《電子工業(yè)工程術(shù)語標(biāo)準(zhǔn)》

1總則

1.0.1為規(guī)范電子工業(yè)工程建設(shè)術(shù)語及其定義，制定本標(biāo)準(zhǔn)。

1.0.2本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子元器件、電子專用材料、電子專用設(shè)備、電子

整機(jī)、廢棄電器電子產(chǎn)品等電子工業(yè)工程項(xiàng)目以及電池生產(chǎn)與處置、數(shù)據(jù)

中心等項(xiàng)目的立項(xiàng)、建設(shè)、改造、維修、拆除等工程項(xiàng)目全周期。

1.0.3電子工業(yè)工程建設(shè)術(shù)語，除應(yīng)符合本標(biāo)準(zhǔn)外，尚應(yīng)符合國家現(xiàn)行

有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。

I

2綜合性術(shù)語

2.0.1電子工業(yè)工程electronicindustrialproject

電子整機(jī)、電子元器件、電子材料及電子專用設(shè)備工程項(xiàng)目的統(tǒng)稱。

2.0.2微電子技術(shù)micro-electronicstechnology

微小型電子元器件的研制、生產(chǎn)以及實(shí)現(xiàn)預(yù)定電子系統(tǒng)功能的技術(shù)。

2.0.3核心生產(chǎn)區(qū)coreproductionarea

電子工廠的核心工藝生產(chǎn)區(qū)。

2.0.4輔助區(qū)auxiliaryarea

主要用于布置與生產(chǎn)相關(guān)的輔助工藝用房的功能區(qū)域。

2.0.5支持區(qū)supportarea

為核心生產(chǎn)區(qū)、輔助區(qū)提供動(dòng)力支持和安全保障的功能區(qū)域。

2.0.6黃光區(qū)yellowlightarea

采用偏黃色可見光照明的加工區(qū)域。

2

3電子元器件

3.0.1電子元件廠electroniccomponentfactory

生產(chǎn)將電阻器、電容器、電感器等電路單元獨(dú)立封裝，有兩個(gè)及以上

引線或金屬接點(diǎn)并具有特定功能的電子電路產(chǎn)品的工廠。

3.0.2電子電路electroniccircuit

在絕緣基材上由電子元器件組成，采用印制工藝形成的電氣電子連接

電路。

3.0.3印制電路板printedcircuitboard(PCB)

在絕緣基材上，按預(yù)定設(shè)計(jì)形成印制元件、印制線路或帶有兩者結(jié)合

導(dǎo)電圖形的印制電路成品板，也稱印制線路成品板，簡稱印制板。

3.0.4微電子機(jī)械系統(tǒng)microelectromechanicalsystem(MEMS)

集微型機(jī)構(gòu)、微型傳感器、微型執(zhí)行器以及信號(hào)處理控制電路、接口、

電源等于一體的機(jī)械裝置。

3.0.5電子器件廠electronicdevice

生產(chǎn)在真空、氣體或固體中利用和控制電子運(yùn)動(dòng)規(guī)律制成的器件的工

廠。

3.0.6電子真空器件electronicvacuumdevice

利用電子在真空或者氣體中與電磁場發(fā)生相互作用，將一種形式電磁

能量轉(zhuǎn)換為另一種形式電磁能量的器件。

3.0.7晶體管transistor

對(duì)信號(hào)有放大和開關(guān)等作用，有三個(gè)或四個(gè)電極的半導(dǎo)體器件。

3.0.8結(jié)型場效應(yīng)晶體管junction-gatefield-effecttransistor

(JFET)

由PN結(jié)柵極、源極和漏極構(gòu)成的具有放大功能的三端有源器件。

3.0.9雙極型晶體管bipolartransistor

3

由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成的以獲得電壓、電流或信號(hào)增益的晶體三極

管。

3.0.10金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管metaloxidesemiconductor

fieldeffecttransistor(MOSFET)

每個(gè)柵極和溝道之間的絕緣層是氧化物材料的一種絕緣柵場效應(yīng)晶

體管。

3.0.11分立器件discretedevice

獨(dú)立封裝并具有兩個(gè)或以上引線或金屬接點(diǎn)的三極管、二極管、傳感

器等電路單元，或產(chǎn)品。

3.0.12集成電路integratedcircuit

通過一系列特定的加工工藝，將晶體管、二極管等有源器件和電阻器、

電容器等無源元件，按照一定的電路互連，集成在半導(dǎo)體晶片上，構(gòu)成特

定功能的電路或系統(tǒng)。

3.0.13雙極集成電路bipolarintegratedcircuits

由NPN型或PNP型雙極型晶體管構(gòu)成的單片集成電路。

3.0.14M0S集成電路metaloxidesemiconductorintegrated

circuits(MOSIC)

以金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管為主構(gòu)成的集成電路。

3.0.15CMOS集成電路complementarymetaloxidesemiconductor

integratedcircuits

由以P型溝道的NMOS晶體管和以N型溝道的PMOS晶體管互補(bǔ)構(gòu)成的

集成電路。

3.0.16BiCMOS集成電路bipolarcomplementarymetaloxide

semiconductorintegratedcircuits

由雙極型門電路和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體門電路共同構(gòu)成的集成電

路。

4

3.0.17管芯pipecore

晶圓片上用劃線分隔開的單個(gè)相對(duì)完整的電路或器件單元。

3.0.18邏輯芯片logicchip

傳遞和處理離散信號(hào)，以二進(jìn)制為原理、實(shí)現(xiàn)數(shù)字信號(hào)邏輯運(yùn)算和操

作的電子器件。

3.0.19存儲(chǔ)芯片memorychip

利用電能方式存儲(chǔ)信息的電子器件。

3.0.20射頻芯片radiofrequencychip

將高頻率的無線電磁波信號(hào)與二進(jìn)制信號(hào)相互轉(zhuǎn)換的電子器件。

3.0.21無廠芯片設(shè)計(jì)公司fabless

自身沒有制造工廠的芯片設(shè)計(jì)公司。

3.0.22芯片代工廠founQy

接受芯片設(shè)計(jì)公司委托，專門從事半導(dǎo)體芯片制造的工廠，也稱晶

圓代工廠。

3.0.23垂直整合模式integrateddesignandmanufacturer(IDM)

涵蓋芯片設(shè)計(jì)、研發(fā)、芯片制造、封裝測試、應(yīng)用和銷售全過程的運(yùn)

營模式。

3.0.24顯示器件displaydevice

用于以視覺形式呈現(xiàn)信息的輸出設(shè)備。

3.0.25薄膜晶體管液晶顯示器件thinfilmtransistorsliquid

crystaldisplay(TFT-LCD)

使用薄膜晶體管作為控制像素開關(guān)，并采用有源矩陣直接驅(qū)動(dòng)像素方

式的液晶顯示器件。

3.0.26等離子體顯示器件plasmadisplaypanel(PDP)

利用氣體電離放電而發(fā)光的平板顯示器件。

5

3.0.27有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件organiclightemittingdiode

displaydevice(OLED)

