半導(dǎo)體行業(yè)系列專題（五）-直寫光刻篇：行業(yè)技術(shù)升級加速應(yīng)用滲透直寫光刻市場如日方升

平安證券電子平安證券電子半導(dǎo)體行業(yè)系列專題(五)-直寫光刻篇行業(yè)技術(shù)升級加速應(yīng)用滲透，直寫光刻市場如日方升行業(yè)報告行業(yè)深度報告證券研究報告強于大市(維持)證券分析師徐碧云徐勇平安觀點：直寫光刻涵蓋多領(lǐng)域光刻環(huán)節(jié)，可適用從PCB板到晶圓、玻璃基板等各應(yīng)用場景曝光需求：光刻技術(shù)是將設(shè)計好的微圖形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到覆有感光材料的晶圓、玻璃基板、覆銅板等基材表面上的微納制造技術(shù)，可用來加工制造芯片、顯示面板、掩模版、PCB等。直寫光刻技術(shù)是指計算機控制的高精度光束聚焦投影至涂覆有感光材料的基材表面上，無需掩模直接進行掃描曝光，其曝光成像的方式與傳統(tǒng)投影光刻基本相似，最大區(qū)別是無掩模，使用數(shù)字DMD代替?zhèn)鹘y(tǒng)的掩模。直寫光刻目前最主要的應(yīng)用領(lǐng)域是在PCB,在除掩模版制版外的其他泛半導(dǎo)體領(lǐng)域仍處于技術(shù)滲透階段。PCB直接成像設(shè)備已成功應(yīng)用在PCB各細分產(chǎn)品，如多層板、HDI板、柔性板、IC載板等，覆蓋了PCB各種制程工藝。在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，直寫光刻技術(shù)受限于生產(chǎn)效率與光刻精度等因素，目前還無法滿足泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大規(guī)模制造的需求。從產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用及銷售情況看，在PCB直接成像設(shè)備領(lǐng)域，目前全球市場份額主要被以色列Orbotech、日本ORC、ADTEC、SCREEN等國外企業(yè)占據(jù)，國內(nèi)僅有大族數(shù)控、芯碁微裝、蘇州源卓等廠商實現(xiàn)了PCB直接成像設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化并形成市場銷售。在泛半導(dǎo)體直寫光刻領(lǐng)域，全球主要市場份額被瑞典Mycronic、德國Heidelberg等廠商占據(jù)，國內(nèi)僅有芯碁微裝、江蘇影速等廠商實現(xiàn)了產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化及市場銷售。PCB曝光工藝主流技術(shù)方案，受益于PCB線路精細化要求：在大規(guī)模PCB制造領(lǐng)域，按照工藝流程是否使用底片，PCB曝光技術(shù)可以分為直接成像技術(shù)和傳統(tǒng)菲林曝光技術(shù)。根據(jù)PCB制造步驟，曝光設(shè)備可以分為線路層用曝光設(shè)備和阻焊層用曝光設(shè)備。隨著下游電子產(chǎn)品向便攜、輕薄、高性能等方向發(fā)展，PCB產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)不斷升級。傳統(tǒng)曝光技術(shù)無法滿足中高端PCB產(chǎn)品的精度、產(chǎn)能、良率等大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化制造要求。直寫光刻技術(shù)能滿足高端PCB產(chǎn)品技術(shù)需求，逐漸成為PCB制造中曝光工藝的主流技術(shù)方案。根據(jù)使用發(fā)光元件的不同，直接成像可進一步分為線路層用激光直接成像以及阻焊層用紫外光直接成像。據(jù)QYResearch數(shù)據(jù)，預(yù)計至2023年，全球PCB市場直接成像設(shè)備產(chǎn)量將達到1,588臺，銷售額將達到約9.16億美元；中國PCB市場直接成像設(shè)備產(chǎn)量將達到981臺，銷售額將達約4.94億美元，全球占比達到54%。隨著PCB產(chǎn)品不斷高端化升級，阻焊層曝光精度要求也隨之提升。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù)，中國PCB阻焊層直接成像曝光設(shè)備市場也呈現(xiàn)穩(wěn)步擴大的態(tài)勢，2022年市場規(guī)模達到13億元。隨著國內(nèi)PCB直接成像設(shè)備性能不斷提升，生產(chǎn)成本不斷下降，設(shè)備性價比及本土服務(wù)優(yōu)勢凸顯，直接成像設(shè)備對傳統(tǒng)曝光設(shè)備的替代以及國產(chǎn)直接成像設(shè)備對進口設(shè)備的替代進程也在加速。請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經(jīng)由未經(jīng)許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內(nèi)容。2/25電子·行業(yè)深度報告寫光刻與掩模光刻。其中，掩模光刻可進一步分為接近/接觸式光刻以及投影式光刻。目前，投影式光刻在最小線寬、對位精直寫光刻；另一種是帶電粒子直寫光刻，如電子束直寫、離子束直寫等。帶電子粒子直寫光刻技術(shù)主要應(yīng)用于光刻精度要求隨著直寫光刻技術(shù)產(chǎn)業(yè)化推進，相關(guān)公司數(shù)量增多，行業(yè)有競爭加劇的風險，可能會影響競爭格局請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經(jīng)由未經(jīng)許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內(nèi)容。3/25電子·行業(yè)深度報告正文目錄一、直寫光刻涵蓋多領(lǐng)域光刻環(huán)節(jié)，可適用從PCB板到晶圓、玻璃基板等各應(yīng)用場景曝光需求 6 72.1PCB直接成像可分為線路層用激光直接成像以及阻焊層用紫外光直接成像 72.2PCB需求高端化催生現(xiàn)有曝光設(shè)備更新?lián)Q代，直接成像設(shè)備替代需求強勁 9三、在泛半導(dǎo)體各領(lǐng)域技術(shù)滲透，產(chǎn)業(yè)應(yīng)用 113.1先進封裝：直寫光刻在晶圓級封裝中優(yōu)勢明顯，可與掩模光刻互補 133.2載板：封裝材料市場增長的主要驅(qū)動力之一，為迎合超精細線路制作需求逐步采用直寫光刻 173.3掩模版制版：直寫光刻是主流技術(shù)，可分為激光直寫及電子束直寫 193.4面板顯示：新型顯示應(yīng)用前景良好，既可用于PCB基又可用于玻璃基 22 24 24請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經(jīng)由未經(jīng)許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內(nèi)容。