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文檔簡介
第一章
1.什么是材料化學其主要特點是什么
答:材料化學是有關(guān)于材料的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)、制備及應(yīng)用的化學。
主要特點:跨學科性,實踐性。
2.材料與試劑的主要區(qū)別是什么
答:試劑在使用過程中通常被消耗并轉(zhuǎn)化為其他物質(zhì),而材料通
常是可重復的、連續(xù)的,除了正常的消耗外,它不會不可逆地轉(zhuǎn)
化為其他物質(zhì)。
3.觀察一只燈泡,列舉制造燈泡所需的材料。
4.材料按其組成和結(jié)構(gòu)可以分為哪幾類如果按功能和用途對材料分
類,列舉十種不同功能或用途的材料。
答:(1)金屬材料,無機非金屬材料,高分子材料,復合材料
(2)導電材料、絕緣材料、生物醫(yī)用材料、航天航空材料、能
源材料、電子信息材料、感光材料
5.簡述材料化學的主要內(nèi)容。
答:結(jié)構(gòu):原子和分子在不同層次彼此結(jié)合的形式、狀態(tài)和空間
分布。
特性:材料固有的化學、物理和力學特性。
制備:將原子和分子結(jié)合在一起,并最終將其轉(zhuǎn)化為有用的產(chǎn)品
應(yīng)用。
第二章
1.原子間的結(jié)合鍵共有幾種各自特點如何
鍵
特點形成晶體的特點
強
高熔點、高強度、高硬度、
無飽和性、無方向性、最低膨脹系數(shù)、塑性較差、
離子鍵
高配位數(shù)。強固態(tài)不導電、熔態(tài)離子導
電。
高熔點、高強度、高硬度、
有飽和性、有方向性、
共價鍵強低膨脹系數(shù)、塑性較差、
低配位數(shù)
在熔態(tài)也不導電。
電子共有化,可以自
較塑性較好、有光澤、良好
金屬鍵由流動;無飽和性、
強的導熱、導電性。
無方向性、配位數(shù)高
無飽和性、無方向性
范德華最
鍵弱
氫鍵有飽和性、有方向性弱
3.計算體心立方及六方密堆的的堆積系數(shù)。
(1)體心立方
單位晶胞原子數(shù)n=2
(2)六方密堆M=Ma=>a=R
V3
匕_2(4切?3/3)_2(4?3/3)=0
=
"6輸'/"(4〃/府一
c=578/
3=27?
(3)醺,沖別成3/3)6(4//3)
6cda?—a)12凡8(彳,揚
22V3
n=4
4R=岳=>a_4R
V2
匕_4(4切?3/3)=43”)=07
梟=
a(4A/揚3
10.單質(zhì)Mn有一種同素異構(gòu)體為立方結(jié)構(gòu),其晶胞參數(shù)為,密度
=gcm-3,原子半徑r二,計算Mn晶胞中有幾個原子,其堆積
系數(shù)為多少
ftM
p=----------
"alNA
=7.26xg326xx6.02)10*'
54.94
=20.I39豐20假
每簞位晶胞有20I0原子。
4
20xw2
堆稹因子:---5-----------
粵nX(1.12A),
"(6.326X)'
=0.46493
11.固溶體與溶液有何異同固溶體有幾種類型
固體溶液與液體溶液的共同點:均具有均一性、穩(wěn)定性,均為混合物,
均存在溶解性問題(對固態(tài)溶液稱為固溶度,對液體溶液稱為溶解
度);
⑴均一性:溶液各處的密度、組成和性質(zhì)完全一樣;
⑵穩(wěn)定性:溫度不變,溶劑量不變時,溶質(zhì)和溶劑長期不會分離;
⑶混合物:溶液一定是混合物。
固體溶液與液體溶液的不同點:固溶體的溶質(zhì)和溶劑均以固體形式出
現(xiàn),而液體溶體的溶質(zhì)和溶劑均以液體形式出現(xiàn);
固溶體:又稱固體溶液,指由一種或多種溶質(zhì)組元溶入晶態(tài)溶劑,并
保持溶劑晶格類型所形成的單相晶態(tài)固體。
固溶體按固溶度分可兩種類型:有限固溶體與無限固溶體;按溶質(zhì)原
子在晶格中的位置可分為置換固溶體與填隙固溶體。
