(高清版)GBT 10067.417-2023 電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件 第417部分：碳化硅單晶生長裝置

電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件第417部分：碳化硅單晶生長裝置2023-05-23發(fā)布IGB/T10067.417—2023前言 V 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語和定義 14產(chǎn)品分類 24.1型號參數(shù) 24.2單晶爐形式、加熱方法及代號 24.3主要參數(shù) 35技術(shù)要求 35.1總體要求 35.2設計和制造的補充要求 45.3性能要求 65.4成套要求 76試驗方法 76.1一般要求 76.2壓升率的測量 76.3爐溫穩(wěn)定度的測量 76.4運動參數(shù)相對偏差的測量 86.5速度百分偏差的測量 86.6爬行量的測量 86.7同軸度的測量 86.8工業(yè)生長晶體試驗 87檢驗規(guī)則 97.1一般要求 97.2出廠檢驗項目 97.3型式檢驗項目 9 98.1一般要求 98.2其他要求 9訂購與供貨 9.1一般要求 9.2特殊要求 Ⅲ本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。本文件是GB/T10067《電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件》的第417部分。GB/T10067已經(jīng)發(fā)布了以下部分：——第1部分：通用部分；——第2部分：電弧加熱裝置；——第21部分：大型交流電弧爐；——第3部分：感應電熱裝置；——第31部分：中頻無心感應爐；——第32部分：電壓型變頻多臺中頻無心感應爐成套裝置；——第33部分：工頻無心感應熔銅爐；——第34部分：晶體管式高頻感應加熱裝置；——第35部分：中頻真空感應熔煉爐；——第36部分：感應透熱裝置；——第4部分：間接電阻爐；——第41部分：網(wǎng)帶式電阻加熱機組；——第42部分：推送式電阻加熱機組；——第43部分：強迫對流井式電阻爐；——第44部分：箱式電阻爐；——第45部分：真空淬火爐；——第46部分：罩式電阻爐；——第47部分：真空熱處理和釬焊爐；——第48部分：臺車式電阻爐；——第49部分：自然對流井式電阻爐；——第410部分：單晶爐；——第411部分：電熱浴爐；——第412部分：箱式淬火爐；——第413部分：實驗用電阻爐；——第414部分：工業(yè)寶石爐；——第415部分：鋁材退火爐；——第416部分：多晶硅鑄錠爐；——第417部分：碳化硅單晶生長裝置；——第5部分：高頻介質(zhì)加熱設備；——第8部分：電渣重熔爐。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任。本文件由中國電器工業(yè)協(xié)會提出。本文件由全國工業(yè)電熱設備標準化技術(shù)委員會(SAC/TC121)歸口。本文件起草單位：江蘇星特亮科技有限公司、西安電爐研究所有限公司、安徽瑞馳新能源有限公司、河南天利熱工裝備股份有限公司、廈門曉訊新能源科技有限公司、成都粵海金半導體材料有限公司、常州市樂萌壓力容器有限公司、河北同光半導體股份有限公司、張家港市中亞特種變壓器制造有限公司、西安慧金科技有限公司、株洲瑞德爾智能裝備有限公司、中山市合碩高品電器有限公司、廣東飛成新材料有限公司、西安福萊特熱處理有限公司。