第三部分電流互感器介損測(cè)試

三電流互感器的介損試驗(yàn)共16頁第16頁三電流互感器的介損測(cè)試（一）試驗(yàn)?zāi)康母邏弘娏骰ジ衅鞔罅坎捎糜图埥^緣及電容型絕緣，這類絕緣結(jié)構(gòu)具有經(jīng)濟(jì)實(shí)用的優(yōu)點(diǎn)。但當(dāng)絕緣中的紙纖維吸收水分后，纖維中的β氫氧根之間的相互作用變?nèi)?，?dǎo)電性能增加，機(jī)械性能變差，這是造成絕緣破壞的重要原因。受潮的紙纖維中的水分，可能來自絕緣油，也可能來自絕緣中原先存在的局部受潮部分，這類設(shè)備受潮后，介質(zhì)損耗因數(shù)會(huì)增加。固體絕緣材料如電瓷、膠木、樹脂等，當(dāng)表面或內(nèi)部出現(xiàn)微小的裂縫或材質(zhì)不純，表面污染等。它們的介質(zhì)損耗因數(shù)也會(huì)增大。液體絕緣材料如變壓器油，受到污染或劣化后，極性物質(zhì)增加，介質(zhì)損耗因數(shù)也會(huì)從清潔狀態(tài)下的0.05%左右上升到0.5%以上。除了用損耗因數(shù)的大小及變化趨勢(shì)判斷設(shè)備的絕緣狀況外，電容量的變化也可以發(fā)現(xiàn)電容型設(shè)備的絕緣的損壞。如一個(gè)或幾個(gè)電容屏發(fā)生擊穿短路，電容量則明顯增加。由此可見，測(cè)量絕緣介質(zhì)的介質(zhì)損耗因數(shù)及電容量可以有效地發(fā)現(xiàn)絕緣的老化、受潮、開裂、污染等不良狀況。（二）介質(zhì)損耗因數(shù)的定義絕緣介質(zhì)在交流電壓作用下的等值回路及相量圖如圖1-10所示。圖1-10等值回路及相量圖眾所周知，在某一確定的頻率下，介質(zhì)可用確定的電阻與一確定的電容并聯(lián)來等效，流過介質(zhì)的電流由兩部分組成，ICX為電容電流的分量，IRX為阻性的有功分量，介質(zhì)的阻性分量產(chǎn)生有功損耗將引起絕緣的發(fā)熱，同時(shí)介質(zhì)也存在著散熱，而散熱跟體積有關(guān)，為此應(yīng)測(cè)試，有功損耗與無功損耗的比值即介質(zhì)損耗因數(shù)來判斷絕緣狀況。Q=UICXP=UIRX則==tg(1-11)從公式（1-11）可以認(rèn)為介質(zhì)損耗因數(shù)即為介質(zhì)損失角正切值tg。（三）幾種典型介損測(cè)試儀的原理接線圖國外從20年代即開始使用西林電橋，到目前電橋已向全自動(dòng)、高精度、良好抗干擾性能方向發(fā)展，比較經(jīng)典的有三種原理即西林型電橋、電流比較型電橋及M型電橋。下面分別作簡要的介紹：西林電橋的原理圖1-11所示圖1-11圖中當(dāng)電橋平衡時(shí)，G顯示為零，此時(shí)=根據(jù)實(shí)部虛部相等可得：tg=ωR4C4Cx≈（當(dāng)tg＜＜1時(shí)）根據(jù)R3、C4、R4的值可計(jì)算得出tg、CX的值。從原理上講，西林電橋測(cè)介質(zhì)損耗誤差很小，但由于分布電容是無所不在的，尤其是Cn必須有良好的屏蔽，當(dāng)反接法時(shí)，必須屏蔽掉B點(diǎn)對(duì)地的分布電容，正接法時(shí)，必須屏蔽掉C點(diǎn)與B點(diǎn)間的分布電容，但由于屏蔽層的采用增加了C4、R4及R3兩端的分布電容帶來了新的誤差，以R3正接法為例，R3最大值為1.11k左右，當(dāng)分布電容達(dá)1000pF時(shí)，對(duì)介損的影響為0.3%，為了消除這一分布電容的影響，提高測(cè)試精度，試驗(yàn)室采用雙屏蔽，原理如圖1-12所示。