12.試述影響置換固溶體的固溶度的因素
答:有原子或離子半徑大小,電價,化學鍵性質(zhì),晶體結(jié)構(gòu)等因素。
(1)原子或離子半徑大?。?/p>
"=勺二2x100%,Ar<15%,形成連續(xù)固溶體;15%<Ar<
30%,形成有限固溶體;>30%,難形成固溶體;
(2)電價:兩種固體只有在離子價相同或同號離子的離子價總和相
同時,才能滿足電中性要求,形成連續(xù)固溶體。
(3)化學鍵相近,易形成連續(xù)固溶體。
(4)晶體結(jié)構(gòu)類型相同,易形成連續(xù)固溶體。
15.說明為什么只有置換型固溶體的兩個組份之間才能相互完全溶
解,而填隙型固溶體則不能。
答:置換型固溶體:溶質(zhì)原子代替一部分溶劑原子占據(jù)溶劑晶格某些
結(jié)點位置所組成的固溶體。
間隙型固溶體:溶質(zhì)原子進入溶劑晶體間隙位置所形成的固溶
體。
由于溶劑晶體間隙有限,能填入異質(zhì)原子或離子的數(shù)目也有限,因此
間隙型固溶體是有限固溶體。
晶體的晶胞棱長為,試計算NaCI的晶格能。
21.高分子材料的聚態(tài)結(jié)構(gòu)有哪些
晶態(tài)結(jié)構(gòu),非晶態(tài)結(jié)構(gòu),取向態(tài)結(jié)構(gòu),液晶態(tài)結(jié)構(gòu)以及織態(tài)結(jié)構(gòu)
22.簡述高分子鏈的柔順性與其結(jié)構(gòu)的關(guān)系。
主鏈結(jié)構(gòu)
主鏈結(jié)構(gòu)對高分子鏈柔順性影響很顯著。
(1)碳鏈高分子:
a不飽和碳鏈高分子比飽和碳鏈高分子柔順。
PB>PEIR>PPPVOCR
b主鏈含有苯環(huán)的高分子和有共機雙鍵的高分子柔順性差。
聚苯能(PP0)
聚苯
聚乙烘
(2)雜鏈高分子和元素高分子:
Si-0>C-N>C-0>C-C
硅橡膠尼龍類酯類烯類
側(cè)基一側(cè)基的極性、體積和對稱性
(1)極性側(cè)基
極性的大?。簶O性越大,鏈的柔順性越小。
PAN>PVC>PP
極性多少:極性基增多,則柔順性減小。
氯化聚乙烯當含氯量小時是一種彈性好的橡膠,隨著含氯量的增
加,鏈的柔順性下降,彈性下降最后變形一種硬質(zhì)材料。
聚乙烯>聚氯乙烯>1,2聚二氯乙烯
對稱性:取代基對稱分布時,柔順性好
聚偏二氯乙烯>聚氯乙烯
(2)非極性側(cè)基
當側(cè)基是柔性時,側(cè)基越長,鏈的柔性越好。
聚甲基丙烯甲酯<聚甲基丙烯乙酯<聚甲基丙烯丙酯
當側(cè)基是剛性時,側(cè)基體積增大,空間位阻效應(yīng)增加,
柔順性下降.
PE>PP>PS>聚乙烯基咔哇
當側(cè)基對稱時,柔順性增加.
PP<PIB
支化與交聯(lián)
(1)支化:
長支化一一分子鏈之間的物理纏結(jié)作用增加,分子
鏈活動受阻,柔順性下降。
短支化一一分子鏈間距離增大,柔順性增加。
(2)交聯(lián):
輕度交聯(lián)一一不影響鏈的活動能力,柔順性不變。
高度交聯(lián)一一鏈的活動受阻,柔順性下降。
氫鍵及分子間作用力
如果高分子在分子內(nèi)或分子間形成氫鍵,則分子鏈的剛性增加。
聚乙烯>聚甲醛
23.什么是液晶聚合物高分子液晶有哪幾種結(jié)構(gòu)類型
兼具晶體的光學性質(zhì)和液體流動性質(zhì),是某些物質(zhì)在熔融態(tài)或在溶液
狀態(tài)下所形成的有序流體的總稱
液晶是介于完全有序晶體與各向同性液體之間的一種中間狀態(tài),確切
地說,它是一種取向有序的流體,它既有液體的易流動性,又有晶體
雙折射各向異性的特性。
按液晶形成的方式和性能分類
a、溶致性液晶:在溶液中當達到某一臨界濃度以上時呈現(xiàn)液晶性能
聚對苯二甲酰對苯二胺(Kevlar)聚對苯酰胺聚對苯撐苯并噫唾
b.熱致性液晶:聚合物加熱至熔點以上某一個溫度范圍呈現(xiàn)液晶性
能。
液晶的物理結(jié)構(gòu)主要是指分子在空間的排列狀態(tài)。高分子液晶與小分