通過正負(fù)載流子注入有機(jī)半導(dǎo)體薄膜后復(fù)合發(fā)光的多層薄膜全固體

發(fā)光顯示器件，又稱有機(jī)電致發(fā)光顯示器件。

3.0.28顯示模組displaymodule

將顯示面板(屏)、連接件、控制與驅(qū)動(dòng)等外圍電路、印制電路板、

背光源組件、結(jié)構(gòu)件等裝配在一起構(gòu)成的組件。

3.0.29光電子器件photoelectronicdevice

利用半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換效應(yīng)制成的各種功能器件。

3.0.30發(fā)光二極管lightemittingdiode(LED)

將電能轉(zhuǎn)化為可見光的固態(tài)半導(dǎo)體器件。

3.0.31有機(jī)發(fā)光二極管微顯示技術(shù)MicroOLEDtechnique

以單晶硅半導(dǎo)體為襯底，CMOS驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管，實(shí)現(xiàn)高分辨率和

微小尺寸的微型顯示技術(shù)。

3.0.32發(fā)光二極管微縮化和矩陣化技術(shù)MicroLEDtechnique

將發(fā)光二極管背光源進(jìn)行薄膜化、微小化、陣列化，實(shí)現(xiàn)每個(gè)像素單

獨(dú)定制，單獨(dú)驅(qū)動(dòng)發(fā)光的技術(shù)。

3.0.33電力電子器件PowerElectronicDevice

控制電力設(shè)備電能變換的大功率電子器件，又稱功率半導(dǎo)體器件。

3.0.34太陽能電池solarcell

通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。

3.0.35硅太陽能電池siliconsolarcell

以晶體硅為基體材料的太陽能電池，又稱晶硅電池，包括單晶硅太陽

能電池和多晶硅太陽能電池。

3.0.36非晶硅太陽能電池amorphoussiliconsolarcell

用非晶硅材料及其合金制造的太陽能電池，簡稱a-si太陽能電池。

6

3.0.37薄膜太陽能電池thinfilmsolarcell

在玻璃、塑料柔性襯底或其它非半導(dǎo)體材料襯底上沉積半導(dǎo)體薄膜材

料而制成的太陽能電池。

7

4電子專用材料

4.0.1電子專用材料廠specialelectronicmaterialfactory

生產(chǎn)用于電子元器件、組件及系統(tǒng)制備的專用電子功能材料、互聯(lián)與

封裝材料、工藝及輔助材料的工廠。

4.1半導(dǎo)體材料

4.1.1半導(dǎo)體材料semiconductormaterial

電阻率介于導(dǎo)體與絕緣體之間，范圍在1X1(F'Q?cm~lX10'Q?cm

的一類固體物質(zhì)。

4.1.2單晶硅monocrystallinesilicon

由大量結(jié)晶方向相同的單晶體組成的半導(dǎo)體材料。

4.1.3多晶硅polycrystalsemiconductormaterials

由大量結(jié)晶方向不相同的單晶體組成的半導(dǎo)體材料。

4.1.4非晶硅amorphoussilicon

熔融硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子以無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)形態(tài)排列成晶核，

這些晶核長成晶粒，晶粒再結(jié)晶成的物質(zhì)。

4.1.5硅片siliconwafer

用于半導(dǎo)體器件制造的硅基晶圓片。

4.1.6襯底substrate

用于半導(dǎo)體器件制造使用的片狀基底材料。

4.1.7硅基半導(dǎo)體材料silicon-basedmaterials

以硅材料為襯底，通過不同工藝過程生長的材料。

4.1.8碳基半導(dǎo)體材料carbon-basedmaterials

具有高載流子遷移率,高載流子濃度,高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性的碳基半

導(dǎo)體材料。

8

4.1.9硅外延片siliconepitaxialwafer

在高溫下通過氣相化學(xué)反應(yīng)，在拋光的單晶硅襯底上生長一層或多層

單晶硅薄膜的半導(dǎo)體材料。

4.1.10拋光片polishedwafer

在磨片基礎(chǔ)上，通過化學(xué)機(jī)械研磨的方式，進(jìn)一步獲得更光滑、更平

整的單晶硅襯底片。

4.2光電子材料

4.2.1光電子材料optoelectronicmaterialfactory

以光子、電子為載體，處理、存儲(chǔ)和傳遞信息的材料。

4.2.2光纖預(yù)制棒opticalfiber

徑向折射率分布符合拉制光纖要求的玻璃棒。

4.2.3光纖opticalfiber

通過不同的折射角度傳輸光信號(hào)的玻璃或塑料纖維。

4.2.4光纖器件opticalfiberdevice

以光纖為核心元件，對(duì)光波進(jìn)行轉(zhuǎn)換或傳輸?shù)幕纠w維光學(xué)無源器

件。

4.2.5光纜opticalfibercable

利用置于包覆護(hù)套中的一根或多根光纖作為傳輸媒質(zhì)并可以單獨(dú)或

成組使用的通信線纜組件。

4.2.6半導(dǎo)體照明材料semiconductorlightingmaterial

利用半導(dǎo)體芯片制作的發(fā)光材料。

4.2.7液晶材料liquidcrystalmaterial

在一定溫度范圍內(nèi)既具有晶體特有的雙折射性，又具有液體流動(dòng)性的

液晶物質(zhì)。

4.3磁性材料

4.3.1磁性材料magneticmaterial

9

具有鐵磁性或亞鐵磁性的物質(zhì)。

4.3.2硬磁材$4permanentmagneticmaterial

一經(jīng)磁化即能保持恒定磁性的材料，又稱永磁材料。

4.3.3軟磁材料softmagneticmaterial

具有低矯頑力和高磁導(dǎo)率的磁性材料。

4.3.4功能磁性材料functionalmagneticmaterials

在電、磁、聲、光、熱等方面具有特殊性質(zhì)，或表現(xiàn)出特殊功能的磁

性材料。

4.4電子陶瓷材料

4.4.1陶瓷材料ceramicmaterial

用天然或合成化合物經(jīng)過成形和高溫?zé)Y(jié)制成的無機(jī)非金屬材料。

4.4.2電子陶瓷electronicceramic

利用電、磁性質(zhì)且用于制造電子元件和器件的陶瓷材料。

4.5覆銅板及銅箔材料

4.5.1覆銅板coppercladlaminate(CCL)

將電子玻纖布或其它增強(qiáng)材料浸以樹脂，單面或雙面覆以銅箔并經(jīng)熱

壓而制成的板狀材料。

4.5.2銅箔copper

沉淀于電路板基底層上的金屬箔。

4.5.3覆箔板metalcladboard,metalfoilcladboard

覆以金屬箔的絕緣材料。

4.5.4黏結(jié)片bondingsheet

具有一定粘結(jié)性能的預(yù)浸材料或其他膠膜材料，也稱作粘結(jié)片。

4.6電子化工材料

4.6.1電子化工材料electronicschemicalmaterial

電子元器件、印刷線路板、電子整機(jī)等生產(chǎn)和包裝用的各種電子工業(yè)

10

專用化學(xué)品及材料，又稱電子化學(xué)品材料。

4.6.2光刻膠photoresist

利用光照反應(yīng)后不同的溶解度，將掩膜版圖形轉(zhuǎn)移至襯底上圖形的轉(zhuǎn)