圖1-12Us電位自動(dòng)跟蹤S點(diǎn)電位，這樣R3對(duì)地的分布電容電流為零，從原理上消除了雜散電容的影響，但采用這種方式不能用于反接法，因?yàn)镾點(diǎn)電位是高壓，在現(xiàn)場不可使用。目前國內(nèi)外典型的電橋有QS1型（現(xiàn)場用）、QS37型（試驗(yàn)室用）、瑞士2801型（試驗(yàn)室用）。2電流比較型電橋電流比較型電橋的原理圖如圖1-13所示。圖1-13圖中T為環(huán)形互感器，通過調(diào)節(jié)K1、K2、K3使電橋達(dá)到平衡，即G的指示為零，根據(jù)磁路定律：1+2+3=0根據(jù)實(shí)部虛部相等有：Cx=tg=這種電橋因各繞組的等值阻抗較小，對(duì)地的分布電容影響很小，測(cè)試較為準(zhǔn)確，由于T是一互感器，諧波及電暈電流的影響很小，在現(xiàn)場使用與試驗(yàn)室差別較大。這種電橋國內(nèi)有QS30型等。3M型電橋M型電橋的原理圖如圖1-14所示。圖1-14這種電橋是利用標(biāo)準(zhǔn)臂產(chǎn)生的電容電流與試品的電容電流相抵消，余下的即為阻性分量，從而計(jì)算出介損值，具體分析如下：A=n·R4·k(k≤1)B=（RX+CX）R3=A-B=n·R2·k-RX·R3-CX·R3=(n·R4·k-CX·R3)-RX·R3由于n與CX均超前于900為同相分量。當(dāng)In·R4·k=Icx·R3(1-12)W有最小值，此時(shí)W=IRX·R3(1-13)通過（1-12）式可得Icx=（1-14）其中，k與R4動(dòng)觸頭的位置有關(guān)，當(dāng)W調(diào)至最小值時(shí)，可以通過特有回路測(cè)得，這樣可測(cè)得Icx值，同時(shí)可得到電容量的值。通過（1-13）式得IRX=(1-15)那么，tg=可以算出tg值。由于R3、R4阻值較小，最大值為100，雜散分布電容的影響僅為西林電橋的1/10，且R3、R4的值較為固定，分布電容可以補(bǔ)償，可以進(jìn)一步提高精度。當(dāng)設(shè)備為一端接地時(shí)，M型電橋采用反接法，即在B點(diǎn)接地，如不采取措施，高壓變壓器及高壓電纜對(duì)地電容就并聯(lián)在試品兩端，影響了測(cè)量精度，為此M型電橋的高壓電纜及高壓變壓器均采用雙層屏蔽，如圖1-3-5中Ce，Ce直接并聯(lián)在高壓繞組兩端，對(duì)測(cè)量沒有影響。（四）油浸鏈?zhǔn)胶痛?jí)式電流互感器的介損試驗(yàn)方法部分35～110kV級(jí)電流互感器為油浸鏈?zhǔn)剑ㄈ鏛CWD-110）和串級(jí)式（如L-100型）結(jié)構(gòu)，這類電流互感器現(xiàn)場測(cè)量介損時(shí)可按一次對(duì)二次繞組的正接法測(cè)量，也可按一次對(duì)二次及外殼的電橋反接法測(cè)量。但二者測(cè)試結(jié)果并不完全一致。一般來說，反接線測(cè)量時(shí)遠(yuǎn)小于正接線測(cè)量時(shí)得到的tg值。其主要原因是，正接線測(cè)量一次對(duì)二次或一次對(duì)二次及外殼的tg，實(shí)際是試品的一次對(duì)二次或一次對(duì)二次及外殼絕緣的tg。