V電熱和電磁處理裝置是國民經(jīng)濟各工業(yè)部門的重要熱工藝裝備。該裝置主要按不同電加熱方式和電磁處理分類，也可按不同應用、不同工作頻率和不同工作氣氛等分類。為了保證該裝置的開發(fā)、生產(chǎn)、使用和銷售有序進行，促進其技術(shù)進步和產(chǎn)品質(zhì)量的提高，更好滿足熱工藝的要求，有必要制定該裝置的基本技術(shù)條件，這也為制定其安全和試驗方法標準提供了必要條件。在這方面，我國已建立了GB/T10067《電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件》系列標準，由通用部分及其補充和按上述分類的各專用部分組成。GB/T10067旨在規(guī)定電熱和電磁處理裝置的產(chǎn)品分類以及在設計、制造、安全、節(jié)能和環(huán)保、性能和成套等方面需要滿足的要求并且描述用于判定該要求是否得到滿足的證實方法，擬由以下39個部分構(gòu)成。——第1部分：通用部分。目的在于規(guī)定各類電熱和電磁處理裝置的通用技術(shù)要求。——第1101部分：真空電熱和電磁處理裝置的通用要求。目的在于規(guī)定真空電熱和電磁處理裝置的通用技術(shù)要求?！?部分：電弧加熱裝置。目的在于規(guī)定電弧加熱裝置的特殊技術(shù)要求?！?1部分：大型交流電弧爐。目的在于規(guī)定大型交流電弧爐的特殊技術(shù)要求。——第22部分：真空重熔電弧爐。目的在于規(guī)定真空重熔電弧爐的特殊技術(shù)要求?！?部分：感應電熱裝置。目的在于規(guī)定感應電熱裝置的特殊技術(shù)要求?！?1部分：中頻無心感應爐。目的在于規(guī)定中頻無心感應爐的特殊技術(shù)要求?！?2部分：電壓型變頻多臺中頻無心感應爐成套裝置。目的在于規(guī)定電壓型變頻多臺中頻無心感應爐成套裝置的特殊技術(shù)要求。——第33部分：工頻無心感應熔銅爐。目的在于規(guī)定工頻無心感應熔銅爐的特殊技術(shù)要求?！?4部分：晶體管式高頻感應加熱裝置。目的在于規(guī)定晶體管式高頻感應加熱裝置的特殊技術(shù)要求?！?5部分：中頻真空感應熔煉爐。目的在于規(guī)定中頻真空感應熔煉爐的特殊技術(shù)要求?！?6部分：感應透熱裝置。目的在于規(guī)定感應透熱裝置的特殊技術(shù)要求?！?7部分：超導直流感應透熱裝置。目的在于規(guī)定超導直流感應透熱裝置的特殊技術(shù)要求?！?部分：間接電阻爐。目的在于規(guī)定間接電阻爐的特殊技術(shù)要求?！?1部分：網(wǎng)帶式電阻加熱機組。目的在于規(guī)定網(wǎng)帶式電阻加熱機組的特殊技術(shù)要求。——第42部分：推送式電阻加熱機組。目的在于規(guī)定推送式電阻加熱機組的特殊技術(shù)要求?！?3部分：強迫對流井式電阻爐。目的在于規(guī)定強迫對流井式電阻爐的特殊技術(shù)要求?！?4部分：箱式電阻爐。目的在于規(guī)定箱式電阻爐的特殊技術(shù)要求?！?5部分：真空淬火爐。目的在于規(guī)定真空淬火爐的特殊技術(shù)要求?！?6部分：罩式電阻爐。目的在于規(guī)定罩式電阻爐的特殊技術(shù)要求?！?7部分：真空熱處理和釬焊爐。目的在于規(guī)定真空熱處理和釬焊爐的特殊技術(shù)要求?！?8部分：臺車式電阻爐。目的在于規(guī)定臺車式電阻爐的特殊技術(shù)要求?！?9部分：自然對流井式電阻爐。