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專題3第1單元金屬鍵金屬晶體一、單選題1.下列關(guān)于金屬鍵或金屬的性質(zhì)說法正確的是①金屬的導(dǎo)電性是由金屬陽離子和自由電子的定向移動(dòng)實(shí)現(xiàn)的②金屬鍵是金屬陽離子和自由電子之間存在的強(qiáng)烈的靜電吸引作用③、、的沸點(diǎn)依次升高④金屬鍵沒有方向性和飽和性,金屬中的電子在整個(gè)三維空間運(yùn)動(dòng),屬于整個(gè)金屬A.①② B.②③ C.③④ D.①④2.金屬材料具有良好的延展性的原因是A.金屬原子半徑都較大,價(jià)電子數(shù)較少B.金屬受外力作用變形時(shí),金屬中各原子層會(huì)發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)C.金屬中大量自由電子受外力作用時(shí),運(yùn)動(dòng)速率加快D.自由電子受外力作用時(shí)能迅速傳遞能量3.金屬鍵的實(shí)質(zhì)是A.金屬陽離子和自由電子之間的相互排斥B.陰、陽離子之間的相互作用C.金屬陽離子和自由電子之間的相互吸引D.金屬陽離子和自由電子之間的相互作用4.下圖是金屬晶體內(nèi)部的電子氣理論示意圖。電子氣理論可以用來解釋金屬的性質(zhì),其中正確的是A.金屬能導(dǎo)電是因?yàn)榻饘訇栯x子在外加電場(chǎng)作用下定向移動(dòng)B.金屬能導(dǎo)熱是因?yàn)樽杂呻娮釉跓岬淖饔孟孪嗷ヅ鲎?,從而發(fā)生熱的傳導(dǎo)C.金屬具有延展性是因?yàn)樵谕饬Φ淖饔孟?,金屬中各原子層間會(huì)出現(xiàn)相對(duì)滑動(dòng),但自由電子可以起到潤滑劑的作用,使金屬不會(huì)斷裂D.合金與純金屬相比,由于增加了不同的金屬或非金屬,使電子數(shù)目增多,所以合金的延展性比純金屬強(qiáng),硬度比純金屬小5.有四種不同堆積方式的金屬晶體的晶胞如圖所示,下列敘述錯(cuò)誤的是A.晶體中原子的配位數(shù)分別為:①6,②8,③12,④12B.③為六方堆積C.晶胞中含有的原子數(shù)分別為:③2,④4D.金屬晶體是一種“巨分子”,可能存在分子間作用力6.金屬材料具有良好的延展性的原因是A.金屬原子半徑都較大,價(jià)電子數(shù)較少B.金屬受外力作用變形時(shí),金屬中各原子層會(huì)發(fā)生相對(duì)滑動(dòng),但仍保持金屬鍵作用C.金屬中大量自由電子受外力作用時(shí),運(yùn)動(dòng)速率加快D.自由電子受外力作用時(shí)能迅速傳遞能量7.下列有關(guān)金屬鍵的敘述錯(cuò)誤的是A.金屬鍵沒有飽和性和方向性B.金屬鍵中的自由電子屬于整塊金屬C.金屬的性質(zhì)和金屬固體的形成都與金屬鍵有關(guān)D.金屬鍵是金屬陽離子和自由電子之間存在的強(qiáng)烈的靜電吸引作用8.對(duì)圖中某金屬晶體結(jié)構(gòu)的模型進(jìn)行分析,判斷下列有關(guān)說法正確的是A.該種堆積方式稱為六方堆積 B.該種堆積方式稱為體心立方堆積C.該種堆積方式稱為面心立方堆積 D.金屬就屬于此種堆積方式9.金屬晶體的堆積方式和配位數(shù)關(guān)系正確的是A.簡(jiǎn)單立方堆積 B.體心立方堆積C.六方堆積 D.面心立方堆積-1210.如圖為金屬鎘的堆積方式,下列說法正確的是()A.此堆積方式屬于體心立方堆積B.此堆積方式為六方堆積C.配位數(shù)(一個(gè)金屬原子周圍緊鄰的金屬原子的數(shù)目)為8D.鎘的堆積方式與銅的堆積方式相同11.要使金屬熔化必須破壞其中的金屬鍵,而原子化熱是衡量金屬鍵強(qiáng)弱的依據(jù)之一。下列說法正確的是A.金屬鎂的硬度大于金屬鋁B.金屬鎂的熔點(diǎn)低于金屬鈣C.金屬鎂的原子化熱大于金屬鈉的原子化熱D.堿金屬單質(zhì)的熔點(diǎn)從到是逐漸升高的12.有四種不同堆積方式的金屬晶體的晶胞如圖所示,有關(guān)說法正確的是A.①為簡(jiǎn)單立方堆積;②、③為體心立方堆積;④為面心立方最密堆積B.