4/25電子·行業(yè)深度報告圖表目錄圖表1直寫光刻系統(tǒng)集成模塊組成示意圖 6圖表2采用DMD的直寫光刻技術(shù)原理示意圖 6圖表3PCB直寫成像設(shè)備結(jié)構(gòu)圖 6圖表4直寫光刻應(yīng)用于中高端PCB及泛半導(dǎo)體領(lǐng)域 7圖表5PCB主要光刻技術(shù)分類 8圖表6PCB直接成像技術(shù)工作原理示意圖 8圖表7使用傳統(tǒng)曝光設(shè)備與直接成像設(shè)備的PCB制造工藝流程示意圖 8圖表8全球PCB產(chǎn)品結(jié)構(gòu)（%） 9圖表9中國PCB曝光設(shè)備市場規(guī)模（億元） 9圖表10全球LDI市場銷售額（百萬美元） 9圖表11中國PCB直接成像設(shè)備市場規(guī)模（億美元） 9圖表12傳統(tǒng)曝光和直接成像技術(shù)的對比 10圖表13中國PCB阻焊層曝光設(shè)備市場規(guī)模（億元） 圖表14中國PCB阻焊層直接成像設(shè)備市場規(guī)模（億元） 圖表15直寫光刻設(shè)備在PCB阻焊的工藝應(yīng)用示意圖 圖表16泛半導(dǎo)體主要光刻技術(shù)分類 12圖表17三種光刻技術(shù)對比示意圖 12圖表18掩模光刻與直寫光刻在泛半導(dǎo)體不同細分市場所要求的光刻精度（最小線寬）具有明顯差別 12圖表19直寫光刻技術(shù)在各泛半導(dǎo)體細分領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的具體情況 12圖表20全球先進封裝市場規(guī)模預(yù)測（十億美元） 13圖表21常見先進封裝細分指標拆解 13圖表22先進封裝I/Opitch、3DStackPitchRoadmap 13圖表233D高端封裝主要參數(shù)更精細化 13圖表24半導(dǎo)體封測頭部大廠在先進封裝領(lǐng)域的技術(shù)節(jié)點 14圖表25半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域發(fā)展的五個階段 14圖表26中國大陸部分涉及先進封裝技術(shù)廠商的產(chǎn)線建設(shè)情況 14圖表27先進封裝處于晶圓制造與封測中的交叉區(qū)域 16圖表28先進封測環(huán)節(jié)與后道封測環(huán)節(jié)差異 16圖表29先進封裝Bumping工藝典型工序流程 16圖表30采用雙銅波紋技術(shù)制作RDLs的工藝流程 16圖表31上海微電子裝備集團SSB520步進投影光刻機 17圖表32芯碁微裝WLP2000直寫光刻設(shè)備 17圖表33全球封裝基板市場規(guī)模預(yù)測（億美元） 18圖表342020年全球封裝基板市場競爭格局 18圖表35全球主要廠商IC封裝基板項目大陸產(chǎn)線 18圖表36直寫光刻設(shè)備在IC載板領(lǐng)域的工藝應(yīng)用示意圖 19請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經(jīng)由未經(jīng)許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內(nèi)容。5/25電子·行業(yè)深度報告圖表37不同類型掩模版的下游應(yīng)用領(lǐng)域及代表廠商 20圖表38半導(dǎo)體掩模版的工藝流程圖 20圖表39全球半導(dǎo)體掩模版市場格局 21圖表40全球獨立第三半導(dǎo)體掩模版市場格局 21圖表41OLED基本器件結(jié)構(gòu)示意圖 22圖表42全球顯示設(shè)備支出預(yù)測（億美元） 22圖表43miniLED的封裝方式和材料 23圖表44底切最?。ㄗ螅┘坝袊乐氐浊校ㄓ遥Ρ葓D 23圖表45直寫光刻設(shè)備在Mini/Micro-LED阻焊領(lǐng)域的工藝應(yīng)用示意圖 24資料來源：芯碁微裝招股說明書，平安證券研究所直寫光刻涵蓋多領(lǐng)域光刻環(huán)節(jié)，可適用從PCB板到晶圓、玻璃基板一、等各應(yīng)用場景曝光需求目前，主要微納制造技術(shù)包括圖案化技術(shù)、化學機械拋光技術(shù)以及薄膜沉積技術(shù)等，其中，光刻技術(shù)是圖案化技術(shù)的核心。光刻技術(shù)是指利用光學-化學反應(yīng)原理和化學、物理刻蝕方法，將設(shè)計好的微圖形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到覆有感光材料的晶圓、玻璃基板、覆銅板等基材表面上的微納制造技術(shù)，用它加工制造的器件包括：芯片、顯示面板、掩模版、PCB等。光刻技術(shù)的主要工藝流程包括預(yù)處理、涂膠、曝光、顯影、刻蝕和去膠等系列環(huán)節(jié)，各工藝環(huán)節(jié)互相影響、互相制約，其術(shù)中最重要的工藝環(huán)節(jié)。曝光。其主要原理是通過計算機將所需的光刻圖案通過軟件輸入到數(shù)字微鏡器件(DMD)芯片中，根據(jù)圖像中的黑白像素光刻設(shè)備是微納制造的關(guān)鍵設(shè)備之一，光刻設(shè)備的性能直接決定微納制程精細程具有投影光刻的技術(shù)特點，如投影成像技術(shù)、雙臺面技術(shù)、步進式掃描曝光等，又本以及縮短工藝流程等技術(shù)特點。直寫光刻設(shè)備集成了圖形處理系統(tǒng)、高精度位移平臺、光路系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、紫外光源、學習、自動控制、高速數(shù)據(jù)處理、有機化學等多領(lǐng)域的跨學科綜合技術(shù)。