體的無(wú)效消耗的能量對(duì)有效輸入的比例,它表示材料在一周期內(nèi)熱功率損耗與貯存之比,是衡量材料損耗程度的物理量。tg式中:ω —電源角頻率;R —并聯(lián)等效交流電阻;C —并聯(lián)等效交流電容器凡是體積電阻率小的,其介電損耗就大。介質(zhì)損耗對(duì)于用在高壓裝置、高頻設(shè)備,特別是用在高壓、高頻等地方的材料和器件具有特別重要的意義,介質(zhì)損耗過(guò)大,不僅降低整機(jī)的性能,甚至?xí)斐山^緣材料的熱擊穿。3、Q值:tg的倒數(shù)稱(chēng)為品質(zhì)因素,或稱(chēng)Q值。Q值大,介電損失小,說(shuō)明品質(zhì)好。所以在選用電介質(zhì)前,必須首先測(cè)定它們的和tg。而這兩者的測(cè)定是分不開(kāi)的。通常測(cè)量材料介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切的方法有二種:交流電橋法和Q表測(cè)量法,其中Q表測(cè)量法在測(cè)量時(shí)由于操作與計(jì)算比較簡(jiǎn)便而廣泛采用。本實(shí)驗(yàn)主要采用的是Q表測(cè)量法。4、陶瓷介質(zhì)損耗角正切及介電常數(shù)測(cè)試儀:它由穩(wěn)壓電源、高頻信號(hào)發(fā)生器、定位電壓表CBl、Q值電壓表CB2、寬頻低阻分壓器以及標(biāo)準(zhǔn)可調(diào)電容器等組成(圖2)。工作原理如下:高頻信導(dǎo)發(fā)生器的輸出信號(hào),通過(guò)低阻抗耦合線圈將信號(hào)饋送至寬頻低阻抗分壓器。輸出信號(hào)幅度的調(diào)節(jié)是通過(guò)控制振蕩器的簾柵極電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)調(diào)節(jié)定位電壓表CBl指在定位線上時(shí),Ri兩端得到約l0mV的電壓(Vi)。當(dāng)Vi調(diào)節(jié)在一定數(shù)值(10mV)后,可以使測(cè)量Vc的電壓表CB2直接以Q值刻度,即可直接的讀出Q值,而不必計(jì)算。另外,電路中采用寬頻低阻分壓器的原因是:如果直接測(cè)量Vi必須增加大量電子組件才能測(cè)量出高頻低電壓信號(hào),成本較高。若使用寬頻低阻分壓器后則可用普通電壓表達(dá)到同樣的目的。圖1Q表測(cè)量電路圖經(jīng)推導(dǎo)(1)介電常數(shù): (1)式中:C1—標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下的電容量;C2—樣品測(cè)試的電容量;d—試樣的厚度(cm);Φ—試樣的直徑(cm);(2)介質(zhì)損耗角正切: (2)式中:Q1—標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下的Q值;Q2—樣品測(cè)試的Q值;(3)Q值: (3)三、實(shí)驗(yàn)儀器及設(shè)備1、儀器設(shè)備:(1)Q表測(cè)試儀、電感箱、樣品夾具等;(2)千分游標(biāo)卡尺;2、樣品要求:圓形片:厚度2±0.5mm,直徑為Φ38±1mm。四、實(shí)驗(yàn)步驟1、本儀器適用于110V/220V,50Hz交流電,使用前要檢查電壓情況,以保證測(cè)試條件的穩(wěn)定。2、開(kāi)機(jī)預(yù)熱15分鐘,使儀器恢復(fù)正常狀態(tài)后才能開(kāi)始測(cè)試。3、按部件標(biāo)準(zhǔn)制備好的測(cè)試樣品,兩面用特種鉛筆或?qū)щ娿y漿涂覆,使樣品兩面都各自導(dǎo)電,但南面之間不能導(dǎo)通,備用。4、選擇適當(dāng)?shù)妮o助線圈插入電感接線柱。根據(jù)需要選擇振蕩器頻率,調(diào)節(jié)測(cè)試電路電容器使電路諧振。假定諧振時(shí)電容為C1,品質(zhì)因素為Q1。5、將被測(cè)樣品接在Cx接線柱上。6、再調(diào)節(jié)測(cè)試電路電容器使電路諧振,這時(shí)電容為C2,可以直接讀出Q2。7、用游標(biāo)卡尺量出試樣的直徑Φ和厚度d(分別在不同位置測(cè)得兩個(gè)數(shù)據(jù),再取其平均值)。五、結(jié)果處理1、和tg測(cè)定記錄:實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)按表要求填寫(xiě)。序號(hào)12345試樣厚度試樣直徑測(cè)試數(shù)據(jù)C1C2Q1Q2計(jì)算結(jié)果tg平均值 = tg2、計(jì)算:根據(jù)表格中測(cè)得的數(shù)據(jù),按公式(1)、(2)分別計(jì)算各個(gè)數(shù)值。六、注意事項(xiàng)(1)電壓或頻率的劇烈波動(dòng)常使電橋不能達(dá)到良好的平衡,所以測(cè)定時(shí),電壓和頻率要求穩(wěn)定,電壓變動(dòng)不得大于1%,頻率變動(dòng)不得大于0.5%。(2)電極與試樣的接觸情況,對(duì)tgδ的測(cè)試結(jié)果有很大影響,因此涂銀導(dǎo)電層電極要求接觸良好、均勻,而厚度合適。(3)試樣吸濕后,測(cè)得的tgδ值增大,影響測(cè)量精度,應(yīng)當(dāng)嚴(yán)格避免試樣吸潮。(4)在測(cè)量過(guò)程中,注意隨時(shí)電橋本體屏蔽的情況,當(dāng)電橋真正達(dá)到平衡,“本體-屏蔽
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