2023-2024學年福建省建甌市高一下冊第一次階段考試化學模擬試題（附答案）

2023-2024學年福建省建甌市高一下學期第一次階段考試化學模擬試題一．選擇題（共16題，只有一個選項符合題意，每題3分，共48分）1．下列有關放射性核素氚(eq\o\al(3,1)H)的表述不正確的是()A.eq\o\al(3,1)H原子核外電子數(shù)為1 B.eq\o\al(3,1)H原子核內中子數(shù)為3C.eq\o\al(3,1)H2與H2化學性質基本相同 D.eq\o\al(3,1)H2O具有放射性2．“龍芯”是我國具有獨立知識產(chǎn)權的產(chǎn)品。下列關于硅單質及其化合物的敘述正確的是（）A．陶瓷是人類應用最早的硅酸鹽材料 B．利用二氧化硅的半導體性能制成光電池C．硅的化學性質穩(wěn)定，不與任何物質反應 D．晶體硅是具有金屬光澤的灰黑色金屬3．下列敘述正確的是()A．兩種粒子，若核外電子排布完全相同，則其化學性質一定相同B．凡單原子形成的離子，一定具有稀有氣體元素原子的核外電子排布C．兩原子，如果核外電子排布相同，則一定屬于同種元素D．陰離子的核外電子排布一定與比它原子序數(shù)小的稀有氣體元素原子的核外電子排布相同4．某元素的陰離子Rn-，核外共有x個電子，原子的質量數(shù)為A，則該元素原子里的中子數(shù)為（）A.A－x－n B.A－x＋n C.A＋x－n D.A＋x＋n5．下列有關實驗的操作正確的是（）實驗操作A配制稀硫酸先將濃硫酸加入燒杯中，后倒入蒸餾水B分離I2的CCl4溶液與水層先從分液漏斗下口放出有機層，后從上口倒出水層C濃鹽酸與反應制備純凈氣體產(chǎn)物先通過濃硫酸，后通過飽和食鹽水D排水法收集分解產(chǎn)生的先熄滅酒精燈，后移出導管6．有5種微粒分別是eq\o\al(40,19)X、eq\o\al(40,18)Z、eq\o\al(40,19)Q＋、eq\o\al(40,20)R、eq\o\al(41,20)M，其中所含元素種類為()A．2種B．3種 C．4種D．5種7．下列有關說法正確的是（）A．包含元素種數(shù)最多的族是第ⅠA族B．原子的最外層有2個電子的元素一定是第ⅡA族元素C．第ⅠA族元素都是堿金屬元素，在化學反應中均易失去1個電子D．兩種短周期元素的原子序數(shù)相差8，則周期序數(shù)一定相差18．1934年約里奧·居里夫婦在核反應中用α粒子(即氦核eq\o\al(4,2)He)轟擊金屬原子eq\o\al(W,Z)X，得到核素eq\o\al(30,Z＋2)Y，開創(chuàng)了人造放射性核素的先河：eq\o\al(W,Z)X＋eq\o\al(4,2)He→eq\o\al(30,Z＋2)Y＋eq\o\al(1,0)n。其中元素X、Y的最外層電子數(shù)之和為8。下列敘述正確的是()A．eq\o\al(W,Z)X的相對原子質量為26 B．X與Y的簡單離子半徑大小Y>XC．X的原子半徑小于Y的 D．Y元素最高價的含氧酸為強酸9．下列有關說法正確的是（）A．元素的最高價氧化物對應水化物的酸性越強，非金屬性越強，堿性越強，金屬性越強B．元素的原子得電子越多，非金屬性越強，失電子越多，金屬性越強C．同周期元素，從左到右，原子半徑逐漸減小，離子半徑也逐漸減小D．第VIIA族元素的最高正價都為+710．甲、乙兩種非金屬元素：①甲的單質比乙的單質容易與氫氣化合②甲的單質能與乙的陰離子發(fā)生置換反應③甲的最高價氧化物對應水化物的酸性比乙的最高價氧化物對應水化物的酸性強④與某金屬反應時，甲元素原子得電子數(shù)目比乙的多⑤甲單質的熔、沸點比乙的低能說明甲比乙的非金屬性強的是()A．只有④B．只有⑤ C．①②③D．①②③④⑤11．下列硅元素及其化合物的有關說法正確的是()A．SiO2既能與NaOH溶液反應，又能與氫氟酸反應，故為兩性氧化物B．高溫下SiO2能與Na2CO3固體反應生成Na2SiO3和CO2，說明硅酸酸性強于碳酸C．因為玻璃中含有SiO2，所以不能用帶磨口玻璃塞的試劑瓶盛裝堿性溶液D．Si→SiO2→H2SiO3→SiO2→SiOeq\o\al(2－,3)均能一步轉化12．根據(jù)元素周期律，由下列事實進行歸納推測，推測不合理的是()選項事實推測ACaCO3和BaCO3都難溶于水SrCO3也難溶于水BSi是半導體材料，同族的Ge也是半導體材料第ⅣA族的元素的單質都可作半導體材料CHCl在1500℃時分解，HI在230℃時分解HBr的分解溫度介于二者之間DSi與H2高溫時反應，S與H2加熱能反應P與H2在高溫時能反應13．某元素的一種同位素X原子的質量數(shù)為A，它與2H原子組成2HmX分子，此分子含N個中子，在ag2HmX中所含電子的物質的量是()A.eq\f(a,A＋2m)(A－N＋m)mol B.eq\f(a,A＋m)(A－N)molC.eq\f(a,A＋m)(A－N＋m)mol D.eq\f(a,A＋2m)(A－N＋2m)molmnpq14．短周期元素m、n、p、q在元素周期表中的相對位置如圖所示，其中m的氣態(tài)氫化物與其最高價氧化物對應的水化物能反應。下列說法正確的是()A．非金屬性：m>nB．氫化物的穩(wěn)定性：n<pC．簡單陰離子半徑：p>qD．最高價氧化物對應水化物的酸性：p>q15．X、Y、Z均為短周期主族元素，它們原子的最外層電子數(shù)之和為10。X與Z同族，Y最外層電子數(shù)等于X次外層電子數(shù)，且Y原子半徑大于Z。下列敘述正確的是()A．熔點：X的氧化物比Y的氧化物高 B．熱穩(wěn)定性：X的氫化物大于Z的氫化物C．X與Z可形成離子化合物ZX D．Y的單質與Z的單質均能溶于濃硝酸16．