目的在于規(guī)定自然對流井式電阻爐的特殊技術(shù)要求?！?10部分：單晶爐。目的在于規(guī)定單晶爐的特殊技術(shù)要求。——第411——第412——第413部分：電熱浴爐。目的在于規(guī)定電熱浴爐的特殊技術(shù)要求。部分：箱式淬火爐。目的在于規(guī)定箱式淬火爐的特殊技術(shù)要求。部分：實驗用電阻爐。目的在于規(guī)定實驗用電阻爐的特殊技術(shù)要求。VI——第414部分：工業(yè)寶石爐。目的在于規(guī)定工業(yè)寶石爐的特殊技術(shù)要求?！?15部分：鋁材退火爐。目的在于規(guī)定鋁材退火爐的特殊技術(shù)要求?！?16部分：多晶硅鑄錠爐。目的在于規(guī)定多晶硅鑄錠爐的特殊技術(shù)要求?！?17部分：碳化硅單晶生長裝置。目的在于規(guī)定碳化硅單晶生長裝置的特殊技術(shù)要求?！?部分：高頻介質(zhì)加熱設備。目的在于規(guī)定電熱和電化學用等離子體設備的特殊技術(shù)要求?！?部分：工業(yè)微波加熱裝置。目的在于規(guī)定工業(yè)微波加熱裝置的特殊技術(shù)要求?！?部分：具有電子槍的電熱裝置。目的在于規(guī)定具有電子槍的電熱裝置的特殊技術(shù)要求。——第8部分：電渣重熔爐。目的在于規(guī)定電渣重熔爐的特殊技術(shù)要求。——第9部分：高頻介質(zhì)加熱設備。目的在于規(guī)定高頻介質(zhì)加熱設備的特殊技術(shù)要求?！?0部分：半熱系統(tǒng)。目的在于規(guī)定半熱系統(tǒng)的特殊技術(shù)要求?！?1部分：電磁處理裝置。目的在于規(guī)定電磁處理裝置的特殊技術(shù)要求?！?2部分：紅外電熱裝置。目的在于規(guī)定紅外電熱裝置的特殊技術(shù)要求。本文件和各專用部分根據(jù)通用部分制定，針對各類裝置的特點分別對通用部分的有關(guān)規(guī)定進行完善和補充。1電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件第417部分：碳化硅單晶生長裝置1范圍貯存以及訂購與供貨。本文件適用于在真空或保護氣氛下，采用間接電阻加熱生長碳化硅單晶的電熱裝置。采用高頻感應加熱的生長碳化硅單晶的裝置參照使用。本文件適用于物理氣相輸運法碳化硅單晶生長裝置，其他方法的碳化硅單晶生長裝置參照使用。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB150(所有部分)壓力容器GB/T2900.23—2008電工術(shù)語工業(yè)電熱裝置GB3095—2012環(huán)境空氣質(zhì)量標準GB/T5959.1—2019電熱和電磁處理裝置的安全第1部分：通用要求GB8978—1996污水綜合排放標準GB/T10066.1—2019電熱和電磁處理裝置的試驗方法第1部分：通用部分GB/T10066.4—2004電熱設備的試驗方法第4部分：間接電阻爐GB/T10067.1—2019電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件第1部分：通用部分GB/T10067.4—2005電熱裝置基本技術(shù)條件第4部分：間接電阻爐GB12348—2008工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標準GB16297—1996大氣污染物綜合排放標準JB/T9691—1999電熱設備產(chǎn)品型號編制方法3術(shù)語和定義GB/T2900.23—2008和GB/T10067.1—2019界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。