圖形處理系統(tǒng)光路系統(tǒng)電控系統(tǒng)紫外光源聚焦系統(tǒng)智能生產(chǎn)對準系統(tǒng)資料來源：芯碁微裝招股說明書，平安證券研究所圖表2采用DMD的直寫光刻技術(shù)原理示意圖資料來源：芯碁微裝招股說明書，平安證券研究所直寫光刻曝光成像的方式與傳統(tǒng)投影光刻基本相似，區(qū)別在于使用數(shù)字DMD代替?zhèn)鹘y(tǒng)的掩模，采用高速實時動態(tài)面掃描，利用大功率紫外激光或LED光源，通過高效集光系統(tǒng)和勻光系統(tǒng)照射在DMD上，通請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經(jīng)由未經(jīng)許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內(nèi)容。7/25掃描和無縫拼接技術(shù)，高效實時地形成曝光圖形。PCB直接成像設(shè)備已成功應(yīng)用在PCB各細分產(chǎn)品，如雙面板、多層板、HDI板、柔性板、IC載板等，覆蓋了PCB各種制程工藝，如內(nèi)/外層曝光、卷對卷曝光和阻焊制程等。要求的不斷進步，拉動對上游專用設(shè)備的市場需求，從而為LDI曝光機帶來良好的市場發(fā)展機遇。泛半導(dǎo)體領(lǐng)域中高端的PCB制造領(lǐng)域資料來源：芯碁微裝上市申請首輪問詢回復(fù)函，平安證券研究所激光直寫光刻設(shè)備研發(fā)周期長，且需要與下等國外企業(yè)占據(jù)，國內(nèi)僅有大族數(shù)控、芯碁微裝、蘇州源卓、中山新諾、江蘇影速等廠商實現(xiàn)了PCB直接成像設(shè)備的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)對國外設(shè)備的進口替代。直寫式光刻系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)性能指標包括產(chǎn)能，設(shè)備的解析能力(即最小的線寬和最小的圖形分辨率),線寬精度、對位精度等設(shè)備精度(對位精度包括外層對位和層間對位)。此外，鑒于在PCB領(lǐng)域，直寫光刻已經(jīng)幾乎完全取代了傳統(tǒng)的底片式曝光機，因此，在大批量生產(chǎn)過程中，設(shè)備的穩(wěn)定性也是關(guān)鍵指標之一。高端半導(dǎo)體器件制造的需求。然而，泛半導(dǎo)體器件具有類型多樣化、升級迭代快的特點，特光刻設(shè)備的重視程度，以提高其生產(chǎn)效率。PCB生產(chǎn)過程涉及多個工藝環(huán)節(jié)，每個工藝環(huán)節(jié)對應(yīng)著相應(yīng)的專用設(shè)備需求，主要包括激光鉆孔機、激光切割機、數(shù)控鉆床、曝光設(shè)備、蝕刻設(shè)備、電鍍設(shè)備、檢測設(shè)備等。其中，曝光設(shè)備是PCB制造中的關(guān)鍵設(shè)備之一，用于PCB制請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經(jīng)由未經(jīng)許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內(nèi)容。在PCB制造環(huán)節(jié)中，內(nèi)層圖像、外層圖像以及阻焊環(huán)節(jié)均需要使用PCB曝光設(shè)備。根據(jù)PCB制造步驟，曝光設(shè)備可以分不同類型的產(chǎn)品對制造過程中的曝光精度要求不同，高端產(chǎn)品曝光精度要求更高。傳統(tǒng)曝光技術(shù)需要增加了多道制造工序，無法滿足中高端PCB產(chǎn)品的精度、產(chǎn)能、良率等大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化制造要求。直接成像(DI)是指計算圖形光束聚焦成像至已涂覆感光材料的基板表面上，完成圖形的直接成像和曝光。曝光設(shè)備，在曝光精度、良品率、成本、靈活性、生產(chǎn)效率、環(huán)保性、自動化水平等諸多方面具有比較優(yōu)勢，能滿足高端PCB產(chǎn)品技術(shù)需求，逐漸成為PCB制造中曝光工藝的主流技術(shù)方案。通過如多頭、增加曝光容量、提高掃描速度和調(diào)制頻率等技術(shù)手段，可以有效提高產(chǎn)能，改善直寫光刻設(shè)備的生產(chǎn)效率。根據(jù)使用發(fā)光元件的不同，直接成像可進一步分為激光直接成像(LDI)以及非激光的紫外光直接成像，如紫外LED直接成像技術(shù)(UVLED-DI),其中LDI的光是由紫外激光器發(fā)出，主要應(yīng)用于PCB制造中線路層的曝光工藝，而UVLED-DI的光是由紫外發(fā)光二極管發(fā)出，主要應(yīng)用于PCB制造中阻焊層的曝光工藝。圖表5PCB主要光刻技術(shù)分類圖表6PCB直接成像技術(shù)工作原理示意圖圖形生成紫外光源掃想)運動平臺資料來源：芯碁微裝招股說明書，平安證券研究所資料來源：芯碁微裝招股說明書，平安證券研究所光和資料來源：芯碁微裝招股說明書平安證券研究所圖表9中國PCB圖表9中國PCB曝光設(shè)備市場規(guī)模(億元)圖表11中國PCB直接成像設(shè)備市場規(guī)模(億美元】汽車智能化需要大量多層板、HDI板和柔性板；智能手機、平板電腦和可穿據(jù)，HDI板、柔性板以及IC載板等中高端產(chǎn)品目前已經(jīng)占據(jù)了PCB市場一半以上的份額。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院援引自Uresearch披露的數(shù)據(jù)，中國PCB曝光設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模從2019年的57億元增長至2022年98億元，期間CAGR達到19.8%,前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)計2023~2027年中國PCB曝光設(shè)備市場規(guī)模復(fù)合增速約12%,在2027年將達到173億元。隨著國內(nèi)PCB產(chǎn)業(yè)規(guī)模的不斷增長，疊加PCB需求高端化催生現(xiàn)有PCB曝光設(shè)備的更新?lián)Q代，直接成像設(shè)備替代現(xiàn)有傳統(tǒng)曝光設(shè)備需求強勁。根據(jù)芯碁微裝定增募集說明書援引自QYResearch數(shù)據(jù)，全球PCB市場直接成像設(shè)備產(chǎn)量在2021年為1,148臺，銷售額為約8.13億美元，預(yù)計至2023年，全球PCB市場直接成像設(shè)備產(chǎn)量將達到1,588臺，銷售額將達到約9.16億美元，預(yù)計至2028年，將達到10.8億美元。