2023-2024年中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖-中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)

中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖（2023-2024年）中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)賽迪智庫(kù)集成電路研究所指導(dǎo)單位工業(yè)和信息化部電子信息司承擔(dān)單位中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)賽迪智庫(kù)集成電路研究所咨詢專家（按姓氏筆劃排序）萬(wàn)軍鵬王娟弓傳河

王文靜王亞萍田先瑞劉亞鋒許洪華李新軍何晨旭陸荷峰宗冰王進(jìn)王壘王莉王栩生呂錦標(biāo)劉建東嚴(yán)大洲楊楠方敏全楊劉濤李娜何帥張超甘新業(yè)劉玉穎閆廣寧李瓊慧何勝史旭松劉剛鋒孫云叢建鷗劉苗苗孫麗平楊立紅張付特陳如龍宮鵬邢國(guó)強(qiáng)劉松民紀(jì)振雙楊偉光張良朱磊劉曉李建弘時(shí)璟麗張雪囡李燕燕宋登元陳永翀柳典張曉峰陳嘉張翼陳奕峰袁超歐陽(yáng)潔瑜

周波周肅夏正月蔣方丹高連生韓慶輝郭大偉

郭邐達(dá)游經(jīng)碧

顏步一梅麟盛健常傳波逯好峰戴文忠魏志立編寫組王世江、江華、李嘉彤、王青、郝敏、解賡宸、雷淳、李耀、張卓、凌黎明、張?zhí)煊?、楊俊峰支持單位?guó)家發(fā)展改革委能源研究所中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所極電光能有限公司江蘇國(guó)晟世安新能源有限公司江蘇美科太陽(yáng)能科技股份有限公司江蘇潤(rùn)陽(yáng)新能源科技股份有限公司錦浪科技股份有限公司中國(guó)科學(xué)院電工研究所南開大學(xué)國(guó)網(wǎng)能源研究院新能源與統(tǒng)計(jì)研究所TCL中環(huán)新能源科技股份有限公司阿特斯光伏電力（洛陽(yáng)）有限公司阿特斯陽(yáng)光電力集團(tuán)有限公司安徽華晟新能源科技股份有限公司包頭晶澳太陽(yáng)能科技有限公司北京海博思創(chuàng)科技股份有限公司北京建龍重工集團(tuán)有限公司北京鑒衡認(rèn)證中心有限公司北京京運(yùn)通科技股份有限公司北京晶澳太陽(yáng)能光伏科技有限公司北京科諾偉業(yè)科技股份有限公司北京瑞科同創(chuàng)能源科技有限公司常州百佳年代薄膜科技股份有限公司常州聚和新材料股份有限公司常州亞瑪頓股份有限公司錦州陽(yáng)光能源有限公司晉能清潔能源科技股份公司晶澳太陽(yáng)能科技股份有限公司晶科電力科技股份有限公司晶科能源有限公司昆山協(xié)鑫光電材料有限公司龍焱能源科技(杭州)有限公司隆基綠能科技股份有限公司明冠新材料股份有限公司青島高測(cè)科技股份有限公司三一硅能（株洲）有限公司廈門科華數(shù)能科技有限公司陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司上海愛旭新能源股份有限公司上海海優(yōu)威新材料股份有限公司上能電氣股份有限公司常州億晶光電科技有限公司成都中建材光電材料有限公司電力規(guī)劃設(shè)計(jì)總院深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司深圳科士達(dá)科技股份有限公司深圳市首航新能源股份有限公司深圳市英威騰電氣股份有限公司水電水利規(guī)劃設(shè)計(jì)總院東方日升新能源股份有限公司福建閩東電力股份有限公司高景太陽(yáng)能股份有限公司廣東聯(lián)塑班皓新能源科技集團(tuán)有限公司廣州市儒興科技股份有限公司國(guó)家能源集團(tuán)技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院韓華新能源（啟東）有限公司杭州福斯特應(yīng)用材料股份有限公司杭州纖納光電科技股份有限公司湖南旗濱光能科技有限公司華碧光能科技（蘇州）有限公司華為技術(shù)有限公司四川永祥股份有限公司蘇州愛康光電科技有限公司蘇州博萃循環(huán)科技有限公司蘇州賽伍應(yīng)用技術(shù)股份有限公司蘇州騰暉光伏技術(shù)有限公司蘇州宇邦新型材料股份有限公司蘇州中來光伏新材股份有限公司泰州中來光電科技有限公司天合光能股份有限公司華為數(shù)字能源技術(shù)有限公司通威股份有限公司通威太陽(yáng)能有限公司通威新能源有限公司無(wú)錫帝科電子材料股份有限公司無(wú)錫華晟光伏科技有限公司協(xié)鑫科技控股有限公司新疆大全新能源股份有限公司新特能源股份有限公司亞洲硅業(yè)（青海）股份有限公司陽(yáng)光電源股份有限公司楊凌美暢新材料股份有限公司一道新能源科技股份有限公司英利能源發(fā)展有限公司浙江潤(rùn)海新能源有限公司浙江尚越新能源開發(fā)有限公司浙江矽盛有限公司浙江祥邦科技股份有限公司正泰新能科技股份有限公司中國(guó)電建集團(tuán)西北勘測(cè)設(shè)計(jì)研究院有限公司中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司中國(guó)國(guó)檢測(cè)試控股集團(tuán)股份有限公司中國(guó)華電科工集團(tuán)有限公司中國(guó)華能集團(tuán)清潔能源技術(shù)研究院有限公司中國(guó)三峽新能源（集團(tuán)）股份有限公司中煤天津設(shè)計(jì)工程有限責(zé)任公司中能創(chuàng)光電科技（常州）有限公司中能建氫能源有限公司序

言在全球氣候變暖及化石能源日益枯竭的大背景下，可再生能源開發(fā)利用日益受到國(guó)際社會(huì)的重視，大力發(fā)展可再生能源已成為世界各國(guó)的共識(shí)?！栋屠鑵f(xié)定》在2016年