在高真空狀態(tài)下或低正壓保護氣氛下，采用間接電阻加熱或高頻感應加熱，通過物理氣相輸運法生長碳化硅單晶的工業(yè)電熱設備。物理氣相輸運法physicalgastransportmethod固相原材料在高溫條件下升華再結(jié)晶生長晶體的方法。注：將固相原料放置在坩堝底部，籽晶放置在坩堝頂部，對原料進行加熱并控制籽晶溫度低于原料溫度一個適當2值，當加熱到一定溫度時原料就會顯著升華，分解的原料氣體會沿著溫度梯度輸運并在籽晶處凝聚，從而進行晶體生長。加熱器在真空(或氣氛)工作腔體外部，隔著工作腔體壁對坩堝進行加熱生長晶體的碳化硅單晶生長裝置。注：工作腔體壁一般為石英管結(jié)構(gòu)，包括單層石英管和雙層水冷石英管。加熱器在真空(或氣氛)工作腔體內(nèi)部，對坩堝直接加熱生長晶體的碳化硅單晶生長裝置注：工作腔體壁一般為雙層水冷不銹鋼焊接結(jié)構(gòu)。晶種用于生長單晶的，具有和所需晶體相同晶向的小晶體。加熱系統(tǒng)heatingsystem由爐殼、坩堝軸、坩堝組件、發(fā)熱器、保溫部件等組成的裝置重要部件，用以加熱固態(tài)原料并形成滿足晶體生長所需溫度和溫度梯度要求的溫度場。4產(chǎn)品分類4.1型號參數(shù)碳化硅單晶生長裝置的型號參數(shù)見圖1,應符合JB/T9691—1999的規(guī)定。T—工作室內(nèi)徑，單位為厘米(cm)一結(jié)構(gòu)形式—碳化硅示例：TLW-30指工作室內(nèi)徑為30cm,采用感應加熱的外熱式的碳化硅單晶爐。圖1碳化硅單晶生長裝置型號參數(shù)4.2單晶爐形式、加熱方法及代號常用的碳化硅單晶生長裝置結(jié)構(gòu)形式、加熱方法及代號見表1。3表1單晶爐形式、加熱方法及代號分類名稱代號產(chǎn)品名稱舉例加熱方式感應加熱L電阻加熱R結(jié)構(gòu)形式外熱式W內(nèi)熱式N4.3主要參數(shù)在具體產(chǎn)品標準中碳化硅單晶生長裝置主要參數(shù)有：a)電源電壓，單位為伏(V);b)電源頻率，單位為赫茲(Hz);c)相數(shù)；d)額定功率，單位為千瓦(kW);e)加熱方式；f)加熱頻率，單位為赫茲(Hz);g)最大晶體直徑，單位為毫米(mm);h)最高加熱溫度，單位為攝氏度(℃);i)溫度控制精度，單位為攝氏度(℃);j)工作室尺寸，單位為毫米(mm);k)加熱線圈升降距離，單位為毫米(mm);1)加熱線圈升降速度范圍，單位為毫米每小時(mm/h);m)坩堝軸升降距離，單位為毫米(mm);n)坩堝軸升降速度范圍，單位為毫米每小時(mm/h);o)坩堝軸轉(zhuǎn)速范圍，單位為轉(zhuǎn)每分(r/min);p)爐蓋開啟距離，單位為毫米(mm);q)爐底開啟距離，單位為毫米(mm);r)極限真空度，單位為帕(Pa);s)壓升率，單位為帕每小時(Pa/h);t)空爐抽空時間，單位為小時(h);u)冷卻水耗量，單位為立方米每小時(m3/h);v)主機質(zhì)量，單位為千克(kg);w)主機外形尺寸，單位為毫米(mm)。5技術(shù)要求5.1總體要求碳化硅單晶生長裝置的技術(shù)要求應符合GB/T10067.1—2019的規(guī)定，碳化硅單晶生長裝置的安全要求應符合GB/T5959.1—2019的規(guī)定。