道路車(chē)輛 局域互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)（LIN） 第7部分：電氣物理層一致性測(cè)試規(guī)范

GB/TXXXXX—XXXX/ISO17987-7:2016

引言

GB/TXXXX標(biāo)準(zhǔn)定義了使用案例、通信協(xié)議和車(chē)輛通信網(wǎng)絡(luò)的局域互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的物理層需求。

所提到的LIN協(xié)議是一種基于汽車(chē)的低速通用異步收發(fā)器的網(wǎng)絡(luò)，它的一些關(guān)鍵特性四基于信號(hào)通

信，基于調(diào)度表的幀傳輸，主從通信錯(cuò)誤檢測(cè)，節(jié)點(diǎn)配置和診斷服務(wù)傳輸。

LIN協(xié)議適用于低成本的汽車(chē)控制應(yīng)用，比如門(mén)模塊和空調(diào)系統(tǒng)。作為車(chē)輛低速控制應(yīng)用的通信基

礎(chǔ)設(shè)施，它能提高以下功能：

——基于信號(hào)在不同節(jié)點(diǎn)的應(yīng)用程序之間交換信息；

——比特率支持1kbit/s到20kbit/s；

——基于確定性調(diào)度表的幀通信；

——喚醒和休眠LIN網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)絡(luò)管理方案；

——提供錯(cuò)誤處理和錯(cuò)誤信號(hào)的狀態(tài)管理；

——傳輸層支持大數(shù)據(jù)的傳輸（例如診斷服務(wù)）；

——如何處理診斷服務(wù)的規(guī)范；

——電氣物理層規(guī)范；

——描述從節(jié)點(diǎn)屬性的節(jié)點(diǎn)描述語(yǔ)言；

——描述通信行為的網(wǎng)絡(luò)描述文件；

——應(yīng)用程序接口；

GB/TXXXX標(biāo)準(zhǔn)基于ISO/IEC7498-1中規(guī)定的開(kāi)發(fā)系統(tǒng)互連基本參考模型，該模型將通信系統(tǒng)架構(gòu)

分為七層。

該模型將數(shù)據(jù)通信架構(gòu)分為七層，即（自上而下）應(yīng)用層（7層）、表示層、會(huì)話(huà)層、傳輸層、網(wǎng)

絡(luò)層、數(shù)據(jù)鏈路層和物理層（1層）、這些層的子集都應(yīng)用在GB/TXXXX中（所有部分）。

GB/TXXXX標(biāo)準(zhǔn)區(qū)分了由一層提供給它上面一層的服務(wù)和該層用來(lái)在它的對(duì)等實(shí)體之間發(fā)送消息

的協(xié)議。這種區(qū)分的原因主要是為了服務(wù)，尤其是應(yīng)用層服務(wù)和傳輸層服務(wù)，也用于除LIN以外的其他

類(lèi)型的網(wǎng)絡(luò)，因此協(xié)議對(duì)服務(wù)的使用者是隱藏的，并且如果有特殊的系統(tǒng)需求，可以修改協(xié)議。

GB/TXXXX標(biāo)準(zhǔn)提供了支持以下相關(guān)要求實(shí)施所需的所有文件和參考材料：

——GB/TXXXX.1：本部分概述了GB/TXXXX系列標(biāo)準(zhǔn)和結(jié)構(gòu)及使用案例定義和供所有后續(xù)部

分使用的公共資源集（定義、引用）；

——GB/TXXXX.2：本部分規(guī)定了在LIN節(jié)點(diǎn)之間傳輸消息的PDU傳輸協(xié)議網(wǎng)絡(luò)層要求；

——GB/TXXXX.3：本部分規(guī)定了在抽象邏輯層上實(shí)現(xiàn)LIN協(xié)議的要求及與硬件相關(guān)的規(guī)則；

——GB/TXXXX.4：本部分規(guī)定了互連協(xié)議的實(shí)現(xiàn)所需的有效硬件組件的實(shí)現(xiàn)要求；

——GB/TXXXX.5：本部分規(guī)定了LIN應(yīng)用程序協(xié)議接口（API）以及節(jié)點(diǎn)配置和標(biāo)識(shí)服務(wù)。節(jié)點(diǎn)

配置和標(biāo)識(shí)服務(wù)在API中進(jìn)行定義，定義了從節(jié)點(diǎn)的配置方式和從節(jié)點(diǎn)如何使用標(biāo)識(shí)服務(wù)；