11月

4日生效，凸顯了世界各國(guó)發(fā)展可再生能源產(chǎn)業(yè)的決心。2020年

12月12日，習(xí)近平總書記在氣候雄心峰會(huì)上強(qiáng)調(diào)：“到

2030年，中國(guó)單位國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值二氧化碳排放將比

2005年下降

65%以上，非化石能源占一次能源消費(fèi)比重將達(dá)到25%左右，森林蓄積量將比

2005年增加

60億立方米，風(fēng)電、太陽(yáng)能發(fā)電總裝機(jī)容量將達(dá)到

12億千瓦以上?！睘閷?shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，發(fā)展可再生能源勢(shì)在必行。各種可再生能源中，太陽(yáng)能以其清潔、安全、取之不盡、用之不竭等顯著優(yōu)勢(shì)，已成為發(fā)展最快的可再生能源。開發(fā)利用太陽(yáng)能對(duì)調(diào)整能源結(jié)構(gòu)、推進(jìn)能源生產(chǎn)和消費(fèi)革命、促進(jìn)生態(tài)文明建設(shè)均具有重要意義。2016年，習(xí)近平總書記在網(wǎng)絡(luò)安全和信息化工作座談會(huì)上指出，突破核心技術(shù)要“制定路線圖、時(shí)間表、任務(wù)書，明確近期、中期、遠(yuǎn)期目標(biāo)，遵循技術(shù)規(guī)律，分梯次、分門類、分階段推進(jìn)”。我國(guó)作為全球光伏制造大國(guó)，應(yīng)通過制定光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖，引導(dǎo)我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展，為全球光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出應(yīng)有貢獻(xiàn)。為此，在工業(yè)和信息化部指導(dǎo)下，中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)、賽迪智庫(kù)集成電路研究所組織專家編制了《中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖》（以下簡(jiǎn)稱《路線圖》）?！堵肪€圖》不僅提出了技術(shù)發(fā)展方向，也包含了產(chǎn)業(yè)、市場(chǎng)等多方面信息，反映了現(xiàn)階段專家、學(xué)者和企業(yè)家對(duì)光伏產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的共識(shí)。鑒于未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展受到政策、技術(shù)、市場(chǎng)、企業(yè)、經(jīng)濟(jì)環(huán)境等因素影響存在較多不確定性，光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展《路線圖》將適時(shí)進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整以保證其能客觀反映光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀，合理預(yù)測(cè)未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，真正起到行業(yè)引領(lǐng)作用，也希望《路線圖》能成為全球光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)。最后，祝愿中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展越來越好！中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)秘書長(zhǎng)前

言經(jīng)過十幾年的發(fā)展，光伏產(chǎn)業(yè)已成為我國(guó)少有的形成國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)、實(shí)現(xiàn)端到端自主可控、并有望率先成為高質(zhì)量發(fā)展典范的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，也是推動(dòng)我國(guó)能源變革的重要引擎。目前我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)在制造業(yè)規(guī)模、產(chǎn)業(yè)化技術(shù)水平、應(yīng)用市場(chǎng)拓展、產(chǎn)業(yè)體系建設(shè)等方面均位居全球前列。為引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向，引導(dǎo)我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)健康良性發(fā)展，在工業(yè)和信息化部電子信息司指導(dǎo)下，中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)、賽迪智庫(kù)集成電路研究所已發(fā)布七版《中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖》。在此基礎(chǔ)上，我們組織行業(yè)專家編制了《中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖（2023-2024年）》（以下簡(jiǎn)稱《路線圖（2023-2024年）》），內(nèi)容涵蓋了光伏產(chǎn)業(yè)鏈上下游各環(huán)節(jié)，包括多晶硅、硅棒/硅錠/硅片、電池、組件、薄膜、逆變器、系統(tǒng)、新型儲(chǔ)能等各環(huán)節(jié)共

77個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)?！堵肪€圖（2023-2024年）》根據(jù)產(chǎn)業(yè)實(shí)際情況，結(jié)合技術(shù)演進(jìn)進(jìn)程以及企業(yè)技改現(xiàn)狀，總結(jié)了

2023年發(fā)展情況并預(yù)測(cè)了2024、2025、2026、2028和

2030年的發(fā)展趨勢(shì)。這些指標(biāo)體現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)、技術(shù)、市場(chǎng)等發(fā)展現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)，具有一定的前瞻性，供社會(huì)各界朋友參考。我們將根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展變化情況及時(shí)進(jìn)行修訂，使其能夠更及時(shí)、準(zhǔn)確地反映產(chǎn)業(yè)的實(shí)際情況，更好地指導(dǎo)行業(yè)發(fā)展。《路線圖（2023-2024年）》在編寫過程中得到了行業(yè)主管部門、行業(yè)專家、產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)企業(yè)的大力支持，在此一并表示感謝。由于時(shí)間倉(cāng)促，編寫人員閱歷和能力有限，如有不妥當(dāng)之處，請(qǐng)不吝指正，以便我們?cè)诤罄m(xù)修訂中進(jìn)一步完善。中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)賽迪智庫(kù)集成電路研究所2024年

2月

28日目錄一、路線圖編制說明

...............................................................................................................1（一）涵蓋內(nèi)容...................................................................................................................................1（二）指標(biāo)值的確定...........................................................................................................................1二、中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展簡(jiǎn)況..................................................................................................2三、產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)關(guān)鍵指標(biāo)..................................................................................................5（一）多晶硅環(huán)節(jié)...............................................................................................................................51、還原電耗...................................................................................................................................52、冷氫化電耗..............................................................................................................................53、綜合電耗

..................................................................................................................................64、水耗

..........................................................................................................................................65、蒸汽耗量

..................................................................................................................................76、綜合能耗

..................................................................................................................................87、硅單耗

......................................................................................................................................88、還原余熱利用率......................................................................................................................99、棒狀硅和顆粒硅市場(chǎng)占比.....................................................................................................910、三氯氫硅法多晶硅生產(chǎn)線投資成本.................................................................................1011、多晶硅人均產(chǎn)出量...............................................................................................................10（二）硅片環(huán)節(jié)

................................................................................................................................111、拉棒/鑄錠電耗........................................................................................................................112、切片電耗

.................................................................................................................................113、拉棒單爐投料量/鑄錠投料量

.............................................................................................124、耗硅量

....................................................................................................................................135、耗水量

....................................................................................................................................136、硅片厚度

................................................................................................................................147、金剛線母線直徑....................................................................................................................158、單位方棒/方錠在金剛線切割下的出片量

........................................................................159、拉棒/切片單位產(chǎn)能設(shè)備投資額.........................................................................................1610、硅片人均產(chǎn)出率..................................................................................................................1711、不同類型硅片市場(chǎng)占比