45.2設計和制造的補充要求碳化硅單晶生長裝置主要由主機(包括機架、爐體、加熱線圈升降系統(tǒng)、坩堝運動系統(tǒng)等)、抽氣系碳化硅單晶生長裝置所有處于爐室內(nèi)的材料應適應設計規(guī)定的氣氛、真空度、溫度，以及相關(guān)產(chǎn)品對材質(zhì)的要求，并在該環(huán)境下保持穩(wěn)定的成分和性能。內(nèi)熱式碳化硅單晶生長裝置爐體一般采用不銹鋼焊接雙層水冷結(jié)構(gòu)。爐底、筒體、爐門、爐蓋的設計和制造應符合GB150(所有部分)的規(guī)定。內(nèi)表面應光潔平滑。外熱式碳化硅單晶生長裝置爐體主要采用高品質(zhì)單層石英管或雙層水冷石英管結(jié)構(gòu)。兩端聯(lián)接的爐底、過渡腔體、爐蓋主要采用不銹鋼焊接雙層水冷結(jié)構(gòu)，其設計和制造應符合GB150(所有部分)的規(guī)定。5.2.4加熱線圈升降系統(tǒng)感應加熱式碳化硅單晶生長裝置根據(jù)長晶工藝的需要配置加熱線圈升降系統(tǒng)，控制加熱線圈與坩堝組件的相對位置和運動速度，實現(xiàn)晶體生長的溫度梯度的形成和晶體的生長。碳化硅單晶生長裝置的加熱系統(tǒng)應滿足高溫煅燒、原料合成、晶體生長、保溫退火等階段的工藝常用的加熱方式有電阻式(R)和感應式(L)。碳化硅單晶生長裝置加熱元件的引出部分應確保人身安全、真空密封和正常工作。輸出電壓、電流、功率應在工藝要求的最低值至額定值范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。輸出電壓、電流、功率的穩(wěn)定度不大于0.5%,調(diào)節(jié)分辨率應不大于1‰。碳化硅單晶生長裝置的保溫系統(tǒng)主要由隔熱材料組成，常用隔熱材料為高純石墨軟氈和高純固化碳氈。保溫系統(tǒng)應確保能量充分利用、溫度梯度穩(wěn)定和爐室正常工作。碳化硅單晶生長裝置不同加熱方法的工作電壓應在企業(yè)產(chǎn)品標準中規(guī)定。在工作電壓范圍內(nèi)和正常工作條件下，爐內(nèi)應不產(chǎn)生火花放電。碳化硅單晶生長裝置水冷系統(tǒng)應能使爐底、爐筒、爐蓋(爐門)、金屬法蘭的表面溫升不超過5.3.5的規(guī)定，同時在水壓不足或壓力過高時應有指示或報警信號。對水冷系統(tǒng)水質(zhì)的要求：5b)氯離子濃度應不大于10mg/L;c)碳酸鈣濃度應不大于50mg/L(不加入化學試劑);d)懸浮物應不大于10mg/L;e)電導率應不大于10us/cm。碳化硅單晶生長裝置的真空系統(tǒng)由真空泵組(機械泵、擴散泵或分子泵等)、管道、閥門、冷阱、控制系統(tǒng)、真空計等組成。系統(tǒng)中應裝有自動閥門，以便在發(fā)生停電事故時自動關(guān)閉，防止空氣和真空泵油進入爐內(nèi)。碳化硅單晶生長裝置的充氣系統(tǒng)通常是由氣體流量控制單元來實現(xiàn)。在碳化硅單晶生長裝置產(chǎn)品標準中可具體規(guī)定不同的充氣壓力數(shù)值，并設置快速充氣控制系統(tǒng)。碳化硅單晶生長裝置及零部件生產(chǎn)過程中的環(huán)境空氣污染應符合GB3095—2012和GB16297—碳化硅單晶生長裝置及零部件生產(chǎn)過程中的污水排放應符合GB8978—1996的規(guī)定。碳化硅單晶生長裝置生產(chǎn)、配套零部件和使用過程中的噪聲應符合GB12348—2008的規(guī)定。碳化硅單晶生長裝置的測量、控制和記錄應符合5.2.14.2的規(guī)定以及GB/T10067.4—2005中5.2.9除5.2.9.6以外的各項規(guī)定。