材料測(cè)試技術(shù)及方法-知到答案、智慧樹答案

材料測(cè)試技術(shù)及方法-知到答案、智慧樹答案第一章單元測(cè)試1、問題：衍射線在空間的方位僅取決于晶胞的形狀與大小，而與晶胞中的原子位置無關(guān)。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】2、問題：有一倒易矢量為g*=2a*+2b*+c*。選項(xiàng)：A:210B:220C:221答案:【221】3、問題：下列條件不屬于X射線發(fā)生衍射的必要條件。選項(xiàng)：A:厄瓦爾德圖解B:布拉格方程C:衍射矢量方程D:勞埃方程+約束性方程答案:【布拉格方程】4、問題：根據(jù)晶帶軸理論，同一晶帶的各晶面與晶帶軸的關(guān)系為。選項(xiàng)：A:垂直B:平行C:以60度相交D:角度不確定答案:【平行】5、問題：M層電子回遷到K層后，多余的能量放出的特征X射線稱。選項(xiàng)：A:KαB:KβC:KγD:Lα答案:【Kβ】6、問題：有一體心立方晶體的晶格常數(shù)是0.286nm，用鐵靶Kα（λKα=0.194nm）照射該晶體能產(chǎn)生（）衍射線。選項(xiàng)：A:3B:4C:5D:6答案:【4】7、問題：體心立方晶體（）晶面族的多重性因素是。選項(xiàng)：A:4B:8C:6D:12答案:【8】8、問題：利用XRD進(jìn)行分析，下列說法不正確的是。選項(xiàng)：A:利用謝樂公式計(jì)算晶粒大小時(shí)晶粒尺寸一般<100nmB:根據(jù)衍射峰的峰位進(jìn)行定性分析C:衍射峰的峰強(qiáng)只與材料中該樣品的含量有關(guān)D:θ越大，得到的點(diǎn)陣常數(shù)越精確答案:【衍射峰的峰強(qiáng)只與材料中該樣品的含量有關(guān)】9、問題：用CuKα輻射（λ=0.154nm）照射Ag（面心立方）求其點(diǎn)陣常數(shù)，測(cè)得第一衍射峰位置38°，下列說法正確的是。選項(xiàng)：A:根據(jù)消光條件，Ag的第一衍射峰為（）B:Ag的點(diǎn)陣常數(shù)為0.410nmC:根據(jù)條件可知，Ag的第一衍射峰對(duì)應(yīng)的θ為19°D:α=β=γ=90°答案:【根據(jù)消光條件，Ag的第一衍射峰為（）;Ag的點(diǎn)陣常數(shù)為0.410nm;根據(jù)條件可知，Ag的第一衍射峰對(duì)應(yīng)的θ為19°;α=β=γ=90°】10、問題：已知Ni對(duì)CuKα和CuKβ輻射的質(zhì)量吸收系數(shù)分別為49.03和290cm2/g，若將CuKα輻射的強(qiáng)度降低至入射時(shí)的70％需要使用多厚的Ni濾波片。選項(xiàng)：A:0.008mmB:0.008cmC:0.001mmD:0.001cm答案:【0.008mm】第二章單元測(cè)試1、問題：?jiǎn)尉а苌浠又兴邪唿c(diǎn)對(duì)應(yīng)的晶面屬于同一個(gè)晶帶。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】2、問題：SAED照片中多晶衍射環(huán)和粉末德拜衍射花樣一樣，隨著環(huán)直徑增大，衍射晶面指數(shù)也由低到高。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】3、問題：與X射線衍射相比，電子衍射束的強(qiáng)度較大，拍攝衍射花樣時(shí)間短。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】4、問題：電子衍射常作為透射電鏡的附件使用，請(qǐng)敘述觀察薄膜樣品的基本要求有（）。選項(xiàng)：A:在樣品制備過程中不允許表面產(chǎn)生氧化和腐蝕B:樣品相對(duì)于電子束必須有足夠的透明度C:薄膜樣品應(yīng)有一定強(qiáng)度和剛度，在制備、夾持和操作過程中不會(huì)引起變形和損壞D:薄膜樣品的組織結(jié)構(gòu)必須和大塊樣品相同，在制備過程中，組織結(jié)構(gòu)不變化答案:【在樣品制備過程中不允許表面產(chǎn)生氧化和腐蝕;樣品相對(duì)于電子束必須有足夠的透明度;薄膜樣品應(yīng)有一定強(qiáng)度和剛度，在制備、夾持和操作過程中不會(huì)引起變形和損壞;薄膜樣品的組織結(jié)構(gòu)必須和大塊樣品相同，在制備過程中，組織結(jié)構(gòu)不變化】5、問題：電子衍射分析只適用于材料表層或薄膜樣品的結(jié)構(gòu)分析。