先進封裝設(shè)備行業(yè)市場分析

先進封裝設(shè)備行業(yè)市場分析后摩爾時代，先進封裝重要性日益凸顯摩爾定律逼近物理極限，先進封裝重要性提升先進工藝設(shè)計成本日漸高昂，先進封裝性價比凸顯。根據(jù)摩爾定律，芯片內(nèi)部的晶體管數(shù)量每隔18~24個月翻番，同時性能提升一倍。隨著半導(dǎo)體技術(shù)逐漸逼近物理極限，晶體管尺寸的微縮也越來越困難。根據(jù)芯東西數(shù)據(jù)，芯片制程從65nm升級到5nm，其制程提升約7代，而芯片設(shè)計成本增長了接近20倍，從0.24億美元提升至驚人的4.76億美金。先進制程芯片的開發(fā)成本令芯片設(shè)計企業(yè)越來越難以承受。先進工藝進步速度放緩，摩爾定律難以為繼。二十一世紀以來，芯片在2015年進入14nm時代，在2017年進入10nm時代，在2018年進入7nm時代，在2020年進入5nm時代，在2022年進入3nm時代。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，臺積電預(yù)計將于2025年推出2nm工藝節(jié)點。全球芯片制程從3nm升級到2nm預(yù)計將耗時三年，這比正常的摩爾定律升級時間18~24個月要多出一年多的時間，這也反映摩爾定律越來越逼近物理極限。隨著先進工藝成本的上升和技術(shù)升級難度的增加，先進封裝被視為延續(xù)摩爾定律的重要途徑。先進封裝能有效提高芯片內(nèi)部的互聯(lián)密度和通信速度封裝技術(shù)迭代，封裝尺寸與互聯(lián)密度不斷提升。根據(jù)Yole對半導(dǎo)體封裝技術(shù)發(fā)展歷史的回溯，1990年代開始，以“Flip-Chip”和“WLCSP”為代表的封裝技術(shù)推動半導(dǎo)體封裝進入先進封裝技術(shù)領(lǐng)域。2010年代開始，以“2.5DSiinterposers”和“2D/3Dpackaging”為代表的封裝技術(shù)實現(xiàn)了更小的I/O節(jié)點和更大的封裝尺寸。更大的封裝密度成為先進封裝的重要發(fā)展趨勢之一。Chiplet是提升芯片內(nèi)高速互聯(lián)的關(guān)鍵。采用傳統(tǒng)封裝的芯片系統(tǒng)中，芯片和芯片間的互聯(lián)依賴于電路板上的互聯(lián)技術(shù)，如PCIe、RapidI/O等。Chiplet技術(shù)將多個Die集成在同一顆芯片內(nèi)部，實現(xiàn)了片內(nèi)Die間通信（Serdes、AIB/MDIO等）。隨著單顆芯片可集成的晶體管數(shù)量越來越多，工藝節(jié)點越來越小，隧穿效應(yīng)逐漸明顯，漏電問題愈發(fā)凸顯，這導(dǎo)致頻率提升接近瓶頸。為進一步提升系統(tǒng)性能，芯片由單核向多核異構(gòu)系統(tǒng)發(fā)展。Chiplet技術(shù)通過在物理層、接口層、通信層、協(xié)議層的多種技術(shù)，提升了Die間通信的速率。根據(jù)Wikichip數(shù)據(jù)，以臺積電CoWoS（ChiponWaferonSubstrate）技術(shù)為例，CoWoS將有源硅芯片、中介層、基板三層堆疊為立體封裝結(jié)構(gòu)，芯片間的通信方式從傳統(tǒng)的引線或基板升級為Wafer，進而實現(xiàn)通信速度的提升。目前幾乎所有的人工智能和加速器芯片都是基于臺積電的CoWoS工藝平臺。根據(jù)與非網(wǎng)數(shù)據(jù)，目前片外通信絕大多數(shù)依賴于PCIe接口，PCIe6.0×16接口理論上可以實現(xiàn)128GB/s的通信速度。根據(jù)谷歌云服務(wù)中心公布的數(shù)據(jù)，應(yīng)用在AI大模型上的TPU內(nèi)部通行速度已經(jīng)達到1000PB/s，這是PCIe6.0通信速度的8,192,000倍。可以說，Chiplet是提升芯片內(nèi)高速互聯(lián)的關(guān)鍵。人工智能等新興應(yīng)用對先進封裝需求快速增長一方面，消費電子等終端產(chǎn)品對設(shè)備需求越來越小型化，對應(yīng)的芯片封裝尺寸要求也越來越高；另一方面，5G、高性能運算、智能駕駛、AR/VR、物聯(lián)網(wǎng)對芯片的性能提出了更高的要求，對應(yīng)的芯片封裝密度要求也越來越高。