......................................................................................................1812、不同尺寸硅片市場(chǎng)占比......................................................................................................19（三）電池片環(huán)節(jié)............................................................................................................................201、各種電池技術(shù)平均轉(zhuǎn)換效率................................................................................................212、不同電池技術(shù)路線市場(chǎng)占比...............................................................................................213、電池鋁漿消耗量...................................................................................................................224、電池銀漿消耗量...................................................................................................................225、異質(zhì)結(jié)電池片金屬電極技術(shù)市場(chǎng)占比

.............................................................................246、柵線印刷技術(shù)市場(chǎng)占比

......................................................................................................247、電池片發(fā)射極方塊電阻

......................................................................................................258、TOPCon電池片背鈍化技術(shù)市場(chǎng)占比.............................................................................269、異質(zhì)結(jié)電池片

TCO沉積方法市場(chǎng)占比...........................................................................2610、電池正面細(xì)柵線寬度.........................................................................................................2711、各種主柵市場(chǎng)占比..............................................................................................................2712、電池線人均產(chǎn)出率.............................................................................................................2813、電耗......................................................................................................................................2914、水耗......................................................................................................................................3015、電池片單位產(chǎn)能設(shè)備投資額

............................................................................................30（四）組件環(huán)節(jié)

................................................................................................................................311、不同類型組件功率

................................................................................................................312、單/雙面發(fā)電組件市場(chǎng)占比

.................................................................................................313、全片、半片及多分片組件市場(chǎng)占比

.................................................................................324、不同電池片互聯(lián)技術(shù)的組件市場(chǎng)占比.............................................................................325、3.2mm組件封裝用鋼化鍍膜玻璃透光率

.......................................................................336、不同材質(zhì)正面蓋板組件市場(chǎng)占比......................................................................................347、不同厚度的前蓋板玻璃組件市場(chǎng)占比

.............................................................................358、不同封裝材料的市場(chǎng)占比..................................................................................................359、樹脂粒子在地化供應(yīng)率

......................................................................................................3610、不同背板材料市場(chǎng)占比.....................................................................................................3711、組件電耗

..............................................................................................................................3712、組件人均產(chǎn)出率.................................................................................................................3813、組件單位產(chǎn)能設(shè)備投資額

................................................................................................38（五）薄膜太陽(yáng)能電池/組件..........................................................................................................401、CdTe薄膜太陽(yáng)能電池/組件轉(zhuǎn)換效率..............................................................................402、CIGS薄膜太陽(yáng)能電池/組件轉(zhuǎn)換效率..............................................................................403、Ⅲ-Ⅴ族薄膜太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率.....................................................................................414、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率...............................................................................................41（六）逆變器....................................................................................................................................421、不同類型逆變器市場(chǎng)占比...................................................................................................422、逆變器單位容量設(shè)備投資額..............................................................................................423、逆變器人均產(chǎn)出率...............................................................................................................434、逆變器單機(jī)主流額定功率..................................................................................................445、逆變器功率密度...................................................................................................................446、逆變器功率模塊在地化供應(yīng)率..........................................................................................447、逆變器主控制芯片在地化供應(yīng)率......................................................................................45（七）系統(tǒng)環(huán)節(jié)................................................................................................................................461、全球光伏新增裝機(jī)量...........................................................................................................462、國(guó)內(nèi)光伏新增裝機(jī)量

..........................................................................................................463、光伏應(yīng)用市場(chǎng).......................................................................................................................474、我國(guó)光伏系統(tǒng)初始全投資及運(yùn)維成本.............................................................................485、不同等效利用小時(shí)數(shù)

LCOE估算

......................................................................................516、不同系統(tǒng)電壓等級(jí)市場(chǎng)占比..............................................................................................537、跟蹤系統(tǒng)市場(chǎng)占比...............................................................................................................53（八）新型儲(chǔ)能環(huán)節(jié)........................................................................................................................551、新型儲(chǔ)能年度新增裝機(jī)規(guī)模...............................................................................................562、不同新型儲(chǔ)能技術(shù)市場(chǎng)占比..............................................................................................563、不同鋰電儲(chǔ)能溫控技術(shù)占比..............................................................................................574、鋰電儲(chǔ)能系統(tǒng)年度平均價(jià)格..............................................................................................585、鋰電儲(chǔ)能系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)換效率..............................................................................................586、鋰電儲(chǔ)能電池單體電芯容量..............................................................................................597、鋰電儲(chǔ)能電池單體電芯循環(huán)壽命......................................................................................598、鋰電儲(chǔ)能單體電芯質(zhì)量/體積能量密度............................................................................60--光伏產(chǎn)業(yè)是半導(dǎo)體技術(shù)與新能源需求相結(jié)合而衍生的產(chǎn)業(yè)。大力發(fā)展光伏產(chǎn)業(yè)，對(duì)調(diào)整能源結(jié)構(gòu)、推進(jìn)能源生產(chǎn)和消費(fèi)革命、促進(jìn)生態(tài)文明建設(shè)具有重要意義。我國(guó)已將光伏產(chǎn)業(yè)列為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)之一，在產(chǎn)業(yè)政策引導(dǎo)和市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng)的雙重作用下，全國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)了快速發(fā)展，已經(jīng)成為我國(guó)為數(shù)不多可參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)并取得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)業(yè)。光伏產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成如下圖所示。圖

1光伏產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成一、路線圖編制說明（一）涵蓋內(nèi)容路線圖編制以為國(guó)家制定產(chǎn)業(yè)政策提供支撐、為行業(yè)技術(shù)發(fā)展指明方向、為企業(yè)戰(zhàn)略決策提供參考為主要目標(biāo)，基于當(dāng)前光伏技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀，從光伏產(chǎn)業(yè)鏈多晶硅、硅棒/硅錠、硅片、電池、組件、薄膜、逆變器、系統(tǒng)、新型儲(chǔ)能等各個(gè)環(huán)節(jié)抽取出可代表該領(lǐng)域發(fā)展水平的指標(biāo)，這些指標(biāo)涵蓋產(chǎn)業(yè)、技術(shù)、市場(chǎng)等各個(gè)層面。（二）指標(biāo)值的確定本次路線圖的修訂，在前七版的基礎(chǔ)上，秉持客觀性、科學(xué)性、廣泛性和前瞻性的原則，再次通過調(diào)查問卷、現(xiàn)場(chǎng)調(diào)研、專家研討等形式，廣泛征求意見尤其是重點(diǎn)企業(yè)和專家的建議，由此確定各環(huán)節(jié)關(guān)鍵指標(biāo)