每個(gè)晶胞含有的原子數(shù)分別為:①1個(gè),②2個(gè),③2個(gè),④4個(gè)C.晶胞中原子的配位數(shù)分別為:①6,②8,③8,④12D.空間利用率的大小關(guān)系為:①<②<③<④13.科學(xué)家對(duì)液氫施加約4.95×1011Pa壓力,成功制造出了“金屬氫”,這是一種以氫離子和自由電子為基本單位構(gòu)成的晶體。關(guān)于金屬氫的推測(cè)錯(cuò)誤的是A.可能具有很好的導(dǎo)電性 B.與氫氣互為同素異形體C.摩爾質(zhì)量與氫氣相同 D.制造金屬氫過程屬于化學(xué)變化14.有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說法中錯(cuò)誤的是A.在NaCl晶體中,距Na+最近的Cl-形成為正四面體形B.在CaF2晶體中,每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)Ca2+C.在金剛石晶體中,碳原子與碳碳鍵個(gè)數(shù)的比為1:2D.該氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為E4F4或F4E15.金屬晶體中金屬原子有三種常見的堆積方式:六方最密堆積、面心立方最密堆積和體心立方堆積,如圖a、b、c分別代表這三種堆積方式的結(jié)構(gòu)示意圖,則圖示結(jié)構(gòu)內(nèi)金屬原子個(gè)數(shù)比為A.3∶2∶1 B.11∶8∶4 C.9∶8∶4 D.21∶14∶9二、計(jì)算題16.(1)鈣鈦型復(fù)合氧化物可用于制造航母中的熱敏傳感器,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,其中A為晶胞的頂點(diǎn),A可以是Ca、Sr、Ba或Pb,當(dāng)B是V、Cr、Mn或Fe時(shí),這種化合物具有好的電學(xué)性能。下列說法正確的是_____(填序號(hào))。A.金屬Ca、Sr、Ba采用體心立方堆積B.用A、B、O表示的鈣鈦型復(fù)合氧化物晶體的化學(xué)式為ABO3C.在制造Fe薄片時(shí),金屬鍵完全斷裂D.V、Cr、Mn、Fe晶體中均存在金屬陽離子和陰離子(2)遼寧號(hào)航母飛行甲板等都是由鐵及其合金制造的。鐵有δ、γ、α三種同素異形體,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。①γ—Fe晶胞中含有的鐵原子數(shù)為_____?!讦摹狥e、α—Fe兩種晶體中鐵原子的配位數(shù)之比為_____。③若α—Fe晶胞的邊長(zhǎng)為acm,γ—Fe晶胞的邊長(zhǎng)為bcm,則兩種晶體的密度之比為_____。三、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)17.回答下列問題:(1)以下純鐵晶體的基本結(jié)構(gòu)單元如圖1所示,以上轉(zhuǎn)變?yōu)閳D2所示的基本結(jié)構(gòu)單元。①鐵原子的簡(jiǎn)化電子排布式為_______;鐵晶體中鐵原子以________鍵相互結(jié)合。②在以下的純鐵晶體中,與鐵原子等距離且最近的鐵原子數(shù)為_________;在以上的純鐵晶體中,與鐵原子等距離且最近的鐵原子數(shù)為_________。(2)銅的晶胞結(jié)構(gòu)為圖3,晶胞中所含的銅原子數(shù)為______個(gè)。金屬銅晶胞的邊長(zhǎng)為acm,又知銅的密度為,阿伏加德羅常數(shù)為_______。18.鉀和碘的相關(guān)化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用?;卮鹣铝袉栴}:(1)K和Cr屬于同一周期,且核外最外層電子構(gòu)型相同,但金屬K的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬Cr低,原因是__。(2)KIO3晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料,具有鈣鈦礦型的立體結(jié)構(gòu),邊長(zhǎng)為apm,晶胞中K、I、O分別處于頂角、體心、面心位置,如圖所示。K與O間的最短距離為___,與K緊鄰的O個(gè)數(shù)為__。(3)在KIO3晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中,I處于各頂角位置,則K處于___位置,O處于___位置。19.銅及其合金是人類最早使用的金屬材料,銅的化合物在現(xiàn)代生活和生產(chǎn)中有著廣泛的應(yīng)用。(1)銅的熔點(diǎn)比鈣的高,其原因是_______。(2)金屬銅的堆積方式為圖中的_______(填字母)。A.B.C.D.(3)某磷青銅晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。①則其化學(xué)式為_______。②該晶體中距離Cu原子最近的Sn原子有_______個(gè),這些Sn原子所呈現(xiàn)的空間結(jié)構(gòu)為_______。20.已知A、B、C、D、E、F都是元素周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)的大小順序?yàn)?。其中A原子核外有3個(gè)未成對(duì)電子;化合物B,E為離子晶體,E原子核外的M層只有2對(duì)成對(duì)電子;C元素是地殼中含量最高的金屬元素;D單質(zhì)的晶體類型在同周期的單質(zhì)中沒有相同的;F原子的最外層電子數(shù)與B的相同,其余各層均充滿電子。請(qǐng)根據(jù)以上信息,回答下列問題(答題時(shí),A、B、C、D、E、F用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示):(1)A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)開_____。(2)B的氯化物的熔點(diǎn)比D的氯化物的熔點(diǎn)______(填“高”或“低”),理由是______。(3)A的簡(jiǎn)單氫化物分子的中心原子采取______雜化,E的低價(jià)氧化物分子的空間結(jié)構(gòu)是______。(4)基態(tài)F原子的核外電子排布式是______,F(xiàn)的高價(jià)離子與A的簡(jiǎn)單氫化物形成的配離子的化學(xué)式為______,其結(jié)構(gòu)式是______。(5)A、F形成的某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(其中A顯-3價(jià)),則其化學(xué)式為______(每個(gè)球均表示1個(gè)原子)。(6)A、C形成的化合物具有高沸點(diǎn)和高硬度,是一種新型無機(jī)非金屬材料,則其化學(xué)式為______,其晶體中所含的化學(xué)鍵類型為______。參考答案:1.C【詳解】①金屬的導(dǎo)電性是在外加電場(chǎng)的作用下,自由電子發(fā)生定向移動(dòng)實(shí)現(xiàn)的,而金屬陽離子并沒有移動(dòng),因此①錯(cuò)誤;②金屬鍵是金屬陽離子和自由電子之間存在的強(qiáng)烈的相互作用,并非僅存在靜電吸引作用,因此②錯(cuò)誤;③一般情況下,金屬陽離子所帶電荷數(shù)越多,半徑越小,金屬鍵越強(qiáng),金屬單質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高,硬度越大,、、三種離子的半徑依次減小、離子所帶電荷數(shù)依次增多,金屬鍵越來越強(qiáng),因此③正確;④金屬鍵沒有方向性和飽和性,所有電子在三維空間運(yùn)動(dòng),屬于整個(gè)金屬,因此④正確;故選:C。2.B【詳解】A.金屬原子價(jià)電子數(shù)較少,容易失去電子,不能說明金屬有延展性,A錯(cuò)誤;B.