芯片只有提供更小的尺寸和更好的能耗才能滿足下游領(lǐng)域的需求。先進封裝憑借更高的互聯(lián)密度和更快的通信速度，得到愈加廣泛的應(yīng)用。根據(jù)集微咨詢預(yù)估，在5G、汽車電子、可穿戴、人工智能、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用需求的推動下，2022~2026年全球封測市場規(guī)模將從815億美元增長至961億美元，CAGR達到4.2%。全球先進封裝市場規(guī)模增速顯著高于封測市場規(guī)模增速。根據(jù)集微咨詢預(yù)估，2022~2026年全球先進封裝市場規(guī)模將從379億美元增長至482億美元，CAGR達到6.2%。其中ED、3D-Stack、Fan-out的平均年復(fù)合增長率最大，分別達到24.8%、17.7%、12.0%。未來部分封裝技術(shù)在特定領(lǐng)域會有進一步的滲透和發(fā)展，如Fan-out封裝在手機、汽車、網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域會有較大的增量空間，如3D-Stack在AI、HPC、數(shù)據(jù)中心、CIS、MEMS傳感器等領(lǐng)域會有較大的增長空間。根據(jù)集微咨詢數(shù)據(jù)，2022年全球先進封裝占整體封測市場比例約為47.2%。因為先進封裝的成長性好于傳統(tǒng)封裝，預(yù)計到2026年全球先進封裝占整體封測市場比例將超過50%。國際巨頭押注先進封裝賽道，行業(yè)資本開支旺國際巨頭紛紛布局先進封裝賽道，前道晶圓廠優(yōu)勢明顯臺積電是全球先進封裝技術(shù)的領(lǐng)軍者之一，旗下3DFabric擁有CoWoS、InFO、SoIC三種先進封裝工藝。CoWoS是臺積電最經(jīng)典的先進封裝技術(shù)之一。2011年至今，臺積電的CoWoS工藝已經(jīng)迭代至第五代，期間中介層面積、晶體管數(shù)量、內(nèi)存容量不斷擴大。Nvidia、AMD、Broadcom、Marvell等是臺積電CoWoS工藝的最大客戶。臺積電的InFO技術(shù)是基于CoWoS的改進工藝，其將硅中介層替換為polyamidefilm材料，降低了單位成本和封裝高度。蘋果的iPhone7、iPhone7Plus均采用InFO封裝技術(shù)。這也是臺積電后續(xù)獨占蘋果A系列處理器訂單的關(guān)鍵因素。2018年，臺積電首次對外公布其SoIC封裝技術(shù)。該技術(shù)是臺積電基于CoWoS和多晶圓堆疊（WoW）開發(fā)的新一代封裝技術(shù)。根據(jù)臺積電官方介紹，SoIC提供創(chuàng)新的前段3D芯片堆疊技術(shù)，用于重新集成從片上系統(tǒng)（SoC）劃分的小芯片。SoIC集成的芯片在系統(tǒng)性能方面優(yōu)于原始SoC，并提供了集成其他功能的靈活性。相較于2.5D封裝方案，SoIC的凸塊密度更高，傳輸速度更快，功耗更低。英特爾也在積極布局2.5D/3D先進封裝賽道，并已經(jīng)推出EMIB、Foveros、Co-EMIB等多種先進封裝技術(shù)，力求通過2.5D/3D等多種異構(gòu)集成的形式實現(xiàn)互聯(lián)帶寬倍增和功耗減半的目標。2018年，英特爾首次展示Foveros先進封裝技術(shù)，引入3D堆疊，在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片，實現(xiàn)橫向和縱向的互聯(lián)，且凸點間距進一步降低為25~50μm。英特爾表示Foveros可以將不同工藝、結(jié)構(gòu)、用途的芯片整合到一起，從而將更多的計算電路組裝到單顆芯片上，以實現(xiàn)高性能、高密度和低功耗。該技術(shù)提供了極大的靈活性，設(shè)計人員可以再新的產(chǎn)品形態(tài)中“混搭”不同的技術(shù)專利模塊、各種存儲芯片、I/O配置，并使得產(chǎn)品能夠分解成更小的“芯片組合”。三星在2.5D/3D先進封裝技術(shù)領(lǐng)域也有布局，并已經(jīng)推出I-Cube、X-Cube等先進封裝技術(shù)。