非晶硅熱成像敏感薄膜制備技術研究綜述樣本

非晶硅熱成像敏感薄膜制備技術研究綜述摘要：非制冷紅外探測器發(fā)展是當前紅外探測重要研究領域。而測輻射熱計作為非制冷紅外探測重要分支，隨著材料科學和微電子技術發(fā)展也被重點關注。作為紅外探測紅外吸取層，非晶硅薄膜由于具備較高電阻溫度系數，已成為許多科研院所研究重要材料。非晶硅薄膜普通含氫，稱為氫化非晶硅薄膜（Si:H）。這種薄膜制備慣用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。但由于得到非晶硅電阻太大（甚至上百千歐），不易測量，用作紅外吸取層需要適當電阻。因此常對其進行摻雜。當前比較成熟摻雜是進行汽相摻雜，即PECVD制備非晶硅薄膜過程中通入磷烷（PH）和乙硼烷（），但這兩種氣體都具備毒性，于是考慮用離子注入方式，對制備好非晶硅薄膜進行離子注入摻雜。注入金屬考慮鎂，鈦，銅，銻，釔，鐿等，也可考慮用硼固體直接注入，盼望達到在高電阻溫度系數下，電阻率在幾千歐姆厘米量級。核心字：微測輻射熱計，Si:H，離子注入。1前言熱成像，起初是由人們用手在一種熄滅火把位置，感覺到溫度來擬定火把位置發(fā)展而來。這個距離單像點輻射熱檢測計出既有上千年歷史。這需要涉及黑體輻射，熱敏感材料結晶學和化學特性，以及微電子圖像掃描和顯示技術。紅外成像需要兩步:第一步是將待測視場熱輻射聚焦于檢測器件并產生物理效應，如光電導變化，這需要制冷設備；或者由于溫度增長引起材料物理特性變化，如測輻射熱計。第二步，物理效應或物理變化通過一定方式顯示出來。在二十世紀代末，隨著顯示技術發(fā)展，可顯示出生動可見圖像。由此推動了紅外成像技術進一步發(fā)展。通過好多努力，人們研制出機械式掃描和電子束掃描紅外照像管。直到20世紀60年代MOS硅電路得到發(fā)展，1968年Noble提出X-Y尋址成像陣列，才使得紅外成像讀出電路得以實現。當代紅外成像技術開始于19代末，第一代熱成像用銀氧銫光電陰極系統光電子發(fā)射效應，用在近紅外探測，制成夜視圖像增強器件，并用于軍事。之后發(fā)展用混合堿光電陰極，如延長紅硫-25光電陰極。1965年用摻銫砷化鎵作為光電陰極，這是運用它負電子親和力作用實現。這種技術最后發(fā)展為第三代圖像增強器件，現今用于軍事，用星光照明達到近紅外夜視波長2微米。1940年代人們開始研究低光照下圖像增強技術作為軍事應用。這里開始用目的和背景熱差進行紅外光譜成像。于是中紅外（3-5微米）和遠紅外（8-14微米）光譜探測技術在1950年代得到發(fā)展。1968年AGA公司用制冷單元銻化銦內在光電導效應制成真紅外熱成像單片紅外敏感探測器，美國BarnesEngineering研制出熱敏測輻射熱計，之后發(fā)展為熱釋電探測器。1959年Lawson研制出第一種制冷紅外探測器。她用碲鎘汞作為內在半導體光電導器件，需要冷卻至77K.探測范疇為8到12微米。第二代制冷紅外探測用光伏模式，噪聲等效溫差很低，僅為0.02攝氏度。運用全電子掃描陣列，但造價昂貴且需要制冷系統。1969年Tompsett研制出用熱釋電效應熱像管，之后在70年代發(fā)展到400線辨別率，并且NETD達到0.2攝氏度。同步，她也提出了用于熱成像場效應管（FET）,這里用熱電和鐵電材料混合薄膜沉積于FET導電層上。1980年代非制冷紅外陣列開始起步發(fā)展。這種類型探測器由于造價低，且輕便得到很大注重。它重要有鐵電材料陣列熱釋電探測器和熱敏材料制成測輻射熱計。當前它辨別率可達300線，NETD僅0.04攝氏度。熱釋電探測器用材料如鈦酸鋇，organiccrystaltriglycinesulfate（TGS）。熱敏材料當前慣用氧化鈦薄膜。測微輻射熱計運用材料電阻溫度效應，在紅外輻射下，材料吸取輻射溫度發(fā)生變化時，其電阻率也跟著發(fā)生變化，從而獲得紅外響應，將光信息轉換為電信息。早在1880年,Langley開始研制鉑制惠更斯橋測輻射熱計，后在19她可以探測15英里外奶牛。