厚膜DCDC電源VDMOS退化機理及工作壽命評估技術(shù)的開題報告

厚膜DCDC電源VDMOS退化機理及工作壽命評估技術(shù)的開題報告開題報告一、選題背景DC-DC電源是電子產(chǎn)品中十分常見的一種電源類型，其作用是將一個電壓轉(zhuǎn)換為另一個電壓。而在DC-DC電源中，MOSFET是最為常用的開關(guān)元器件。在厚膜DC-DC電源中，常采用VDMOS作為其主要開關(guān)元件，因為VDMOS具有低導(dǎo)通電阻、耐電壓能力強、速度快等優(yōu)點。然而，在長時間運作下，VDMOS也會出現(xiàn)性能劣化、失效等問題，嚴重的甚至可能導(dǎo)致電源無法正常工作或者從根本上損壞電源。針對這種情況，需要對VDMOS性能劣化的機理和工作壽命進行評估，以便及時采取相應(yīng)的維護和改進措施，保證電源的正常運行。二、研究目的和意義本研究旨在探究厚膜DC-DC電源中VDMOS的退化機理，并對其工作壽命進行評估。具體研究內(nèi)容如下：1.通過對VDMOS退化機理的分析，探尋其退化的主要原因和機理。2.建立VDMOS的退化模型，并用實驗數(shù)據(jù)進行驗證，分析不同工作條件對VDMOS壽命的影響。3.基于壽命評估，提出VDMOS壽命延長的方法和設(shè)計建議，為電源的可靠性設(shè)計提供依據(jù)。三、擬采用的研究方法本研究將采用以下研究方法：1.分析厚膜DC-DC電源中VDMOS的工作原理和參數(shù)對其壽命影響的機理，分析其可能發(fā)生的退化形式和原因。2.通過對不同工作條件下VDMOS的退化進行實驗，獲得實驗數(shù)據(jù)。3.應(yīng)用退化模型對實驗數(shù)據(jù)進行分析和驗證，探索不同工作條件下VDMOS的壽命規(guī)律。4.基于以上分析，提出VDMOS壽命延長的方法和電源可靠性的設(shè)計建議。四、預(yù)期研究結(jié)果本研究預(yù)期獲得以下研究結(jié)果：1.深入了解厚膜DC-DC電源中VDMOS的退化機理，確定主要的退化型式和原因。2.建立VDMOS的退化模型，驗證不同工作條件下VDMOS的壽命規(guī)律。3.提出VDMOS壽命延長的方法和電源可靠性的設(shè)計建議，為電源的可靠性設(shè)計提供參考。五、參考文獻[1]X.LvandJ.Chen,“LifetimepredictionmodelsofpowerMOSFETsundercyclicstress,”MicroelectronicsReliability,vol.48,no.4,pp.527-534,2008.[2]Y.Gao,S.WangandZ.Li,“PerformanceDegradationMechanismofPowerMOSFETunderThermalCycling,”JournalofThermalScience,vol.26,no.1,pp.5-10,2017.[3]Y.Lv,X.YangandJ.Qiu,“TheResearchProgressofPowerElectronicsDevicesReliability,”MechanicalEngineering&Automation,vol.4,no.1,pp.1-6,2015.[4]S.PalandP.Mandal,“Electricalandthermalanalysisof4H-SiCpowerMOSFETwithohmicdraincontact,”JournalofSemiconductors,vol.38,no.4,pp.1-9,2017.[5]F.UrbanandM.Schneider,“ReliabilityofPowerMOSFETsunderRepetitiveCyclicStress,”IEEEJournalofE