針對2.5D封裝，三星推出的I-Cube技術(shù)可以和臺積電的CoWoS技術(shù)相媲美。針對3D封裝，三星在2020年推出X-Cube技術(shù)，將硅晶圓或芯片物理堆疊，并通過硅通孔（TSV）連接，最大程度上縮短了互聯(lián)長度，在降低功耗的同時提高傳輸速率。相較于傳統(tǒng)封裝，先進封裝涉及到前道工序的延續(xù)，所以先進封裝的后道工藝路線和晶圓廠的前道制造工藝界限逐漸模糊，晶圓廠在技術(shù)方面更占有優(yōu)勢。這也是臺積電、英特爾、三星等晶圓廠能主導(dǎo)先進封裝技術(shù)的重要原因。先進封裝產(chǎn)能緊缺，行業(yè)資本開支旺高性能封裝需求旺盛，主要技術(shù)市場規(guī)模迎來快速增長。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2021~2027年國際巨頭布局的高性能封裝市場規(guī)模將從27.4億美元增長至78.7億美元，CAGR達到19%。Yole預(yù)計到2027年，UHDFO、HBM、3DS和有源Si中介層將占高性能封裝市場規(guī)模的50%以上，是市場增長的最大貢獻者。嵌入式Si橋、3DNand堆棧、3DSoC和HBM是增長最快的四個領(lǐng)域，每個領(lǐng)域的CAGR都超過20%。隨著消費和移動終端、電信和基礎(chǔ)設(shè)施中人工智能和高性能應(yīng)用程序的快速發(fā)展，高性能封裝的需求也迎來較快增長，這也是延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵解決方案之一。臺積電CoWoS產(chǎn)能緊缺，行業(yè)擴產(chǎn)在即。根據(jù)與非網(wǎng)援引臺積電的消息，2023年初以來，全球AI訂單需求持續(xù)增長，臺積電現(xiàn)有的先進封裝產(chǎn)能無法滿足需求，臺積電被迫緊急增加CoWoS產(chǎn)能。臺積電預(yù)計2023年CoWoS產(chǎn)能將較2022年實現(xiàn)倍增，而2024年CoWoS產(chǎn)能將在2023年的基礎(chǔ)上再次實現(xiàn)倍增。2022年臺積電CoWoS營業(yè)收入已經(jīng)占總營業(yè)收入5%以上，并且將以20%的年增速保持增長，高于臺積電預(yù)估的總營業(yè)收入年增速10%。全球主要半導(dǎo)體廠商提高先進封裝資本開支。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2021年包括英特爾、臺積電、三星等在內(nèi)的主要廠商在先進封裝領(lǐng)域的資本開支達到110多億美元。其中，英特爾是先進封裝領(lǐng)域資本開支最大的廠商，其主導(dǎo)的先進封裝技術(shù)為EMIB和Foveros，而EMIB和Foveros結(jié)合又誕生了Co-EMIB技術(shù)，該技術(shù)主要被應(yīng)用于英特爾旗下的PonteVecchioGPU。英特爾計劃為其FoverosDirect采用混合鍵合技術(shù)，并提高了資本開支。臺積電緊隨英特爾之后，2021年在先進封裝領(lǐng)域的資本開支達到30.5億美元。臺積電的CoWoS工藝平臺提供硅中介層或RDL的解決方案，衍生的LSI解決方案則對標EMIB的解決方案。此外，臺積電在通過InFO解決方案為UHDFO爭取更多業(yè)務(wù)的同時，也在為3DSoC定義新的系統(tǒng)級路線和技術(shù)。臺積電在積極主導(dǎo)下一代系統(tǒng)級封裝技術(shù)路線，并為此維持了較高的資本開支水平。三星擁有類似于臺積電CoWoS-S的I-Cube技術(shù)。三星同時也是3D堆棧內(nèi)存解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者之一，提供HBM和3DS的解決方案，其X-Cube預(yù)計也將使用混合鍵合技術(shù)。英特爾、臺積電、三星憑借晶圓廠在前道領(lǐng)域的優(yōu)勢，主導(dǎo)了先進封裝領(lǐng)域的技術(shù)路線。2021年日月光在先進封裝領(lǐng)域的資本開支約20億美元，僅次于英特爾、臺積電和三星。日月光也是唯一一個試圖和晶圓廠/IDM廠競爭先進封裝技術(shù)的OSAT廠商。