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】6、問題：計(jì)算晶面（）和（100）的晶帶軸指數(shù)？選項(xiàng)：A:[01-1]B:[0-1-2]C:[210]答案:【[01-1]】7、問題：有關(guān)電子衍射說法正確的是（）。選項(xiàng)：A:入射電子束、衍射電子束與產(chǎn)生衍射的晶面近乎平行。B:只適用于材料表層或薄膜樣品的結(jié)構(gòu)分析。C:只關(guān)心衍射斑點(diǎn)的位置,不關(guān)心強(qiáng)度。D:只能觀察薄膜樣品的結(jié)構(gòu)，不能與形貌觀察有機(jī)結(jié)合起來。答案:【入射電子束、衍射電子束與產(chǎn)生衍射的晶面近乎平行。;只適用于材料表層或薄膜樣品的結(jié)構(gòu)分析。;只關(guān)心衍射斑點(diǎn)的位置,不關(guān)心強(qiáng)度?！?、問題：電子衍射花樣中，任一衍射斑點(diǎn)到透射斑點(diǎn)的距離可以近似看作對(duì)應(yīng)倒易矢量的放大像，放到倍數(shù)為相機(jī)常數(shù)。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】9、問題：由于晶體的倒易點(diǎn)陣是三維點(diǎn)陣，如果電子束沿晶帶軸[uvw]的反向入射時(shí)，通過原點(diǎn)O的倒易平面只有一個(gè)，這個(gè)二維平面叫做零層倒易面。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】10、問題：電子衍射操作時(shí)采用薄晶樣品，可以使衍射晶面和透射電子顯微鏡入射電子束之間的夾角不精確符合布拉格條件仍能產(chǎn)生衍射。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】第三章單元測(cè)試1、問題：透射電子顯微鏡的成像信號(hào)來自于透射電子。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】2、問題：能譜儀通過接收元素的特征X射線進(jìn)行成分分析，因此可以利用其確定材料中氫元素和鋰元素的含量。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【錯(cuò)】3、問題：二次電子像的襯度是最典型的形貌襯度。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】4、問題：材料吸收電子和吸收光子不同，吸收電子時(shí)，入射電子停止運(yùn)動(dòng)，停留在材料內(nèi)部。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】5、問題：用背散射電子進(jìn)行形貌分析時(shí)，其分辨率遠(yuǎn)比二次電子像低。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】6、問題：用來顯示組織和細(xì)胞的內(nèi)部超微結(jié)構(gòu)像的電子為（）選項(xiàng)：A:彈性散射電子B:二次電子C:透射電子D:入射電子答案:【透射電子】7、問題：合金鋼薄膜中極小彌散顆粒（直徑遠(yuǎn)小于500nm）的物相鑒定，可以選擇（）。選項(xiàng)：A:透射電鏡B:X射線衍射線分析C:紫外可見吸收光譜D:差熱分析答案:【透射電鏡】8、問題：電子顯微鏡的分辨率要比光學(xué)顯微鏡的分辨率高，根本原因是（）。選項(xiàng)：A:電子束的穿透力比可見光強(qiáng)B:電子束可以聚焦成小到幾納米的束斑C:電子束很容易發(fā)生偏轉(zhuǎn)D:電子束的波長可以很小答案:【電子束的波長可以很小】9、問題：下列說法正確的是（）。選項(xiàng)：A:TEM，接收透射電子，觀察樣品的形貌、結(jié)構(gòu)、粒徑。B:SEM，可接收二次電子、背散射電子觀察形貌、成分。C:TEM要求樣品非常薄。SEM要求樣品具有良好導(dǎo)電性。D:EDS，可作為透射電鏡和掃描電鏡的附件使用，分析樣品的成分。答案:【TEM，接收透射電子，觀察樣品的形貌、結(jié)構(gòu)、粒徑。