——GB/TXXXX.6：本部分規(guī)定了根據(jù)第2部分和第3部分檢查L(zhǎng)IN協(xié)議實(shí)現(xiàn)的一致性，包括對(duì)

數(shù)據(jù)鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層和傳輸層的測(cè)試；

——GB/TXXXX.7：本部分規(guī)定了根據(jù)第4部分檢查L(zhǎng)IN電氣物理層實(shí)現(xiàn)（抽象邏輯層）一致性

的測(cè)試。

——GB/TXXXX.8：本部分規(guī)定了LIN通信系統(tǒng)直流電源線(xiàn)電氣物理層(EPL)的實(shí)現(xiàn)要求和EPL的

符合性測(cè)試計(jì)劃。

II

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道路車(chē)輛局域互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)第7部分：電氣物理層一致性測(cè)試規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了LIN總線(xiàn)通信系統(tǒng)的電氣物理層（EPL）一致性測(cè)試。

本文件適用于標(biāo)準(zhǔn)化方法驗(yàn)證LIN總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器是否符合GB/TXXXX.4，主要是確保系統(tǒng)環(huán)境中不同

來(lái)源的LIN總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器的互操作性。

注：1.測(cè)試參考了ISO9646和ISO17987-4。

2.本文件提供了所有必要的技術(shù)信息，以確保即使在不同的測(cè)試系統(tǒng)上，測(cè)試結(jié)果也是一致的，前提是特定的

測(cè)試套件和測(cè)試系統(tǒng)符合本文件的規(guī)定。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅所注日期的版本適用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。

GB/TXXXX.4道路車(chē)輛局域互連網(wǎng)絡(luò)第4部分：12V/24V電氣物理層規(guī)范（Roadvehicles—

LocalInterconnectNetwork(LIN)—Part4:Electricalphysicallayer(EPL)specification12V/24V，IDT）

GB/TXXXX.6道路車(chē)輛局域互連網(wǎng)絡(luò)第6部分：協(xié)議一致性測(cè)試規(guī)范（Roadvehicles—Local

InterconnectNetwork(LIN)—Part6:Protocolconformancetestspecification，IDT）

3術(shù)語(yǔ)、定義、符號(hào)和縮略語(yǔ)

3.1術(shù)語(yǔ)和定義

GB/TXXXX.4和GB/TXXXX.6界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

3.2符號(hào)

下列符號(hào)適用于本文件。

%百分比

μs微秒

C1/2電容

CCOMMON通信線(xiàn)路的電容

C′LINE線(xiàn)電容

CBUS總線(xiàn)總電容

CMASTER主節(jié)點(diǎn)電容

CREF參考電容

CRXDRXD電容（LIN接收器，RXD電容負(fù)載條件）

CSLAVE從節(jié)點(diǎn)電容

∈數(shù)學(xué)符號(hào)：替換為“是xxx的元素”

d2V/dt2電壓的二階導(dǎo)數(shù)（V2/s2）

1

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di/dt瞬時(shí)電流變化率（A/S）

D1/2二極管

Dser_int收發(fā)器IC內(nèi)部串聯(lián)二極管

Dser_master主節(jié)點(diǎn)串聯(lián)二極管

FTS測(cè)試系統(tǒng)位速率

IBUS進(jìn)入ECU總線(xiàn)中的電流

IBUS_LIM將總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)至顯性狀態(tài)（VBUS=進(jìn)入ECU總線(xiàn)線(xiàn)路的VBAT_max）驅(qū)動(dòng)器的電流限制

IBUS_NO_BAT當(dāng)VBAT斷開(kāi)時(shí)ECU總線(xiàn)中的電流

IBUS_NO_GND當(dāng)VGND_ECU斷開(kāi)時(shí)ECU總線(xiàn)中的電流

IBUS_PAS_dom當(dāng)LIN總線(xiàn)從顯性狀態(tài)到驅(qū)動(dòng)關(guān)閉（被動(dòng)）時(shí)，ECU總線(xiàn)線(xiàn)路中的電流(12VLINdevices：

VBUS=0V和VBAT=12V；24VLINdevices：VBUS=0V和VBAT=24V)

IBUS_PAS_rec當(dāng)LIN總線(xiàn)從隱性狀態(tài)到驅(qū)動(dòng)關(guān)閉（被動(dòng)）時(shí)，ECU總線(xiàn)線(xiàn)路中的電流(12VLINdevices：

8V<VBAT<18V；8V<VBUS<18V；VBUS≥VBAT；

24VLINdevices：16V<VBAT<36V;16V<VBUS<36V；VBUS≥VBAT)