而一次對(duì)周圍接地部分的電容被屏蔽掉而未引入正接線的測(cè)量結(jié)果中。因此按QS1電橋正接線測(cè)量一次對(duì)二次絕緣的tg是能夠發(fā)現(xiàn)互感器進(jìn)水受潮等絕緣缺陷的。而按反接線測(cè)量一次對(duì)二次及外殼的tg時(shí)，此時(shí)一次對(duì)周圍接地部分的電容和tg都進(jìn)入了反接線的測(cè)量結(jié)果之中。一般情況下，這部分空氣的介質(zhì)損耗因數(shù)tg僅為0.1～0.2%左右。由于試品本身電容小，一次對(duì)周圍接地部分空氣的介質(zhì)損耗因數(shù)相對(duì)影響就較大。因?yàn)榉唇泳€測(cè)量一次對(duì)二次及地的tg包括一次對(duì)二次、一次對(duì)外殼、一次對(duì)周圍接地部分的綜合介質(zhì)損耗因數(shù)，它比正接線測(cè)量一次對(duì)二次及外殼增加了小介質(zhì)損耗因數(shù)的一次對(duì)周圍接地部分的影響。因此，反接線測(cè)量結(jié)果將偏小，不能真實(shí)地反映電流互感器的絕緣狀況。為了正確監(jiān)測(cè)這類互感器的絕緣狀況，除按反接線測(cè)量一次對(duì)二次及外殼絕緣介質(zhì)損耗因數(shù)外，還應(yīng)按正接線測(cè)量一次對(duì)二次的介質(zhì)損耗因數(shù)，而應(yīng)以正接線的測(cè)量結(jié)果作為分析和判斷絕緣能否運(yùn)行的主要依據(jù)。也可以僅進(jìn)行正接線一次對(duì)二次tg的測(cè)量而不進(jìn)行反接線一次對(duì)二次及地的tg的測(cè)量。（五）電容型電流互感器的介損試驗(yàn)方法電容型電流互感器的最外層有末屏引出，試驗(yàn)時(shí)可采用電橋正接法進(jìn)行一次繞組對(duì)末屏的介損及電容量測(cè)量。對(duì)于末屏絕緣電阻偏低的電容型電流互感器，可采用電橋反接法測(cè)量末屏對(duì)地的介損和電容量，試驗(yàn)電壓加在末屏與電流互感器油箱底箱之間，并將初級(jí)繞組接到電橋的“E”端屏蔽，試驗(yàn)時(shí)所加的電壓須根據(jù)末屏絕緣水平和電橋的測(cè)量靈敏度而定。一般可取2～3kV。（六）電場干擾對(duì)介損測(cè)試結(jié)果的影響現(xiàn)場的干擾主要是電場及磁場干擾，電場干擾主要是外界帶電部分通過耦合產(chǎn)生電流流入測(cè)量臂；另一種干擾是磁場干擾，其主要是對(duì)橋體本身的感應(yīng)，隨著電磁屏蔽技術(shù)的發(fā)展，這一干擾可以利用橋體的磁屏蔽層消除。下面主要講述電場的影響電場對(duì)測(cè)量的影響，對(duì)各種電橋來講，原理上是相同的，現(xiàn)以M型電橋?yàn)槔骱喴慕榻B，圖1-15為干擾對(duì)M型電橋影響的原理圖。圖1-15正接法時(shí)，當(dāng)試驗(yàn)變壓器T1高壓變初級(jí)合上后，試驗(yàn)變壓器次級(jí)相對(duì)于的電源來講處于短路狀態(tài)（疊加法），那么可以認(rèn)為流過Cn及試品臂的電流為零，可以認(rèn)為Ig對(duì)測(cè)試沒有影響。當(dāng)然由于干擾除對(duì)試品的頂部有影響，對(duì)試品中部亦有耦合，有較小的干擾，所以正接法時(shí)，現(xiàn)場干擾很小。