移介質(zhì)，又稱為光致抗蝕劑。

4.6.3濕電子化學(xué)品wetelectronicchemicals

在微電子、光電子濕法工藝制程中使用的各種電子化工材料。

4.6.4電子封裝材料electronicpackagingmaterial

用于電子器件打包封裝的絕緣材料。

4.7其他電子材料

4.7.1電子玻璃electronicglass

用于制作具有光電、熱電、聲光、磁光等功能電子元器件的玻璃材料。

4.7.2平板顯示用玻璃基板glasssubstrateforflatpaneldisplay

(FPD)

平板顯示器所使用的平板玻璃。

4.7.3偏光片polarizer

將非偏振光轉(zhuǎn)化為偏振光的多層膜結(jié)構(gòu)的膜材料。

4.7.4氧化錮錫導(dǎo)電玻璃IndiumTinOxide(ITO)conductiveglass

利用磁控濺射方法在表面鍍一層氧化錮錫透明導(dǎo)電膜的玻璃基板。

4.7.5光刻掩膜板photomask

在光刻工藝中使用的一種表面具有遮光圖案的玻璃板。

4.7.6靶材targetmaterial

在適當(dāng)工藝條件下，通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系

統(tǒng)濺射在晶圓或基板上形成各種功能薄膜的濺射源。

4.7.7石英晶體quartzcrystal

具有壓電效應(yīng)及優(yōu)良的機(jī)械特性、電學(xué)特性和溫度特性的晶體材料。

4.7.8鋰離子電池材料Lithium-ionbatterymaterials

11

制造鋰離子電池所需的專用材料，主要包含正極材料、負(fù)極材料、隔

膜、電解液。

12

5電子專用設(shè)備

5.0.1電子專用設(shè)備廠electronicproductionequipmentfactory

生產(chǎn)專門用于材料制備、電子元器件加工、組合裝調(diào)、工藝環(huán)境保證、

工藝監(jiān)控和質(zhì)量保證設(shè)備的工廠。

5.0.2微電子生產(chǎn)設(shè)備micro-electronicsmanufacturingequipment

制作微電子元器件所需的生產(chǎn)設(shè)備及裝置。

5.0.3單晶爐crystalgrowingfurnace

采用高溫熔化方法，由原材料制備或提純單質(zhì)或化合物半導(dǎo)體單晶硅

錠的設(shè)備。

5.0.4切片機(jī)slicingmachine

將半導(dǎo)體硅錠等脆硬棒材切割成規(guī)定厚度片材的設(shè)備。

5.0.5研磨設(shè)備polishingequipment

用涂上或嵌入磨料的研具對(duì)工件表面進(jìn)行研磨的設(shè)備，又稱拋光設(shè)

備。

5.0.6減薄設(shè)備backgrindingequipment

用于減薄非金屬和金屬的硬脆性材料、精密零件的設(shè)備。

5.0.7清洗設(shè)備cleaningequipment

用于去除表面顆粒、金屬、有機(jī)物等雜質(zhì)，以及石英、塑料等附件器

皿污染物，達(dá)到工藝潔凈要求的裝置。

5.0.8外延設(shè)備epitaxyequipment

利用晶體界面二維結(jié)構(gòu)相似性成核原理，在單晶片上，沿著其原來的

結(jié)晶軸方向再生長一層晶格完整、且可以具有不同雜質(zhì)濃度和厚度單晶層

的設(shè)備。

5.0.9氧化爐oxidationfurnace

在高溫、氧（或水汽）氣氛條件下，襯底硅生長出二氧化硅薄膜的設(shè)

備。

13

5.0.10退火設(shè)備annealingequipment

將材料加熱到一定溫度后，再慢慢冷卻的熱處理設(shè)備。

5.0.11擴(kuò)散爐diffusion

實(shí)現(xiàn)雜質(zhì)原子或分子在高溫下由高濃度區(qū)向低濃度區(qū)移動(dòng)的設(shè)備。

5.0.12化學(xué)氣相沉積設(shè)備chemicalvaporbepositionequipment

將含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)在襯底表面上進(jìn)行

化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的設(shè)備。

5.0.13等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備plasmaenhancedchemical

vapordeposition(PECVD)equipment

利用等離子體的活性促進(jìn)反應(yīng)，在較低溫度下使氣態(tài)化合物在基片表

面反應(yīng)并積淀形成穩(wěn)定固體薄膜的反應(yīng)設(shè)備。

5.0.14低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備lowpressurechemicalvapor

deposition(LPCVD)equipment

在低壓條件下，用加熱的方式使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并積淀形

成穩(wěn)定固體薄膜的反應(yīng)設(shè)備。

5.0.15常壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備atmosphericpressurechemicalvapor

deposition(APCVD)equipment

在大氣壓條件下，使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并積淀形成穩(wěn)定固體

薄膜的反應(yīng)設(shè)備。

5.0.16金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積設(shè)備metal-organicchemical

vapordeposition(MOCVD)machine

利用有機(jī)金屬熱分解反應(yīng)進(jìn)行氣相外延生長金屬有機(jī)化合物半導(dǎo)體

的生長設(shè)備。

5.0.17物理氣相沉積設(shè)備physicalvapordepositionequipment

在真空條件下，采用物理方法，將固體或液體表面氣化成氣態(tài)原子、

分子或部分電離成離子，在基體表面沉積具有某種特殊功能薄膜的設(shè)備。

14

5.0.18真空濺射設(shè)備sputteringequipment

在真空中利用濺射方法制造薄膜的設(shè)備。

5.0.19真空鍍膜設(shè)備vacuumcoatingequipment

在真空中用蒸發(fā)等方法將蒸發(fā)材料沉積工件上，形成均勻牢固的薄膜

以完成鍍膜工藝的設(shè)備。

5.0.20涂膠設(shè)備coater

將液態(tài)光刻膠涂在硅片表面上的一種機(jī)械設(shè)備。

5.0.21光刻設(shè)備photoequipment

使用照相技術(shù)將電路或管芯的設(shè)計(jì)圖案由光刻掩膜板轉(zhuǎn)移到硅基或

玻璃基材料上的設(shè)備。

5.0.22顯影設(shè)備developingequipment

用化學(xué)顯影液溶解由曝光造成的光刻膠可溶解部分的設(shè)備。

5.0.23干法刻蝕設(shè)備dryetcher

用等離子氣體和薄膜進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，去除需要刻蝕掉的薄膜的設(shè)備。

5.0.24濕法刻蝕設(shè)備wetetcher

利用化學(xué)溶液和薄膜進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，去除需要刻蝕掉的薄膜的設(shè)備。

5.0.25離子注入設(shè)備ionimplantequipment

在真空系統(tǒng)中，用經(jīng)過加速的、要摻雜原子的離子照射(注入)固體材

料，在被注入的區(qū)域形成特殊的注入層，并改變這些區(qū)域硅的導(dǎo)電性的設(shè)備。

5.0.26化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備chemical-mechanicalpolishequipment

(CMP)