碳化硅單晶生長裝置應配備專門的控制柜，用來安裝儀器、儀表和控制元件等?？刂葡到y(tǒng)應配備速度控制單元、溫度控制單元、氣體控制單元、冷卻水溫度顯示、報警、運行狀態(tài)報警裝置和繼電控制單元等。碳化硅單晶生長裝置的溫度控制系統(tǒng)主要由測溫傳感器、信號處理器、控制儀器等組成，實現(xiàn)對工藝溫度的閉環(huán)控制。碳化硅單晶生長裝置應具備功率控制功能，通過控制加熱功率實現(xiàn)爐溫的控制。對溫度控制如有不同要求可在產(chǎn)品購銷合同中提出。碳化硅單晶生長裝置溫度測量系統(tǒng)通常由測溫傳感器、瞄準聚焦系統(tǒng)、信號處理、信號傳輸?shù)冉M6成，由于碳化硅單晶生長裝置工作溫度高(長期工作在2000℃以上),因此常用非接觸式紅外測溫儀進行溫度測量。碳化硅單晶生長裝置應配備真空測量儀，用來測量1×10?Pa～5×10-5Pa之間的真空度。碳化硅單晶生長裝置應配備壓力表，顯示碳化硅單晶生長裝置內(nèi)部壓力。碳化硅單晶生長裝置應設置超壓報警、自動泄壓系統(tǒng)、防爆機構(gòu)進行保護。碳化硅單晶生長裝置應采用自動控制系統(tǒng)。產(chǎn)品的主要技術(shù)功能(速度控制、溫度控制、壓力控制、氣體流量控制、功率控制等)應完善可靠。整個晶體生長過程可為用戶提供使用方便、友好的人機交互界面，實現(xiàn)晶體生長過程自動化控制。碳化硅單晶生長裝置應具備非正常工作條件報警，包括失電保護、爐壓報警、水壓水溫報警等，碳化硅單晶生長裝置的加熱線圈、基座軸應具有超程報警和保護裝置。5.3性能要求碳化硅單晶生長裝置的性能應符合5.3.2～5.3.10的規(guī)定以及GB/T10067.1—2019中5.5的碳化硅單晶生長裝置的工作真空度應以具體晶體生長的工藝條件而定，并在具體產(chǎn)品標準中規(guī)定。5.3.3空爐抽氣時間碳化硅單晶生長裝置應能在60min內(nèi)抽氣到裝置所要求的工作真空度。碳化硅單晶生長裝置的壓升率應不超過1Pa/h。5.3.5最高表面溫度碳化硅單晶生長裝置爐體的最高表面溫度應不超過55℃。碳化硅單晶生長裝置的爐溫穩(wěn)定度應不超過±0.5℃。5.3.7運動參數(shù)相對偏差和速度百分偏差碳化硅單晶生長裝置在其速度控制系統(tǒng)的調(diào)速范圍內(nèi)，各項運動參數(shù)的實際測量值與指示計的指7示值(或顯示值)的相對偏差應不大于±5%;各項運動參數(shù)的速度百分偏差應不大于2%;各運動機構(gòu)運轉(zhuǎn)應工作靈活，在正常晶體生長工藝條件下應無明顯振動。5.3.8同軸度及徑向圓跳動碳化硅單晶生長裝置的基座軸與加熱器的同軸度及徑向圓跳動應在碳化硅單晶生長裝置的產(chǎn)品標準中具體規(guī)定。碳化硅單晶生長裝置的加熱線圈與基座軸以低速(速度范圍下限)上升時的爬行量應在碳化硅單晶生長裝置的產(chǎn)品標準中具體規(guī)定。碳化硅單晶生長裝置其他方面的性能應分別符合5.2以及在具體產(chǎn)品標準和供貨合同中的相應規(guī)定。在具體產(chǎn)品標準中應列出供方規(guī)定的碳化硅單晶生長裝置成套供應范圍，一般包括下列各項：a)碳化硅單晶生長裝置主機；b)控制裝置；c)加熱電源；d)水冷系統(tǒng)裝置；e)真空系統(tǒng)；f)充氣系統(tǒng)；h)熱場系統(tǒng)(加熱系統(tǒng)、保溫系統(tǒng)、坩堝組件);i)其他要求。在具體產(chǎn)品標準中可對上述項目作必要的補充，并應列出各個項目的具體內(nèi)容，包括型號、規(guī)格和數(shù)量。