反接法時(shí)，試驗(yàn)變壓器合上后，試驗(yàn)變壓器次級(jí)相當(dāng)于短路，試品或CN相當(dāng)于開路，Ig通過變壓器次級(jí)及R3到地，那么Ig對(duì)測(cè)量的影響很大，所以反接法時(shí)，測(cè)試受外界電場干擾很大。（七）瓷套表面污穢程度對(duì)介損測(cè)試結(jié)果的影響大氣濕度、被試品表面污穢程度對(duì)介質(zhì)損耗測(cè)量的影響可用被試品表面等值電阻R表示，當(dāng)大氣濕度高、被試品表面污穢嚴(yán)重時(shí)R小，反之，則R大。等值電阻R對(duì)介質(zhì)損耗測(cè)量結(jié)果的影響隨試驗(yàn)回路的不同而不同。詳細(xì)分析如下：1被試品表泄漏電流引入電橋當(dāng)被試品表面泄漏電流引入電橋信號(hào)線Cx（如：“8”字形電流互感器反接線測(cè)量介質(zhì)損耗等）時(shí)，被試品的電氣等值參數(shù)可用圖1-16所示。圖1-16設(shè)被試品的真實(shí)介質(zhì)損耗為tgx，表面造成的介質(zhì)損耗為tgf，則電橋測(cè)得的介質(zhì)損耗為：tg=（1-16）一般情況下，Cf＜＜Cx，則式（1-16）可化簡為：tg=tgx+tgf（1-17）將tgf=代入式（1-17）得tg=tgx+(1-18)因此，電橋測(cè)得的介質(zhì)損耗誤差為：tg=tg-tgx(1-19)由式（1-3-9）可知，由于被試品表面污穢的存在，測(cè)得的介質(zhì)損耗比真實(shí)值大，誤差tg隨被試品電容量Cx的減小而增大，即小電容量被試品產(chǎn)生較大的測(cè)量誤差；隨著大氣濕度的增加或被試品表面污穢的嚴(yán)重，表面等值電阻Rf下降，測(cè)量誤差增大。同一試品不同表面污穢程度時(shí)介質(zhì)損耗實(shí)測(cè)對(duì)比數(shù)值見表1-1表1-1：同一被試品不同表面污穢程度時(shí)介質(zhì)損耗實(shí)測(cè)值試驗(yàn)工況Cx(pF)tg(%)備注濕度（%）瓷套表面擦前81.42.3試品LCWD2-110型電流互感器，電橋反接法77瓷套表面擦后81.11.52被試品表面泄漏電流直接接地同理可分析可知，當(dāng)被試品表面泄漏電流不引入電橋的信號(hào)線而直接接地時(shí)（如“8”字型電流互感器試驗(yàn)時(shí)電橋正接法僅從二次取信號(hào)），由于外瓷套表面泄漏電流的存在，介質(zhì)損耗測(cè)量的誤差tg為：tg=tg-tgx=--由上式可知，當(dāng)被試品外瓷套表面泄漏電流接地時(shí)，由于外瓷套表面污穢的影響，電橋測(cè)得的介質(zhì)損耗值比真實(shí)值小，誤差隨被試品電容量Cx以及被試品一、二次繞組、鐵心等對(duì)瓷套的電容量C的減小而增大。當(dāng)被試品表面污穢嚴(yán)重、大氣濕度較高時(shí)，瓷套表面等值電阻較小，將產(chǎn)生較大的負(fù)誤差。當(dāng)被試品表面泄漏電流直接接地時(shí)，大氣濕度對(duì)介質(zhì)損耗測(cè)量值的影響實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)見表1-2。表1-2：不同大氣濕度時(shí)的介質(zhì)損耗實(shí)測(cè)值被試品序號(hào)Cx(pF)tg(%)大氣濕度（%）備注145.93.669試品為LCWD2-110型電流互感器，電橋正接法，二次取信號(hào)，下法蘭接地。