子液晶一樣,也可以呈現(xiàn)三種不同的聚集狀態(tài),即向列型、近晶型和
膽給型液晶態(tài)。
第四章
4.埃靈罕姆圖上大多數(shù)斜線的斜率為正,但是反應(yīng)C+O2TCO2的斜率
為0,反應(yīng)2C+02=2C0的斜率為負,請解釋原因。
△G°=AH°-TAS0ZiG。與溫度T關(guān)系式的斜率為-Z\S°
C(s)+02(g)TCO2(g)
氧化過程氣體數(shù)目不變,則△S°=0,(-AS0)=0,斜率為零。
=
2C(s)+O2(g)2C0(g)
氧化過程氣體數(shù)目增加,則△S°>0,(-AS0)<0,斜率為負。
第五章
1.什么是濕法冶金濕法冶金有什么優(yōu)點
答:濕法冶金是利用一些化學溶劑的化學作用,在水溶液或非水溶液
中進行包括氧化,還原,中和,水解和絡(luò)合等反應(yīng)。
優(yōu)點:原料中有價金屬綜合回收程度高,有利于環(huán)境保護,并且生產(chǎn)
過程較易實現(xiàn)連續(xù)化和自動化。
2.從金屬的結(jié)構(gòu)特點,說明制備非晶態(tài)金屬的關(guān)鍵是什么
①必須形成原子或分子混亂排列的狀態(tài);
②必須將這種熱力學上的亞穩(wěn)態(tài)在一定的溫度范圍內(nèi)保存下來,使之
不向晶態(tài)轉(zhuǎn)變。
3.陶瓷的固相燒結(jié)一般可分為哪幾個階段
答:3個階段:①初始階段:主要表現(xiàn)為顆粒形狀改變;
②中間階段:主要表現(xiàn)為氣孔形狀改變;
③最終階段:主要表現(xiàn)為氣孔尺寸改變。
4.聚合實施方法有哪幾種哪些方法適合于制備顆粒狀聚合物
答:4種:本體聚合、溶液聚合、懸浮聚合、乳液聚合。
懸浮聚合適用于制備顆粒狀聚合物。
5.提拉法中,控制晶體品質(zhì)的因素主要有哪些
答:提拉法中,控制晶體品質(zhì)的主要因素有固液界面的溫度梯度、生
長速率、轉(zhuǎn)晶速率以及熔體的流體效應(yīng)等。
6.單晶硅棒和厚度約1um的薄膜分別可用什么方法制備
答:(1)單晶硅棒可以用晶體生長技術(shù)中的提拉法來制備,即將硅原料
熔體盛放在增鍋中,籽晶桿帶著籽晶由上而下插入熔體,由于固液界
面附近的熔體維持一定的過冷度,熔體沿籽晶結(jié)晶,以一定速度提拉
并且逆時針旋轉(zhuǎn)籽晶桿,隨著籽晶的逐漸上升,生長成單晶硅棒。
⑵厚度約1|im的單晶硅薄膜可用陰極濺射法制備,即利用高能粒子
轟擊固體靶材表面(Si)使得靶材表面的原子或原子團獲得能量并逸
出表面,然后在基片的表面沉積形成單晶硅薄膜。
7.液相外延法和氣相沉積法都可制備薄膜,如果要制備納米厚度的薄
膜,應(yīng)采用哪種方法
答:液相外延法具有設(shè)備簡單、純度高的特點,但是由于晶體成核和
生長的速率較快,得到的膜較厚,很難得到納米厚度的薄膜。物理氣
相沉積可通過調(diào)控蒸鍍源與靶之間的距離來調(diào)控膜沉積的速率,化學
氣相沉積可通過體系的溫度、壓力等因素來調(diào)控膜沉積的速率。因此,
如果要制各納來厚度的薄障,應(yīng)采用氣相沉積法比轉(zhuǎn)奸。
法沉積SiO:可通過哪些反應(yīng)實現(xiàn)寫出相關(guān)化學方程式。
答:CVD法沉積SiO:可通過以下幾種反應(yīng)來實現(xiàn)。
(1)烷氧化物的熱分解:Si(OC2H5)4一Si02+C2H4+H20
(2)硅化合物的氧化反應(yīng):SiCL(g)+02(g)->SiO2(s)+2C12(g)
SiH4(g)+02(g)->Si02(s)+2H2(g)
SiC14(g)+2C02+2H2(g)T
SiO2(s)+4HC1(g)+2C0(g)
(3)硅化合物的水解反應(yīng):SiClKg)+2H20(g)->Si02(s)+4HC1(g)
9.用什么方法可以對Cu和Cu2O進行分離寫出相關(guān)化學方程式。
