微電子器件課后答案(第三版)

部分習(xí)題解答部分物理常數(shù)：shanren第

2章1、在N區(qū)耗盡區(qū)中，高斯定理為：

取一個(gè)圓柱形體積，底面在PN結(jié)的冶金結(jié)面（即原點(diǎn)）處，面積為一個(gè)單位面積，頂面位于x處。則由高斯定理可得：當(dāng)x=xn

時(shí)，E(x)=0，因此，于是得：

（2-5a）shanren3、shanren4、shanren6、

ND2

ND1

shanrenshanren8、(1)shanrenshanren(2)shanrenshanren20、shanren24、PN

結(jié)的正向擴(kuò)散電流為式中的I0因含ni2而與溫度關(guān)系密切，因此正向擴(kuò)散電流可表為于是PN

結(jié)正向擴(kuò)散電流的溫度系數(shù)與相對溫度系數(shù)分別為shanren31、當(dāng)N-

區(qū)足夠長時(shí)，開始發(fā)生雪崩擊穿的耗盡區(qū)寬度為：

當(dāng)N-

區(qū)縮短到W=3

m時(shí)，雪崩擊穿電壓成為：shanren34、shanren39、shanren第3章1、NPN緩變基區(qū)晶體管在平衡時(shí)的能帶圖NPN緩變基區(qū)晶體管在放大區(qū)時(shí)的能帶圖shanren2、NPN緩變基區(qū)晶體管在放大區(qū)時(shí)的少子分布圖shanren3、shanren6、shanren7、8、以NPN管為例，當(dāng)基區(qū)與發(fā)射區(qū)都是非均勻摻雜時(shí)，由式（3-33a）和式（3-33b），再根據(jù)注入效率的定義，可得：shanren9、shanren10、(1)(2)(3)(4)shanren14、shanren15、shanren20、當(dāng)忽略基區(qū)中的少子復(fù)合及ICEO

時(shí)，shanrenshanren27、實(shí)質(zhì)上是ICS

。22、shanren

使NB>>NC

，這樣集電結(jié)耗盡區(qū)主要向集電區(qū)延伸，可使基區(qū)不易穿通。39、為提高穿通電壓Vpt，應(yīng)當(dāng)增大WB

和NB，但這恰好與提高β相矛盾。解決方法：shanren48、

當(dāng)

IE很大時(shí)，這時(shí)α0<α

；

當(dāng)IE

很小時(shí)，這時(shí)α0>α

；

在

IE

很小或很大時(shí)，α都會(huì)有所下降。

在正常的IE

范圍內(nèi)，α幾乎不隨IE

變化，這時(shí)

β0

與β

也有類似的關(guān)系。shanren58、shanrenshanren59、shanren65、(1)(3)(2)(4)shanren68、shanren第5章1、shanren3、shanr