金屬受外力作用時(shí),金屬原子層之間會(huì)發(fā)生相對(duì)滑動(dòng),但不會(huì)改變?cè)瓉淼呐帕蟹绞?,故金屬有良好的延展性,B正確;C.金屬的延展性與原子層的相對(duì)滑動(dòng)有關(guān),與電子的運(yùn)動(dòng)無關(guān),C錯(cuò)誤;D.自由電子傳遞能量與金屬延展性無關(guān),可以影響金屬的導(dǎo)熱性,D錯(cuò)誤。答案選B。3.D【詳解】金屬晶體中存在金屬陽離子和自由電子之間的吸引作用,金屬陽離子之間的排斥作用、自由電子之間的排斥作用,故選:D。4.C【詳解】A.金屬能導(dǎo)電是因?yàn)樽杂呻娮釉谕饧与妶?chǎng)作用下定向移動(dòng),故A錯(cuò)誤;B.金屬能導(dǎo)熱是因?yàn)樽杂呻娮釉跓岬淖饔孟屡c金屬陽離子發(fā)生碰撞,從而發(fā)生熱的傳導(dǎo),故B錯(cuò)誤;C.金屬具有延展性是因?yàn)樵谕饬Φ淖饔孟?,金屬中各原子層間會(huì)出現(xiàn)相對(duì)滑動(dòng),而自由電子起到潤滑劑的作用,使得金屬不會(huì)斷裂,故C正確;D.合金與純金屬相比,由于增加了不同的金屬或非金屬,相當(dāng)于填補(bǔ)了金屬陽離子之間的空隙,所以一般情況下合金的延展性比純金屬弱,硬度比純金屬大,故D錯(cuò)誤;綜上所述,答案為C。5.D【分析】由金屬晶體的晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,①為簡(jiǎn)單立方堆積,②為體心立方堆積,③為六方堆積,④為面心立方堆積?!驹斀狻緼.根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶體中原子的配位數(shù)分別為:①6,②8,③12,④12,A項(xiàng)正確;B.依據(jù)上述分析可知,③為六方堆積,B項(xiàng)正確;C.晶胞中含有的原子數(shù)分別為:③為2,④為,C項(xiàng)正確;D.金屬晶體是一種“巨分子”,存在金屬陽離子和自由電子之間的相互作用,不存在分子間作用力,D項(xiàng)錯(cuò)誤。答案選D。6.B【詳解】A.金屬原子價(jià)電子數(shù)較少,容易失去電子,不能說明金屬有延展性,A錯(cuò)誤;B.金屬受外力作用時(shí),金屬原子層之間會(huì)發(fā)生相對(duì)滑動(dòng),但不會(huì)改變?cè)瓉淼呐帕蟹绞?,故金屬有良好的延展性,B正確;C.金屬的延展性與原子層的相對(duì)滑動(dòng)有關(guān),與電子的運(yùn)動(dòng)無關(guān),C錯(cuò)誤;D.自由電子傳遞能量與金屬延展性無關(guān),可以影響金屬的導(dǎo)熱性,D錯(cuò)誤。答案選B。7.D【詳解】A.金屬鍵是金屬陽離子和自由電子之間的強(qiáng)烈相互作用,自由電子為整個(gè)金屬的所有陽離子所共有,所以金屬鍵沒有方向性和飽和性,故A正確;B.自由電子在金屬中自由運(yùn)動(dòng),為整個(gè)金屬的所有陽離子所共有,屬于整塊金屬,故B正確;C.金屬的性質(zhì)和金屬固體的形成都與金屬鍵有關(guān),故C正確;D.金屬鍵是金屬陽離子和自由電子之間的強(qiáng)烈相互作用,既包括金屬陽離子與自由電子之間的靜電吸引作用,也包括金屬陽離子之間及自由電子之間的靜電排斥作用,故D錯(cuò)誤;故答案選D。8.C【詳解】A.由題圖知該堆積方式為面心立方堆積,A錯(cuò)誤;B.由題圖知該堆積方式為面心立方堆積,B錯(cuò)誤;C.由題圖知該堆積方式為面心立方堆積,C正確;D.的堆積模型為六方堆積,D錯(cuò)誤;故選C。9.D【詳解】A.簡(jiǎn)單立方堆積(如)配位數(shù)為6,A錯(cuò)誤;B.體心立方堆積,如鉀、鈉和鐵,配位數(shù)為8,B錯(cuò)誤;C.六方堆積,如鎂、鋅、鈦,配位數(shù)為12,C錯(cuò)誤;D.為面心立方堆積,配位數(shù)為12,D正確;故選D。10.B【詳解】A.據(jù)題圖可看出,鎘的堆積方式為六方堆積,A項(xiàng)錯(cuò)誤;B.