;SEM，可接收二次電子、背散射電子觀察形貌、成分。;TEM要求樣品非常薄。SEM要求樣品具有良好導(dǎo)電性。;EDS，可作為透射電鏡和掃描電鏡的附件使用，分析樣品的成分?！?0、問題：在觀察斷口形貌的同時(shí)，分析斷口上粒狀?yuàn)A雜物的化學(xué)成分，選擇什么儀器？選項(xiàng)：A:SEM（配有能譜分析）B:TEMC:XRDD:SAED答案:【SEM（配有能譜分析）】第四章單元測(cè)試1、問題：在紫外可見吸收光譜中，吸光物質(zhì)的性質(zhì)決定吸光物質(zhì)摩爾吸光系數(shù)。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】2、問題：振動(dòng)過程偶極距不發(fā)生變化，則不會(huì)產(chǎn)生紅外吸收峰，是非紅外活性的。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】3、問題：可用來區(qū)別化合物紫外吸收譜帶中的π→π*躍遷和n→π*躍遷的是。選項(xiàng)：A:最大吸收波長B:摩爾吸收系數(shù)C:半峰寬D:基線高度答案:【摩爾吸收系數(shù)】4、問題：雙光束分光光度計(jì)與單光束分光光度計(jì)相比，其突出優(yōu)點(diǎn)是（）。選項(xiàng)：A:可以采用快速響應(yīng)的檢測(cè)系統(tǒng)B:可以擴(kuò)大波長的應(yīng)用范圍C:可以抵消吸收池所帶來的誤差D:可以抵消因光源的變化而產(chǎn)生的誤差答案:【可以抵消因光源的變化而產(chǎn)生的誤差】5、問題：紫外光譜是帶狀光譜的原因是由于（）。選項(xiàng)：A:電子能級(jí)差大B:波長短C:電子能級(jí)躍遷的同時(shí)伴隨有振動(dòng)及轉(zhuǎn)動(dòng)能級(jí)躍遷的原因D:紫外光能量大答案:【電子能級(jí)躍遷的同時(shí)伴隨有振動(dòng)及轉(zhuǎn)動(dòng)能級(jí)躍遷的原因】6、問題：符合朗伯特-比耳定律的有色溶液稀釋時(shí)，其最大吸收峰的波長位置（）。選項(xiàng)：A:向短波方向移動(dòng)B:不移動(dòng)，且吸光度值升高C:向長波方向移動(dòng)D:不移動(dòng)，且吸光度值降低答案:【不移動(dòng)，且吸光度值降低】7、問題：紫外-可見光譜的產(chǎn)生是由外層價(jià)電子能級(jí)躍遷所致，其能級(jí)差的大小決定了（）。選項(xiàng)：A:吸收峰的形狀B:吸收峰的強(qiáng)度C:吸收峰的位置D:吸收峰的數(shù)目答案:【吸收峰的位置】8、問題：以下四種化合物，能同時(shí)產(chǎn)生B吸收帶、K吸收帶和R吸收帶的是（）選項(xiàng)：A:B:C:D:答案:【】9、問題：選項(xiàng)：A:環(huán)已烷B:氯仿C:水D:甲醇答案:【水】10、問題：1.0mmol/L的重鉻酸鉀溶液在450nm波長處的吸光度分別為0.200，已知吸收池厚度為1.0cm，求重鉻酸鉀在450nm處的摩爾吸光系數(shù)（）選項(xiàng)：A:200L/(mol·cm)B:50L/(mol·cm)C:200L/molD:50L/mol答案:【200L/(mol·cm)】第五章單元測(cè)試1、問題：形成氫鍵后O-H伸縮振動(dòng)吸收峰峰強(qiáng)不變，峰形變寬。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【錯(cuò)】2、問題：采用溴化鉀壓片法制樣時(shí)，一般在紅外燈下將樣品和溴化鉀在瑪瑙研缽中混勻。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】31、問題：某化合物在紫外光區(qū)204nm處有一弱吸收，在紅外光譜中有如下吸收峰：3300-2500cm-1（寬峰），710cm-1，則該化合物可能是（）。選項(xiàng)：A:醛B:烯烴C:酮D:羧酸答案:【羧酸】4、問題：H2S分子的基頻峰數(shù)有（）個(gè)。選項(xiàng)：A:4B:3C:2D:1答案:【3】5、問題：對(duì)以下3種分子式中C=C雙鍵的紅外吸收描述正確的是（）：(a)CH3-CH=CH2；(b)CH3-CH=CH-CH3(順式)；(c)CH3-CH=CH-CH3(反式)。