GNDDeviceECU的GND（地）

k?千歐

kbit/s千比特每秒

LENBUSLIN總線(xiàn)線(xiàn)束總長(zhǎng)度

LINBusLIN網(wǎng)絡(luò)

ms毫秒

nF納法

pF皮法

pF/m皮法每米(負(fù)載電容)

R1/2電阻

RCOMMON通信線(xiàn)路的電阻

RBUS總線(xiàn)總電阻，包含所有從節(jié)點(diǎn)和主節(jié)點(diǎn)電阻

RBUS=RMASTER||RSLAVE_1||RSLAVE_2||～||RSLAVE_N

RREF參考電阻

Rmaster主節(jié)點(diǎn)電阻

Rpull_up上拉電阻

Rslave從節(jié)點(diǎn)電阻

tBFS字節(jié)場(chǎng)同步時(shí)間

tBIT基礎(chǔ)位時(shí)間

tEBS最早位采樣時(shí)間

trx_pd接收方的傳播延時(shí)

trx_sym接收方傳播延時(shí)的對(duì)稱(chēng)性，接收方上升沿傳播延時(shí)

tLBS最后位采樣時(shí)間

trx_pdf(1)接收節(jié)點(diǎn)1在LIN總線(xiàn)下降沿（隱性位到顯性位）的傳播延時(shí)時(shí)間

trx_pdf(2)接收節(jié)點(diǎn)2在LIN總線(xiàn)下降沿（隱性位到顯性位）的傳播延時(shí)時(shí)間

trx_pdr(1)接收節(jié)點(diǎn)1在LIN總線(xiàn)上升沿（顯性位到隱性位）的傳播延時(shí)時(shí)間

trx_pdr(2)接收節(jié)點(diǎn)2在LIN總線(xiàn)上升沿（顯性位到隱性位）的傳播延時(shí)時(shí)間

tSR采樣窗口重復(fù)時(shí)間

THDom(max)接收節(jié)點(diǎn)最大顯性閾值（電壓）

2

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THDom(min)接收節(jié)點(diǎn)最小顯性閾值（電壓）

THRec(max)接收節(jié)點(diǎn)最大隱性閾值（電壓）

THRec(min)接收節(jié)點(diǎn)最小隱性閾值（電壓）

V電壓

VANODE二極管的陽(yáng)極電壓

VBATECU電源連接器上的電壓

VBATTERY車(chē)輛蓄電池連接器上的電壓

VBS1/2電源偏移電壓

VBUSLIN總線(xiàn)上的電壓

VBUS_CNT接收方閾值中心點(diǎn)

VBUS_dom接收方顯性電壓

VBUS_rec接收方隱性電壓

VCATHODE二極管陰極電壓

VCC1/2電源正極供電電壓（例如5V）

VD1/2二極管陰極電壓

VDom顯性電壓

VGND1/2地偏移

VGND_BATTERY蓄電池接地電壓

VGND_ECU本地ECU接地連接器相對(duì)于車(chē)輛蓄電池接地連接器（VGND_BATTERY）的電壓

VHYS接收方滯后電壓

VIUTIUT供電引腳電壓

VPS1/2遠(yuǎn)程電壓1或遠(yuǎn)程電壓2

VRec隱性電壓

VSerDiode串聯(lián)二極管的電壓降

VShift_BAT電源偏移

VShift_Difference電源偏移和地偏移的差異

VShift_GND地偏移

VSUP收發(fā)器電源引腳上的電壓

VSUP_NON_OP設(shè)備不被破壞的電壓；不保證設(shè)備正常運(yùn)行

Vth_dom接收方隱性到顯性L(fǎng)IN總線(xiàn)邊沿閾值電壓

Vth_rec接收方顯性到隱性L(fǎng)IN總線(xiàn)邊沿閾值電壓

ΔF/FNom相比于標(biāo)準(zhǔn)位速率偏差

τ時(shí)間常數(shù)

?歐姆

3.3縮略語(yǔ)

下列縮略語(yǔ)適用于本文件。

AC：交流（Alternatecurrent）

API：應(yīng)用程序接口（Applicationprogrammersinterface）

ASIC：專(zhuān)用集成電路（Applicationspecificintegratedcircuit）

BFS：字節(jié)場(chǎng)同步（Bytefieldsynchronization）

DC：直流（Directcurrent）

EBS：最早位采樣（Earliestbitsample）

3

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EMC：電磁兼容（Electromagneticcompatibility）