47.32.97747.32.286245.73.56947.92.87747.92.286347.02.56949.52.37750.01.686（八）介質(zhì)損耗測(cè)量時(shí)電場干擾的抑制現(xiàn)場進(jìn)行介質(zhì)損耗測(cè)量時(shí)抑制干擾的方法很多，常用的有屏蔽法、移相法、倒相法。等，許多文獻(xiàn)上有過專門介紹，總的來說各有利弊。屏蔽法可以抑制外界電場對(duì)試驗(yàn)的干擾，缺點(diǎn)是比較麻煩，而且在一定程度上改變了被試品內(nèi)部的電場分布，因此測(cè)量結(jié)果與實(shí)際值有一定的差異；移相法測(cè)量介質(zhì)損耗，測(cè)量值比較準(zhǔn)確但需要有專門的移相設(shè)備，同時(shí)測(cè)量也比較復(fù)雜；倒相法無需專門設(shè)備，操作方便，但當(dāng)電場干擾較大時(shí)，倒相后介質(zhì)損耗測(cè)量值有可能出現(xiàn)負(fù)值。移相法與倒相法，都是在外界電場干擾電流與被試品電流x幅值不變的情況下，靠改變x的相位，經(jīng)過簡單的數(shù)學(xué)計(jì)算來比較準(zhǔn)確地反映被試品的真實(shí)介質(zhì)損耗。另一類抑制電場干擾的方法是提高介質(zhì)損耗測(cè)量時(shí)的信噪比。由于可以認(rèn)為是恒流源，而x的幅值隨試驗(yàn)電壓的增加而增加，故提高試驗(yàn)電壓可以提高信噪比k=，從而起到抑制干擾電流、提高測(cè)量精度的作用。但此種方法受到無損標(biāo)準(zhǔn)電容器耐受電壓的限制，現(xiàn)場往往難以實(shí)施。1屏蔽法在設(shè)備上方放置一屏蔽罩，屏蔽罩接地，干擾則直接到地，不影響電橋的橋臂，但這一方案實(shí)際使用很麻煩。2采用移相電源試驗(yàn)變壓器電源采用移相電源，由于干擾電流g的相位不變，所以調(diào)節(jié)電源的相位，x相位便相應(yīng)的變化，當(dāng)x與g的相位一致時(shí)，角測(cè)試受外界的影響很小。3采用倒相法這是一種比較簡單的方法，測(cè)量時(shí)將電源正、反倒相各測(cè)一次。由于干擾電源Ig的相位不變，分析時(shí)可認(rèn)為試驗(yàn)變壓器電源相位不變，即x的相位不變，而g作1800的反相，如圖1-17所示。圖1-17tg1=tg2=tg====;由圖中可知：Cx=其中：tg1、Cx’為倒相前測(cè)得的試品介損和電容量tg2、Cx’‘為倒相前測(cè)得的試品介損和電容量這種方法從原理上可以消除干擾，但在干擾很大時(shí)，tg1、tg2可能很大且一正、一負(fù)，但tg卻很小，這樣tg1、tg2的測(cè)量誤差相對(duì)tg來講已很大，tg測(cè)量的誤差則很大。450%加壓法。所謂50%加壓法，就是在正常介質(zhì)損耗測(cè)試回路不變的情況下，將試驗(yàn)電壓升到額定試驗(yàn)電壓，調(diào)節(jié)電橋平衡，測(cè)得一組R31與tg1,然后將試驗(yàn)電壓退到50%的額定試驗(yàn)電壓，重新調(diào)節(jié)電橋平衡，測(cè)得另一組R32與tg2，進(jìn)行簡單計(jì)算，求取被試品真實(shí)介質(zhì)損耗的方法?