選項(xiàng)：A:a最強(qiáng)B:b最強(qiáng)C:c最強(qiáng)D:強(qiáng)度相等答案:【a最強(qiáng)】6、問題：一含氧化合物的紅外光譜圖在3600～3200cm-1有吸收峰，下列化合物最可能的（)。選項(xiàng)：A:CH3-CO-CH3B:CH3-CHOC:CH3-CHOH-CH3D:CH3-O-CH2-CH3答案:【CH3-CHOH-CH3】7、問題：選項(xiàng)：A:（1）式和（2）式在～3300cm-1都有吸收，后者為雙峰B:（1）式和（2）式在～2200cm-1都有吸收C:（1）式在～2200cm-1有吸收D:（1）式在～3300cm-1有吸收而（2）式?jīng)]有答案:【（1）式在～2200cm-1有吸收】8、問題：H2O為非線性分子，具有3種振動(dòng)形式，具有紅外活性；CO2為線性分子，具有4種振動(dòng)形式，其中面內(nèi)彎曲振動(dòng)和面外彎曲振動(dòng)振動(dòng)對(duì)應(yīng)吸收峰重合。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案:【對(duì)】9、問題：下列說法正確的是（）。選項(xiàng)：A:C6H12的不飽和度為1，說明存在1個(gè)不飽和鍵，或者環(huán)B:C8H8O的不飽和度為5C:不飽和度為4，說明可能存在1個(gè)苯環(huán)。D:C10H13NO的不飽和度為4，存在苯環(huán)答案:【C6H12的不飽和度為1，說明存在1個(gè)不飽和鍵，或者環(huán);C8H8O的不飽和度為5;不飽和度為4，說明可能存在1個(gè)苯環(huán)?！?0、問題：若O-H鍵的力常數(shù)為5.0N/cm，則該鍵的振動(dòng)頻率是。選項(xiàng)：A:4.6*1013HzB:9.2*1013HzC:13.8*1013HzD:2.3*1013Hz答案:【9.2*1013Hz】第六章單元測(cè)試1、問題：熱分析技術(shù)不能測(cè)試的樣品是（）。選項(xiàng)：A:氣體B:固體C:液體D:薄膜答案:【氣體】2、問題：測(cè)試中，提高升溫速率會(huì)導(dǎo)致峰位置向（）方向遷移，峰形變尖銳，相鄰峰分辨率會(huì)（）。選項(xiàng)：A:高溫、提高B:低溫、降低C:低溫、提高D:高溫、降低答案:【高溫、降低】3、問題：下列熱分析技術(shù)中，（）是對(duì)樣品池及參比池分別加熱的測(cè)試方法。選項(xiàng)：B:TMAC:DSCD:TGA答案:【DSC】4、問題：有熱效應(yīng)時(shí)，曲線的（）重復(fù)性比較好。選項(xiàng)：A:峰值溫度TpB:終止溫度TfC:外推起始溫度D:起始溫度答案:【外推起始溫度】5、問題：以下關(guān)于TG曲線描述正確的是（）。選項(xiàng)：A:橫坐標(biāo)是溫度，縱坐標(biāo)是質(zhì)量分?jǐn)?shù)B:橫坐標(biāo)是升溫速率，縱坐標(biāo)是質(zhì)量百分比C:橫坐標(biāo)是升溫速率，縱坐標(biāo)是質(zhì)量D:其它選項(xiàng)都對(duì)答案:【橫坐標(biāo)是溫度，縱坐標(biāo)是質(zhì)量分?jǐn)?shù)】6、問題：下列哪些熱分析技術(shù)可以測(cè)定高聚物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度？（）選項(xiàng)：A:TGB:DSCD:DTG答案:【DSC;】7、問題：差熱分析中，參比物的要求是（）。選項(xiàng)：A:用1520攝氏度煅燒的高純氧化鋁粉B:在整個(gè)測(cè)溫范圍內(nèi)無熱效應(yīng)C:無任何要求D:比熱和導(dǎo)熱性能與試樣接近答案:【用1520攝氏度煅燒的高純氧化鋁粉;在整個(gè)測(cè)溫范圍內(nèi)無熱效應(yīng);比熱和導(dǎo)熱性能與試樣接近】8、問題：試樣的純度對(duì)DSC曲線影響較大，下列描述正確的是（）。選項(xiàng)：A:雜質(zhì)含量的增加會(huì)使峰型變寬B:雜質(zhì)含量的增加會(huì)使峰型變窄C:雜質(zhì)含量的增加會(huì)使轉(zhuǎn)變峰向低溫方向移動(dòng)高溫方向移動(dòng)D:雜質(zhì)含量的增加會(huì)使轉(zhuǎn)變峰向高溫方向移動(dòng)答案:【雜質(zhì)含量的增加會(huì)使峰型變寬;雜質(zhì)含量的增加會(huì)使