2023-2030年發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)。本次修訂問卷調(diào)查以產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)主要光伏企業(yè)為主，同時(shí)，多次通過郵件等書面形式廣泛征求企業(yè)和專家意見，并組織

2次以上專家研討會(huì)，對(duì)各個(gè)指標(biāo)的合理性及必要性等進(jìn)行詳盡分析，以此確定指標(biāo)取值。考慮到未來發(fā)展的不確定性會(huì)增加指標(biāo)值預(yù)判的難度，路線圖在制定過程中力求準(zhǔn)確預(yù)測(cè)近期的發(fā)展方向，中遠(yuǎn)期的預(yù)測(cè)更多代表行業(yè)各界對(duì)未來的一種趨勢(shì)反映。今后，我們?nèi)詫⒍ㄆ趯?duì)路線圖進(jìn)行更新，以不斷逼近“真值”，更好地及時(shí)地反映行業(yè)發(fā)展情況，并有效指導(dǎo)行業(yè)發(fā)展。1二、中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展簡(jiǎn)況多晶硅方面，2023年，全國(guó)多晶硅產(chǎn)量達(dá)

143萬(wàn)噸，同比增長(zhǎng)

66.9%。2024年隨著多晶硅企業(yè)技改及新建產(chǎn)能的釋放，產(chǎn)量預(yù)計(jì)將超過

210萬(wàn)噸。250210200150100500圖

22010-2024年全國(guó)多晶硅產(chǎn)量情況（單位：萬(wàn)噸）硅片方面，2023年全國(guó)硅片產(chǎn)量約為

622GW，同比增長(zhǎng)

67.5%。隨著頭部企業(yè)產(chǎn)能的逐步落實(shí)，預(yù)計(jì)

2024年全國(guó)硅片產(chǎn)量將超過

935GW。10009008007006005004003002001000935圖

32010-2024年全國(guó)硅片產(chǎn)量情況（單位：GW）晶硅電池片方面，2022年，全國(guó)電池片產(chǎn)量約為

545GW，同比增長(zhǎng)

64.9%。預(yù)計(jì)

2024年全國(guó)電池片產(chǎn)量將超過

820GW。284074064054044034024014040820-60圖

42010-2024年全國(guó)電池片生產(chǎn)情況（單位：GW）組件方面，2023年，全國(guó)組件產(chǎn)量達(dá)到

499GW，同比增長(zhǎng)

69.3%，以晶硅組件為主。預(yù)計(jì)2024年組件產(chǎn)量將超過

750GW。8007006005004003002001000750圖

52010-2024年全國(guó)太陽(yáng)能組件生產(chǎn)情況（單位：GW）光伏市場(chǎng)方面，2023年全國(guó)新增光伏并網(wǎng)裝機(jī)容量

216.88GW。累計(jì)光伏并網(wǎng)裝機(jī)容量超過

600GW，新增和累計(jì)裝機(jī)容量均為全球第一。預(yù)計(jì)

2024年光伏新增裝機(jī)量將超過

200GW，累計(jì)裝機(jī)有望超過

810GW。39008007006005004003002001000609201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024E圖

62010-2023年全國(guó)太陽(yáng)能光伏發(fā)電裝機(jī)累計(jì)容量（單位：GW）產(chǎn)品效率方面，2023年，規(guī)?；a(chǎn)的

p型單晶電池均采用

PERC技術(shù)，平均轉(zhuǎn)換效率達(dá)到

23.4%；n型產(chǎn)品已在市場(chǎng)中嶄露頭角，TOPCon電池片行業(yè)平均轉(zhuǎn)換效率達(dá)到

25%，HJT電池片行業(yè)平均轉(zhuǎn)換效率達(dá)到

25.2%。26.0%24.0%22.0%20.0%18.0%16.0%14.0%25.2%25.0%23.4%2008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023多晶電池片單晶電池片黑硅多晶PERC黑硅多晶PERC單晶n-TOPCon電池片n-HJT電池片圖

72008-2023年國(guó)內(nèi)電池片量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率發(fā)展趨勢(shì)人才方面，2022年中國(guó)光伏從業(yè)人員總計(jì)

353.4萬(wàn)人，其中直接從業(yè)人員總數(shù)約為

58.9萬(wàn)人；預(yù)計(jì)到

2025年，中國(guó)光伏直接從業(yè)人員需求將達(dá)到

81.3—96.8萬(wàn)人，中國(guó)光伏從業(yè)人員需求總量將達(dá)到

487.5—580.8萬(wàn)人，2023—2025年年均新增需求

42.1—73.2萬(wàn)人。4三、產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)關(guān)鍵指標(biāo)（一）多晶硅環(huán)節(jié)11、還原電耗多晶硅還原是指三氯氫硅和氫氣發(fā)生還原反應(yīng)生成高純硅料的過程，其電耗包括硅芯預(yù)熱、沉積、保溫、結(jié)束換氣等工藝過程中的電力消耗。2023年

n型硅料占比逐月增加，年初到年底n型產(chǎn)品的硅料占比從

20%提升到

50%左右，不同企業(yè)差別較大，多晶硅還原電耗的下降有一定減緩，平均還原電耗較

2022年下降

3.4%，為

43.0kWh/kg-Si。未來隨著氣體配比的不斷優(yōu)化、大爐型的投用和穩(wěn)定生產(chǎn)，還原電耗仍將呈現(xiàn)持續(xù)下降趨勢(shì)，到

2030年還原電耗有望下降至

38.2kWh/kg-Si。44.042.040.038.036.02023年2024年2025年2026年2028年2030年圖

82023-2030年還原電耗變化趨勢(shì)（單位：kWh/kg-Si）2、冷氫化電耗冷氫化技術(shù)是把多晶硅生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)物四氯化硅(SiCl)轉(zhuǎn)化為三氯氫硅(SiHCl)的技術(shù)，43其電耗包括物料供應(yīng)、氫化反應(yīng)系統(tǒng)、冷凝分離系統(tǒng)和初餾系統(tǒng)的電力消耗。各企業(yè)在物料供應(yīng)環(huán)節(jié)使用不同的加熱方式，如電加熱、導(dǎo)熱油加熱、蒸汽加熱等，因此各企業(yè)冷氫化電耗存在差異。2023年，冷氫化平均電耗在