中國PCB市場直接成像設(shè)備產(chǎn)量在2021年為646臺，銷售額約4.16億美元，預(yù)計至2023年，中國PCB市場直接成像設(shè)備產(chǎn)量將達到981臺，銷售額約4.94億美元，全球占比達到54%。圖表8全球PCB產(chǎn)品結(jié)構(gòu)(%)資料來源：Prismark,平安證券研究所資料來源：QYResearch,平安證券研究所據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院的報告，2022年，Orbotech憑借出色的產(chǎn)品競爭力占據(jù)了中國PCB線路層曝光設(shè)備市場份額的6%-7%;國內(nèi)企業(yè)芯碁微裝、大族數(shù)控位居前列，均占據(jù)約4%-6%的市場份額。隨著國內(nèi)PCB直接成像設(shè)備性能不斷提升，生產(chǎn)成本不斷下降，設(shè)備性價比及本土服務(wù)優(yōu)勢不斷請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經(jīng)由未經(jīng)許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內(nèi)容。10/25電子·行業(yè)深度報告的替代進程在加速。寫光刻技術(shù)。圖表12傳統(tǒng)曝光和直接成像技術(shù)的對比序號對比方面?zhèn)鹘y(tǒng)曝光技術(shù)直接成像技術(shù)1傳統(tǒng)曝光解析受限于底片的圖形解析能底片與基板貼合的平整度等因素均會影響直接成像無需底片，其解析能力由微鏡尺寸及成像鏡頭縮放倍率決定，避免了底片的限制與影響，可以實現(xiàn)更精細的線寬。目前直接成像技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)最高精2起黑色區(qū)域尺寸變化，造成底片膨脹，影直接成像技術(shù)不需要使用底片，能夠根據(jù)基板的標記點直接測量實際變形量，實時修改曝光圖形，避免了3直接成像采用數(shù)據(jù)驅(qū)動直接成像裝置，避免了傳統(tǒng)曝光機采用底片使用過程中帶來的缺陷，有效提升了對4傳統(tǒng)曝光工藝中需要大量使用底片，而底片的制作工序中會產(chǎn)生化學廢液和底片廢56傳統(tǒng)曝光工藝中所需的底片使用壽命約為直接成像技術(shù)不需要使用底片，節(jié)約了底片的物料成7傳統(tǒng)曝光工藝流程復(fù)雜，需要先架設(shè)底片做首件確認，且過程中需要頻繁更換清潔底片。此外，傳統(tǒng)曝光設(shè)備的臺面會限制直接成像技術(shù)可以簡化曝光工藝流程，實現(xiàn)生產(chǎn)過程8傳統(tǒng)的曝光工藝具有較多的人工環(huán)節(jié)，人從而減少了人為因素帶來的生產(chǎn)質(zhì)量問題。另外，直接成像聯(lián)機自動化系統(tǒng)可以幫助客戶實現(xiàn)無人化、智隨著PCB產(chǎn)品不斷高端化升級，阻焊層曝光精度要求也隨之提升。此外，隨著直寫光刻技術(shù)的不斷升級迭代，其產(chǎn)能效率圖表13中國PCB阻焊層曝光設(shè)備市場規(guī)模(億元)資料來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，平安證券研究所在中國PCB阻焊層直接成像曝光設(shè)備領(lǐng)域，目前日企SCREEN圖表14中國PCB阻焊層直接成像設(shè)備市場規(guī)模(億元】資料來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，平安證券研究所納、科視光學、中山新諾、芯碁微裝等呈迎頭追趕態(tài)勢。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院的報告，2022年，SCREEN憑借約13%-18%的市場份額占據(jù)中國PCB阻焊層直接成像曝光設(shè)備市場第一；Orbotech以13%-16%市場份額位列市場第二；源卓微納、科視光學、中山新諾、芯碁微裝、大族數(shù)控、江蘇影速等國內(nèi)企業(yè)市場占有率合計在23%-29%之間，具有良好的替代空間。外外觀檢驗成型后烘烤表面處理前處理內(nèi)層線路生產(chǎn)前準備測合烤料資料來源：芯碁微裝定增募集說明書，平安證券研究所三、在泛半導(dǎo)體各領(lǐng)域技術(shù)滲透，產(chǎn)業(yè)應(yīng)用拓展不斷深化光刻技術(shù)為微納制造中的圖案化技術(shù)，在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域中的圖案成像工藝環(huán)節(jié)中均具有廣泛的應(yīng)用。根據(jù)是否使用掩模版，刻在最小線寬、對位精度、產(chǎn)能等核心指標方面能夠滿足細分領(lǐng)域內(nèi)均實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。帶電子粒子直寫光刻技術(shù)主要應(yīng)用于光刻精度要求極高的10nm左右的IC掩模版制版。請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經(jīng)由未經(jīng)許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內(nèi)容。12/25資料來源：芯碁微裝招股說明書，平安證券研究所掩模版制版、中低端IC掩模版制版、FPD低世代線制造、低端IC前道制造、光伏電鍍銅等的光刻精度及產(chǎn)能要求。輻射源不同資料來源：芯碁微裝招股說明書，平安證券研究所直寫光刻與掩模光刻均有各自的技術(shù)優(yōu)勢。在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，目前IC及FPD制造光刻設(shè)備主要為掩模光刻設(shè)備，而掩模光刻設(shè)備不僅價格昂貴，還需要使用生產(chǎn)周期較長、成本昂貴的掩模版，下游廠商無法靈活快速更換掩模版，不能實現(xiàn)柔性化生產(chǎn)。此外，隨著泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制造精度的不斷提升，掩模版的生產(chǎn)成本呈現(xiàn)大幅上升趨勢，對下游制造廠商形成了較大的成本壓力。在晶圓制造前道領(lǐng)域，直寫光刻的生產(chǎn)效率比掩模光刻低，其主要應(yīng)用于掩模的制版光刻，以及小量、多樣的晶圓制造。在晶圓封裝領(lǐng)域，得益于近年直寫光刻技術(shù)的快速發(fā)展，直寫光刻的生產(chǎn)效率已可以與掩模光刻相當，且直寫光刻具備數(shù)字化、動態(tài)可編輯的優(yōu)勢，發(fā)展?jié)摿Υ?。