1966年測輻射熱計熱成像概念建立起來，1980年代微制造技術發(fā)展增進了這種技術中熱絕緣微構造制作技術發(fā)展。當前非制冷紅外探測器重要研究方向分為熱釋電紅外探測器和微測輻射熱計紅外探測陣列，這兩種探測方式對所用薄膜材料都規(guī)定極高，因此紅外吸取薄膜材料研究也成為除探測器構造之外研究重點。（噪聲等效溫差NETD:定義為通過熱成像系統觀測到得橫向尺寸無窮大黑體溫度變化，此溫度變化在焦平面陣列單元輸出端產生信噪比變化為1，或者單元器件信號讀出電路接受到得信噪比變化為1.其等效定義是通過熱成像系統觀測到得兩個并排放置大面積黑體溫差，這一溫差在兩半陣列器件信號輸出上產生信噪比差別為1，描述時應指明信號采自陣列輸出端或讀出電路輸出端。）2微測輻射熱計紅外吸取層材料選取微測輻射熱計陣列成功，重要由兩方面技術決定。第一是優(yōu)良薄膜材料，第二是器件單片集成制造技術。在薄膜材料方面，由于氧化釩有高電阻溫度系數（>2%/K）,慣用于制作微測輻射微計熱敏材料，即紅外吸取層。當前氧化釩薄膜沉積多采用濺射辦法。由于金屬固有高電阻溫度系數，在測輻射熱計陣列中也得到應用。與氧化釩相比，鈦、鉑等薄膜電阻溫度系數較低（約0.4%），但噪聲水平也較低。除了氧化釩薄膜，尚有許多其她材料體現出很高電阻溫度系數，如已經得到應用氫化非晶硅、非晶超導氧化物及巨磁阻材料等。這些材料存在共同問題是隨著著高電阻溫度系數同步，體現出較高噪聲，在很大限度上抵消了高電阻溫度系數帶來益處，但具備很大性能改進空間。尋找同步具備高電阻溫度系數及低噪聲特性薄膜材料是當前研究重點。隨著微電子技術發(fā)展，測輻射熱計采用雙層懸空構造，如圖1。由于氧化釩、氫化非晶硅等薄膜沉積溫度較低，可以在制有硅信號解決電路芯片上直接沉積敏感薄膜。為提高器件熱響應速度，規(guī)定每個器件單元具備較小熱質量和較小熱導損耗?？墒?，在減小單元器件幾何尺寸以改進熱性能同步，機械性能也發(fā)生了下降。并且，過小幾何尺寸也受到光刻加工所容許最小尺寸限制。，普通微構造采用氮化硅為機械載體，因而高機械強度低應力氮化硅薄膜制備是一種技術核心。在氮化硅支撐構造中，氮化硅對整個器件貢獻是無效熱質量。為克服這一局限性，法國Sofradir公司采用自支撐非晶硅為敏感薄膜，重點解決了其電阻穩(wěn)定性問題，器件性能與氧化釩相稱，當前非晶硅是重要測輻射熱計薄膜材料。圖1.自支撐懸空式測輻射熱計薄膜材料選取可以是金屬、半導體、超導體。材料選取根據與材料自身性質如電阻溫度系數、電阻值、噪聲特性等關于，還與探測器工作模式關于系。詳細來說：1、要有高電阻溫度系數（TCR）,2、適中電阻。較高電阻會帶來較高電壓響應，同步Johnson噪聲、熱噪聲和1/f噪聲均會增大，且諸多材料如非晶硅、高溫超導體等在高電阻或高TCR地同步會隨著過度噪聲，因而需要針對詳細材料予以恰當選用。3、低熱容、低熱導及兩者之間恰當比例（即熱時間常數），會帶來更高響應幅度及更迅速地響應時間，特別是在采用自支撐構造時，低熱導更為重要。4、低1/f噪聲參數，對測輻射熱計，在沒有達到條件時，重要噪聲源為1/f，較小1/f噪聲參數n對獲得接近抱負探測器響應非常重要。5、較高紅外吸取率。對于簡化輻射吸取層構造非常重要。在無法獲得高紅外吸取率狀況下，具備擬定紅外光學常數非常重要。6，較高機械強度。由于要用于懸空構造，并且要進行陣列式大面積集成，因此薄膜材料需要足夠高機械強度。2.1非晶硅薄膜特點非晶硅電阻率較氧化釩高，電阻溫度系數TCR在之間。TCR與電阻率之間關系與氧化釩相似，近似呈線性。非晶硅薄膜可分為無氫型和含氫型，又可分為摻雜型和無摻雜型。含氫非晶硅薄膜-Si:H電阻溫度系數較高且噪聲特性較好，易于制備；無氫非晶硅薄膜-Si電阻率略高于-Si:H，但TCR較低。非晶硅制備辦法可于硅集成工藝兼容。非晶硅薄膜體現出較好機械性能，可以以便地制備出具備自支撐構造懸空薄膜器件，即不需要氮化硅等支撐層，薄膜厚度可以很小，對提高器件機械性能非常有利。