化學(xué)作用過程和機(jī)械作用過程交替進(jìn)行，工件表面材料與拋光液中的

氧化劑、催化劑等發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，使工件表面拋光的裝置。

5.0.27激光劃片機(jī)laserscribingmachine

利用高能激光束照射在工件表面，使被照射區(qū)域局部熔化、氣化、從

而實(shí)現(xiàn)劃片的設(shè)備。

15

5.0.28鍵合機(jī)wirebonding

用機(jī)械鋼嘴將金線一端加壓固定在芯片周圍的焊盤上，另一端加壓固

定在載板的金屬接腳上，使芯片上的焊區(qū)與載板上鍍有銀/金層的焊區(qū)相

連的設(shè)備。

5.0.29測試機(jī)tester

檢查電子元器件功能和性能要求的專用測試設(shè)備。

5.0.30分選機(jī)sorter

對(duì)晶圓進(jìn)行分選排序的設(shè)備。

5.0.31烘箱oven

用于表面干燥、高溫老化測試的設(shè)備。

5.0.32真空設(shè)備vacuumequipment

產(chǎn)生、改善和（或）維持真空環(huán)境的裝置。包括真空應(yīng)用設(shè)備和真空

獲得設(shè)備

5.0.33自動(dòng)除泡機(jī)automaticdefoamer

通過在罐體內(nèi)提高壓力和升高溫度，去除偏光片與LCD玻璃、IT0膜

與玻璃、觸摸屏偏光膜與保護(hù)膜之間貼合氣泡的設(shè)備。

5.0.34綁定設(shè)備bindingequipment

使柔性電路板與傳感器、顯示器以及指紋模組之間建立穩(wěn)定的機(jī)械和

電氣連接的生產(chǎn)設(shè)備。

5.0.35貼合設(shè)備laminatingequipment

根據(jù)偏振角度在成型的液晶玻璃基板的正反面上貼附偏光片的設(shè)備。

5.0.36模組封裝設(shè)備modulepackagingequipment

將各種顯示器件、連接件、控制與驅(qū)動(dòng)等外圍電路、電路板、背光源、

結(jié)構(gòu)件等裝配成組件的設(shè)備。

5.0.37絲網(wǎng)印刷機(jī)screenprintingmachinery

用絲網(wǎng)印版施印的機(jī)器。

16

5.0.38焊接機(jī)weldingmachine

運(yùn)用各種可熔的合金(焊錫)聯(lián)接金屬部件的設(shè)備。

5.0.39元件插接機(jī)componentconnector

將各種電子元件插接到電路板上的機(jī)器。

5.0.40回流焊爐reflowfurnace

通過加熱電路，將加熱到一定溫度的空氣或氮?dú)獯迪蛸N好元件的電路

板，使元件兩側(cè)的焊料融化后與主板粘結(jié)的設(shè)備。

5.0.41波峰焊機(jī)flowweldingmachine

利用電動(dòng)泵或電磁泵，將熔化的鉛錫合金軟釬焊料噴流成設(shè)計(jì)波峰焊

料的設(shè)備。

5.0.42表面貼裝設(shè)備surfacemountedtechnology(SMT)equipment

將表面貼裝電子元器件貼放到電路板規(guī)定位置上的專用工藝設(shè)備，又

稱SMT設(shè)備。

5.0.43拉絲塔drawingtower

可高速將光纖預(yù)制棒連續(xù)拉制成絲狀光纖的生產(chǎn)設(shè)備。

5.0.44光纖拉絲塔加熱爐furnaceforfiberdrawingtower

把預(yù)制棒下部尖端加熱到一定溫度，使棒的尖端處于熔融狀態(tài)，在重

力和拉絲塔下部拉絲盤的作用下拉制光纖的裝置。

5.0.45光纖拉絲塔冷卻裝置coolingunit

位于熔融光纖預(yù)制棒的熔爐下面，用于冷卻由光纖預(yù)制棒拉出的光纖

的裝置。

5.0.46光纖拉絲塔涂覆裝置coatingunit

拉絲過程中對(duì)裸光纖施加預(yù)涂覆層進(jìn)行保護(hù)的裝置。

5.0.47光纖拉絲塔控制裝置controlsystemoffiberdrawingtower

在光纖拉絲塔上，減小光纖纖芯直徑波動(dòng)造成的非固有散射損耗的控

制系統(tǒng)。

17

5.0.48在線測試儀incircuittester(ICT)

通過對(duì)電子元器件的電性能及電氣連接進(jìn)行在線測試，檢查生產(chǎn)制造

缺陷及電子元器件不良品的測試儀器。

5.0.49電子測量儀器electronicinstrumentation

用電子技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)被測對(duì)象(電子產(chǎn)品)的電參數(shù)定量檢測的裝置。

5.0.50掃描電子顯微鏡scanningelectronmicroscope(SEM)

用于微區(qū)形貌分析的高分辨率精密儀器。

5.0.51環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備environmentaltestequipment

為保證可靠性，根據(jù)電子元器件、電子設(shè)備的使用場合及運(yùn)輸條件等

設(shè)計(jì)制造的單項(xiàng)試驗(yàn)設(shè)備或綜合試驗(yàn)設(shè)備。

5.0.52振動(dòng)試驗(yàn)臺(tái)shaker

產(chǎn)生一定振動(dòng)的環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備。

5.0.53沖擊試驗(yàn)臺(tái)shocktestmachine

利用機(jī)械或氣動(dòng)、液壓等原理產(chǎn)生沖擊力，使試驗(yàn)臺(tái)臺(tái)面實(shí)現(xiàn)沖擊運(yùn)

動(dòng)，對(duì)試件進(jìn)行碰撞和沖擊試驗(yàn)的設(shè)備。

5.0.54運(yùn)輸試驗(yàn)臺(tái)trafficsimulator

對(duì)電子產(chǎn)品進(jìn)行鐵路、公路運(yùn)輸狀況模擬，檢查電子產(chǎn)品經(jīng)受運(yùn)輸能

力的試驗(yàn)設(shè)備。

5.0.55離心加速度試驗(yàn)機(jī)centrifugalaccelerationtestmachine

利用機(jī)械旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生離心力的方法獲得恒加速度，對(duì)試件進(jìn)行恒加速度

試驗(yàn)的設(shè)備。

5.0.56凈化設(shè)備equipmentforcleanroom

為維護(hù)潔凈室或潔凈環(huán)境潔凈條件而使用的、有完整功能的、可單獨(dú)

安裝的設(shè)備，又稱潔凈設(shè)備。

18

6電子整機(jī)及電池生產(chǎn)與處置

6.0.1電子整機(jī)廠electronicterminalproductfactory

生產(chǎn)以印制電路板組裝技術(shù)為基礎(chǔ)裝配具有獨(dú)立應(yīng)用功能的電子產(chǎn)