圖表18掩模光刻與直寫光刻在泛半導(dǎo)體不同細分市場所要求的光刻精度(最小線寬)具有明顯差別IC前道制造需求高IC、FPD掩模版制版FPD制造所需的掩模版制版及IC制中等IC后道封裝求資料來源：芯碁微裝招股說明書，平安證券研究所IC前道制造高在IC前道制造細分領(lǐng)域，掩模光刻是產(chǎn)業(yè)內(nèi)成熟技術(shù)，受產(chǎn)能，直寫光刻技術(shù)目前還無法滿足大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)刻技術(shù)具有靈活性高、成本低等優(yōu)勢，目前在軍工企業(yè)等特殊應(yīng)用場景下的小批量、多批次產(chǎn)品的生產(chǎn)制造及勢，在特定場景下的器件光刻工藝環(huán)節(jié)中具有較強的不可替代性。IC、FPD掩模版制版中等在IC、FPD掩模版制版細分領(lǐng)域，直寫光刻技術(shù)是主流技術(shù)夠滿足FPD制造所需的掩模版制版及IC制造所需的中低端掩模版制版需求；帶電粒子束直寫光刻滿足IC制造高端掩模版制版需IC后道封裝在IC后道封裝細分領(lǐng)域，直寫光刻技術(shù)為新興技術(shù)，掩模內(nèi)成熟技術(shù)。在技術(shù)上，通過應(yīng)用直寫光刻技術(shù)，能夠增強對準的靈活性，實現(xiàn)自動編碼，改善掩模版漲縮問題，從而能夠更好地適用于大尺寸芯片封裝、重布線及3D封裝等需求，具有一定的比較優(yōu)勢。日本SCREEN、USHIO等半導(dǎo)體設(shè)備廠商近年來已經(jīng)推出了適用于晶圓級封裝領(lǐng)域產(chǎn)在FPD制造細分領(lǐng)域，直寫光刻技術(shù)為新興技術(shù)，掩模光刻中不支持局部修改，靈活性較差，直寫光刻技術(shù)逐漸在顯示面板制造中興起，效率指標的不足。資料來源：芯碁微裝上市申請首輪問詢回復(fù)函，平安證券研究所資料來源：Yole,平安證券研究所平安證券研究所圖表22先進封裝VOpitch、資料來源：Yole,平安證券研究所平安證券研究所圖表22先進封裝VOpitch、3DStackPitchRoadmap3Bphe萄面High-EndPerformanceP“后摩爾時代”,隨著集成電路工藝制程的越發(fā)先進，對技術(shù)端和成本端也均提出了巨大挑戰(zhàn)，先進封裝技術(shù)應(yīng)運而生。先像處理芯片、觸控芯片等領(lǐng)域均得到了廣泛應(yīng)用。晶圓級封裝能夠?qū)崿F(xiàn)更大的帶寬、更高的速度與可靠性以及更低的功耗，適合移動消費電子產(chǎn)品、高端超級計算機、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的芯片封裝。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2022年全球先進封裝市場規(guī)模達443億美元，預(yù)計到2028年達786億美元，CAGR約10%。其中占比最大的是Flip-Chip,其次是2.5D/3D(CAGR可達30%)。圖表20全球先進封裝市場規(guī)模預(yù)測(十億美元)圖表21常見先進封裝細分指標拆解DD高端封裝主要參數(shù)更精細化圖表23資料來源：Yole,平安證券研究所資料來源：Yole,平安證券研究所資料來源：Yole,平安證券研究所先進封裝技術(shù)發(fā)展最明顯的特征就是更精細化，因此晶圓端前道廠商技術(shù)領(lǐng)先后道廠商，臺積電、英特爾和三星等廠商在裝形式有不同的判斷標準。一般來說區(qū)別各家封裝廠3D封裝技術(shù)能力的強弱的標準之一是TSVDiameter、VOPitch、RDL-LS的精度等。根據(jù)Yale統(tǒng)計，目前一般先進封裝BumpVOPitch大約在50um左右，3DSt請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經(jīng)由未經(jīng)許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內(nèi)容。13/25預(yù)計到2029年將突破5um。3D高端封裝里TSVDiameterW2W(WafertoWafer)約為1.5-2um,預(yù)計2026年后最細至1um;BondPitchW2W約0.8-1.1um,預(yù)計2026年后最細至0.5um;WaferThicknessW2W約15-20um,預(yù)計2026年后可降至10um。先進封裝的參與者非常多，其解決方案涵蓋(超)高密度扇出(有機中介層)、3D片芯堆疊、2.5D硅中介層、2.5D嵌入式硅橋、3D堆疊存儲器等幾大類。龍頭代工廠及其解決方案當屬臺積電(InFO,集成扇出)、日月光(FOCoS,芯片后裝的基板上扇出芯片)、三星(2.5DRDL(再分布層))、AmkorTechnology(S-SWIFT,高密度扇出線)等。資料來源：Yole,平安證券研究所焊球陣列封裝(BGA)、柵格陣列封裝(LGA)、芯片級封裝(CSP)穩(wěn)定量產(chǎn)，且具備全部或部力(如SiP、Bumping、FC),同時已在第五階段晶圓級封裝領(lǐng)域進行了技術(shù)儲備或產(chǎn)業(yè)布局(如TSV、Fan-Out/ln),國內(nèi)興的封測廠近年來都在不斷地在先進封裝領(lǐng)域投資擴產(chǎn)?？萍嫉诙蓐牐簢谌揸牐罕姺庋b類型及典型封20世紀70表面貼裝型封第二階段20世紀90三維立體封裝芯片上制作凸點表面活化室溫連接扇出型集成電路裝(Fan-Out)資料來源：甬矽電子招股說明書，平安證券研究所子公司工廠設(shè)計目標年產(chǎn)能(不統(tǒng)計無錫江陰星科金朋FC系列產(chǎn)品WLCSP產(chǎn)品106億顆FOWLP產(chǎn)品請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經(jīng)由未經(jīng)許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內(nèi)容。15/25電子·行業(yè)深度報告新型存儲三維封裝項目/能WLCSP/SiP產(chǎn)塊實際產(chǎn)能約為12.96億塊二期項目建設(shè)爬坡中），中道MiddleEnd晶圓制造中道MiddleEnd晶圓制造具體包括晶圓研磨薄化、RDL、Bumping及TSV等工藝技術(shù)，涉及與晶圓制造相似的涂膠、顯影、去膠、蝕刻等工序步驟，從而使得晶圓制造與封測前后道制程中出現(xiàn)中道交叉區(qū)域。