EMI：電磁干擾（Electromagneticinterference）

EPL：電氣物理層（Electricalphysicallayer）

ESD：靜電放電（Electrostaticdischarge）

GND：地（Ground）

IUT：測(cè)試中的實(shí)施（Implementationundertest）

LBS：最新位采樣（Latestbitsample）

Max.：最大（Maximum）

Min.：最小（Minimum）

no.：序號(hào)（Number）

OSI：開(kāi)放系統(tǒng)互聯(lián)（Opensystemsinterconnection）

PDU：協(xié)議數(shù)據(jù)單元（Protocoldataunit）

RC：RC時(shí)間常數(shù)τ（τ=CBUS×RBUS）（RCtimeconstantτ(τ=CBUS×RBUS)）

RX：收發(fā)器的Rx引腳（Rxpinofthetransceiver）

RXD：接收數(shù)據(jù)（Receivedata）

SBC：系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片（Systembasischip）

SR：采樣窗口重復(fù)（Samplewindowrepetition）

TRX：收發(fā)器（Transceiver）

TX：收發(fā)器的TX引腳（TXpinofthetransceiver）

TXD：發(fā)送數(shù)據(jù)（Transmitdata）

Typ：典型的（Typical）

UART：通用異步收發(fā)器（Universalasynchronousreceivertransmitter）

4約定

GB/TXXXX(所有部分)是基于OSI服務(wù)公約(ISO/IEC10731)中規(guī)定的物理層、數(shù)據(jù)鏈路層、網(wǎng)絡(luò)和

傳輸協(xié)議以及診斷服務(wù)。

5具有RX和TX接入的12VLIN設(shè)備電氣物理層

本章適用于A類(lèi)和B類(lèi)設(shè)備。

5.1測(cè)試規(guī)范概述

5.1.1測(cè)試用例組織

本章首先描述了每個(gè)測(cè)試用例的意圖及簡(jiǎn)短解釋。在執(zhí)行測(cè)試之前，測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)設(shè)置為5.2中描述

的初始狀態(tài)。

每個(gè)測(cè)試用例的測(cè)試過(guò)程和響應(yīng)以圖表的形式描述。表1是一個(gè)典型測(cè)試描述，定義了測(cè)試用例組

織。

表1測(cè)試用例組織

4

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IUT節(jié)點(diǎn)作A/B/C類(lèi)設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)或者從節(jié)點(diǎn)或者主從相應(yīng)的測(cè)試序號(hào)TCx，TCy，其中x和y是測(cè)試用

為節(jié)點(diǎn)例序號(hào)

參數(shù)：

節(jié)點(diǎn)數(shù)量執(zhí)行測(cè)試的節(jié)點(diǎn)數(shù)量

總線(xiàn)負(fù)載用來(lái)仿真一個(gè)LIN網(wǎng)絡(luò)

工作條件：

IUT的工作模式（例如正常模式，低功耗模

IUT模式

式，…）。

初始狀態(tài)

TX信號(hào)開(kāi)始測(cè)試時(shí)TX引腳的狀態(tài)。

與LIN引腳的隱性/顯性電平相對(duì)應(yīng)的Rx引腳的邏

RX信號(hào)

輯輸出電壓，取自IUT的數(shù)據(jù)手冊(cè)。

VBAT，VSUP，VIUT，VCC，VPS1/2，VBUS電壓值

失效為了將故障設(shè)置為

GND偏移電壓值

測(cè)試步驟描述測(cè)試過(guò)程。

響應(yīng)描述預(yù)期的結(jié)果，以決定測(cè)試是通過(guò)還是失敗。

參考對(duì)應(yīng)GB/TXXXX.4相應(yīng)序號(hào)

IUT可以是主節(jié)點(diǎn)或者從節(jié)點(diǎn)ECU，也可以是一個(gè)獨(dú)立的收發(fā)器芯片。RX、TX和VSUP信號(hào)可提供

用于測(cè)試執(zhí)行。建議使用RX/TX訪(fǎng)問(wèn)進(jìn)行測(cè)試，如果無(wú)法訪(fǎng)問(wèn)RX/TX，那么根據(jù)規(guī)范來(lái)看，允許不訪(fǎng)問(wèn)