日月光憑借其FoCoS產(chǎn)品，也是目前唯一具有UHDFO解決方案的OSAT廠商。但是就前端制造能力和財務(wù)能力而言，其他OSAT廠商在先進封裝領(lǐng)域并不具備和英特爾、臺積電、三星等晶圓大廠并駕齊驅(qū)的實力。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2022年包括英特爾、臺積電、三星等在內(nèi)的主要廠商在先進封裝領(lǐng)域的資本開支進一步上升至150多億美元。其中，英特爾的先進封裝資本開支進一步上升至47.5億美元，依然位居第一；臺積電的先進封裝資本開支上升至40億美元，位居第二；三星的先進封裝資本開支維持在20億美元的水平，位居第三；其他OSAT廠商也都紛紛上調(diào)其在先進封裝領(lǐng)域的資本開支。隨著業(yè)內(nèi)認識到先進封裝對于抵抗摩爾定律放緩的重要性，全球主要半導(dǎo)體廠商紛紛提高其在先進封裝領(lǐng)域的資本開支。我們預(yù)計隨著先進封裝在后摩爾時代扮演越來越重要的角色，先進封裝領(lǐng)域的資本開支也將維持在一個較高的水平。先進封裝推動產(chǎn)業(yè)革新，國產(chǎn)供應(yīng)鏈價值重塑先進封裝是前道工序的衍生先進封裝從產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)來看屬于封裝測試環(huán)節(jié)。先進封裝廠為客戶的晶圓裸片提供定制化的技術(shù)解決方案。先進封裝是前道工序的衍生。傳統(tǒng)的晶圓制造流程包括氧化、涂膠、光刻、刻蝕、離子注入、物理/化學氣相沉積、拋光、晶圓檢測、清洗等環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)的封測流程包括磨片/背面減薄、切割、貼片、銀漿固化、引線焊接、塑封、切筋成型、FT測試等環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)封裝側(cè)重于板級互聯(lián)，先進封裝側(cè)重于晶圓級互聯(lián)。先進封裝在晶圓上通過TSV和RDL分別實現(xiàn)縱向和橫向的互聯(lián)，而TSV和RDL則更類似于前道的晶圓制造工序，所以說先進封裝是前道工序的衍生。晶圓級封裝的常見工藝流程包括：PI光刻、濺射、PR光刻、電鍍、植球、磨片等。PI光刻是在Wafer表面涂覆PSPI光刻膠（PositivePhotoresist），進行紫外線曝光，再通過顯影和固化工藝，獲得所需的CD開口位置。濺射是通過物理氣相沉積原理，將高純度的金屬材料置于真空室，通過離子束、電子束或高能粒子束來撞擊金屬材料表面，使其發(fā)生濺射，從而產(chǎn)生大量微小的金屬顆粒，這些顆粒會沉積在晶圓表面上并形成金屬薄膜。PR光刻和PI光刻類似，區(qū)別在于曝光后無需固化，而是在電鍍后進行去膠操作。電鍍是在種子層UBM（UnderBumpMetal）上方涂覆一層導(dǎo)電漆，用于芯片與外部電路板之間的連接。然后，將晶圓浸入含有銅離子的電解液中，并將釬料作為陰極，使銅離子在釬料表面還原，形成一層均勻的銅層。電鍍完成后，顯影所預(yù)留的用于結(jié)構(gòu)成型的光刻膠仍然處在晶圓表面，故需要使用藥液噴淋的方式進行除膠。電鍍后可能會出現(xiàn)的多余UBM，通常需要使用腐蝕工藝去除。植球是在焊盤位置涂覆助焊劑，在其對應(yīng)位置放置錫球，利用Reflow將錫球焊接至焊盤位置。磨片是按照具體產(chǎn)品的工藝要求，將晶圓磨劃至需求厚度，然后將處理完成的晶圓經(jīng)過切割，分離成單獨的成品芯片。硅通孔TSV是一種能讓2.5D/3D封裝遵循摩爾定律演進的互連技術(shù)。TSV能實現(xiàn)芯片與芯片之間、芯片與晶圓之間、晶圓與晶圓之間完全穿孔的垂直電氣連接。這些垂直連接可用于互連多個芯片、存儲器、傳感器和其他模塊。硅通孔互連賦予了各種2.5D/3D封裝應(yīng)用和架構(gòu)芯片縱向維度的集成能力，以最低的能耗/性能指標提供極高的性能和功能，以打造更小更快更節(jié)能的設(shè)備。TSV技術(shù)是2.5D/3D封裝的關(guān)鍵技術(shù)。