PCB內(nèi)層線路與外層線路制程之分別課件

內(nèi)層線路一、一般使用1.2mil厚度之乾膜。通常膜厚度越薄解析度越高，解析度是指乾墨經(jīng)曝光顯影後所呈現(xiàn)之線路之粗細(xì)。二、使用負(fù)片底片作業(yè)(以乾膜保護(hù)線路)。三、廠內(nèi)內(nèi)層顯影速度為3.0m/sec，由於顯影液PH值廠商建議為10.6，而廠內(nèi)僅為10.2明顯濃度不足，故建議顯影速度降低至2.8m/sec。(451-005全死在這裡)四、使用氯化銅酸+鹽酸走酸性蝕刻(須注意水滯效應(yīng)之影響)。PCB內(nèi)層線路與外層線路制程之分別內(nèi)層乾膜1.2mil乾膜PP基材銅PCB內(nèi)層線路與外層線路制程之分別內(nèi)層曝光&顯影底片空白處即為線路，此為負(fù)片底片負(fù)片底片1.2mil乾膜光線經(jīng)由底片空白處照射到乾膜，此乾膜用來保護(hù)線路不被蝕刻。此處乾膜沒有接觸到光線故會被顯影掉基材銅PPPCB內(nèi)層線路與外層線路制程之分別內(nèi)層蝕刻乾膜保護(hù)線路此處即為線路此處銅箔被蝕刻掉PPPCB內(nèi)層線路與外層線路制程之分別內(nèi)層剝膜乾膜被清掉PP此處即為線路PCB內(nèi)層線路與外層線路制程之分別外層線路一、廠內(nèi)使用1.5mil乾膜。二、底片使用正片作業(yè)(於二銅時以鍍錫鉛保護(hù)線路)。三、鹼性蝕刻蝕刻液成分……忘了。四、僅可單面曝光。因為曝光機(jī)臺玻璃面透光能力較塑膠面佳。因此外層把上燈管給拆掉了。PCB內(nèi)層線路與外層線路制程之分別外層乾膜1.5mil乾膜PP基材銅一銅PCB內(nèi)層線路與外層線路制程之分別外層曝光&顯影正片底片1.5mil乾膜基材銅PP一銅黑色部分即為線路此處乾膜沒有被光線照射故被顯影掉PCB內(nèi)層線路與外層線路制程之分別鍍二銅&鍍錫鉛1.5mil乾膜基材銅PP一銅錫鉛二銅(約0.7mil)約0.3milPCB內(nèi)層線路與外層線路制程之分別剝膜基材銅PP一銅二銅(約0.7mil)錫鉛乾膜已被清除將需蝕刻部分顯漏出來需蝕刻部分PCB內(nèi)層線路與外層線路制程之分別鹼性蝕刻基材銅PP一銅二銅錫鉛錫具有怕酸不怕鹼之特性故能保護(hù)線路PCB內(nèi)層線路與外層線路制程之分別剝錫基材銅PP一銅二銅PCB內(nèi)層線路與外層線路制程之分別附註一、TENTING製程為一銅加二銅後以負(fù)片作業(yè)走酸性蝕刻，作業(yè)方式如同內(nèi)層作業(yè)。若外層搭配1.2mil乾膜可蝕刻較細(xì)線路，但若銅厚太厚或是鍍銅不均勻，則易造成蝕刻不潔而短路。因此雙面板或多層板若走TENTING製程其基板銅厚通常為1/3oz或1/4oz居多以期能達(dá)到較佳的時刻效果。PCB內(nèi)層線路與外層線路制程之分別二、PATEN製程為一銅後外層乾膜再鍍二銅走鹼性蝕刻，此為廠內(nèi)一般外層線路做法。通常一銅鍍0.3mil二銅鍍0.7mil。如遇線距較細(xì)且密集的電路板，在二銅製程時易造成夾膜短路。二銅製程依序簡述為鍍銅→鍍錫→剝膜→鹼性蝕刻→剝錫，二銅是鍍在線路上，乾膜是附著線距上面，因此當(dāng)線距較細(xì)小時兩旁的線路會因鍍銅的關(guān)係使線路上幅連結(jié)將現(xiàn)距上的乾膜包覆在銅內(nèi)，此即為夾膜短路如下圖。故外層線距較細(xì)小時通常都走TENTING製程。PCB內(nèi)層線路與外層線路制程之分別夾膜短路示意圖基材銅PP一銅二銅乾