答:對Cu和CwO進行分離,可以采用化學氣相輸運技術(shù),以HCI作
c,、-,、?$00℃、1-,、
為輸運氣體。過程Cu(s)+HCl(g)<2CuCl(g)+H2(g).Q
50TC2
中發(fā)生如下反應(yīng):cup(s)十2IICl(g)<==^2CuCl(g)+II2(g)+Q
L900C
由于從CwO生成CuCI為放熱反應(yīng),而從Cu生成CuCI為吸熱反應(yīng),
因此Cu20在較高溫
度處沉積,而Cu則在較低溫度處沉積,從而可以對Cu和Cu20進行
分離。
10.溶膠一凝膠法制備纖維材料,應(yīng)采用怎樣的條件較合適請解釋。
答:溶膠一凝膠法制備纖維材料,應(yīng)在拉纖階段控制合適的粘度,選
擇合適的催化劑,選擇合適的成纖方法。因為拉纖階段溶膠的粘度會
影響纖維的直徑和纖維的質(zhì)量,粘度大時得到的纖維直徑較大,粘度
小時得到的纖維直徑較小。其次,因為是要得到纖維材料,所以縮聚
的中間體應(yīng)該是線形分子鏈,所以應(yīng)使用酸催化,因為堿催化會得到
三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的中間體。此外,如果要得到長纖維的話,可以用拉纖
法,而要得到短纖維的話,應(yīng)采用離心噴出法。
11.怎樣用均勻沉淀法合成硫化鋅顆粒寫出相關(guān)化學方程式。
答:用均勻沉淀法合成ZnS顆粒,可以采用硫代乙配胺(CH3CSNH3)作為
硫源,以乙酸鋅(CHsCOO'Zn)為原料制得,反應(yīng)方程式如下:
CH3CSNH2tCH3CN+H2s(CH3COO)2Zn+H2ST
ZnS+2CH3COOH
12.有兩種活化能分別為Q尸mol和Q2=251KJ/mol的擴散反應(yīng)。觀察在
溫度從25℃升高到600℃時對這兩種擴散的影響,并對結(jié)果做出評
述。
k二Aexp(-AGk/RT)D=Doexp(-Q/RT)
Q為擴散活化能,從上兩式可見,溫度上升時,無論反應(yīng)速率常數(shù)還
是擴散系數(shù)都是增加的,但由于擴散活化能通常比反應(yīng)活化能小,從
而溫度的變化對化學反應(yīng)的影響遠大于對擴散的影響。
一般認為溫度升高均有利于反應(yīng)進行,因為溫度升高,固體結(jié)構(gòu)中質(zhì)
點熱振動動能增大,反應(yīng)能力和擴散能力均得到增強的原因所致。
13.簡述影響固相反應(yīng)的因素。
反應(yīng)物的化學組成、特性和結(jié)構(gòu)狀態(tài)溫度和壓力;其他可能影
響晶格活化,促使物質(zhì)內(nèi)外傳輸?shù)囊蛩氐?。反?yīng)物形態(tài)、反應(yīng)物間比
例、反應(yīng)條件。
14.簡述自蔓延高溫合成法原理。
是利用反應(yīng)物之間的化學反應(yīng)熱的自加熱和自傳導作用來合
成材料的一種技術(shù)。原理是外部熱源將原料粉或預先壓制成一定密度
的坯件進行局部或整體加熱,當溫度達到點燃溫度時撤掉外部熱源,
利用原料顆粒發(fā)生的固體與固體反應(yīng)或固體與氣體反應(yīng)放出的反應(yīng)
熱,使反應(yīng)繼續(xù)直至反應(yīng)完畢。
15.自組裝發(fā)生的條件是什么
①非共價鍵的弱相互作用力協(xié)同作用是自組裝的驅(qū)動力,它為自組裝
提供能量,維持自組裝體系的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定和完整性。
②導向作用,即結(jié)構(gòu)單元在空間的互補性,也就是說要使自組裝的發(fā)
生,必須在空間尺寸上達到結(jié)構(gòu)單元重排的要求。
期中試卷
一、名詞解釋
1.材料:材料是人類用于制造物品、器件、構(gòu)件、機器或其他產(chǎn)品的
物質(zhì)。
2.相律:是研究相平衡的基本規(guī)律,表示平衡物系中的自由度數(shù),相數(shù)