這些工藝步驟也是先進封裝相比于傳統(tǒng)封裝的增量工藝，需要用到光刻機、刻蝕機、涂膠顯影機等設(shè)備，但技術(shù)要求比前段晶圓制造要低。曝光、顯影、刻蝕、電鍍、薄膜沉積、化學機械拋光、芯片研磨減薄、劃片貼片、引線/倒裝鍵合、模塑切筋、先進封測環(huán)節(jié)后道封測環(huán)節(jié)資料來源：艾森股份招股說明書，平安證券研究所資料來源：勢銀芯鏈，平安證券研究所資料來源：艾森股份招股說明書，平安證券研究所近年來，我國半導(dǎo)體封裝測試市場規(guī)模不斷擴大，但上游光刻設(shè)備市場仍主要被國外廠商占據(jù)，國產(chǎn)化率較低。光刻設(shè)備是晶圓級封裝工藝中的核心設(shè)備之一，在重布線、濺射凸點下金屬化層、光刻凸點下金屬化層、光刻新焊區(qū)窗口等環(huán)節(jié)中均發(fā)揮重要作用。先進封裝光刻機主要技術(shù)路徑有投影式光刻及直寫光刻，通常使用步進式光刻機。全球晶圓級封裝光刻設(shè)備主要市場被美國AppliedMaterials、Rudolph及日本SCREEN、ORC等國際半導(dǎo)體廠家所占據(jù)，國內(nèi)廠商中的上海微電子等企業(yè)實現(xiàn)了晶圓級封裝掩模光刻設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化并占據(jù)了一定的市場份額。采用雙銅波紋技術(shù)制作RDLs的工藝流程putterTiCndplateCu上海微電子裝備集團的新一代SSB500系列步進投影光刻機，包括FlipChip、Fan-In、Fan-OutWLP/PLP和2.5D/3D等先進封裝形式，可滿足Bumping、RDL和TSV等制程的晶圓級/方板級光刻工藝需求。據(jù)其官網(wǎng)顯示，SSB500系列光刻機提供多種投影物鏡和曝光光源配置，分辨率可達到0.8~2μm,并具有高線寬均勻性；配置高精度MVS對準系統(tǒng)和低畸變投影物鏡，保證了高精度套刻性能。此外，設(shè)備工藝適應(yīng)性強，厚膠曝光時可通過調(diào)整NA來獲得更大焦深，支持高深寬比圖形曝光，并可支持Fan-Out制程中的大翹曲片、鍵合片和厚片曝光工藝，同時可實現(xiàn)高產(chǎn)率。然而，在先進封裝領(lǐng)域，現(xiàn)有的后端光刻系統(tǒng)也面臨著非線性高階基板變形和與芯片移位等問題，特別是在FOWLP的晶圓芯片重構(gòu)之后。對在光刻過程中的圖形數(shù)據(jù)進行實時數(shù)字圖像處理正日益成為一項基本要求。這就要求在直接成像光刻中實時調(diào)整每個芯片周圍相互連接的原始Artwork(工作底片)來補償引入芯片放置錯誤和該工藝造成的翹曲等封裝問題，從而避免由此導(dǎo)致的產(chǎn)量下降。直寫光刻對于正在轉(zhuǎn)向更薄和更密集封裝的先進封裝平臺的主要優(yōu)勢在于實時數(shù)字圖像處理和變圖表31上海微電子裝備集團SSB圖表31上海微電子裝備集團SSB520步進投影光刻機聲資料來源：上海微電子裝備集團官網(wǎng)，平安證券研究所板的新且經(jīng)過變形的光刻圖形數(shù)據(jù)。板級封裝等領(lǐng)域，近年來在晶圓級封裝領(lǐng)域逐漸興起。圖表32芯碁微裝WLP2000直寫光刻設(shè)備資料來源：芯基微裝官網(wǎng)，平安證券研究所芯碁微裝的WLP系列產(chǎn)品可用于8inch/12.5D/3D等，實現(xiàn)了晶圓級封裝直寫光刻設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化，是國內(nèi)少數(shù)從事先進封裝直寫光刻設(shè)效率和成品率。公司主打的WLP2000直寫光刻設(shè)備于2019年底推向市場，是國內(nèi)首款專門為晶圓級先進封裝量產(chǎn)應(yīng)用的直寫光刻設(shè)備，術(shù)，具備自動套刻、背部對準、智能糾偏、WEEWEP功能，在RDL、Bumping夠根據(jù)每個Die的位置的量測結(jié)果，通過智能再布線RDL技術(shù)，解決多種要不斷做曝光圖形拼接而導(dǎo)致效率低的問題。備在客戶端進展順利，且近期獲得大陸頭部先進封在PLP板級封裝也有布局，支持在模組、光芯片、功率器件等領(lǐng)域的封裝。IC封裝基板(又稱IC載板)是先進封裝采用的一種關(guān)鍵專用基礎(chǔ)材料，在芯片和常規(guī)PCB之間起到電氣導(dǎo)通及支撐、保護、散熱功能，被廣泛應(yīng)用于BGA、FlipChip、2.5D/3D封裝等先進封裝工藝中，是先進封裝領(lǐng)域的路層曝光精度、穩(wěn)定性要求較高，同時需滿足大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的產(chǎn)能要求。根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，2022年封裝基板占封裝材料市場的一半以上，是封裝材料市場增長的主要驅(qū)動力之一。根據(jù)基材的不同，IC載板可以分為BT載板和ABF載板，相較于BT載板，ABF材質(zhì)可做線路更精密、高腳數(shù)高傳輸?shù)腎C,具有較高的運算性能，主要用于CPU、GPU、FPGA、ASIC等高運算性能芯片。根據(jù)Prismark的數(shù)據(jù)，2022年全球封裝基板市場規(guī)平安證券模約174億美元，2027年有望達到223億美元，CAGR約5.1%,是PCB行業(yè)下屬增長最快的細分領(lǐng)域。全球封裝基板市場主要由日本、韓國、中國臺灣地區(qū)主導(dǎo)。根據(jù)Prismark的數(shù)據(jù)，2020年全球十大封裝基板企業(yè)占據(jù)了超過80%的市場份額，其中欣興集團、揖斐電和三星電機位居前三。未來，隨著新能源汽車、5G通訊、消費電子等終端市場需求的不斷升級，將推動以CHIPLET為代表的先進封裝技術(shù)的發(fā)展，從而拉動對IC載板產(chǎn)品的市場需求增長。圖表33全球封裝基板市場規(guī)模預(yù)測(億美元)在5G、Al、IOT、高性能計算等需求的驅(qū)動下，以FC-BGA資料來源：Prismark,平安證券研究所為代表的先進封裝技術(shù)的發(fā)展推動了ABF載板的需求量，據(jù)QYReseach報告，預(yù)計2029年全球ABF載板(FCBGA)市場規(guī)模將達到93.3億美元，2022-2029年的CAGR為6.9%。全球范圍內(nèi)ABF載板(FCBGA)生產(chǎn)商主要包括欣興電子、揖斐電、南亞電路等。據(jù)QYResearch報告，2022年全球前五大廠商占有大約75%的市場份額。