4.0kWh/kg-Si左右，同比下降

7%，到

2030年有望下降至3.5kWh/kg-Si以下。技術(shù)進(jìn)步的手段包括大爐型的使用、反應(yīng)催化劑的開發(fā)、提高工藝環(huán)節(jié)中熱能回收利用率、提高反應(yīng)效率等。1本章節(jié)若無(wú)特殊注明，均為三氯氫硅法棒狀硅的生產(chǎn)指標(biāo)。多晶硅生產(chǎn)各環(huán)節(jié)工序劃分、能源消耗種類、計(jì)量和計(jì)算方法按《多晶硅企業(yè)單位產(chǎn)品能源消耗限額》GB29447執(zhí)行。54.13.93.73.53.32023年2024年2025年2026年2028年2030年圖

92023-2030年冷氫化電耗變化趨勢(shì)（單位：kWh/kg-Si）3、綜合電耗綜合電耗是指工廠生產(chǎn)單位多晶硅產(chǎn)品所耗用的全部電力，包括合成、電解制氫、精餾、還原、尾氣回收和氫化等環(huán)節(jié)的電力消耗。由于各家生產(chǎn)工藝不同，因此綜合電耗有一定差異。2023年，多晶硅平均綜合電耗已降至

57kWh/kg-Si，同比下降

5%。未來隨著生產(chǎn)裝備技術(shù)提升、系統(tǒng)優(yōu)化能力提高、生產(chǎn)規(guī)模增大等，預(yù)計(jì)至

2030年有望下降至

52.5kWh/kg-Si。63.060.057.054.051.048.02023年2024年2025年2026年2028年2030年圖

102023-2030年綜合電耗變化趨勢(shì)（單位：kWh/kg-Si）4、水耗水耗是指生產(chǎn)單位多晶硅產(chǎn)品所需要補(bǔ)充的水量，水的消耗主要包括蒸發(fā)、清洗等。2023年，多晶硅平均水耗在

0.08t/kg-Si的水平，同比下降

11%。新疆地區(qū)氣候干燥，蒸發(fā)量大，水耗6較行業(yè)平均值高，數(shù)據(jù)綜合了青海、內(nèi)蒙、四川、新疆等各大產(chǎn)區(qū)的數(shù)據(jù)。預(yù)計(jì)到

2026年，通過余熱利用降低蒸發(fā)量，精餾塔排出的物料再回收利用降低殘液處理水耗等措施，可將耗水量控制在

0.07t/kg-Si的水平并維持到

2030年。0.090.080.070.062023年2024年2025年2026年2028年2030年圖

112023-2030年水耗變化趨勢(shì)（單位：t/kg-Si）5、蒸汽耗量蒸汽耗量是指生產(chǎn)單位多晶硅產(chǎn)品外購(gòu)蒸汽量，不考慮還原爐余熱利用所產(chǎn)生的蒸汽（該能量已通過電力的形式計(jì)入）。蒸汽的補(bǔ)充主要用于精餾、冷氫化、尾氣回收等環(huán)節(jié)。2023年企業(yè)蒸汽耗量均值為

9.1kg/kg-Si左右，同比下降

39.3%，在新疆等寒冷地區(qū)蒸汽耗量較其他地區(qū)高。隨著企業(yè)還原余熱利用率提升、提純、精餾系統(tǒng)優(yōu)化等，2030年企業(yè)蒸汽耗量將降至5.1kg/kg-Si。11.09.07.05.03.02023年2024年2025年2026年2028年2030年圖

122023-2030年蒸汽耗量變化趨勢(shì)（單位：kg/kg-Si）76、綜合能耗多晶硅綜合能耗包括多晶硅生產(chǎn)過程中所消耗的天然氣、煤炭、電力、蒸汽、水等。綜合各大區(qū)域和新建產(chǎn)能的情況，2023年三氯氫硅法多晶硅企業(yè)綜合能耗平均值為

8.1kgce/kg-Si，同比下降

8.99%，隨著技術(shù)進(jìn)步和能源的綜合利用，到

2030年預(yù)計(jì)可降到

7.2kgce/kg-Si。10.09.08.07.06.02023年2024年2025年2026年2028年2030年圖

132023-2030年綜合能耗變化趨勢(shì)（單位：kgce/kg-Si）7、硅單耗硅單耗指生產(chǎn)單位高純硅產(chǎn)品所耗費(fèi)的硅量，主要包括合成、氫化工序，外購(gòu)硅粉、三氯氫硅、四氯化硅等含硅物料全部折成純硅計(jì)算，外售氯硅烷等按含硅比折成純硅計(jì)算，從總量中扣除。2023年，硅耗在

1.08kg/kg-Si水平，同比下降

0.92%，且未來

5年內(nèi)變化幅度不大。隨著氫化水平的提升，副產(chǎn)物回收利用率的增強(qiáng)，預(yù)計(jì)到

2030年將降低到

1.07kg/kg-Si。1.111.091.071.052023年2024年2025年2026年2028年2030年圖

142023-2030年硅單耗變化趨勢(shì)（單位：kg/kg-Si）88、還原余熱利用率還原余熱利用率是指回收利用還原工藝中熱量占還原工藝能耗比。2023年，多晶硅還原余熱利用率平均水平在

81.9%，較

2022年提升了

0.5個(gè)百分點(diǎn)。隨著多晶硅工廠大爐型的使用，節(jié)能技術(shù)的進(jìn)步，以及低品位熱的利用，余熱利用率有望進(jìn)一步提升，但考慮設(shè)備本身散熱和尾氣帶走熱等影響，還原余熱利用率有一定上限，預(yù)計(jì)

2030年還原余熱利用率將會(huì)達(dá)到

83%。84%83%82%81%80%2023年2024年2025年2026年2028年2030年圖

152023-2030年還原余熱利用率變化趨勢(shì)9、棒狀硅和顆粒硅市場(chǎng)占比當(dāng)前主流的多晶硅生產(chǎn)技術(shù)主要有三氯氫硅法和硅烷流化床法，產(chǎn)品形態(tài)分別為棒狀硅和顆粒硅。三氯氫硅法生產(chǎn)工藝相對(duì)成熟，隨著

2023年硅烷法顆粒硅產(chǎn)能和產(chǎn)量的增加，顆粒硅市場(chǎng)占比有所上漲，達(dá)到

17.3%，棒狀硅占

82.7%。100%75%50%25%0%2023年2024年2025年2026年棒狀硅2028年2030年顆粒硅圖

162023-2030年棒狀硅和顆粒硅市場(chǎng)占比變化趨勢(shì)910、三氯氫硅法多晶硅生產(chǎn)線投資成本多晶硅生產(chǎn)線投資主要包含土建、設(shè)備、安裝費(fèi)用，其中設(shè)備投資成本占比