，F(xiàn)以圖1-18為例分析如下：根據(jù)電橋平衡原理，可得有干擾電壓時(shí)的電橋平衡方程為：-=式中Z4=（+j）-1ZN=圖1-18Zx=Rx+——干擾電壓——外加試驗(yàn)電壓Ze——干擾電壓等值耦合阻抗設(shè)外施額定試驗(yàn)電壓時(shí)調(diào)節(jié)電橋平衡，測(cè)得電橋R3、C4的第一組讀數(shù)為R31、C41，則電橋平衡方程為：-=（1-20）式中：Z41=（+j）-1然后將試驗(yàn)電壓降到50%的額定電壓，重新調(diào)節(jié)電橋平衡，測(cè)得電橋R3、C4的第二組讀數(shù)為R32、tg2，則電橋的平衡方程為：-=（1-21）式中：Z42=（+j）-1求解式（1-20）、（1-21）得被試品的真實(shí)介質(zhì)損耗為：tg=(1-22)Cx=R4Cn((1-23)50%加壓法與移相法加倒相法對(duì)比測(cè)試數(shù)據(jù)見下表。表1-350%加壓法與移相法加倒相法測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)比試驗(yàn)方法實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)計(jì)算值tg(%)R3(Ω)tg(%)Cx(pF)50%加壓法額定電壓3.035450.6444.350%額定電壓5.33500移相法倒相前0.635030.645.2倒相后0.63541(九)電流互感器的高電壓介損試驗(yàn)高電壓介損試驗(yàn)必須采用電橋正接法，其原理接線方式與10kV電壓介損的正接法相同，進(jìn)行高電壓介損測(cè)量時(shí)必須解決以下幾個(gè)關(guān)鍵技術(shù)問題：確定電源容量；選擇合適的電橋和標(biāo)準(zhǔn)電容器；選擇防暈高壓引線；1影響高壓介損測(cè)試結(jié)果的幾個(gè)主要因素：（1）測(cè)試用介損電橋?qū)Ω邏航閾p測(cè)試值的影響目前，用于介損測(cè)量的電橋大多為西林電橋，西林電橋可分為有防護(hù)電位（如2801電橋）與無防護(hù)電位（如QS電橋）二種，對(duì)同一試品用二種不同類型的電橋進(jìn)行對(duì)比測(cè)試發(fā)現(xiàn)：對(duì)小電容量電流互感器二者皆可用于高電壓介損測(cè)量，結(jié)果見表1-4。表1-4小電容量試品高電壓介損實(shí)測(cè)結(jié)果試驗(yàn)電壓(kV)1020304050607080tgδ(%)無防護(hù)電位電橋4.94.94.94.94.94.94.94.9有防護(hù)電位電橋4.484.484.494.494.494.504.504.50對(duì)電容型電流互感器無護(hù)電位的電橋不宜用于高電壓介損測(cè)量：這是因?yàn)閷?duì)于無防護(hù)電位電橋來說，當(dāng)試驗(yàn)電壓為10kV時(shí)，流過電橋標(biāo)準(zhǔn)電容器臂上的電流較小，電橋標(biāo)準(zhǔn)臂側(cè)D點(diǎn)的電位亦較低，D點(diǎn)與地之間基本無損耗，當(dāng)試驗(yàn)電壓較高（通常為被試設(shè)備額定相電壓或更高），D點(diǎn)對(duì)地的分布電容及泄漏電流不能忽略，引起的附加損耗增大了測(cè)量誤差，故無防護(hù)電位電橋不宜用于電容型電流互感器的高電壓介損測(cè)量。作為一種權(quán)宜之計(jì)，減小R4的取值可以減小電橋的高壓介損測(cè)量誤差。對(duì)電容型電流互感器有防護(hù)電位電橋可以用于高電壓介損測(cè)量：這是因?yàn)閷?duì)于有防護(hù)電位的電橋來說，D點(diǎn)的電位基本不變，故電橋的測(cè)量誤差不隨試驗(yàn)電壓的改變而改變，可用于電容型電流互感器的高壓介損測(cè)試。