中國大陸廠商的份額較小，且仍以BT載板為主，但興森科技、深南電路、珠海越亞等頭部公司近兩年紛紛擴產(chǎn)，都在大力投資建廠，已經(jīng)開始布局FC-BGA。方米)/廣州(廣州廣/一期產(chǎn)能爬坡中無錫(無錫廣/產(chǎn)能爬坡中珠海(珠海興科、珠海興森)/已投產(chǎn)產(chǎn)能3.6萬平米已投產(chǎn)產(chǎn)線18萬平米，其余半導(dǎo)體)/一期預(yù)計2024年初投產(chǎn)/載板(一期)3/4/6層FCBGA(二期)半導(dǎo)體)二期預(yù)計2024年底投產(chǎn)FCBGA(二期)大陸昆山區(qū)四層板高精密度電路板請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經(jīng)由未經(jīng)許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內(nèi)容。19/25網(wǎng)通類高精密電路板BGA載板(一期)高密度互聯(lián)積層板(二高頻封裝載板(二期)12-18層IC載板高密度互聯(lián)載板中國西安日月光材料/IC載板產(chǎn)品線置換升級中，總產(chǎn)能不變，預(yù)計2024年中投產(chǎn)//1大陸昆山廠區(qū)已出售智路資本，且為投建IC封裝基板產(chǎn)線資料來源：勢銀芯鏈，平安證券研究所路線發(fā)展，日益窄小的線寬/線距對圖形成像精度、對位精度、以及成品率要求不斷提升。根據(jù)勢銀芯鏈的報告，目前封裝基板線寬/線距從75um/75um提升到5um/5um級別，基板層數(shù)從2層向18-20層高階高密度互聯(lián)方向發(fā)展。由于傳統(tǒng)的底寫光刻技術(shù)逐漸成為IC載板的主流曝光技術(shù)。外觀檢驗電測表面處理文字w尸褪膜圖形電糖圖形電糖載板線路壓膜生產(chǎn)前準備前處理資料來源：芯碁微裝定增募集說明書，平安證券研究所芯碁微裝目前解析度達4μm的載板設(shè)備MAS4已發(fā)至客戶端驗證，打破了日本企業(yè)在6微米以下技術(shù)節(jié)點領(lǐng)域的壟斷，同時公司已儲備3-4μm解析能力的IC載板設(shè)備以便滿足未來市場的技術(shù)發(fā)展需要。在IC、FPD掩模版制版領(lǐng)域，直寫光刻技術(shù)能夠在計算機控制下按照設(shè)計好的圖形直接成像，容易修改且制作周期較短，成為目前泛半導(dǎo)體掩模版制版的主流技術(shù)，可分為激光直寫及電子束直寫光刻機。PCB等領(lǐng)域掩模版產(chǎn)品。由于半導(dǎo)體對線寬縮小的要求更高，光刻環(huán)節(jié)通常使用光刻分辨率更高的投影式光投影至晶圓上，因此通常自身最小線寬為0.5μm的掩模版對應(yīng)下游半導(dǎo)體線寬約為130nm。顯示面板、PCB等材料在曝光時通常采用接近式光刻，掩模版上的圖案按照1:1的比例曝光。圖表37不同類型掩模版的下游應(yīng)用領(lǐng)域及代表廠商等臺積電、英特爾、中芯國際、華虹半導(dǎo)體、華潤導(dǎo)體、立昂微、燕東微、高德紅外、長電科技等版京東方、天馬微電子、華星光電、中電熊貓、惠電路板(PCB、FPC)制造、觸控屏(TP)的為獨立第三方半導(dǎo)體掩模版市場規(guī)模)資料來源：龍圖光罩招股說明書，平安證券研究所光刻作為掩模版制造的核心工藝，對于掩模版產(chǎn)品的品質(zhì)影響極其重要，其通過光刻機統(tǒng)控制數(shù)據(jù)，由計算機控制高精度激光束掃描了集成電路信息從CAM設(shè)計版圖到掩模版圖形的轉(zhuǎn)移過程，主要應(yīng)用于端掩模版制版領(lǐng)域。光刻環(huán)節(jié)直接決定了掩版的最小線/縫寬、邊緣粗糙度、關(guān)鍵尺寸均勻性(CDuriformity)、關(guān)鍵尺寸精度均值偏差(CDmeantoTarget)等圖案指標；同時光刻機平臺定位的精度也直接決定了掩模版位置精度(Registratio■晶圓廠/IDM廠資料來源：SEMI、龍圖光罩招股說明書，平安證券研究所平安證券套刻精度(Overlay)等指標。電子束光刻顯著優(yōu)勢在于其曝光光源波長極短，相比于激光光刻能夠達到更高的分辨率。目前主流的電子束光刻機可實現(xiàn)1nm以下的光源波長，遠低于EUV光刻機13.5nm的光源波長。但由于電子束光刻機僅能單個像素逐一掃描，產(chǎn)能效率低、設(shè)備昂貴，無法應(yīng)用于大規(guī)模集成電路的批量制造，目前主要應(yīng)用在高端IC掩模版制版領(lǐng)域。半導(dǎo)體掩模版生產(chǎn)廠商可以分為晶圓廠自建配套工廠和獨立第三方掩模廠商兩大類。由于掩模版涉及晶圓制造廠的重要工藝機密且制造難度較大，因此28nm及以下的先進制程晶圓制造廠商所用的掩模版大部分由自己的專業(yè)工廠內(nèi)部生產(chǎn)。對于28nm以上等成熟制程，芯片制造廠商為了降低成本，更傾向于向獨立第三方掩模版廠商進行采購。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，在全球半導(dǎo)體掩模版市場，晶圓廠自行配套的掩模版工廠規(guī)模占比65%,獨立第三方掩模廠商規(guī)模占比35%,其中獨立第三方掩模版市場主要被美國Photronics、日本Toppan和日本DNP三家公司共占八成以上的市場份額，市場集中度較高。由于半導(dǎo)體掩模版具有較高的進入門檻，國內(nèi)半導(dǎo)體掩模版主要生產(chǎn)商僅包括中芯國際光罩廠、迪思微、中微掩模、龍圖光罩、清溢光電、路維光電、中國臺灣光罩等。圖表40全球獨立第三半導(dǎo)體掩模版市場格局資料來源：SEMI、龍圖光罩招股說明書，平安證券研究所當半導(dǎo)體產(chǎn)品持續(xù)推出新工藝、新結(jié)構(gòu)、新材料等新的芯片設(shè)計或者需要產(chǎn)線擴充時，晶圓制造廠商需要使用新的掩模版來進行半導(dǎo)體的大規(guī)模生產(chǎn)，此時就會產(chǎn)生開版需求。因此，掩模版的市場需求與半導(dǎo)體更新?lián)Q代、產(chǎn)線擴充直接相關(guān)。半導(dǎo)體掩模版最小線寬及精度隨著半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點的進步而不斷提升，半導(dǎo)體產(chǎn)品隨著工藝技術(shù)進步和性能提升，線寬越來越窄，對上游掩模版的工藝水平和精度控制能力提出了更高要求。根據(jù)路維光電和龍圖光罩的招股說明書，掩模版的基板材料有石英掩模版和蘇打掩模版兩種，但主要生產(chǎn)工序基本相同且產(chǎn)能瓶頸均為光刻環(huán)節(jié)。