據(jù)題圖可看出,鎘的堆積方式為六方堆積,B項(xiàng)正確;C.一個(gè)金屬原子周圍緊鄰的金屬原子數(shù)目為12個(gè),故配位數(shù)為12,C項(xiàng)錯(cuò)誤;D.銅的堆積方式為面心立方堆積,鎘的堆積方式與銅的堆積方式不相同,D項(xiàng)錯(cuò)誤;答案選B。11.C【詳解】A.鎂離子比鋁離子的半徑大而所帶的電荷數(shù)少,所以金屬鎂比金屬鋁的金屬鍵弱,硬度小,A錯(cuò)誤;B.因鎂離子的半徑小而所帶電荷數(shù)與鈣離子相同,使金屬鎂比金屬鈣的金屬鍵強(qiáng),所以金屬鎂比金屬鈣的熔點(diǎn)高,B錯(cuò)誤;C.因鎂離子的半徑小而所帶電荷數(shù)多,使金屬鎂比金屬鈉的金屬鍵強(qiáng),原子化熱比鈉大,C正確;D.堿金屬單質(zhì)從到,其離子的半徑是逐漸增大的,所帶電荷數(shù)相同,金屬鍵逐漸減弱,熔點(diǎn)逐漸降低,D錯(cuò)誤;故選C。12.B【詳解】A.由金屬晶體的晶胞結(jié)構(gòu)圖可知:①為簡(jiǎn)單立方堆積;②為體心立方堆積;③為六方最密堆積;④為面心立方最密堆積,A錯(cuò)誤;B.頂點(diǎn)為8個(gè)晶胞共用;面為2個(gè)晶胞共用;晶胞體內(nèi)原子為1個(gè)晶胞單獨(dú)占有。晶胞①中原子個(gè)數(shù)=8×=1;晶胞②中原子個(gè)數(shù)=1+8×=2;晶胞③中原子個(gè)數(shù)=1+8×=2,晶胞④中原子個(gè)數(shù)=8×+6×=4,B正確;C.①為簡(jiǎn)單立方堆積,配位數(shù)為6;②為體心立方堆積,配位數(shù)為8;③為六方最密堆積,配位數(shù)為12;④為面心立方最密堆積,配位數(shù)為12,C錯(cuò)誤;D.六方最密堆積與面心立方最密堆積的空間利用率相等,簡(jiǎn)單立方堆積、體心立方堆積不是最密堆積,空間利用率比六方最密堆積和面心立方最密堆積的??;體心立方堆積空間利用率比簡(jiǎn)單立方堆積的高,故空間利用率的大小關(guān)系為:①<②<③=④,D錯(cuò)誤;故合理選項(xiàng)是B。13.C【詳解】A.由題干信息可知,金屬氫中含有氫離子和自由電子,類似于金屬晶體,則可能具有很好的導(dǎo)電性,A正確;B.金屬氫與氫氣是由氫元素形成的性質(zhì)不同的兩種單質(zhì),故互為同素異形體,B正確;C.金屬氫是一種以氫離子和自由電子為基本單元構(gòu)成的晶體,是原子構(gòu)成的單質(zhì),與氫氣分子不同的單質(zhì),則摩爾質(zhì)量不相同,C錯(cuò)誤;D.制造金屬氫過程,單質(zhì)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化,有舊化學(xué)鍵的斷裂和新的化學(xué)鍵的形成,則屬于化學(xué)變化,D正確;故答案為:C。14.A【詳解】A.據(jù)圖可知距Na+最近的Cl-位于棱心和體心,共6個(gè),形成正八面體,A錯(cuò)誤;B.Ca2+位于晶胞的頂點(diǎn)和面心,根據(jù)均攤法,個(gè)數(shù)為=4,B正確;C.金剛石中每個(gè)C原子形成4個(gè)共價(jià)鍵,每個(gè)共價(jià)鍵被兩個(gè)碳原子共用,所以每個(gè)碳原子具有2個(gè)共價(jià)鍵,即碳原子與碳碳鍵個(gè)數(shù)的比為1:2,C正確;D.該物質(zhì)由分子構(gòu)成,據(jù)圖可知每個(gè)分子含有4個(gè)F原子,4個(gè)E原子,所以分子式為E4F4或F4E4,D綜上所述答案為A。15.A【詳解】a中原子個(gè)數(shù)=12×+2×+3=6,b中原子個(gè)數(shù)=8×+6×=4,c中原子個(gè)數(shù)=1+8×=2,所以其原子個(gè)數(shù)比是6∶4∶2=3∶2∶1,故選A。16.B44:3【分析】根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu),用均攤法時(shí)行分析?!驹斀狻浚?)A.