RX/TX執(zhí)行測(cè)試（見(jiàn)第6章）。根據(jù)IUT類(lèi)型的不同，ECU的供電電壓是VBAT，芯片的供電電壓是VSUP，

在本文中均描述為VIUT。

5.1.2測(cè)量和信號(hào)生成要求

表2定義了測(cè)量和信號(hào)生成的要求。

表2測(cè)量和信號(hào)生成的要求

信號(hào)生成：上升/下降時(shí)間＜20ns（方波）、＜40ns（三角）

頻率20ppm

抖動(dòng)＜25ns

信號(hào)測(cè)量動(dòng)態(tài)信號(hào)示波器100MHz上升時(shí)間≤3.5ns

靜態(tài)信號(hào)直流電壓0.5%

直流電流0.6%

阻抗0.5%

電源（VBAT、VSUP、VIUT、VCC、分辨率10mV/1mA

VPS1/2、VBUS）精度值的0.2%

5.2工作條件—校準(zhǔn)

5.2.1電氣輸入/輸出：LIN協(xié)議

這里定義了每個(gè)測(cè)試用例的初始配置，每個(gè)測(cè)試用例中都指定了單個(gè)測(cè)試的任何要求。

表3定義了電氣輸入/輸出的初始狀態(tài)。

表3電氣輸入/輸出的初始狀態(tài)

5

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參數(shù)

節(jié)點(diǎn)數(shù)量1

總線(xiàn)負(fù)載—

工作條件：

初始狀態(tài)IUT模式設(shè)置為正常/激活模式

TX信號(hào)隱性

VBAT、VSUP、VIUT、VCC、VPS1/2、VBUS每次測(cè)試單獨(dú)定義

失效無(wú)失效

GND偏移0V

5.2.2[EPL–CT1]工作電壓范圍

該測(cè)試應(yīng)通過(guò)正確接收顯性位來(lái)確保在有效的電源電壓范圍內(nèi)的正確操作。因此，具有遞增/遞減

電壓斜率的IUT被提供。

圖1表示了測(cè)試系統(tǒng)“RX和TX接入的工作電壓范圍”的測(cè)試配置。

遠(yuǎn)程可調(diào)供電電源

VPS

VIUT:[VSUP/VBAT]

RX被執(zhí)行測(cè)試單元

TXLIN脈沖生成器

GND

測(cè)量

圖1測(cè)試系統(tǒng)：RX和TX接入的工作電壓范圍

表4定義了測(cè)試系統(tǒng)“RX和TX接入的工作電壓范圍”。

表4測(cè)試系統(tǒng)：RX和TX接入的工作電壓范圍

B類(lèi)設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)或者從節(jié)點(diǎn)

IUT節(jié)點(diǎn)作為[EPL-CT1].1，[EPL-CT1].2

A類(lèi)設(shè)備

工作條件：

初始狀態(tài)

VIUT：[VSUP/VBAT]表5

測(cè)試步驟如表5中定義，在VSUP/VBAT上設(shè)置電壓斜率。LIN信號(hào)由10kHz占空比為50%的方波信號(hào)驅(qū)

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動(dòng)，電壓擺幅為18V。IUT應(yīng)處于工作/激活模式。

響應(yīng)IUT的RX引腳應(yīng)出現(xiàn)10kHz的信號(hào)。允許的最大偏差為10%（時(shí)間、電壓），見(jiàn)圖2。

參考GB/TXXXX.4中表10的參數(shù)9、參數(shù)10

圖2表示了測(cè)試系統(tǒng)“工作電壓范圍”的RX響應(yīng)。

觸發(fā)點(diǎn)

Δt=±10%tBIT(5μs，20kbit/s)

2×t(100μs，20kbit/s)

BIT

圖2測(cè)試系統(tǒng)：工作電壓范圍的RX響應(yīng)

表5定義了“工作電壓斜率”的測(cè)試用例。

表5測(cè)試用例：工作電壓斜率

EPL-CT-TCVIUT范圍：[VSUP范圍/VBAT范圍]信號(hào)斜率

[EPL-CT1].1[7.0V，18V]/[8.0V，18V]0.1V/s

[EPL-CT1].2[18V，7.0V]/[18V，8.0V]0.1V/s

5.2.3閾值電壓

5.2.3.1概述

本組測(cè)試用于檢查IUT的接收器閾值電壓是否在整個(gè)指定的工作電源電壓范圍內(nèi)正確實(shí)現(xiàn)。LIN總

線(xiàn)電壓通過(guò)緩升/降電壓驅(qū)動(dòng)，檢查整個(gè)顯性和隱性信號(hào)區(qū)域相對(duì)于施加的電源電壓。在5.2.3.2和5.2.3.3

中，根據(jù)測(cè)試用例，信號(hào)應(yīng)持續(xù)保持在隱性或顯性水平。在5.2.3.4中，檢測(cè)到RX輸出轉(zhuǎn)換。圖3顯示了