TSV技術(shù)的工藝流程包括晶圓的表面清洗、光刻膠圖案化、干法/濕法蝕刻溝槽、氣相沉積、通孔填充、化學機械拋光等多道關(guān)鍵工藝。TSV工藝涉及的設(shè)備包括晶圓減薄機、掩膜設(shè)備、涂膠機、激光打孔機、電鍍設(shè)備、濺射臺、光刻機、刻蝕機等。TSV工藝可以分為先通孔（Via-first）、中通孔（Via-middle）和后通孔（Via-last），中通孔目前是高級3DIC以及中介層堆棧的熱門選擇。晶圓廠、封測廠均對TSV技術(shù)有深度研究。臺積電、三星、英特爾等晶圓廠在前道制造環(huán)節(jié)經(jīng)驗豐富，對前道TSV技術(shù)熟能生巧，因而在2.5D/3D封裝技術(shù)上獨占鰲頭。半導(dǎo)體設(shè)備市場復(fù)蘇在即，國產(chǎn)供應(yīng)鏈持續(xù)發(fā)力全球半導(dǎo)體設(shè)備市場有望在2024年復(fù)蘇。根據(jù)SEMI發(fā)布的《2023年年中半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)測報告》，2023年全球前道半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模將達到764.3億美元，并在2024年增長至877.6億美元；2023年全球后道測試設(shè)備市場規(guī)模將達到63.9億美元，并在2024年增長至69.0億美元；2023年全球后道封裝設(shè)備市場規(guī)模將達到45.9億美元，并在2024年增長至53.4億美元。我們預(yù)計隨著半導(dǎo)體周期逐步從周期底部復(fù)蘇，各大廠商對封裝和測試的資本開支意愿有望回升。考慮到先進封裝在封裝和測試行業(yè)中的重要性日益凸顯，先進封裝設(shè)備在封裝和測試設(shè)備中的占比也有望進一步提升。國產(chǎn)先進封裝設(shè)備廠商持續(xù)迭代新產(chǎn)品。北方華創(chuàng)作為中國半導(dǎo)體設(shè)備龍頭廠商之一，在先進封裝領(lǐng)域亦有諸多布局。目前公司的UBM/RDL金屬沉積設(shè)備、TSV金屬沉積設(shè)備、TSV刻蝕設(shè)備、全新DESCUM設(shè)備已經(jīng)正式投放市場或已經(jīng)完成研發(fā)。芯源微作為中國半導(dǎo)體涂膠顯影設(shè)備龍頭廠商之一，在先進封裝領(lǐng)域亦有諸多布局。目前公司的單片濕法刻蝕設(shè)備、單片濕法去膠機、單片清洗機、涂膠顯影設(shè)備已經(jīng)正式投放市場。盛美上海作為中國半導(dǎo)體清洗設(shè)備龍頭廠商之一，在先進封裝電鍍設(shè)備和清洗設(shè)備領(lǐng)域亦有諸多布局。目前公司已經(jīng)成功開發(fā)先進封裝電鍍設(shè)備、3DTSV電鍍設(shè)備。多款設(shè)備也處于研發(fā)和量產(chǎn)前期。芯源微芯源微：涂膠顯影設(shè)備龍頭，先進封裝深度受益2002年，沈陽芯源微電子設(shè)備股份有限公司成立。公司主要從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品包括光刻工序涂膠顯影設(shè)備（涂膠/顯影機、噴膠機）和單片式濕法設(shè)備（清洗機、去膠機、濕法刻蝕機），可用于8/12英寸單晶圓處理（如集成電路制造前道晶圓加工及后道先進封裝環(huán)節(jié)）及6英寸及以下單晶圓處理（如化合物、MEMS、LED芯片制造等環(huán)節(jié)）。截至2023年三季報，芯源微第一大股東為沈陽先進制造技術(shù)產(chǎn)業(yè)有限公司，持股比例達到11.57%。公司實控人鄭廣文持有沈陽先進制造技術(shù)產(chǎn)業(yè)有限公司82.86%的股權(quán)。芯源微第二大股東為遼寧科發(fā)實業(yè)有限公司，持股比例達到10.48%。遼寧科發(fā)實業(yè)有限公司背后的股東為遼寧省國資委、遼寧省財政廳。芯源微第三大股東為沈陽中科天盛自動化技術(shù)有限公司，持股比例達到8.48%。沈陽中科天盛自動化技術(shù)有限公司背后股東為中國科學院沈陽自動化研究所。涂膠顯影設(shè)備是芯源微的的標桿產(chǎn)品，也是集成電路制造過程中不可或缺的關(guān)鍵處理設(shè)備。