對(duì)同一電容型電流互感器用二種不同類型電橋的實(shí)測(cè)后的對(duì)比數(shù)據(jù)見表1-5表1-5同一電容型電流互感器用二種不同類型電橋的實(shí)測(cè)結(jié)果試驗(yàn)電壓（kV）1036.573tgδ(%)無防護(hù)電位電橋0.150.130.11有防護(hù)電位電橋0.1580.1580.159（2）高壓引線電暈的影響高壓介損測(cè)試時(shí)對(duì)被試品所施加的電壓較高，如采用一般的細(xì)導(dǎo)線作為高壓引線，則導(dǎo)線上就會(huì)有較重的電暈產(chǎn)生，電暈損耗通過雜散電容將被計(jì)入被試品的介損值中，從而影響到被試品高壓介損隨電壓的變化曲線。對(duì)于介損隨電壓恒定不變的被試品，由于電暈的存在，使介損測(cè)試值隨電壓的升高而增大，易造成對(duì)被試品絕緣性能優(yōu)劣的誤判斷。因此，高壓介損測(cè)試時(shí)宜采用直徑為50～100mm的波紋管作為高壓引線，為保證連接良好，波紋管內(nèi)部必須有用作直接連接用的金屬導(dǎo)線。不同的引線狀態(tài)下同一試品高壓介損測(cè)試對(duì)比結(jié)果見表1-6。表1-6不同引線狀態(tài)下同一試品高壓介損測(cè)試結(jié)果試驗(yàn)電壓（kV）1036.573tgδ(%)無電暈4.4824.4954.503有電暈4.4834.4974.606高壓介損測(cè)試實(shí)例分析某LB-220電流互感器，在出廠、交接試驗(yàn)均正常的情況下投入系統(tǒng)運(yùn)行，在正常運(yùn)行情況下運(yùn)行了三年后，發(fā)現(xiàn)該互感器的10kV下的介損值與出廠相比有明顯的增大，隨后將該互感器返廠。互感器返廠后，進(jìn)行了本體高壓介損、油介損、油中含水量測(cè)試（測(cè)試結(jié)果見表1-7）。由表1-7可知，除#1、#2電流互感器以外的其它四臺(tái)電流互感器10kV下的介損與146kV下的介損值的差異大于0.1%，由此說明上述六臺(tái)互感器存在不同程度的質(zhì)量問題。表1-7返廠后整體測(cè)試數(shù)據(jù)產(chǎn)品編號(hào)123456本體介損（%）10kV0.57850.58760.78250.58190.78160.777473kV0.56260.56090.74090.54510.728707538146kV0.50330.49180.64000.47410.62270.6504油介損（%）0.190.280.17油中含水量（ppm）5.97.15.95.97.17.1鑒于#5電流互感器的本體介損較大，并且10kV時(shí)的介損與146kV時(shí)的介損差異也較大，故選取該電流互感器為典型試品進(jìn)行解體試驗(yàn)、分析。解體測(cè)試結(jié)果見表1-8。表1-9解體測(cè)試結(jié)果（屏號(hào)按零屏向末屏方向數(shù)）主屏號(hào)123456789介損（%）1.441.210.720.720.620.720.840.600.62電容量（pF）5112783677717751786461681028175057166由上表可知，該電流互感器各屏的電容量差異較大，電容量最大的第7屏與最小的第1屏間的差異將近一倍，說明該試品的工藝隨機(jī)性較大；同時(shí)，位于內(nèi)部的主屏間的介損值明顯比外側(cè)主屏間的介損值大，說明該被試品的干燥程度明顯不足。