LIN總線(xiàn)上的三角信號(hào)。

A周期T=1/f

幅度

（信號(hào)范圍）

頻率f=20Hzt

對(duì)稱(chēng)性：50%

圖3LIN總線(xiàn)上的三角信號(hào)

5.2.3.2[ELP-CT2]IUT作為接收器：在VSUP處的VBUS_dom（下降）

7

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圖4表示了測(cè)試系統(tǒng)“IUT作為接收器在VSUP處的VBUS_dom（下降）下”的測(cè)試配置。

遠(yuǎn)程可調(diào)供電電源

VPS

VIUT:[VSUP]

RX被執(zhí)行測(cè)試單元

TXLIN脈沖生成器

GND

測(cè)量

圖4測(cè)試系統(tǒng)：IUT作為接收器在VSUP處的VBUS_dom（下降）

表6定義了測(cè)試系統(tǒng)“IUT作為接收器在VSUP處的VBUS_dom（下降）”。

表6測(cè)試系統(tǒng)：IUT作為接收器在VSUP處的VBUS_dom（下降）

IUT節(jié)點(diǎn)作為A類(lèi)設(shè)備[EPL-CT2].1，[EPL-CT2].2，[EPL-CT2].3

工作條件：

初始狀態(tài)

VIUT：[VSUP]表7

測(cè)試步驟向總線(xiàn)中發(fā)送頻率是20Hz對(duì)稱(chēng)性是50%的三角信號(hào)（見(jiàn)圖3）。

響應(yīng)在三角信號(hào)下降過(guò)程中，IUT會(huì)在RX上生成一個(gè)顯性或者隱性值，見(jiàn)圖7。

GB/TXXXX.4中表10的參數(shù)17、參數(shù)18

參考

GB/TXXXX.4中圖4

表7定義了測(cè)試用例LIN總線(xiàn)上三角信號(hào)下降斜率。

表7測(cè)試用例：LIN總線(xiàn)上三角信號(hào)下降斜率

EPL-CT-TCVIUT：[VSUP]信號(hào)范圍期望的RX信號(hào)

[18V，4.2V]隱性

[ELP-CT2].17V

[2.8V，-1.05V]顯性

[18V，8.4V]隱性

[ELP-CT2].214V

[5.6V，-2.1V]顯性

[20.7V，10.8V]隱性

[ELP-CT2].318V

[7.2V，-2.7V]顯性

5.2.3.3[EPL-CT3]IUT作為接收器：在VSUP處的VBUS_rec（上升）

8

GB/TXXXXX—XXXX/ISO17987-7:2016

圖5表示了測(cè)試系統(tǒng)“IUT作為接收器在VSUP處的VBUS_rec（上升）”的測(cè)試配置。

遠(yuǎn)程可調(diào)供電電源

VPS

VIUT:[VSUP]

RX被執(zhí)行測(cè)試單元

TXLIN脈沖生成器

GND

測(cè)量

圖5測(cè)試系統(tǒng)：IUT作為接收器在VSUP處的VBUS_rec（上升）

表8定義了測(cè)試系統(tǒng)“IUT作為接收器在VSUP處的VBUS_rec（上升）”。

表8測(cè)試系統(tǒng)：IUT作為接收器在VSUP處的VBUS_rec（上升）

IUT節(jié)點(diǎn)作為A類(lèi)設(shè)備[EPL-CT3].1，[EPL-CT3].2，[EPL-CT3].3

工作條件：

初始狀態(tài)

VIUT：[VSUP]表9

測(cè)試步驟向總線(xiàn)中發(fā)送頻率是20Hz對(duì)稱(chēng)性是50%的三角信號(hào)（見(jiàn)圖3）。

響應(yīng)在三角信號(hào)下降過(guò)程中，IUT會(huì)在RX上生成一個(gè)顯性或者隱性值，見(jiàn)圖9。

GB/TXXXX.4中表10的參數(shù)17、參數(shù)18

參考

GB/TXXXX.4中圖4

表9定義了測(cè)試用例LIN總線(xiàn)上三角信號(hào)上升斜率。

表9測(cè)試用例：LIN總線(xiàn)上三角信號(hào)上升斜率

EPL-CT-TCVIUT：[VSUP]信號(hào)范圍期望的RX信號(hào)