品或組件的工廠。

6.0.2電池廠Batteryfactory

生產(chǎn)采用密封式結(jié)構(gòu)將正極活性材料、負(fù)極活性材料、電介質(zhì)制成具

有一定公稱電壓和額定容量的化學(xué)電源的工廠。

6.0.3鋰離子電池Lithiumionbattery

鋰離子在正、負(fù)極之間反復(fù)進(jìn)行脫出和嵌入的二次電池。

6.0.4鋰電池lithiumcell

以鋰金屬為負(fù)極材料，使用非水電解質(zhì)溶液制成的電池。

6.0.5銀氫電池NiMHbattery

以儲(chǔ)氫合金為負(fù)極材料，氫氧化鍥為正極材料，含氫氧化鋰（LiOH）

的氫氧化鉀（K0H）水溶液為電解液制成的電池。（國民經(jīng)濟(jì)分類）

6.0.6鉛蓄電池Leadbattery

以鉛及氧化物為正負(fù)極材料，硫酸水溶液為電解液制成的電池。（國

民經(jīng)濟(jì)分類）

6.0.7鋅鎰電池Zincmanganesebattery

以二氧化鋅為正極，鋅為負(fù)極的原電池。

6.0.8廢棄電器電子產(chǎn)品wasteelectricalandelectronicequipment

不再使用且已經(jīng)丟棄或放棄的電器電子產(chǎn)品。

6.0.9電池處置batterydisposal

將廢舊電池去除其電池功能和原有形態(tài)，轉(zhuǎn)化為可進(jìn)一步回收、利用

的零部件或材料的過程。

19

7數(shù)據(jù)中心

7.0.1數(shù)據(jù)中心datacenter

為集中放置的電子信息設(shè)備提供運(yùn)行環(huán)境的建筑場所。

7.0.2基礎(chǔ)設(shè)施infrastructure

數(shù)據(jù)中心內(nèi)為電子信息設(shè)備提供運(yùn)行保障的設(shè)施。

7.0.3電子信息設(shè)備electronicinformationequipment

對(duì)電子信息進(jìn)行采集、加工、運(yùn)算、存儲(chǔ)、傳輸、檢索等處理的設(shè)備。

7.0.4主機(jī)房computerroom

數(shù)據(jù)處理設(shè)備安裝和運(yùn)行的建筑空間。

7.0.5行政管理區(qū)administrativearea

日常行政管理及客戶對(duì)托管設(shè)備管理的場所。

7.0.6災(zāi)備數(shù)據(jù)中心disasterrecoverydatacenter

災(zāi)難發(fā)生時(shí)一，可接替生產(chǎn)系統(tǒng)運(yùn)行、數(shù)據(jù)處理和支持關(guān)鍵業(yè)務(wù)功能繼

續(xù)運(yùn)作的場所。

7.0.7互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心internetdatacenter(IDO

擁有寬帶出口，并以外包出租的方式為用戶的服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等互

聯(lián)網(wǎng)相關(guān)設(shè)備提供放置、代理維護(hù)、系統(tǒng)配置及管理服務(wù)，或提供計(jì)算、

存儲(chǔ)、軟件等資源的出租、通信線路和出口帶寬的代理租用和其他應(yīng)用服

務(wù)的場所。

7.0.8超算中心supercomputercenter

在科學(xué)領(lǐng)域承擔(dān)各種大規(guī)?？茖W(xué)計(jì)算和工程計(jì)算任務(wù)，同時(shí)擁有強(qiáng)大

的數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)能力的數(shù)據(jù)中心。

7.0.9總控中心enterprisecommandcenter(ECO

為數(shù)據(jù)中心各系統(tǒng)提供集中監(jiān)控、指揮調(diào)度、技術(shù)支持和應(yīng)急演練的

平臺(tái)，又稱監(jiān)控中心。

20

7.0.10數(shù)據(jù)中心能源利用率datacenterpowerusage

effectiveness(PUE)

數(shù)據(jù)中心消耗的所有能源與信息設(shè)備負(fù)載消耗的能源的比值。

7.0.11水利用效率waterusageeffectiveness(WUE)

數(shù)據(jù)中心內(nèi)所有用水設(shè)備消耗的總水量與所有電子信息設(shè)備消耗的

總電能之比。

7.0.12云計(jì)算cloudcomputing

能夠讓用戶通過網(wǎng)絡(luò)按照需要使用資源池提供的可配置運(yùn)算資源的

服務(wù)模式。

7.0.13數(shù)據(jù)中心園區(qū)datacenterpark

在一定范圍的土地上規(guī)劃建設(shè)一棟或多棟數(shù)據(jù)中心建筑及配套設(shè)施,

形成主要以實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算、存儲(chǔ)和傳輸功能的園區(qū)。

7.0.14液冷技術(shù)liquidcoolingtechnology

通過液體消除電子設(shè)備熱量的技術(shù)。

7.0.15數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施管理系統(tǒng)datacenterinfrastructure

management(DCIM)

收集、處理數(shù)據(jù)中心的資產(chǎn)、資源以及各種設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)的數(shù)據(jù),

輔助數(shù)據(jù)中心運(yùn)行管理的系統(tǒng)。

7.0.16信息系統(tǒng)恢復(fù)時(shí)間目標(biāo)informationsystemsrecoverytime

objective(RTO)

信息系統(tǒng)或業(yè)務(wù)功能從停頓到必須恢復(fù)的時(shí)間要求。

7.0.17信息系統(tǒng)恢復(fù)點(diǎn)目標(biāo)informationsystemsrecoverypoint

objective(RPO)

系統(tǒng)和數(shù)據(jù)必須恢復(fù)到要求的時(shí)間點(diǎn)。

7.0.18數(shù)據(jù)中心可用性datacenteravailability

數(shù)據(jù)中心能夠正常運(yùn)行的概率或時(shí)間占有率的期望值。

21

8電子工業(yè)工程建設(shè)特種技術(shù)

8.1工藝技術(shù)與工藝設(shè)計(jì)

I整機(jī)生產(chǎn)工藝

8.1.1元器件老化篩選selectionofcomponentsbyagingmethod

給電子元器件施加熱的、電的、機(jī)械的或多種結(jié)合的外部應(yīng)力，模擬

惡劣的工作環(huán)境，使它們內(nèi)部的潛在缺陷加速暴露出來，然后進(jìn)行電氣參

數(shù)測量，篩選剔除那些失效或變性電子元器件的過程。

8.1.2裝聯(lián)準(zhǔn)備electronicsassemblingpreparation

裝配前先將用于組裝電子產(chǎn)品的各種元器件、零件和導(dǎo)線進(jìn)行預(yù)先加

工處理的工作，也稱生產(chǎn)準(zhǔn)備。

8.1.3印制電路板裝聯(lián)PCBassembling

在制作有金屬電路圖形的印制電路板上裝配和裝焊電子元器件的工

藝。

8.1.4裸芯片組裝barechipassembly

從已完工的晶圓上切下的芯片，不封裝成體，而直接組裝在印制電路

板上的工藝。

8.1.5表面組裝技術(shù)surfacemountedtechnology(SMT)

無需對(duì)印制板鉆插裝孔，直接在表面規(guī)定位置上貼焊電子元器件或部

件的電路裝聯(lián)技術(shù)，又稱表面安裝技術(shù)。

8.1.6印制板組件檢測testforPCB

為將印制板組件的貼(插)裝、焊接故障降到最小限度，使組件達(dá)到

特定標(biāo)準(zhǔn)要求的質(zhì)量和可靠性等級(jí)所進(jìn)行的檢測。

8.1.7整機(jī)裝配completemachineassembling

對(duì)整機(jī)進(jìn)行機(jī)械裝配、電氣連接和裝配后質(zhì)量檢驗(yàn)的過程。

8.1.8整機(jī)老化試驗(yàn)completemachineagingtest

22

針對(duì)整機(jī)產(chǎn)品仿真出高溫等惡劣環(huán)境，對(duì)其進(jìn)行穩(wěn)定性、可靠性老化

試驗(yàn)的過程。

8.1.9整機(jī)調(diào)試completemachinedebugging

按相應(yīng)的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)或指標(biāo)要求，將整機(jī)產(chǎn)品各項(xiàng)指標(biāo)調(diào)試到允許范圍