60%-70%。2023年投產(chǎn)的萬(wàn)噸級(jí)多晶硅生產(chǎn)線投資成本為

0.9億元/千噸，較

2022年有小幅下降。但隨著生產(chǎn)裝備技術(shù)的進(jìn)步、單體規(guī)模的提高和工藝水平的提升，三氯氫硅法多晶硅生產(chǎn)線投資成本仍有下降空間。預(yù)計(jì)到

2030年，千噸投資可下降至

0.80億元。1.01.00.90.90.80.80.72023年2024年2025年2026年2028年2030年圖

172023-2030年三氯氫硅法多晶硅生產(chǎn)線投資成本變化趨勢(shì)（單位：億元/千噸）11、多晶硅人均產(chǎn)出量隨著多晶硅工藝技術(shù)瓶頸不斷突破，工廠智能化制造水平的不斷提升，多晶硅工廠的人均產(chǎn)出也逐步提升。2023年多晶硅生產(chǎn)線人均產(chǎn)出量為

60噸/(人·年)，同比提升

3.4%，這與單線產(chǎn)能提升、系統(tǒng)集成化、以及產(chǎn)線滿產(chǎn)等因素有關(guān)。隨著多晶硅新投產(chǎn)線單線規(guī)模增大，自動(dòng)化程度提升，人均產(chǎn)出量將會(huì)有較大幅度的增長(zhǎng)，到

2030年提高到

80噸/(人·年)。90807060502023年2024年2025年2026年2028年2030年圖

182023-2030年多晶硅生產(chǎn)線人均產(chǎn)出量變化趨勢(shì)（單位：噸/(人·年)）10（二）硅片環(huán)節(jié)231、拉棒/鑄錠電耗單晶拉棒電耗是指直拉法生產(chǎn)單位合格單晶硅棒所消耗的電量，可以通過改善熱場(chǎng)、保溫性能、提升設(shè)備自動(dòng)化、智能化程度、提高連續(xù)拉棒技術(shù)等方法，降低拉棒生產(chǎn)電耗。2023年，拉棒平均電耗水平從

2022年

24.4kWh/kg-Si下降至

23.4kWh/kg-Si（方棒）。由于坩堝品質(zhì)的不穩(wěn)定以及客戶對(duì)品質(zhì)要求的提高，2024年-2026年能耗預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)較

2022年預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)略高。鑄錠電耗是指通過定向凝固技術(shù)生產(chǎn)硅錠（大方錠）所消耗的電量。2023年，多晶產(chǎn)品市場(chǎng)需求下降，鑄錠產(chǎn)品提升需求不大，鑄錠電耗為

7.8-8.0kWh/kg-Si，較

2022年變化不大。26.024.022.020.018.02023年2024年2025年2026年2028年2030年拉棒電耗圖

192023-2030年拉棒電耗變化趨勢(shì)（單位：kWh/kg-Si）2、切片電耗切片電耗是指通過切片工序，從方棒/方塊到成品硅片所消耗的電量。2023年，切片電耗約為

8.0萬(wàn)

kWh/百萬(wàn)片，較

2022年小幅下降，主要原因是

n型硅片市場(chǎng)占比有所增加，切片裝備技術(shù)提升，硅片減薄速度增加。未來，硅棒棒長(zhǎng)增長(zhǎng)、產(chǎn)線切速提升、細(xì)線化和薄片化帶來的單次出片量增加等都將促進(jìn)切片電耗繼續(xù)下降。2若無(wú)特殊說明，本環(huán)節(jié)指標(biāo)均以生產(chǎn)

182mm尺寸

P硅片為基準(zhǔn)。由于鑄錠市場(chǎng)縮減，因此本年度對(duì)鑄錠相關(guān)指標(biāo)不做預(yù)測(cè)。3118.28.07.87.67.47.27.06.82023年2024年2025年2026年切片電耗2028年2030年圖

202023-2030年切片電耗變化趨勢(shì)（單位：萬(wàn)

kWh/百萬(wàn)片）注：本指標(biāo)以

182mm尺寸切片為基準(zhǔn)，包含

p型和

n型。3、拉棒單爐投料量/鑄錠投料量拉棒單爐投料量是指一只坩堝用于多次拉棒生產(chǎn)的總投料量，其中坩堝使用時(shí)間為關(guān)鍵因素之一。2023年，拉棒單爐投料量約為

3300kg，較

2022年的

3100kg有小幅提升，主要是由于熱場(chǎng)尺寸增大以及拉棒數(shù)增加。未來隨著坩堝制作工藝、拉棒技術(shù)的不斷提升以及坩堝使用的優(yōu)化，投料量仍有較大增長(zhǎng)空間，或向著連續(xù)投料的方向發(fā)展。鑄錠投料量是指用于鑄錠的單只坩堝的最大裝料量。2023年多晶產(chǎn)品市場(chǎng)需求繼續(xù)降低，鑄錠投料量為

1200kg，與

2022年基本持平。5,0004,5004,0003,5003,0002023年2024年2025年2026年2028年2030年拉棒單爐投料量圖

212023-2030年拉棒單爐投料量變化趨勢(shì)（單位：kg）124、耗硅量耗硅量是指生產(chǎn)每公斤方棒（含邊皮復(fù)投料）所消耗的多晶硅原料量（按年度統(tǒng)計(jì)）。2023年鑄錠耗硅量為

1.08kg/kg，拉棒耗硅量為

1.061kg/kg，與

2022年基本持平。清洗、破碎環(huán)節(jié)的損耗降低，生產(chǎn)環(huán)節(jié)環(huán)境控制，降低堝底料比例，優(yōu)化機(jī)加環(huán)節(jié)精度控制，減少加工余量，提升降級(jí)硅料的分級(jí)和處理技術(shù)等，都將促使拉棒耗硅量繼續(xù)下降。1.21.11.00.92023年2024年2025年2026年2028年2030年拉棒耗硅量圖

222023-2030年拉棒耗硅量變化趨勢(shì)（單位：kg/kg）5、耗水量切片工序取水量包括脫膠、清洗、切片等所有環(huán)節(jié)的生產(chǎn)設(shè)備、輔助設(shè)備、污水處理設(shè)備等取水量或分?jǐn)偭浚话k公區(qū)域及生活用水（純水量應(yīng)折算成新鮮水量）。2023年切片環(huán)節(jié)耗水量為