涂膠顯影設(shè)備主要與光刻機（芯片生產(chǎn)線上最龐大、最精密復(fù)雜、難度最大、價格最昂貴的設(shè)備）配合進行作業(yè)，通過機械手使晶圓在各系統(tǒng)間傳輸和處理，從而完成晶圓的光刻膠涂覆、固化、顯影、堅膜等工藝過程。作為光刻機的輸入（曝光前光刻膠涂覆）和輸出（曝光后圖形的顯影）設(shè)備，涂膠顯影機的性能不僅直接影響到細微曝光圖案的形成，其顯影工藝的圖形質(zhì)量和缺陷控制對后續(xù)諸多工藝（諸如蝕刻、離子注入等）中圖形轉(zhuǎn)移的結(jié)果也有著深刻的影響。目前公司在集成電路前道晶圓加工領(lǐng)域客戶包括中芯國際、長江存儲、華虹半導(dǎo)體等，在集成電路后道先進封裝領(lǐng)域客戶包括臺積電、華為、長電科技、通富微電、日月光等，在化合物、MEMS、LED等領(lǐng)域客戶包括三安集成、乾照光電、華燦光電等。2016~2022年，芯源微營業(yè)收入從1.48億元增長至13.85億元，CAGR達到45%；凈利潤從0.05億元增長至2.00億元，CAGR達到85%。芯源微經(jīng)營業(yè)績保持穩(wěn)健增長。2016~2022年，芯源微研發(fā)費用持續(xù)增長，研發(fā)費用率持續(xù)維持在相對高位。2022年，公司研發(fā)費用達到1.52億元，研發(fā)費用率達到11.0%。2016~2022年，芯源微涂膠顯影設(shè)備營業(yè)收入從1.41億元增長至7.57億元。2022年，芯源微前道涂膠顯影設(shè)備實現(xiàn)快速放量，其中Off-line、I-line、KrF機臺均實現(xiàn)批量銷售，浸沒式機臺已陸續(xù)獲得國內(nèi)多家知名廠商訂單，超高溫Barc機臺也成功實現(xiàn)了客戶導(dǎo)入。2022Q4，芯源微首臺浸沒式高產(chǎn)能涂膠顯影機在國內(nèi)某知名客戶處完成驗證，已順利實現(xiàn)驗收。浸沒式機臺的推出，標志著公司前道涂膠顯影設(shè)備已完成在晶圓加工環(huán)節(jié)28nm及以上工藝節(jié)點全覆蓋，并可持續(xù)向更高工藝等級迭代。目前國內(nèi)前道涂膠顯影設(shè)備市場仍然被日本東京電子高度壟斷，芯源微作為國內(nèi)唯一可以提供量產(chǎn)型前道涂膠顯影機的設(shè)備商，由于切入前道領(lǐng)域較晚，目前國內(nèi)市占率仍然較低。隨著公司產(chǎn)品的不斷成熟，同時疊加國際貿(mào)易的不確定性增強，國內(nèi)越來越多的晶圓廠正在加速公司前道涂膠顯影機的導(dǎo)入進程，公司前道涂膠顯影機國內(nèi)市場份額有望實現(xiàn)快速提升。2016~2022年，芯源微單片清洗設(shè)備營業(yè)收入從0.01億元增長至5.50億元。芯源微前道物理清洗機自2018年發(fā)布以來，憑借其高產(chǎn)能、高顆粒去除能力、高性價比等優(yōu)勢受到下游客戶的廣泛認可，產(chǎn)品發(fā)布后迅速打破國外壟斷，并確立了市場領(lǐng)先優(yōu)勢。目前已廣泛應(yīng)用于中芯國際、上海華力、青島芯恩、廣州粵芯、上海積塔、廈門士蘭等一線大廠，已成為國內(nèi)晶圓廠baseline產(chǎn)品。2022年芯源微前道物理清洗機實現(xiàn)批量銷售近百臺套。公司生產(chǎn)的前道物理清洗機SpinScrubber設(shè)備較為成熟。2022年公司清洗設(shè)備產(chǎn)品在高產(chǎn)能清洗架構(gòu)、顆粒去除能力等工藝上實現(xiàn)了進一步的提升，產(chǎn)品競爭力不斷增強，國內(nèi)市占率穩(wěn)步上升。2022年，芯源微后道先進封裝領(lǐng)域用涂膠顯影設(shè)備、單片式濕法設(shè)備實現(xiàn)批量銷售超百臺套，近年來已作為主流機型批量應(yīng)用于臺積電、長電科技、華天科技、通富微電、晶方科技、中芯紹興、中芯寧波等國內(nèi)一線大廠，已經(jīng)成為客戶端的主力量產(chǎn)設(shè)備。2022年，公司加深與盛合晶微、長電紹興、上海易卜等國內(nèi)新興封裝勢力的合作關(guān)系，成功批量導(dǎo)入各類設(shè)備。