內(nèi)的過程。

8.1.10環(huán)境試驗(yàn)environmenttest

將產(chǎn)品暴露在自然的或人工環(huán)境條件下，評(píng)價(jià)產(chǎn)品在實(shí)際使用、運(yùn)輸

和貯存環(huán)境條件下的性能，并分析研究環(huán)境因素的影響程度及其作用機(jī)理

的試驗(yàn)。

8.1.11力學(xué)環(huán)境試驗(yàn)dynamicsenvironmenttest

在力學(xué)環(huán)境因素作用下，考核、評(píng)價(jià)產(chǎn)品的功能可靠性、結(jié)構(gòu)完好性

的試驗(yàn)。

8.1.12氣候環(huán)境試驗(yàn)climateenvironmentaltest

考核、評(píng)價(jià)產(chǎn)品在氣候環(huán)境因素作用下的性能、可靠性和安全性的試

驗(yàn)。

II電子元器件生產(chǎn)工藝

8.1.13晶圓生產(chǎn)waferfabrication

在硅基襯底上完成半導(dǎo)體器件制造的加工過程。

8.1.14硅片投入waferstart

硅片拆除外包裝后投入生產(chǎn)線的過程。

8.1.15硅片清洗waferclean

在不破壞硅片表面特性的前提下，使用不同的化學(xué)品藥液和純水進(jìn)行

清洗，去除半導(dǎo)體硅片表面的塵埃顆粒、有機(jī)物殘留薄膜和金屬離子的過

程。

8.1.16外延epitaxy

23

采取化學(xué)反應(yīng)晶體生長技術(shù)，在決定晶向的基質(zhì)襯底表面上生長有相

同晶格結(jié)構(gòu)的一薄層半導(dǎo)體材料的過程。

8.1.17硅氣相外延siliconvapor-phaseepitaxy(VPE)

利用四氯化硅、三氯氫硅、二氯二氫硅或硅烷等硅氣態(tài)化合物，在加

熱的硅襯底表面與氫反應(yīng)或自身發(fā)生熱分解還原成硅，并以單晶的形式沉

積在硅襯底表面的過程。

8.1.18分子束外延molecular—beamepitaxy(MBE)

聚焦的電子束源產(chǎn)生的電磁場蒸發(fā)得到的硅反應(yīng)原子，直接沉積在硅

襯底表面形成外延層的過程。

8.1.19氧化oxidation

氧分子或水分子在高溫下與硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并在硅片表面上生長一

層二氧化硅薄膜的過程。

8.1.20擴(kuò)散diffusion

雜質(zhì)原子或分子在高溫下由高濃度區(qū)向低濃度區(qū)的移動(dòng)過程。

8.1.21退火anneal

將晶圓加熱到一定溫度，然后冷卻以達(dá)到特定結(jié)果的過程。

8.1.22摻雜doping

將所需雜質(zhì)按要求的濃度和分布摻入到半導(dǎo)體材料中，以改變材料的

電學(xué)性質(zhì)的過程。

8.1.23化學(xué)氣相沉積chemicalvapordeposition(CVD)

一種或數(shù)種物質(zhì)的氣體以某種方式被激活后，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反

應(yīng)并沉積出所需固體薄膜的生長技術(shù)。

8.1.24等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積plasmaenhancedchemicalvapor

deposition(PECVD)

通過等離子體的活性促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)，使氣體反應(yīng)物質(zhì)生成固態(tài)物質(zhì)并

沉積在玻璃基板表面的薄膜沉積工藝技術(shù)。

24

8.1.25電化學(xué)沉積electrochemicaldeposition

在外電場作用下，電流通過電解質(zhì)溶液中正負(fù)離子的遷移，并在電極

上發(fā)生得失電子的氧化還原反應(yīng)而形成鍍層的技術(shù)。

8.1.26原子層沉積atomiclayerdeposition(ALD)

可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層地沉積在基底表面的方法。

8.1.27濺射sputtering

高能粒子撞擊高純度的靶材料，被撞擊出的原子穿過真空，最后沉積

到硅片或其他基片上的過程。

8.1.28鈍化passivation

為避免周圍環(huán)境氣氛和其他外界因素對(duì)器件性能產(chǎn)生影響而在器件

表面形成保護(hù)膜的過程。

8.1.29金屬化metallization

應(yīng)用化學(xué)或物理方法在芯片上沉積導(dǎo)電薄膜的過程。

8.1.30光刻photolithography

將電路或管芯的分次設(shè)計(jì)圖案由光刻掩膜板轉(zhuǎn)移到晶圓片表層的圖

像轉(zhuǎn)移技術(shù)。

8.1.31刻蝕etching

采用光化學(xué)、化學(xué)或物理學(xué)方法腐蝕或去除特定區(qū)域的介質(zhì)或金屬材

料的加工過程。

8.1.32濕法刻蝕wetetching

采用液態(tài)化學(xué)藥品進(jìn)行刻蝕的方法。

8.1.33干法刻蝕dryetching

采用氣態(tài)化學(xué)藥品進(jìn)行刻蝕的方法。

8.1.34離子注入ionimplant

25

將待摻雜的物質(zhì)電離，加速成高能量離子束入射到材料中，與材料中

的原子或分子發(fā)生一系列的物理、化學(xué)作用，從而優(yōu)化材料表面性能或獲

得某些新的優(yōu)異性能的過程。

8.1.35化學(xué)機(jī)械拋光chemical-mechanicalpolish(CMP)

化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨削同時(shí)進(jìn)行的拋光技術(shù)。

8.1.36化學(xué)機(jī)械平坦化chemicalmechanicalplanarization

用化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨相結(jié)合的方式除去硅片頂部多余的厚度，使硅