由晶胞結(jié)構(gòu)可知,A位于晶胞的8個(gè)頂點(diǎn),故金屬Ca、Sr、Ba采用的是簡(jiǎn)單立方堆積,A不正確;B.由晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中含有A的數(shù)目為,含有B的數(shù)目為,含有O的數(shù)目為,故用A、B、O表示的鈣鈦型復(fù)合氧化物晶體的化學(xué)式為ABO3,B正確;C.金屬鍵沒有方向性,故金屬在發(fā)生形變后,金屬鍵仍存在。在制造Fe薄片時(shí),金屬鍵沒有完全斷裂,C不正確;D.V、Cr、Mn、Fe晶體均為金屬晶體,其中均存在金屬陽離子和自由電子,無陰離子存在,D不正確。綜上所述,說法正確的是B。(2)①γ—Fe晶胞中,F(xiàn)e位于晶胞的8個(gè)頂點(diǎn)和6個(gè)面心,故其含有的鐵原子數(shù)為。②δ—Fe中,鐵原子的配位數(shù)為8;α—Fe中,鐵原子的配位數(shù)為6,故兩種晶體中鐵原子的配位數(shù)之比為8:6=4:3。③若α—Fe晶胞的邊長(zhǎng)為acm,其晶胞中只含1個(gè)Fe原子,則晶體的密度為;若γ—Fe晶胞的邊長(zhǎng)為bcm,其晶胞中含4個(gè)Fe原子,則晶體的密度為。故兩種晶體的密度之比為?!军c(diǎn)睛】求晶體的密度時(shí),先求出一個(gè)晶胞的體積,再求出一個(gè)晶胞的質(zhì)量,最后代入密度的計(jì)算公式即可求得。17.(1)[Ar]3d64s2金屬812(2)4【詳解】(1)①Fe是26號(hào)元素,根據(jù)構(gòu)造原理可知基態(tài)Fe元素核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d64s2,則其簡(jiǎn)化的電子排布式是[Ar]3d64s2;在Fe晶體中晶體中鐵原子以金屬鍵相互結(jié)合;②在以下的純鐵晶體中,與體心鐵原子等距離且最近的鐵原子是8個(gè)頂點(diǎn)的鐵原子;在以上的純鐵晶體中,與面心鐵原子等距離且最近的鐵原子有12個(gè)。(2)銅晶胞為面心立方晶胞,1個(gè)晶胞平均有銅原子數(shù)目是8×+6×=4個(gè);由于晶胞參數(shù)是acm,則1個(gè)晶胞的體積為a3cm3;由于晶胞密度是ρg/cm3,則一個(gè)晶胞的質(zhì)量m=a3ρg,根據(jù)晶體密度定義式可知:,整理可得到。18.K原子半徑較大且價(jià)電子數(shù)較少,金屬鍵較弱pm12體心棱心【詳解】(1)K和Cr屬于同一周期,且核外最外層電子構(gòu)型相同,但K的價(jià)電子排布為4s1,而Cr的價(jià)電子排布為3d54s1,則K的原子半徑比Cr大,形成金屬鍵比Cr弱,所以金屬K的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬Cr低,原因是K原子半徑較大且價(jià)電子數(shù)較少,金屬鍵較弱。答案為:K原子半徑較大且價(jià)電子數(shù)較少,金屬鍵較弱。(2)分析KIO3晶體的晶胞結(jié)構(gòu)可知,K與O間的最短距離為pm,與K緊鄰的O原子分別在各個(gè)面的面心,所以個(gè)數(shù)為。答案為:pm;12;(3)在KIO3晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中,I處于各頂角位置,因?yàn)镵原子與I原子間的距離為pm,所以K處于體心位置;而O原子與I原子間的距離為pm,所以O(shè)處于棱心位置。答案為:體心;棱心?!军c(diǎn)睛】在分析KIO3晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示時(shí),可先定位I原子,然后根據(jù)K、O原子與I原子間的距離,對(duì)原晶胞中的原子進(jìn)行替換,從而得出另一種結(jié)構(gòu)的晶胞圖。19.銅的金屬鍵強(qiáng)度大于鈣C4平面正方
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