2022年，芯源微化合物、MEMS、LED等小尺寸領(lǐng)域用涂膠顯影設(shè)備、單片式濕法設(shè)備實現(xiàn)批量銷售超百臺套，近年來已作為主流機型批量應(yīng)用于三安集成、華燦光電、乾照光電、北京賽微、江西兆馳等國內(nèi)一線大廠，已經(jīng)成為客戶端的主力量產(chǎn)設(shè)備。公司作為國內(nèi)化合物龍頭三安集成的主力供應(yīng)商，在市場開拓中不斷延伸，進一步鞏固市場優(yōu)勢地位。盛美上海盛美上海：半導(dǎo)體清洗設(shè)備龍頭，電鍍設(shè)備助力先進封裝1998年，盛美上海正式成立上海公司。公司主要產(chǎn)品為半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備和先進封裝濕法設(shè)備等。公司連續(xù)多年被評為“中國半導(dǎo)體設(shè)備五強企業(yè)”，入選首批上海市科學技術(shù)委員會頒發(fā)的“上海市集成電路先進濕法工藝設(shè)備重點實驗室”。在第五屆中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟組織的“集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新獎”（簡稱“IC創(chuàng)新獎”）頒獎典禮中，公司前道銅互連電鍍設(shè)備榮獲第五屆“IC創(chuàng)新獎-成果產(chǎn)業(yè)化獎”。此外，盛美被評為上海市“專精特新”企業(yè)。ACMResearch是盛美上海的第一大股東，持股82.09%。上海集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司和上海浦東新興產(chǎn)業(yè)投資有限公司也是盛美上海的重要股東，分別持股1.06%和1.06%。2019~2022年，盛美上海營業(yè)收入從7.6億元增長至28.7億元，CAGR達到56%；凈利潤從1.35億元增長至6.73億元，CAGR達到70%。在國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代需求持續(xù)增長的趨勢下，盛美上海業(yè)績也實現(xiàn)穩(wěn)健增長。2019~2022年，盛美上海毛利率基本維持在40%以上，凈利率基本維持在15%以上，公司呈現(xiàn)出穩(wěn)健的盈利能力和較高的盈利質(zhì)量。在清洗設(shè)備領(lǐng)域，盛美上海產(chǎn)品包括SAPS兆聲波單片清洗設(shè)備、TEBO兆聲波單片清洗設(shè)備、高溫單片SPM設(shè)備、單片背面清洗設(shè)備、邊緣濕法刻蝕設(shè)備、前道刷洗設(shè)備、全自動槽式清洗設(shè)備等。全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場高度集中，尤其在單片清洗設(shè)備領(lǐng)域，DNS、TEL、LAM和SEMES四家公司合計市場占有率達到90%以上，其中DNS市場份額最高，市場占有率在35%以上。本土12英寸晶圓廠清洗設(shè)備主要來自DNS、盛美上海、LAM、TEL。目前，中國大陸能提供半導(dǎo)體清洗設(shè)備的企業(yè)較少，主要包括盛美上海、北方華創(chuàng)、芯源微、至純科技等。盛美上海2020年營業(yè)收入超過10億元，2021年營業(yè)收入超過16億元，位列全國集成電路設(shè)備企業(yè)前三。盛美上海具備了成為國際領(lǐng)先集成電路設(shè)備企業(yè)的基礎(chǔ)和潛力。在后道先進封裝設(shè)備領(lǐng)域，盛美上海產(chǎn)品包括先進封裝電鍍設(shè)備、涂膠設(shè)備、顯影設(shè)備、濕法刻蝕設(shè)備、濕法去膠設(shè)備、金屬剝離設(shè)備、無應(yīng)力拋光先進封裝平坦化設(shè)備等。盛美上海在半導(dǎo)體先進封裝領(lǐng)域進行差異化開發(fā)，解決了在更大電鍍液流量下實現(xiàn)平穩(wěn)電鍍的難題，2022年在高速電鍍錫銀方面也實現(xiàn)突破，在客戶端成功量產(chǎn)。采用獨創(chuàng)的第二陽極電場控制技術(shù)更好地控制晶圓平邊或缺口區(qū)域的膜厚均勻性控制，實現(xiàn)高電流密度條件下的電鍍，凸塊產(chǎn)品的各項指標均滿足客戶要求。