片表面平坦化的技術(shù)。

8.1.37晶圓測試wafertest

在晶圓全部制作完成后，針對(duì)晶圓上的芯片進(jìn)行電性能和功能測試的

過程，又稱中測。

8.1.38封裝packaging

為使芯片與外界環(huán)境隔絕、不受污染，且便于使用、焊接，將芯片固

定在外殼上并將芯片密封的過程。

8.1.39先進(jìn)封裝advancedpackaging

把半導(dǎo)體技術(shù)和表面組裝技術(shù)融為一體的封裝技術(shù)。

8.1.40晶圓級(jí)封裝waferlevelpackaging

直接在晶圓上進(jìn)行大多數(shù)或是全部的封裝和測試程序后，再進(jìn)行切割

制成單顆組件的過程。

8.1.41板級(jí)封裝boardlevelpackaging

直接在玻璃基板上進(jìn)行大多數(shù)或是全部的封裝和測試程序后，再進(jìn)行

切割制成單顆組件的過程。

8.1.42背面減薄backthinning

在電路制作完成后，磨去硅片背面非有源區(qū)的部分，減少多余厚度的

過程。

8.1.43劃片diesawing

26

利用切割刀或劃線剝離技術(shù)將晶圓分割成單個(gè)芯片的過程。

8.1.44貼片loading

將鏡檢好的單個(gè)芯片取出，通過合金焊料焊接固定在引線框架或其他

封裝基板上的過程，又稱芯片貼裝。

8.1.45鍵合bonding

將芯片焊區(qū)與電子封裝外殼的I/O引線或基板上的金屬布線焊區(qū)連接

的過程。

8.1.46塑封molding

將熔融的絕緣塑料或陶瓷材料注入不同的塑封模具的模腔內(nèi)，密封芯

片和部分引線框架或其他封裝基板的過程。

8.1.47去飛邊毛刺cleanupburrandflashing

去除封裝過程中溢出的塑封料樹脂、貼帶毛邊、引線毛刺的過程。

8.1.48電鍍plating

在半導(dǎo)體封裝引線框架表面鍍上一層薄而均勻、致密的保護(hù)性薄膜

（焊錫）的過程。

8.1.49打碼marking

在封裝模塊上注明商品名稱、制造商等信息和引腳標(biāo)識(shí)的過程。

8.1.50切筋和成型trimming&forming

將塑封后框架狀態(tài)制品分割成獨(dú)立的IC,并把不需要的連接用材料及

多余樹脂去除，將外引腳壓成各種預(yù)設(shè)形狀的過程。

8.1.51外觀檢查exterierinspection

快速識(shí)別晶圓或芯片的外觀缺陷的檢測方法。

8.1.52終測finaltest

對(duì)已制造完成的半導(dǎo)體器件進(jìn)行結(jié)構(gòu)及電氣性能測試的過程。

8.1.53陣列工藝arrayprocess

27

在玻璃基板上通過成膜、光刻、刻蝕等半導(dǎo)體工藝技術(shù)，制作有規(guī)則

排列的特定薄膜晶體管（開關(guān)器件）陣列，并形成數(shù)據(jù)線、存儲(chǔ)電容和信

號(hào)線的過程。

8.1.54清洗cleaning

清除吸附在玻璃基板表面上的各種有害雜質(zhì)或油污的工藝。

8.1.55干法清洗drycleaning

利用紫外線光清除基板表面有機(jī)污染物的清除方法。

8.1.56聚酰亞胺取向劑涂覆polyimidedirectioncoaterprocess

在薄膜晶體管液晶顯示器陣列玻璃基板和彩色濾光片玻璃基板上，通

過旋轉(zhuǎn)涂敷和印刷方式形成液晶取向?qū)拥倪^程，又稱PI涂覆。

8.1.57磨擦rubbingprocess

用摩擦輻上的絨毛對(duì)涂覆在兩片玻璃基板上的取向劑膜進(jìn)行表面摩

擦，形成具有一定方向溝槽的過程。

8.1.58封框膠涂覆sealmaterialcoatingprocess

制屏貼合前用絲網(wǎng)印刷技術(shù)或可滴涂方式，在玻璃基板上涂敷封框膠

的工藝過程。

8.1.59液晶滴入onedropfillingprocess（ODF）

在彩膜基板的封框膠內(nèi)，用多個(gè)針筒定量大密度地滴下液晶，利用液

晶的表面張力流延使顯示區(qū)內(nèi)充滿液晶的過程。

8.1.60成盒工藝cellprocess

將已制備好的薄膜晶體管液晶顯示器陣列玻璃基板和彩色濾光片玻

璃基板組裝到一起，并在兩塊玻璃基板之間充入液晶材料形成液晶盒

（屏），加上電場即可進(jìn)行圖像顯示的過程。

8.1.61彩膜工藝colorfilterprocess

在透明基板上依規(guī)則排列紅、綠、藍(lán)三基色圖形的過程。

8.1.62真空蒸鍍vacuumevaporation

28

在真空條件下，加熱蒸發(fā)鍍膜材料(或稱膜料)并使之氣化，使粒子

飛至基板表面凝聚成膜的工藝方法，簡稱蒸鍍。

8.1.63切割cuttingprocess

將集成在一片玻璃基板上的多個(gè)半成品液晶顯示面板，切割成獨(dú)立的

多個(gè)液晶顯示面板的工藝過程。

8.1.64模組工藝moduleprocess(LCM)

將金屬外框、面板(屏)、驅(qū)動(dòng)集成電路芯片、印制電路板、背光源

組件等組裝成完整的顯示器件單元的工藝過程。

8.1.65貼片前清洗panelcleaningprocess

偏光片貼附前，將液晶面板(屏)表面進(jìn)行清洗的過程。

8.1.66偏光片貼覆Polaroidattach

在薄膜晶體管液晶顯示屏前后玻璃基板表面分別粘貼偏光片的過程。

8.1.67顯示屏上芯片貼裝chiponglass(COG)

將驅(qū)動(dòng)集成電路芯片直接貼裝到顯示屏玻璃邊緣引線上的安裝方法。

8.1.68印制電路板上芯片貼裝chiponboard(COB)