-Si不是相變材料，溫度穩(wěn)定性優(yōu)于氧化釩。Si:H薄膜電阻溫度系數較高，作為一種熱敏電阻半導體薄膜材料，它阻值可表達為（1）上式中R(T)和分別是溫度為T和T時薄膜材料電阻值。是由材料自身性質決定常數，詳細數值與材料電導激活能關于。普通狀況下具備這樣關系：=/k（其中k為玻爾茲曼常數），>0。材料電阻溫度系數即TCR常定義為溫度每變化1時，電阻值變化大小，即TCR=。（2）于是，通過代換可得到，TCR=。（3）由此可知，材料電阻溫度系數普通不大于零，也就是說半導體材料電阻率普通隨溫度升高而以指數形式減少。例如氧化鈦薄膜TCR值在左右，非晶硅薄膜電阻溫度系數在之間。2.2非晶硅薄膜制備Si:H薄膜制造辦法諸多，重要有等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、磁控濺射物理氣相沉積(PVD)、微波等離子電子回旋共振化學氣相沉積(MW-ECRCVD)、光催化化學氣相沉積（光-CVD）、熱絲化學氣相淀積(HW-CVD)等。當前PECVD法應用最多。這種辦法制備Si:H薄膜材料具備應力低、均勻性好、可控性好等長處，并且通過氣相摻雜可以控制Si:H薄膜電阻率和光學帶隙。PECVD法當前有直流輝光放電，射頻輝光放電，以及電子回旋共振輝光放電，其中射頻輝光放電較為慣用。射頻輝光放電又有電容耦合式和電感耦合式。電感耦合式與電子回旋共振式可產生高密度等離子體，但系統制作復雜，因此普通PECVD工藝都用電容耦合式射頻輝光放電。薄膜光電性能受PECVD沉積工藝參數影響很大，如硅烷(SiH4)流量、反映室氣體壓強、等離子體射屢屢率、射頻功率、襯底溫度、摻雜氣體，稀釋氣體等制備工藝參數。用PECVD制備非晶硅，發(fā)生化學反映復雜，一方面電子撞擊硅烷氣體分子產生各種離子、原子。各種微粒不斷碰撞進行反映，并不斷被材料表面吸取，被吸取微粒在材料表面反映重組形成最后非晶硅薄膜。大體可分為初級反映和次級反映。初級反映有：(4)(5)(6)(7)(8)(9)(10)(11)發(fā)生次級反映有：(12)(13)(14)(15)其中產物中中性粒子決定高質量非晶硅薄膜沉積狀況。表面產量直接決定非晶硅薄膜沉積速率。SiH和對薄膜質量提高有負面影響，特別是會與硅烷反映產生乙硅烷。在240攝氏度下，不不大于0.1torr壓強下，用硅烷制得薄膜約98%成分是。由于在低能量，高氣壓（0.1~1torr）下，SiH、、乙硅烷都發(fā)生反映了。當硅烷消耗完時，開始分解，產生更多SiH和，這是影響薄膜質量一種也許因素。在能量增大是，用硅烷在直流或交流輝光放電下產生Si:H薄膜質量開始變差，由于此時薄膜重要是由硅烷反映變?yōu)橐夜柰楫a生。在高能量密度下，硅烷大某些變成了乙硅烷。相反，在低能量密度下，用乙硅烷制備薄膜質量不高。而在高能量密度下，也有某些乙硅烷會變成硅烷，然后反映沉積成薄膜。因此用硅烷制備Si:H薄膜時，要選用低能量低功率；而在用乙硅烷制備Si:H薄膜時，要選用高能量高功率。對于制備非晶硅薄膜需要進行熱解決，以使其達到穩(wěn)定機械、電學、光學性能。由于非晶硅在高溫下會晶化，因此可采用在高真空狀態(tài)下，低溫長時間熱解決辦法。3對敏感層薄膜性能優(yōu)化：摻雜對于非晶硅薄膜，考慮到其電阻率很大，甚至達千歐到兆歐量級。對用于紅外探測非晶硅薄膜，規(guī)定其TCR盡量大，而電阻率太大會使得TCR難以測量，且需要很大電壓，噪聲也會很大。因此用類似n型p型摻雜晶態(tài)硅辦法對非晶硅進行離子注入。對非晶硅進行摻雜可有效減少其電阻率。當前半導體摻雜辦法已得到很大發(fā)展，重要有擴散法，氣相摻雜，離子注入等。對于擴散法，需要很高溫度，而非晶硅在高溫下會晶化，失去非晶硅自身性能。因此特別是不能經受高溫解決，400攝氏度就會浮現晶化現象。因而擴散工藝普通不適合于對非晶硅摻雜。當前采用摻雜辦法重要是氣相摻雜和離子注入。