（十）電容型電流互感器末屏對(duì)地的介質(zhì)損耗因數(shù)的測(cè)量方法測(cè)量電容型電流互感器末屏對(duì)地的介質(zhì)損耗因數(shù)tg主要是檢查電流互感器底部和電容芯子表面的絕緣狀況。這是因?yàn)殡娏骰ジ衅鞯碾娙菪咀咏^緣干燥不徹底或因密封不良而進(jìn)水受潮的水分往往殘留在底部，引起末屏對(duì)地介質(zhì)損耗因數(shù)升高。所以測(cè)量tg對(duì)檢出絕緣受潮具有重要意義。測(cè)量電容型電流互感器末屏對(duì)地的介質(zhì)損耗因數(shù)tg，通常利用QS1型西林電橋進(jìn)行，其接線方式有正、反兩種接法。在電力系統(tǒng)中，采用反接線較方便，這時(shí)電流互感器的末屏接QS1型電橋Cx，所有二次繞組與油箱底座短接后接地。一般來說，兩種接線方式測(cè)得的介質(zhì)損耗因數(shù)值相當(dāng)吻合，只是電容值有所差別，反接法測(cè)得的Cx比正接線法測(cè)得的大幾十pF。這是由于用反接法測(cè)量時(shí)，將互感器末屏對(duì)地的雜散電容也測(cè)進(jìn)來的緣故，雜散電容與試品電容并聯(lián)，因此測(cè)得的總電容就偏大。干擾較大時(shí)，宜采用正接線。測(cè)量時(shí)還應(yīng)注意末屏引出結(jié)構(gòu)方式對(duì)介質(zhì)損耗的影響，由環(huán)氧玻璃布板直接引出的末屏介質(zhì)損耗一般都較大，最大可達(dá)8%左右，即使合格的也在1%～1.5%之間。由絕緣小瓷套管引出的末屏介質(zhì)損耗一般都較小，在1%以下。最小的在0.4%左右。測(cè)量時(shí)還應(yīng)注意空氣相對(duì)濕度的影響，當(dāng)試區(qū)空氣相對(duì)濕度達(dá)到85%以上時(shí)，用反接法測(cè)得的介質(zhì)損耗因數(shù)產(chǎn)生較大的正偏差，這是因?yàn)闈穸却髸r(shí)，在末屏引出的環(huán)氧玻璃布板或絕緣小瓷套表面形成游離水膜而產(chǎn)生泄漏電導(dǎo)電流所致。試區(qū)的空氣相對(duì)濕度在75%以下時(shí)，才能達(dá)到正確的數(shù)據(jù)。測(cè)量電容型電流互感器末屏對(duì)地的介質(zhì)損耗因數(shù)tg時(shí)所施加的試驗(yàn)電壓應(yīng)考慮到末屏的絕緣水平，一般以2~3kV為宜。圖1-19電流互感器末屏介質(zhì)損耗測(cè)量原理圖現(xiàn)場測(cè)量110～220kV電流互感器末屏介質(zhì)損耗因數(shù)時(shí)，通常采用QS1電橋反接線，為了減小外界干擾對(duì)測(cè)試影響，通常采用如圖1-19所示的試驗(yàn)方法，但此方法存在以下兩個(gè)問題：測(cè)試的電容量是C1和C2并聯(lián)的電容量，而不是末屏對(duì)地的電容量。測(cè)試的介質(zhì)損耗因數(shù)不是末屏對(duì)地介質(zhì)損耗因數(shù)，而是C1與C2并聯(lián)的綜合介質(zhì)損耗因數(shù)值，即tg=式中tg1——主屏介質(zhì)損耗因數(shù)；C1—主屏電容量tg2——末屏介質(zhì)損耗因數(shù)。C2—末屏電容量若tg1=tg2，則該接線