如圖是部分短周期元素原子序數(shù)與主要化合價的關系圖，X、Y、Z、Q、W、R是其中的六種元素。下列說法不正確的是()A．離子半徑：Y＞XB．33號砷元素與Q同族C．最高價氧化物對應水化物的酸性：R＞W(wǎng)D．單質與水(或酸)反應的劇烈程度：Y＞Z二．非選擇題（共52分）17．(10分)現(xiàn)有下列9種微粒：eq\o\al(1,1)H、eq\o\ar(2,1)H、eq\o\ar(13,6)C、eq\o\ar(14,6)C、eq\o\ar(14,7)N、eq\o\ar(56,26)Fe2＋、eq\o\ar(56,26)Fe3＋、eq\o\ar(16,8)O2、eq\o\ar(16,8)O3。按要求完成以下各題：(1)eq\o\al(1,1)H、eq\o\al(2,1)H分別是氫元素的一種______________，它們互稱為______________。(2)互為同素異形體的微粒是__________________(2分)。(3)eq\o\al(56,26)Fe2＋的中子數(shù)為________，核外電子數(shù)為_____________。(4)上述9種微粒中有_____種核素，含有_____種元素，中子數(shù)相同的微粒有。(5)寫出eq\o\ar(14,6)C的一種用途：_________________________________________。18．(16分)隨原子序數(shù)的遞增，八種短周期元素（用字母表示）原子半徑的相對大小、最高正價或最低負價的變化如圖所示。根據(jù)判斷出的元素回答問題：（1）z在元素周期表的位置是________________________。（2）上述元素形成的簡單陰、陽離子中，離子半徑最大的是（用化學式表示，下同）；在上述元素中最高價氧化物對應的水化物中的酸性最強的是，呈兩性的是；g與h單質的氧化性最強的是。（3）e與f的最高價氧化物對應水化物反應的離子方程式為_____________________________。（4）d、e能形成原子個數(shù)比為1∶1的化合物，該化合物為（用化學式表示），0.1mol該化合物與足量水反應時轉移的電子數(shù)為。19.（14分）A、B、C、D、E四種元素，它們原子的核電荷數(shù)均小于18，且依次遞增，A原子核內僅有一個質子；B原子的電子總數(shù)與D原子的最外層電子數(shù)相等；A原子與B原子的最外層電子數(shù)之和與C原子的最外層電子數(shù)相等；D的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍；E的單質是用途最廣泛的半導體材料。試推斷它們各是什么元素并回答下列問題：(1)寫出下列元素符號：A________，C________，E________。(2)B、C、D的氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性由大到小的順序為_____________(用化學式表示)(3)畫出D的離子結構示意圖______________。(4)用一個化學方程式證明B、E的非金屬性的強弱____________________________________。(5)寫出E的最高價氧化物的一種用途：________________________。20.（12分）硅是帶來人類文明的重要元素之一，從傳統(tǒng)材料到信息材料的發(fā)展過程中創(chuàng)造了一個又一個奇跡。(1)分別向Na2SiO3溶液中加入下列物質，能生成不溶于NaOH溶液的白色沉淀的是________。①K②稀鹽酸③CaCl2溶液④KNO3溶液(2)胃舒平的主要成分是氫氧化鋁，同時含有三硅酸鎂(Mg2Si3O8·4H2O)等化合物。寫出三硅酸鎂的氧化物形式為_______________________________________。(3)為什么實驗室中盛放NaOH溶液的試劑瓶不能用玻璃塞（用離子方程式表示）：________________________________________________________。(4)當前制備高純硅的主要生產(chǎn)過程示意圖如下：eq\x(石英砂)eq\o(→,\s\up11(焦炭),\s\do4(高溫）eq\x(粗硅)eq\o(→,\s\up11(HCl),\s\do4(573K以上）eq\x(SiHCl3粗)eq\o(→,\s\up10(精餾）eq\x(SiHCl3純)eq\o(→,\s\up11(H2),\s\do4(1357K）eq\x(高純硅)①寫出制備粗硅的化學反應方程式：___________________________________________。②高純硅的用途：___________________________。（寫出一種）③整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。H2還原SiHCl3過程中若混有O2，可能引起的后果是___________________________________________________。答案1～5：BACBB6～10：BDBAC 11～16：CBDCBA17：(1)核素同位素(2)eq\o\ar(16,8)O2、eq\o\ar(16,8)O3(3)3024(4)55eq\o\ar(13,6)C、eq\o\ar(14,7)N(5)考古斷代18：（1）第2周期第VA族（2）S2－HClO4Al(OH)3Cl2（3）Al(OH)3+OH-==[Al(OH)4]-（4）Na2O26.02×1022或0.1NA1