3.1非晶硅氣相摻雜氣相摻雜就是在薄膜沉積過程中對反映氣體加入一定比例氣相雜質或雜質氣相化合物。例如N,磷烷（PH）和乙硼烷（）等。對于摻雜比低于狀況，為保證沉積樣品重復性和均勻性，需在沉積之前按比例預先將混合氣體配制好。用這種辦法可以進行低達摻雜比氣相摻雜。對于摻雜比高于場合，只要沉積裝置和氣路配備合理，無需進行預混，直接在沉積過程中控制兩種氣體流量比即可獲得足夠精準摻雜濃度。氣相摻雜不但合用于PECVD辦法，也可用于反映濺射。這時，只要在Ar+H混合氣體中再混合或PH就行了。用蒸發(fā)法沉積薄膜時，也可通過加入摻雜氣體實既有效摻雜。3.2非晶硅離子注入氣相摻雜辦法簡樸易行，效果也比較好，但由于、PH等氣體均有劇毒，摻雜危險性比較大，故可多考慮用離子注入辦法進行摻雜。離子注入發(fā)展于20世紀60年代，專業(yè)微電子工藝離子注入系統可分為三某些：離子源、加速管、和終端臺。離子源負責將注入物質氣體送入系統。大多數采用氣態(tài)源注入機是通過不同閥門開關控制選取不同氣體注入。對于注入離子所用原料以固體形式存在時，可將其加熱產生蒸汽，再以蒸汽作為注入源。氣體或蒸汽流入一種放電腔室。在大電壓下，氣體或蒸汽電離，并在磁場下螺旋運動并形成離子流。離子束流再通過度析磁場，使所需要離子通過質量、電荷量被選取出來，以一定曲率半徑離開分析器，然后被加速，之后通過靜電偏轉系統，濾除中性離子，再通過法拉第杯控制其劑量。最后通過靜電掃描或機械掃描對圓片注入。離子注入要考慮注入元素，注入劑量，注入區(qū)域，深度，注入對被注入材料構造、性能影響。非晶硅離子注入，由于其特有薄膜構造，可考慮進行淺結注入，如大角度偏轉離子注入和分子注入。當前國內主流離子注入設備用離子源重要為氣體源、金屬源。其原理是用高壓使氣體或金屬電離，然后通過強電場使電離產生離子加速直接轟擊需要被注入基片即靶材。此類離子注入設備重要涉及抽真空系統、高壓系統、控制系統、注入系統，水冷系統。對于任何一種樣品都可以用離子注入法進行摻雜。并且，跟晶體硅同樣，離子注入也可對已摻有某種導電類型雜質非晶硅薄膜進行補償作用，因而具備很大使用價值，例如與氣相摻雜相結合制造p-n結。運用離子注入法已成功地實現了鈉、鉀、銣、銫等堿金屬元素填隙式摻雜；也可考慮用Ti、Mg、、進行離子注入。雖然這些原子大小差別很大，但它們對薄膜電導率變化效果都很明顯。對于用于紅外吸取層非晶硅薄膜進行離子注入，可用含硼或含磷元素氣體作為氣體源材料進行氣體源離子注入，如用、。但此類氣體普通都是有毒氣體，操作危險系數較大，因此可重點考慮用金屬源離子注入。對于薄膜離子注入，金屬源所用材料可選用鎂，銅，鈦，鋰，銻，釔，鐿，硼，錳。其中釔、鋰、銻摻入早有報道，釔摻雜對材料電導率改進較大。鐿有用于對單晶硅摻雜研究。鎂、銅在非晶氧化物注入摻雜中已有嘗試，但是熱解決溫度較高。硼作為半導體摻雜慣用元素，由于其在自然界中以固體存在，且性能穩(wěn)定，硬度僅次于金剛石，熔點和沸點都較高，也可嘗試作為金屬源靶材選取對象。錳作為金屬材料，摻雜于硅中形成硅化錳磁性半導體，可提高材料電磁型，對電阻影響有待研究，因此也可作為嘗試。為防止離子注入過深，特別是原子量較小離子如硼，會產生瞬時增強擴散，這些都會影響器件制作工藝及器件性能。如果對用于紅外探測薄膜進行過深離子注入，也許會對下部控制電路受到影響。瞬時增強擴散會使淺結注入工藝摻雜位置精準性及器件為微型化受很大影響。鑒于以上因素，經常需要在離子注入之前，對器件進行阻擋層隔離。如用注入法形成鈍化層或絕緣層，即可在襯底硅上預先高能注入O或N，形成Si或。也可進行He、Si、Ge等離子預注入，使被注入層內預先形成微小孔洞，以制止注入過深及瞬時增強擴散。也有預先對非晶硅薄膜制作好金屬電極層之后進行離子注入，以對器件制作工藝進行優(yōu)化報道。這些預注入工藝也可在該離子注入中嘗試使用。對于離子注入后非晶硅特性詳細數據尚無報道。