[-1.5V，2.8V]顯性

[EPL-CT3].17V

[4.2V，18V]隱性

[-2.1V，5.2V]顯性

[EPL-CT3].214V

[7.8V，18V]隱性

[-2.7V，7.2V]顯性

[EPL-CT3].318V

[10.8V，20.7V]隱性

5.2.3.4[EPL-CT4]IUT作為接收器在VSUP處的VBUS

9

GB/TXXXXX—XXXX/ISO17987-7:2016

該測(cè)試應(yīng)驗(yàn)證接收器閾值的對(duì)稱(chēng)性，因此通過(guò)調(diào)整VBUS來(lái)測(cè)試接收器閾值。

圖6表示了測(cè)試系統(tǒng)“IUT作為接收器在VSUP處的VBUS”的測(cè)試配置。

遠(yuǎn)程可調(diào)供電電源

VPS

VIUT:[VSUP]

RX被執(zhí)行測(cè)試單元

TXLIN脈沖生成器

GND

測(cè)量

圖6測(cè)試系統(tǒng)：IUT作為接收器在VSUP處的VBUS

表10定義了測(cè)試系統(tǒng)“IUT作為接收器在VSUP處的VBUS”。

表10測(cè)試系統(tǒng)：IUT作為接收器在VSUP處的VBUS

IUT節(jié)點(diǎn)作為A類(lèi)設(shè)備[EPL-CT4].1，[EPL-CT4].2，[EPL-CT4].3

工作條件：

初始狀態(tài)

VIUT：[VSUP]表11

測(cè)試步驟向總線(xiàn)中發(fā)送頻率是20Hz對(duì)稱(chēng)性是50%的三角信號(hào)（見(jiàn)圖3）。

當(dāng)LIN總線(xiàn)電壓上升時(shí)，IUT的RX輸出應(yīng)從顯性切換到隱性，當(dāng)LIN總線(xiàn)電壓下降時(shí)，IUT的

RX輸出應(yīng)從隱性切換到顯性。

響應(yīng)RX輸出轉(zhuǎn)換應(yīng)當(dāng)符合如下條件：

—VBUS_CNT=(Vth_dom+Vth_rec)/2在(0.475～0.525)×VSUP范圍內(nèi)；

—VHYS=Vth_rec–Vth_dom應(yīng)小于0.175×VSUP。

參考GB/TXXXX.4中表10的參數(shù)19、參數(shù)20

表11定義了“IUT作為接收器在VSUP處的VBUS”的測(cè)試用例。

表11測(cè)試用例：IUT作為接收器在VSUP處的VBUS

EPL-CT-TCVIUT：[VSUP]信號(hào)范圍

[-1.05V，8.05V]上升

[ELP-CT4].17V

[8.05V，-1.05V]下降

[ELP-CT4].214V[-2.1V，16.1V]上升

10

GB/TXXXXX—XXXX/ISO17987-7:2016

[16.1V，-2.1V]下降

[-2.7V，20.7V]上升

[ELP-CT4].318V

[20.7V，-2.7V]下降

5.2.4[EPL-CT-5]VSUP_NON_OP的變化

應(yīng)在本測(cè)試中檢查在欠壓和過(guò)壓條件下，IUT是否會(huì)影響總線(xiàn)。

圖7表示了測(cè)試系統(tǒng)“VSUP_NON_OP的變化”的測(cè)試配置。

遠(yuǎn)程可調(diào)供電電源1遠(yuǎn)程可調(diào)供電電源2

VPS1VPS2

VIUT:[VSUP/VBAT]D

R

RX被執(zhí)行測(cè)試單元

TXLIN

GND

測(cè)量

圖7測(cè)試系統(tǒng)：VSUP_NON_OP的變化

表12定義了測(cè)試系統(tǒng)“VSUP_NON_OP的變化”。

表12測(cè)試系統(tǒng)：“VSUP_NON_OP的變化”

B類(lèi)設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)[EPL-CT5].1

IUT節(jié)點(diǎn)作為B類(lèi)設(shè)備作為從節(jié)點(diǎn)[EPL-CT5].2

A類(lèi)設(shè)備[EPL-CT5].3

工作條件：

VIUT：[VSUP/VBAT]VIUT信號(hào)以1V/s的斜率進(jìn)行變化，范圍定義見(jiàn)表13

初始狀態(tài)

VIUT；VPS2見(jiàn)表13

總線(xiàn)負(fù)載見(jiàn)表13

在VIUT上設(shè)置一個(gè)電壓斜率（上升和下降）。在VIUT1=40V時(shí)，激勵(lì)持續(xù)t=30s。如果提供了內(nèi)