芯片被綁定在印制電路板上，再與液晶顯示面板外引線連接的安裝方

式。

8.1.69老化agingprocess

在指定的條件下，電子元器件的性能隨時(shí)間變化后達(dá)到基本穩(wěn)定的過

程。

8.1.70絲網(wǎng)印制screenprinting

利用絲網(wǎng)鏤空版和印料，經(jīng)刮印得到圖形的方法，簡稱絲印法。

m電子材料生產(chǎn)工藝

半導(dǎo)體材料

8.1.71區(qū)熔法floatingzonefusion

29

通過加熱線圈在生長的晶體與多晶原料之間，不斷地將多晶熔化，并

使熔體按單晶的晶向不斷的冷卻生長，以得到所需晶體的方法。

8.1.72直拉法czochralskicrystalgrowth

將籽晶探入熔體中，不斷旋轉(zhuǎn)提拉籽晶，依靠熔區(qū)中的溫度梯度生長

單晶的方法。

8.1.73磁控直拉法magneticfieldczochralskimethod

在直拉法生長工藝基礎(chǔ)上，對(duì)蛆埸內(nèi)的熔體施加一強(qiáng)磁場，使熔體熱

對(duì)流受到抑制，用于生長低氧濃度的直拉硅單晶的方法。

8.1.74切片cutting

通過鑲鑄金剛砂磨料的刀片或鋼絲的高速旋轉(zhuǎn)、接觸、磨削作用，將

硅錠定向切割成為符合規(guī)格要求的硅片的過程。

8.1.75倒角grinding

對(duì)硅片邊緣進(jìn)行磨削的加工過程。

8.1.76磨片grinding

用磨片設(shè)備對(duì)基片兩面進(jìn)行機(jī)械研磨，去除切片損傷層。

8.1.78拋光polishing

利用拋光設(shè)備和磨料顆?；蚱渌麙伖饨橘|(zhì)對(duì)基片材料表面進(jìn)行的修

飾處理，獲得光亮似鏡的表面的加工過程。

8.1.79平整度roughness

基片材料表面上最高點(diǎn)與最低點(diǎn)的高度差，用總指示讀數(shù)表征。

8.1.80翹曲度warpageorwarp

基片材料中位面與中位面基準(zhǔn)平面之間的最大和最小距離的差值，用

于表述平面在空間中的彎曲程度。

玻璃基板

8.1.81熔融溢流法fusionoverflowprocess

30

在熔窯末端設(shè)有特制供料道，使熔融玻璃液從供料道進(jìn)入u形溢流槽,

當(dāng)溢流槽充滿時(shí)玻璃液便從溢流槽兩側(cè)自然外溢下流，在u形溢流槽的底

部匯合成一體形成玻璃帶，在重力作用下繼續(xù)下落，再經(jīng)機(jī)械下拉輻拉引

成超薄玻璃的方法。

8.1.82浮法floatsProcess

熔融的玻璃液從熔窯內(nèi)連續(xù)流出后，漂浮在充有保護(hù)氣體的金屬錫液

面上，形成厚度均勻、兩表面平行、平整的玻璃帶的玻璃成型方法。

8.1.83配料batching

將兩種及以上的不同成分的原料按照一定的成分配比混合均勻的過

程。

8.1.84熔化melting

通過燃料燃燒對(duì)配合料加熱使其熔融成玻璃液的過程。

8.1.85全氧燃燒fulloxygencombustion

理論上采用純氧氣助燃的燃燒方式。

8.1.86富氧燃燒oxygen-enrichedcombustion

采用含氧量大于20.93%的富氧空氣助燃的燃燒方式。

8.1.87電助熔electricboosting

在火焰窯的熔化池底或側(cè)部插入若干電極并向電極供電，交流電通過

電極在熔融玻璃液內(nèi)產(chǎn)生焦耳熱，以改善玻璃的熔制、澄清與對(duì)流的電輔

助加熱方法。

8.1.88成型forming

通過成型設(shè)備將玻璃由玻璃態(tài)物質(zhì)制成具有一定形狀、體積坯件的過

程。

8.1.89冷加工coldworking

玻璃成型后期的研磨、拋光等機(jī)械加工過程。

8.1.90研磨grinding

31

用研磨工具和研磨劑，從工件上研去一層極薄表面層的精加工方法。

陶瓷和磁性材料

8.1.91成型forming

陶瓷生產(chǎn)過程的一個(gè)重要步驟，將分散體系（粉料、塑性物料、漿料）

轉(zhuǎn)變成為具有一定幾何形狀和強(qiáng)度的塊體，也稱素坯?？煞譃楦煞ǔ尚秃?/p>

濕法成型兩種。

8.1.92燒結(jié)sintering

通過高溫處理，使胚體發(fā)生一系列物理化學(xué)變化，形成預(yù)期的礦物組

成和顯微結(jié)構(gòu)，從而達(dá)到固定外形并獲得所要求性能的工序。

8.1.93檢測testing

對(duì)陶瓷材料進(jìn)行的性能檢測，包括目測、樣品的密度、相對(duì)致密性、

表面氣孔率、燒結(jié)尺寸變化等。

8.1.94熔化fusion

在密閉、真空、充氮的條件下，通過高頻振蕩感應(yīng)加熱使?fàn)t料熔化形

成合金的過程。

8.1.95合金錠澆鑄castalloyingot

將熔化產(chǎn)生的合金熔液倒入水冷模中澆鑄，使合金液迅速凝固形成合

金錠的過程。

8.1.96真空速凝vacuumsetting

在密閉、真空、充氨的條件下，通過高頻振蕩感應(yīng)加熱使母合金錠進(jìn)

行二次高溫熔化成液體，將熔體噴射到高速轉(zhuǎn)動(dòng)的軋輻的表面，經(jīng)過極速

冷卻（真空速凝）形成非晶或微晶的合金晶片的過程。

8.1.97整形shaping

將真空速凝產(chǎn)生的合金晶片在充氨氣保護(hù)狀態(tài)下，通過機(jī)械振動(dòng)進(jìn)行

機(jī)械破碎，整形形成大小較均勻的合金晶片的過程。

8.1.98晶化crystallization

32

在充氨氣保護(hù)狀態(tài)下，將合金晶片在真空晶化爐中升溫進(jìn)行晶化處理

后，得到磁性材料產(chǎn)品的過程。

光纖

8.1.99套管法rodintube(RID)

將氣相沉積工藝制成的芯棒置入一根做光纖外包層的高純石英玻璃

管內(nèi)制造大預(yù)制棒的技術(shù)。

8.1.100等離子噴涂法plasmaspray

用高頻等離子焰，將石英粉末熔制于氣相沉積工藝得到的芯棒上制成

大預(yù)制棒的技術(shù)。

8.1.101溶膠-凝膠法sol-gel

采用溶膠-凝膠工藝制成合成石英管作為套管，再用套管法制成大預(yù)

制棒的方法；或采用溶膠一凝膠工藝制成合成石英粉末，再用高頻等離子

焰將合成石英粉末熔制于芯棒上制成大預(yù)制棒的方法。

8.1.102火焰水解法flamehydrolyzingprocess

將管外氣相沉積、軸向氣相沉積等火焰水解外沉積工藝在芯棒上進(jìn)行

應(yīng)用的方法。

8.1.103管外氣相沉積outsidevapourdeposition(OVD)

通過氫氧焰或甲烷焰中攜帶的四氯化硅等氣態(tài)鹵化物產(chǎn)生“粉末”，

一層一層沉積獲得芯玻璃的工藝。

8.1.104軸向氣相沉積vapouraxialdeposition(VAD)

化學(xué)反應(yīng)機(jī)理與管外氣相沉積工藝相同，但由下向上垂直軸向生長預(yù)

制棒的沉積工藝。

8.1.105改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積modifiedchemicalvapourdeposition

(MCVD)

以氫氧焰熱源發(fā)生在高純度石英玻璃管內(nèi)進(jìn)行的氣相沉積工藝。

33

8.1.106微波等離子化學(xué)氣相沉積microwaveplasmachemicalvapor

deposition(MPCVD)

微波激活使反應(yīng)氣體電離，帶電離子重新結(jié)合時(shí)釋放出的熱能熔化氣

態(tài)反應(yīng)物形成透明的石英玻璃沉積薄層的工藝。

8.1.107熔縮collapsing

沿管子方向往返移動(dòng)的石墨電阻爐將不斷旋轉(zhuǎn)的管子加熱到一定溫

度，在表面張力的作用下，分段將沉積好的石英管熔縮成預(yù)制棒的過程。

8.1.108拉絲drawing

將采用氣相沉積法和外包層技術(shù)結(jié)合制成的大光纖預(yù)制棒直徑縮小，

且保持芯包比和折射率分布恒定的操作過程。

8.1.109光纖著色coloringopticalfiber

為在光纖接續(xù)、成端、使用時(shí)能識(shí)別其纖序，光纖成纜前在一次涂覆

光纖上著色的過程。

8.1.110光纖并帶fiberribbon

光纖以全色譜或領(lǐng)示色譜排列，用丙烯酸樹脂固化集封成薄帶的工

藝。

8.1.111光纖二次被覆secondarycoating

選用高分子材料聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT),在合理的工藝條件下,

采用擠塑方法給光纖套上與光纖長度相等的松套管，同時(shí)在松套管中注入

觸變型纖膏的過程。

IV電池生產(chǎn)工藝