870t/百萬(wàn)片，主要原因是片厚減薄，單刀切片量提升，同時(shí)配合了其他節(jié)水措施。未來通過循環(huán)用水、水的回收再處理再應(yīng)用、工藝水平提升、清洗劑的性能優(yōu)化等方法，耗水量將逐步下降。139509008508007507002023年2024年2025年2026年2028年2030年耗水量圖

232023-2030年耗水量變化趨勢(shì)（單位：t/百萬(wàn)片）6、硅片厚度薄片化有利于降低硅耗和硅片成本，但會(huì)影響碎片率。目前切片工藝完全能滿足薄片化的需要，但硅片厚度還要滿足下游電池片、組件制造端的需求。硅片厚度對(duì)電池片的自動(dòng)化、良率、轉(zhuǎn)換效率等均有影響。2023年，多晶硅片平均厚度為

170μm，由于市場(chǎng)終端需求量較小，無(wú)繼續(xù)減薄的動(dòng)力，因此預(yù)測(cè)

2024年之后厚度維持

170μm不變，但不排除后期仍有變薄的可能。p型單晶硅片平均厚度在

150μm

左右，較

2022年下降

5μm。為保持

n型產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，用于

TOPCon電池片和異質(zhì)結(jié)電池片的

n型硅片產(chǎn)品片厚減薄動(dòng)力較強(qiáng)，用于

TOPCon電池的

n型硅片平均厚度為

125μm，用于異質(zhì)結(jié)電池的硅片厚度約

120μm，分別較

2022年下降

15μm和

5μm。160140120100802023年單晶硅片厚度-p型硅片單晶硅片厚度-n型硅片-TOPCon2024年2025年2026年2028年2030年單晶硅片厚度-n型硅片-HJT圖

242023-2030年硅片厚度變化趨勢(shì)（單位：μm）注：?jiǎn)尉Ч杵穸?n型硅片-HJT以異質(zhì)結(jié)半片硅片為基準(zhǔn)。147、金剛線母線直徑金剛線母線直徑及研磨介質(zhì)粒度同硅片切割質(zhì)量及切削損耗量相關(guān)，較小的線徑和介質(zhì)粒度有利于降低切削損耗和生產(chǎn)成本。金剛線主要分為高碳鋼絲線和鎢絲線，2023年主流金剛線為高碳鋼絲線，鎢絲線已小范圍進(jìn)入市場(chǎng)，預(yù)計(jì)鎢絲線大量進(jìn)入市場(chǎng)后，其母線直徑將會(huì)進(jìn)一步下降。2023年，用于單晶硅片的高碳鋼絲母線直徑為

36μm，降幅較大，且呈不斷下降趨勢(shì)。2023年，用于單晶硅片的鎢絲母線直徑為

35μm，且隨著硅料繼續(xù)降本+硅片薄片化、大尺寸化，雙輪驅(qū)動(dòng)鎢絲母線的應(yīng)用滲透，鎢絲母線直徑也將不斷下降。4540353025202023年2024年2025年2026年2028年2030年高碳鋼絲母線直徑-單晶鎢絲線母線直徑-單晶圖

252023-2030年金剛線母線直徑變化趨勢(shì)（單位：μm）注：高碳鋼絲母線直徑及鎢絲線母線直徑均為等效線徑。8、單位方棒在金剛線切割下的出片量隨著金剛線直徑降低以及硅片厚度下降，等徑方棒每公斤出片量將增加。2023年

p型182mm尺寸每公斤單晶方棒出片量約為

61片，p型

210mm尺寸每公斤單晶方棒出片量約為

45片，n型

182mm尺寸

TOPCon每公斤單晶方棒出片量約為

69片，n型

210mm尺寸

TOPCon每公斤單晶方棒出片量約為

52片，n型

182mm尺寸

HJT每公斤單晶方棒出片量約為

71片，n型

210mm尺寸

HJT每公斤單晶方棒出片量約為

53片。151009080706050402023年2024年2025年2026年2028年2030年P(guān)型單晶182mmn型單晶210mm-TOPConP型單晶210mmn型單晶182mm-TOPConn型單晶210mm-HJTn型單晶182mm-HJT圖

262023-2030年每公斤方棒在金剛線切割下的出片量變化趨勢(shì)（單位：片）注：本指標(biāo)出片數(shù)均以整片計(jì)算。9、拉棒/切片單位產(chǎn)能設(shè)備投資額2023年，拉棒環(huán)節(jié)單位產(chǎn)能設(shè)備投資額（包括機(jī)加環(huán)節(jié)）為

4.6萬(wàn)元/噸。隨著單晶拉棒設(shè)備供應(yīng)能力提高及技術(shù)進(jìn)步，設(shè)備投資成本呈逐年下降趨勢(shì)。切片環(huán)節(jié)單位產(chǎn)能設(shè)備投資是指從方棒/方錠到制成硅片的設(shè)備投資，2023年為

23.6萬(wàn)元/百萬(wàn)片，未來呈逐漸下降的趨勢(shì)，但是如果加入自動(dòng)化設(shè)備，切片環(huán)節(jié)設(shè)備投資額的變化趨勢(shì)可能持平甚至增加。64202023年2024年2025年2026年拉棒環(huán)節(jié)2028年2030年圖

272023-2030年拉棒環(huán)節(jié)設(shè)備投資成本變化趨勢(shì)（單位：萬(wàn)元/噸）1625242322212023年2024年2025年2026年切片環(huán)節(jié)2028年2030年圖

282023-2030年切片環(huán)節(jié)設(shè)備投資成本變化趨勢(shì)（單位：萬(wàn)元/百萬(wàn)片）10、硅片人均產(chǎn)出率硅片人均產(chǎn)出主要指產(chǎn)線員工的人均產(chǎn)出（包含產(chǎn)線直接和間接人員，不含管理人員）。隨著工廠自動(dòng)化水平的不斷提升，單位產(chǎn)能逐步增加，硅片工廠的人均產(chǎn)出也快速提高。2023年，硅片產(chǎn)線晶體環(huán)節(jié)拉棒（方棒）人均產(chǎn)出率為