測(cè)試步驟

部上拉或應(yīng)用了隱性電平，則TX信號(hào)應(yīng)保持打開(kāi)狀態(tài)。

LIN總線(xiàn)上不應(yīng)出現(xiàn)顯性狀態(tài)。

響應(yīng)測(cè)試中IUT不能被損壞。

之后的隱性電壓應(yīng)與之前的隱性電壓最大偏差應(yīng)為±5%。

參考GB/TXXXX.4中表10參數(shù)11

表13定義了“VSUP_NON_OP的變化”的測(cè)試用例。

表13測(cè)試用例：VSUP_NON_OP的變化

11

GB/TXXXXX—XXXX/ISO17987-7:2016

EPL-CT-TCVIUT范圍：[VSUP范圍/VBAT范圍]VSP2總線(xiàn)負(fù)載

[ELP-CT4].1[-0.3V，8V]，[18V，40V]18V60k+二極管（1N4148）

[ELP-CT4].2[-0.3V，8V]，[18V，40V]18V1.1k+二極管（1N4148）

[ELP-CT4].3[-0.3V，8V]，[18V，40V]18V1.1k+二極管（1N4148）

5.2.5若干條件下的IBUS

5.2.5.1[EPL-CT6]顯性狀態(tài)（驅(qū)動(dòng)）的IBUS_LIM

此測(cè)試檢查輸出階段的驅(qū)動(dòng)能力。LIN驅(qū)動(dòng)應(yīng)按照LIN標(biāo)準(zhǔn)將LIN總線(xiàn)拉到一定電壓以下。電流限制

是間接測(cè)量的。

圖8表示了測(cè)試系統(tǒng)“顯性狀態(tài)（驅(qū)動(dòng)）的IBUS_LIM”的測(cè)試配置。

遠(yuǎn)程可調(diào)供電電源

VPS

VIUT:[VSUP/VBAT]

RX被執(zhí)行測(cè)試單元

IBUSRMEAS

脈沖生成器TXLIN

GND

測(cè)量

圖8測(cè)試系統(tǒng)：顯性狀態(tài)（驅(qū)動(dòng)）的IBUS_LIM

表14定義了測(cè)試系統(tǒng)“顯性狀態(tài)（驅(qū)動(dòng)）的IBUS_LIM”。

表14測(cè)試系統(tǒng)：顯性狀態(tài)（驅(qū)動(dòng)）的IBUS_LIM

B類(lèi)設(shè)備作為主節(jié)點(diǎn)

IUT節(jié)點(diǎn)作為B類(lèi)設(shè)備作為從節(jié)點(diǎn)[EPL-CT6].1

A類(lèi)設(shè)備

工作條件：

初始狀態(tài)VIUT：[VSUP/VBAT]見(jiàn)表15

RMEAS

測(cè)試步驟LIN引腳通過(guò)RMEAS連接到VIUT。TX信號(hào)由占空比為50%的方波信號(hào)(T=10ms)驅(qū)動(dòng)。

LIN總線(xiàn)應(yīng)顯示方波信號(hào)。

響應(yīng)對(duì)于接收器，總線(xiàn)顯性電平應(yīng)低于TH_DOM=0.251×VIUT=4.518V。

對(duì)于ECU，總線(xiàn)顯性電平應(yīng)低于TH_DOM=0.251×(VIUT-1V)=4.267V。

參考GB/TXXXX.4中表10、參數(shù)12

表15定義了測(cè)試用例“顯性狀態(tài)（驅(qū)動(dòng)）的IBUS_LIM”。

12

GB/TXXXXX—XXXX/ISO17987-7:2016

表15測(cè)試用例：顯性狀態(tài)（驅(qū)動(dòng)）的IBUS_LIM

EPL-CT-TCVIUT：[VSUP/VBAT]RMEAS

[ELP-CT6].118V440Ω（0.1%）

5.2.5.2[EPL-CT7]IBUS_PAS_dom：隱性狀態(tài)的IUT：VBUS=0V

此測(cè)試用例旨在測(cè)試在LIN總線(xiàn)的顯性狀態(tài)期間輸入到節(jié)點(diǎn)的漏電流IBUS_PAS_dom。

圖9表示了測(cè)試系統(tǒng)“IBUS_PAS_dom隱性狀態(tài)的IUTVBUS=0V”的測(cè)試配置。

遠(yuǎn)程可調(diào)供電電源

VPS

VIUT:[VSUP/VBAT]

RX被執(zhí)行測(cè)試單元

IBUSRMEAS

TXLIN

GND

測(cè)量

圖9測(cè)試系統(tǒng)：IBUS_PAS_