在針對高密度封裝的電鍍領(lǐng)域可以實現(xiàn)2μm超細RDL線的電鍍以及包括銅、鎳、錫、銀和金在內(nèi)的各種金屬層電鍍。自主開發(fā)的橡膠環(huán)密封專利技術(shù)可以實現(xiàn)更好的密封效果。2022年進一步擴大市場規(guī)模并取得高端客戶的批量訂單。盛美上海的升級版8/12寸兼容的涂膠設(shè)備，用于晶圓級封裝領(lǐng)域的光刻膠和Polyimide涂布、軟烤及邊緣去除。涂膠腔內(nèi)采用了公司特有的全方位無死角自動清洗技術(shù)，可縮短設(shè)備維護時間。這款升級版涂膠設(shè)備對盛美原有的涂膠設(shè)備性能和外觀都進行了優(yōu)化升級，可實現(xiàn)熱板抽屜式抽出，方便維修及更換，并且能精確復(fù)位，有效保障工序運行。盛美上海的UltraCdv顯影設(shè)備可應(yīng)用于晶圓級封裝，是WLP光刻工藝中的步驟。設(shè)備可進行曝光后烘烤、顯影和堅膜等關(guān)鍵步驟。設(shè)備具備靈活的噴嘴掃描系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)精準的藥液控制，技術(shù)先進，使用便捷。盛美上海的濕法刻蝕設(shè)備使用化學藥液進行晶圓球下金屬層（UBM）的刻蝕工藝。該設(shè)備具備先進的噴嘴掃描系統(tǒng)，可提供行業(yè)領(lǐng)先的化學溫度控制、刻蝕均勻性，專注安全性，且藥液回收使用可減少成本。盛美上海的UltraCpr濕法去膠設(shè)備設(shè)計高效、控制精確，提升了安全性，提高了WLP產(chǎn)能。該設(shè)備將濕法槽式浸洗與單片晶圓清洗相結(jié)合，能夠在靈活控制清洗的同時，最大限度地提高效率，也可與公司專有的SAPS兆聲波清洗設(shè)備一同使用，以清除極厚或者極難去除的光刻膠涂層。盛美上海的濕法金屬剝離（MetalLiftoff）設(shè)備基于公司已有的濕法去膠設(shè)備平臺，將槽式去膠浸泡模塊與單片清洗腔體串聯(lián)起來依序使用，在去膠的同時進行金屬剝離。該設(shè)備可以在不同單片清洗腔中分別配置去膠功能和清洗功能，并通過優(yōu)化腔體結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)易拆卸、清洗與維護，以解決金屬剝離工藝中殘留物累積的問題。盛美上海拓展開發(fā)適用于先進封裝3D硅通孔及2.5D轉(zhuǎn)接板中金屬銅層平坦化工藝應(yīng)用，為了解決工藝成本高，晶圓翹曲大的難點，利用無應(yīng)力拋光的電化學拋光原理，相對比傳統(tǒng)化學機械平坦化CMP，沒有研磨液，拋光頭，和拋光墊，僅使用可循環(huán)使用的電化學拋光液；并且不受銅層是否經(jīng)過退火的影響，去除率穩(wěn)定；通過與CMP工藝整合，先采用無應(yīng)力拋光將晶圓銅膜減薄至小于0.5μm~0.2μm厚度，再退火處理，最后CMP工藝的解決方案，能夠有效解決CMP工藝存在的技術(shù)和成本瓶頸。賽騰股份賽騰股份：并購OPTIMA，半導(dǎo)體+消費電子兩翼齊飛2007年6月，賽騰股份在蘇州成立，主要從事自動化生產(chǎn)設(shè)備的研發(fā)、設(shè)計、銷售及技術(shù)服務(wù)，為客戶實現(xiàn)生產(chǎn)智能化提供系統(tǒng)解決方案，主要產(chǎn)品包括自動化組裝設(shè)備、自動化檢測設(shè)備及治具類產(chǎn)品。公司深耕消費電子領(lǐng)域，于2011年通過蘋果公司合格供應(yīng)商認證。此后，公司通過外延并購方式，形成“消費電子+半導(dǎo)體+新能源”協(xié)同發(fā)展格局：1）2017年，公司通過收購無錫昌鼎進入半導(dǎo)體封測領(lǐng)域、通過收購賽騰菱歐進入新能源汽車領(lǐng)域；2）2019年，公司通過收購OPTIMA，進入晶圓檢測領(lǐng)域。目前，公司產(chǎn)品主要運用于消費電子、半導(dǎo)體、新能源等行業(yè)，適用于智能手機、平板電腦、筆記本電腦、可穿戴設(shè)備、新能源零部件、鋰電池、8寸/12寸晶圓等。公司股權(quán)較為集中，創(chuàng)始人為實際控制人。截至2023年三季度末，公司的兩位創(chuàng)始人孫豐先生、曾慧女士分別持股21.23%，21.10%，