及獨立組分數(shù)之間的關(guān)系。
3.勢能阱:
4.置換固溶體:是指溶質(zhì)原子占據(jù)溶劑晶格部分正常位置所形成的固
溶體,即溶劑原子在晶格中的部分位置,被溶質(zhì)原子所替換。
5.間隙固溶體:指溶質(zhì)原子不是占據(jù)溶劑晶格的正常結(jié)點位置,而
是填入溶劑原子間的一些間隙中。
6.晶格能:處于氣態(tài)的離子結(jié)合生成固態(tài)離子晶體時釋放的能量
7.表面能:恒溫、恒壓、恒組成情況下,可逆地增加物系表面積須對
物質(zhì)所做的非體積功。表面能的另一種定義是,表面粒子相對于內(nèi)部
粒子所多出的能量。
8.表面張力:液體表面任意二相鄰部分之間垂直于它們的單位長度分
界線相互作用的拉力。
9.潤濕:
10.自憎現(xiàn)象:
二、填空
1.填寫下列表格
結(jié)構(gòu)型式CsCl型巖鹽型螢石反螢石閃鋅礦型金紅石型
化學組成比n7n1:11:11:22:11:11:2
立方最簡單立立方最密
負離子堆積方式
密堆積方堆積堆積
正負離子配位數(shù)
6:68:44:81:16:3
比CN7CN
實例
CsClNaClCaF2Na2OZnS
2.將下列相圖中單相區(qū)兩相區(qū)標志清楚,并解釋所有的點線面。
液相線:ABCD固相線:AHJEC
五個單相區(qū):液相區(qū):ABCD以上(L)固溶體:AHNA
Y奧氏體相區(qū):NJESGN
a鐵素體相區(qū)GPQG
滲碳體相區(qū):DFKL(Fe3C)
鐵碳相圖中點、線、相區(qū)及其意義
液相線
L+6tABCD
1538PA固相線:AHJEC
五個單相區(qū):
149^C一
[)ABCD以上液相R
(L)
溫
度卜AHNA—5固溶體
(5)
NJESGF4—
912P-相區(qū)(V或A)
GPQG—鐵素體木
727P'區(qū)(?;駻)
DFKL—濰硬體桿
(Fe3C)
0.000869
Fec%
三、解答題
1.材料按其組成和結(jié)構(gòu)可以分為哪幾類如果按功能和用途對材料分
類,列舉十種不同功能或用途的材料。
答:(1)金屬材料,無機非金屬材料,高分子材料,復合材料
(2)導電材料、絕緣材料、生物醫(yī)用材料、航天航空材料、能
源材料、電子信息材料、感光材料。
2.原子間的結(jié)合鍵共有幾種各自特點如何
鍵
特點形成晶體的特點
強
高熔點、高強度、高硬度、
無飽和性、無方向性、最低膨脹系數(shù)、塑性較差、
離子鍵
高配位數(shù)。強固態(tài)不導電、熔態(tài)離子導
電。
高熔點、高強度、高硬度、
有飽和性、有方向性、
共價鍵強低膨脹系數(shù)、塑性較差、
低配位數(shù)
在熔態(tài)也不導電。
電子共有化,可以自
較塑性較好、有光澤、良好
金屬鍵由流動;無飽和性、
強的導熱、導電性。
無方向性、配位數(shù)高
范德華最
無飽和性、無方向性
鍵弱
氫鍵有飽和性、有方向性弱
3.埃靈罕姆圖上大多數(shù)斜線的斜率為正,但是反應(yīng)C+O2TCO2的斜率
為0,反應(yīng)2CH)2=2C0的斜率為負,請解釋原因。
△G°=AH°-TAS0與溫度T關(guān)系式的斜率為-aS。
C(s)+02(g)-?CCb(g)
氧化過程氣體數(shù)目不變,則△S°=0,(-AS0)=0,斜率為零。
=
2C(s)+。2(g)2C0(g)
氧化過程氣體數(shù)目增加,則△S°>0,(-AS0)<0,斜率為負。
4.解釋鋁材為何不易生銹,鐵容易生銹,談?wù)劵瘜W腐蝕和電化學腐蝕
各自的特點及機理。
5.簡述鮑林規(guī)則(5條)
(1).配位多面體規(guī)則,其內(nèi)容是:“在離子晶體中,在正離子周圍
形成一個負離子多面體,正負離子之間的距離取決于離子半徑之和,
正離子的配位數(shù)取決于離子半徑比。”
(2)電價
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