27.5t/(人·年)，切片人均產(chǎn)出率為

2.3百萬(wàn)片/(人·年)。隨著未來大尺寸產(chǎn)能的持續(xù)釋放以及自動(dòng)化水平的提升，預(yù)計(jì)晶體拉棒（方棒）人均產(chǎn)出和切片人均產(chǎn)出均會(huì)有所增加。但考慮到企業(yè)為社會(huì)提供就業(yè)機(jī)會(huì)等因素，此指標(biāo)的增速或?qū)⒎啪彙?0402002023年2024年2025年2026年2028年2030年拉棒（方棒）圖

292023-2030年拉棒（方棒）人均產(chǎn)出率變化趨勢(shì)（單位：t/(人·年)）176.04.02.00.02023年2024年2025年切片2026年2028年2030年圖

302023-2030年切片人均產(chǎn)出率變化趨勢(shì)（單位：百萬(wàn)片/(人·年)）11、不同類型硅片市場(chǎng)占比42023年，單晶硅片（p型+n型）市場(chǎng)占比已超過

99%。隨著

n型產(chǎn)品的釋放，p型單晶硅片市場(chǎng)占比壓縮至

74.5%，n型單晶硅片占比增長(zhǎng)至

24.7%。隨著下游對(duì)

n型單晶產(chǎn)品的需求增大，其市場(chǎng)占比也將進(jìn)一步提升。多晶產(chǎn)品市場(chǎng)份額由

2022年的

2.5%下降至

0.8%，未來，多晶產(chǎn)品將存在于部分小眾細(xì)分市場(chǎng)，多晶硅片仍將存在，但其市場(chǎng)占比將繼續(xù)被單晶硅片壓縮。100%75%50%25%0%2023年2024年2025年2026年2028年2030年多晶硅片p-type單晶硅n-type單晶硅圖

312023-2030年不同類型硅片市場(chǎng)占比變化趨勢(shì)4本環(huán)節(jié)市場(chǎng)占比是各類產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)硅片企業(yè)總出貨量（含出口）中的占比。1812、不同尺寸硅片市場(chǎng)占比2023年市場(chǎng)上硅片尺寸種類多樣，包括

166mm及以下硅片、182mm方片、微矩形片、矩形片、210mm方片等，且各占有一定的市場(chǎng)份額。其中，166mm及以下、182mm方片以及微矩形硅片占比分別為

2.0%、47.7%、20.3%，但接下來幾年占比都將逐步減少，預(yù)計(jì)

166mm及以下尺寸硅片

2026年左右將退出市場(chǎng)，而

182mm方片和微矩形片

2028年或?qū)⒌鍪袌?chǎng)；2023年，210mm方片及矩形尺寸硅片市場(chǎng)占比分別為

20%、10%，以目前來看，兩者可能成為未來的市場(chǎng)主流尺寸，市場(chǎng)占比或?qū)⒀杆僭鲩L(zhǎng)，但仍需要市場(chǎng)的不斷驗(yàn)證。100%75%50%25%0%2023年2024年微矩形2025年2026年2028年2030年矩形210mm方片182mm方片166mm及以下圖

322023-2030年不同尺寸硅片市場(chǎng)占比變化趨勢(shì)注：166mm及以下尺寸硅片主要包括：M2單晶硅片、標(biāo)準(zhǔn)多晶硅片、157mm多晶硅片、161.7mm全方片、161.7mm類方片、163mm類方片、166mm類方片硅片等；微矩形尺寸硅片主要包括：182mm*183.75mm、182mm*185.3mm等；矩形尺寸硅片主要包括：矩形

182mm*188mm、182mm*191.6mm、182mm*199mm、182mm*210mm等。19（三）電池片環(huán)節(jié)5表

1各種晶硅電池名稱縮寫及釋義對(duì)照表名稱縮寫各種晶硅電池釋義鋁背場(chǎng)電池（AluminiumBackSurfaceField）——為改善太陽(yáng)能電池的效率，在

p-n結(jié)制備完成后，在硅片的背光面沉積一層鋁膜，制備

P+層，稱為鋁背場(chǎng)電池。Al-BSFPERC發(fā)射極鈍化和背面接觸（PassivatedEmitterandRearContact）——利用特殊材料在電池片背面形成鈍化層作為背反射器，增加長(zhǎng)波光的吸收，同時(shí)增大

p-n極間的電勢(shì)差，降低電子復(fù)合，提高效率。隧穿氧化層鈍化接觸（TunnelOxidePassivatedContact）——在電池背面制備一層超薄氧化硅，然后再沉積一層摻雜硅薄層，二者共同形成了鈍化接觸結(jié)構(gòu)。TOPCon具有本征非晶時(shí)存在晶體和nology）——在電池片里同HJTIBC更好地實(shí)現(xiàn)鈍化效果。交指式背接觸面，減少置于—把正負(fù)電極都置于電池背的陰影損失。金屬穿透電極技術(shù)（Metal-wrapthrough）——通過在電池片上開孔并填充導(dǎo)電漿料而將電池正面電極引到背面，使得電池片的正、負(fù)電極均位于電池背面，從而發(fā)揮電池組件的低擋光、低應(yīng)力衰減、不含鉛等優(yōu)勢(shì)。MWTHBC異質(zhì)結(jié)背接觸

(HeterojunctionBackContact)——利用異質(zhì)結(jié)（HJT）電池結(jié)構(gòu)與交指式背接觸（IBC）電池結(jié)構(gòu)相結(jié)合，形成的新型太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)。這種電池結(jié)構(gòu)結(jié)合了

IBC電池高的短路電流與

HJT電池高的開路電壓的優(yōu)勢(shì)，因此能獲得更高的電池效率。隧穿氧化層鈍化背接觸（TunnelingOxidePassivatedBackContact）——利用隧穿氧化層鈍化接觸（TOPCon）電池結(jié)構(gòu)與交指式背接觸（IBC）電池結(jié)構(gòu)相結(jié)合，形成的新型太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)。這種電池結(jié)構(gòu)結(jié)合了

IBC電池高的短路電流與

TOPCon優(yōu)異的鈍化接觸特性，因此能獲得更高的電池效率。TBC5若無(wú)特殊說明，本環(huán)節(jié)指標(biāo)均以生產(chǎn)

182mm尺寸電池為基準(zhǔn)。201、各種電池技術(shù)平均轉(zhuǎn)換效率2023年，規(guī)?；a(chǎn)的

p型

BSF多晶黑硅電池平均轉(zhuǎn)換效率達(dá)到

19.7%，較

2022年提高0.2個(gè)百分點(diǎn)；p型

PERC多晶黑硅電池平均轉(zhuǎn)換效率達(dá)