剛進行過離子注入非晶硅薄膜，也許薄膜電阻反而變高，這是由于離子注入導致了薄膜構造損傷，損傷引起缺陷使得薄膜電導率下降，也有說法是注入離子尚未被激活。于是需要對注入后非晶硅薄膜進行熱解決，以修復缺陷、損傷以及激活注入離子。4所盼望摻雜效果鑒于當前未摻雜非晶硅薄膜電導率太低，很大影響其在工程應用中優(yōu)勢，用離子注入對其進行摻雜，以達到較低電阻率，使其紅外探測中紅外吸取層熱敏薄膜電阻優(yōu)勢充分發(fā)揮。當前未摻雜電阻率在上百千歐量級，盼望離子注入后其電阻率可降至幾百歐限度，以便于工程應用。5參照文獻：[1]PAULW.KRUSE.UncooledInfraredImagingArraysandSystemsSEMICONDUCTORSANDSEMIMETALSVolume47[M].INFRAREDSOLUTIONSINC,MINNEAPOLIS,MINNESOTA,1991.[2]劉衛(wèi)國,金娜.集成非制冷熱成像探測陣列[M].北京:國防工業(yè)出版社,.[3]Xing-MingLiu,Hua-JunFang,Li-TianLiu.Studyonnewstructureuncooleda-Simicrobolometerforinfrareddetection[J].MicroelectronicsJournal,,(38):735–739.[4]蔡毅,胡旭.紅外成像尋用紅外探測器現狀和發(fā)展趨勢[J].紅外與激光工程,,35(1):8-11.[5]姜嘯宇,鐘聲,趙圣.紅外陣列探測器研究進展[N/OL].商品與質量，-10:91[.10.28].[6]馬賢君.基于MEMS技術新型氧化釩測輻射熱計微構造及制備工藝研究[D].,天津:天津大學.[7]AamerMahmood,DonaldP.Butler,ZeynepCelik-Butler.Micromachinedbolometersonpolyimide[J].SensorsandActuatorsA，(132):452-459.[8]顧文韻,皮德富,周士源.非制冷微測輻射熱計熱成像[J].紅外與激光工程,,29(2):65-77.[9]甄志成.微測輻射熱計制造工藝與品質測試研究[D].,天津:天津大學.[10]王利霞.微測輻射熱計陣列構造制備[J].南京郵電大學學報(自然科學版),,29(5):54-58.[11]陳建國,郭群英,邢昆山.測輻射熱計微橋研制和VO膜成膜研究[J].半導體技術,27(1):70-73.[12]呂宇強,胡明,吳淼等.熱紅外探測器最新進展[J].壓電與聲光,,28(4):407-410.[13]吳淼.非制冷紅外探測器用高TCR氧化釩薄膜制備研究[D].,天津:天津大學.[14]翟于嘉.紅外探測材料電阻溫度特性研究[D].,西安:西安工業(yè)大學.[15]董梁.MEMS集成室溫紅外探測器研究[D].,北京:清華大學.[16]雷亞貴,王戎瑞,陳苗海.國外非制冷紅外焦平面陣列探測器進展[J].激光與紅外,,37(9):801-805.[17]WERNERLUFT.Y.SIMONTSUO.HYDROGENATEDAMORPHOUSSILICONALLOYDEOSITIONPROCESSES[M].NationalRenewableEnergyLaboratoryGolden,Colorado,MarcelDekker,Inc,NewYork.Basel.HongKong,1993.[18]廖乃饅.氫化非晶硅薄膜制備及其微構造和光電性能研究[D].,成都:電子科技大學.[19]曾濤.優(yōu)質氫化非晶硅薄膜沉積及其太陽能電池模仿[D].,景德鎮(zhèn):景德鎮(zhèn)陶瓷學院.[20]王玉.PECVD法制備氫化非晶硅薄膜其性能研究[D].,哈爾濱:哈爾濱工業(yè)大學.[21]葉林,劉衛(wèi)國.氫化非晶硅薄膜性能研究[J].紅外,,27(6):25-28.[22]黃永峰,張邦英.大面積非晶硅光導薄膜研制[J].微細加工技術,1997(1).