路維光電在招股說明書中披露，公司的核心生產(chǎn)設(shè)備和產(chǎn)能瓶頸是光刻機，光刻采用激光直寫像素化圖形的方式進行，系整個掩模版制造過程中最為耗時的工序，為合理調(diào)配產(chǎn)能，公司采用每條產(chǎn)線配置一臺光刻機、多條產(chǎn)線共用其它后段設(shè)備的方式進行生產(chǎn)線布局。激光直寫光刻作為掩模版制造的核心工藝，其技術(shù)難度主要體現(xiàn)在產(chǎn)品精度控制、Mura控制等方面。產(chǎn)品精度控制涉及多個環(huán)節(jié)，不同環(huán)節(jié)之間又相互影響，包括激光與光阻的匹配、光路結(jié)構(gòu)及穩(wěn)定性、激光能量曲線及調(diào)整、光刻能量及精度補償、平臺與測量系統(tǒng)匹配、二次對位設(shè)計與計算等；Mura控制的影響因素包括光路結(jié)構(gòu)及穩(wěn)定性、光刻圖檔設(shè)計與匹配、光刻步進調(diào)整等。采用激光為輻射源的直寫光刻設(shè)備主要廠商有瑞典Mycronic、德國Heidelberg等企業(yè)，其中瑞典Mycronic處于全球領(lǐng)先地位，可達45nm技術(shù)節(jié)點制版。采用帶電粒子束作為輻射源的直寫光刻設(shè)備主要廠商有日本JEOL、ELIONIX、NuFlare、ADVANTEST以及德國Vistec、Raith等。目前，國內(nèi)制版廠采購的設(shè)備仍主要以國外企業(yè)的為主。國內(nèi)企業(yè)中，芯碁微裝在激光掩模版制版領(lǐng)域的技術(shù)水平(最小線寬、產(chǎn)能效率等關(guān)鍵指標)已經(jīng)能夠與德國Heidelberg比肩，但與瑞典Mycronic仍存在較大差距。根據(jù)芯碁微裝2023年半年報公告，半導(dǎo)體掩模版圖形尺寸及精度隨著半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點的演化而逐步提升，目前主流制程在100-400nm工藝區(qū)間。根據(jù)公司投資者活動關(guān)系記錄表披露的信息，芯碁微裝首臺滿足量產(chǎn)90nm節(jié)點制版需求的掩模板制版設(shè)備已在客戶端驗證。同時，90nm-65nm制版光刻設(shè)備研制作為安徽省重大科技專項也在研究階段，以滿足半導(dǎo)體掩模版技術(shù)的更新迭代。資料來源：DSCC、液晶網(wǎng)，平安證券研究所資料來源：DSCC、液晶網(wǎng)，平安證券研究所輕、薄、功能多樣化的發(fā)展方向，是目前FPD領(lǐng)域發(fā)展的主流方向。光刻機、蒸重要組成部分。在OLED顯示面板的制造過程中，光刻設(shè)備主要用于前段陣列工序中的曝光工藝環(huán)板的顯示效果，因此對光刻設(shè)備的光刻精度、產(chǎn)能等核心性能指標具有較高的技術(shù)要求，需要較為長期的技術(shù)積累。根據(jù)DSCC預(yù)測，2024年顯示設(shè)備總支出預(yù)期成長49%,達76億美元，2025年將下降19%降至62億美元。雖然OLED在2023年以54%的份額引領(lǐng)支出，但實際上預(yù)計LCD在2024年將占據(jù)50%的份額，其中OLED為46%,MicroOLED為4%;OLED預(yù)計到2025年將占據(jù)55%的份額，而LCD則占43%。資料來源：奧萊德招股說明書，平安證券研究所內(nèi)廠商中只有上海微電子等廠商完成了設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化。由于直寫光刻技術(shù)無需掩模版，能夠有效降低OLED顯示面板的生商均在進行相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的產(chǎn)品開發(fā)與布局。根據(jù)芯碁微裝招股說明書，公司直寫光刻設(shè)備目前僅應(yīng)用于OLED廠商低世代產(chǎn)線中的小批量、多批次產(chǎn)品的生產(chǎn)以及新產(chǎn)品研發(fā)試制，在OLED光刻工窄，與下游OLED廠商的研發(fā)產(chǎn)線規(guī)劃、固定資產(chǎn)投資具有較修正能力、成本較低等優(yōu)勢，在低世代產(chǎn)線中能夠?qū)崿F(xiàn)最小線寬低于1μm的光刻精度，可以應(yīng)用在面板客戶小批量、多批次產(chǎn)品的生產(chǎn)以及新產(chǎn)品的研發(fā)試制，但是在OLED高世代線直寫光刻領(lǐng)域尚未有國內(nèi)廠商實現(xiàn)設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化。根據(jù)芯碁微裝的招股說明書，芯碁微裝早在2018年就推出應(yīng)用在FPD低世代產(chǎn)線的國產(chǎn)OLED顯示面板直寫光刻自動線系統(tǒng)(LDW-D1),光刻精度可達0.7μm,并于2018年順利出貨維信諾下屬企業(yè)國顯光電并一次性通過客戶驗收。當前公司LDW700產(chǎn)品可應(yīng)用于OLED顯示面板制造過程中的光刻工藝環(huán)節(jié)，光刻精度能夠?qū)崿F(xiàn)最小線寬0.7μm。此外，公司在高世代線等部分技術(shù)節(jié)點已有所突破，在研的工信部“工業(yè)強基”項目6代線平板顯示曝光機(FPDG6)擬對現(xiàn)有OLED直寫光刻設(shè)備進行技術(shù)升級應(yīng)用于FPD6代線，目前該在研項目處于驗收階段。Mini-LED顯示面板背板上需要承載上萬顆Mini-LED及焊盤(Pad),器件數(shù)量繁多差、外觀形狀、阻焊圖形精度、阻焊開口尺寸及油墨外觀均有較高要求。Mini-LE與打件、面板、系統(tǒng)(組裝)、品牌五個環(huán)節(jié)，直寫光刻在解決Mini/Micro-LED的芯片、基板制造及利用RDL再布線技術(shù)圖表44底切最小(左)及有嚴重底切(右)對比圖圖表44底切最小(左)及有嚴重底切(右)對比圖資料來源：KLA、勢銀膜鏈，平安證券研究所解決巨量轉(zhuǎn)移問題均有較好的優(yōu)勢。根據(jù)芯碁微裝定增募集說明書，在Mni/Micro-LED封裝環(huán)節(jié)中，要求阻焊層曝光精度較高(50-60μm),同時需匹配高反射率的阻焊油墨使用。隨著Mini/micro-LED領(lǐng)域面板尺寸的不斷增大，顯示分辨業(yè)升級換代的需求為直寫光刻技術(shù)的應(yīng)用滲透提供了市場機遇。隨著Mini-LED進入批量生產(chǎn)，Mini-LE防焊工藝需要高精度和高良率，用于防焊層曝光工藝的直接成像(DI)是