數(shù)字集成電路:時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì)_第1頁(yè)
數(shù)字集成電路:時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì)_第2頁(yè)
數(shù)字集成電路:時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì)_第3頁(yè)
數(shù)字集成電路:時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì)_第4頁(yè)
數(shù)字集成電路:時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì)_第5頁(yè)
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數(shù)字集成電路

-電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì)時(shí)序邏輯命名習(xí)慣

鎖存器是電平觸發(fā)

寄存器是邊沿觸發(fā)鎖存器與寄存器鎖存器

時(shí)鐘下降沿存儲(chǔ)數(shù)據(jù)DClkQDClkQ寄存器

時(shí)鐘下降沿存儲(chǔ)數(shù)據(jù)

ClkClkDDQQ鎖存器時(shí)間定義tCLKtDtc2qtholdtsutQ數(shù)據(jù)穩(wěn)定數(shù)據(jù)穩(wěn)定寄存器CLKDQ最大時(shí)鐘頻率Also:tcdreg+tcdlogic>tholdtcd:contaminationdelay=minimumdelaytclk-Q+tp,comb

+tsetup=T正反饋:穩(wěn)態(tài)Vo1Vi25Vo1Vi25Vo1Vi1ACBVo2Vi1=Vo2Vo1Vi2Vi2=Vo1亞穩(wěn)態(tài)多路開(kāi)關(guān)型鎖存器負(fù)鎖存器正鎖存器CLK10DQ0CLK1DQ多路開(kāi)關(guān)型鎖存器靜態(tài)鎖存器DCLKCLKDConvertingintoaMUXForcingthestate(canimplementasNMOS-only)Usetheclockasadecouplingsignal,

thatdistinguishesbetweenthetransparentandopaquestates多路開(kāi)關(guān)型鎖存器電路圖不重疊時(shí)鐘基于主從結(jié)構(gòu)的正沿觸發(fā)寄存器主從型寄存器建立時(shí)間傳播延時(shí)減小時(shí)鐘負(fù)載的

靜態(tài)主從寄存器避免時(shí)鐘重疊CLKCLKAB(a)電路圖(b)一對(duì)時(shí)鐘重疊XDQCLKCLKCLKCLK基于NOR的SR觸發(fā)器基于NAND的SR觸發(fā)器尺寸問(wèn)題存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)DCLKCLKQ動(dòng)態(tài)(基于負(fù)載)靜態(tài)使動(dòng)態(tài)鎖存器成為偽靜態(tài)更精確的建立時(shí)間建立/保持時(shí)間圖解Circuitbeforeclockarrival(Setup-1case)建立/保持時(shí)間圖解Circuitbeforeclockarrival(Setup-1case)建立/保持時(shí)間圖解Circuitbeforeclockarrival(Setup-1case)建立/保持時(shí)間圖解Circuitbeforeclockarrival(Setup-1case)建立/保持時(shí)間圖解Circuitbeforeclockarrival(Setup-1case)建立/保持時(shí)間圖解Hold-1case0建立/保持時(shí)間圖解Hold-1case0建立/保持時(shí)間圖解Hold-1case0Setup/HoldTimeIllustrationsHold-1case0建立/保持時(shí)間圖解Hold-1case0其他鎖存器/寄存器:C2MOS時(shí)鐘重疊期間M1DQM4M200VDDXM5M8M6VDD(a)(0-0)重疊M3M1DQM21VDDXM71M5M6VDD(b)(1-1)重疊其他鎖存器/寄存器:TSPC反向鎖存器(transparentwhenCLK=0)正向鎖存器(transparentwhenCLK=1)TSPC所包含的邏輯AND鎖存器在鎖存器中包括邏輯TSPC寄存器脈沖觸發(fā)鎖存器

可選擇方法Master-SlaveLatchesDClkQDClkQClkDataDClkQClkDataPulse-TriggeredLatchL1L2LWaystodesignanedge-triggeredsequentialcell:脈沖鎖存器脈沖鎖存器數(shù)據(jù)流過(guò)正沿觸發(fā)寄存器短脈沖寄存器的建立時(shí)間流水線參考電路流水線電路鎖存型流水線

非雙穩(wěn)時(shí)序電路─

施密特觸發(fā)器非反向施密特觸發(fā)器

用施密特觸發(fā)器抑制噪聲CMOS施密特觸發(fā)器Movesswitchingthresholdofthefirstinverter施密特觸發(fā)器模擬結(jié)果2.5VX(V)VM2VM1Vin(V)具有滯環(huán)的電壓傳輸特性.改變pmos期間M4的尺寸比的影響M4寬度為K*0.52.01.51.00.50.00.00.51.01.52.02.52.5Vx(V)k=2k=3k=4k=1Vin(V)2.01.51.00.50.00.00.51.01.52.02.5施密特觸發(fā)器(2)多頻振蕩器電路單穩(wěn)時(shí)序電路單穩(wěn)觸發(fā)(基于RC)不穩(wěn)電路012N-1環(huán)形振蕩器5級(jí)環(huán)形振蕩器的模擬波形松弛振蕩器電壓控制振蕩器差分延時(shí)元件和VCO拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)in2兩級(jí)VCOv1v2v3v4

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