[23]盛松科.PECVD多功能沉積系統制備氫化非晶硅、碳薄膜工藝[D].,大連:大連理工大學.[24]S.Muthmann,A.Gordijn.Amorphoussiliconsolarcellsdepositedwithnon-constantsilaneconcentration[J].SolarEnergyMaterials&SolarCells,(95):573–578.[25]JianNi,JianjunZhang,YuCao,etal.Lowtemperaturedepositionofhighopen-circuitvoltage(>1.0V)p–i–ntypeamorphoussiliconsolarcells[J].SolarEnergyMaterials&SolarCells，(95):1922–1926.[26]PurabiGogoia,P.N.Dixitb,PratimaAgarwal.Amorphoussiliconfilmswithhighdepositionratepreparedusingargonandhydrogendilutedsilaneforstablesolarcells[J].SolarEnergyMaterials&SolarCells,(91):1253–1257.[27]J.Müllerová,L.Pruˇsáková,M.Netrvalová.Astudyofopticalabsorptioninamorphoushydrogenatedsiliconthinfilmsofvariedthickness[J].AppliedSurfaceScience，(256):5667–5671.[28]周順,秦文罡,葉林等.非晶硅薄膜沉積速率研究[J].真空,,45(3):48-50.[29]SatoshiShimizu,AkihisaMatsuda,MichioKondo.Stabilityofthinfilmsolarcellshavingless-hydrogenatedamorphoussiliconi-layers[J].SolarEnergyMaterials&SolarCells,(92):1241–1244.[30]李世彬.氫化硅薄膜制備、特性及器件研究[D].,成都:電子科技大學.[31]周順,劉衛(wèi)國,劉歡.PECVD法沉積氫化非晶硅薄膜內應力研究[J].真空科學與技術學報,,30(4):341-346.[32]顧衛(wèi)東,胥超,李艷麗.PECVD制備非晶硅薄膜研究[J].納米材料與構造[J].微納電子技術,46(11):664-666.[33]陰生毅,陳光華.a-Si:H薄膜及MWECR-CVD制備技術[J].物理，,33(4):272-277.[34]杜新華,劉克源.非晶硅光敏材料高電阻率化研究[J].功能材料,1997,28(26):588-591.[35]殷官超.PECVD法制備摻磷非晶硅薄膜及其構造和性能研究[D].,武漢:武漢理工大學.[36]馮仁華.PECVD法制備本征/摻硼納米非晶硅薄膜及其性能研究[D].,杭州:浙江大學.[37]韓琳,劉興明,劉理天.用于紅外探測非晶硅薄膜晶體管[J].半導體光電,,27(4):393-401.[38]A.Ordu?na-Diaz，C.G.Trevi?no-Palacios,M.Rojas-Lopez.FTIRandelectricalcharacterizationofa-Si:HlayersdepositedbyPECVDatdifferentboronratios[J].MaterialsScienceandEngineeringB,(174):93–96.[39]朱魁鵬,吳志明,李偉.摻硼非晶硅薄膜性能研究[J/OL].[-10-28]...[40]陳志明.非晶半導體材料與器件[M].北京: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