需方如對供方規(guī)定供應的項目有不同要求，可另行規(guī)定。6試驗方法6.1一般要求碳化硅單晶生長裝置的試驗方法應按照GB/T10066.1—2019和GB/T10066.4—2004的相關(guān)規(guī)定進行。6.2壓升率的測量按照GB/T10066.1—20196.3爐溫穩(wěn)定度的測量按照GB/T10066.4—2004的9.11.3。的6.16。8GB/T10067.417—20236.4運動參數(shù)相對偏差的測量在規(guī)定的速度范圍內(nèi)，加熱線圈及基座軸處于某一(任意選定)位置，取某一(任意設定)速度(指示計指示值或顯示值),用秒表和百分表(或千分表)測量該速度下兩軸上升速度；用秒表測量兩軸旋轉(zhuǎn)速度。每次測量時間以1min計，測量5次。相對偏差按公式(1)計算：……(1)式中：δ——運動參數(shù)相對偏差；vg——指示值(或顯示值),單位為毫米每小時(mm/h);v實——實際測量值，單位為毫米每小時(mm/h)。6.5速度百分偏差的測量在規(guī)定的速度范圍內(nèi)，加熱線圈及基座軸處于某一(任意選定)位置，用秒表和百分表(或千分表)每間隔5min測量某一(任意設定)速度下兩軸上升速度；或用秒表測量某一(任意設定)轉(zhuǎn)速下的兩軸旋轉(zhuǎn)速度。每次測量時間以1min計，測量5次。速度百分偏差按公式(2)計算：式中：δ、——速度百分偏差；V實mx——實際速度最大值，單位為毫米每小時(mm/h);v實min——實際速度最小值，單位為毫米每小時(mm/h);v實——實際速度平均值，單位為毫米每小時(mm/h)。6.6爬行量的測量在加熱線圈、基座軸以低速(速度范圍下限)上升時，用千分表檢查由運動停頓到重新啟動的最大蹦跳間隔數(shù)值或用光柵爬行儀測量。6.7同軸度的測量用百分表測量加熱器與基座軸的同軸度及徑向圓跳動。6.8工業(yè)生長晶體試驗裝料運行試驗按照GB/T10066.4—2004中6.19的規(guī)定進行。除制造廠另有安排外，工業(yè)生長晶體試驗一般在用戶現(xiàn)場進行。用戶應按制造廠產(chǎn)品說明書中規(guī)定的碳化硅單晶生長裝置使用條件提供除爐子以外的保障。將處理好的碳化硅原料盛入坩堝中，盛入坩堝中的裝料量根據(jù)具體工藝要求確定。在正常長晶工藝條件下，生長外形符合設計要求的碳化硅單晶。工業(yè)長晶試驗結(jié)果作為碳化硅單晶生長裝置質(zhì)量驗收標準，應在產(chǎn)品購銷合同中明確。97檢驗規(guī)則7.1一般要求碳化硅單晶生長裝置的檢驗應按照7.2、7.3以及GB/T10067.1—2019中第7章的規(guī)定進行。7.2出廠檢驗項目碳化硅單晶生長裝置的出廠檢驗項目包括：a)觸電防護措施的試驗(按照GB/T10066.1—2019中9.2);b)絕緣電阻的測量(按照GB/T10066.1—2019中9.3);c)絕緣耐壓試驗(按照GB/T10066.1—2019中9.4);d)控制電路試驗(按照GB/T10066.1—2019中9.5);e)運動機構(gòu)運轉(zhuǎn)或動作情況的冷態(tài)試驗(按照GB/T10066.1—2019中9.9);f)運動參數(shù)及相對偏差的測量(包括速度百分偏差和爬行量的測量)(按照6.4、6.5和6.6);g)冷卻系統(tǒng)試驗(按照GB/T10066.1—2019中9.6);h)氣路系統(tǒng)試驗(按照GB/T10066.1—2019中9.7);i)聯(lián)鎖報警系統(tǒng)試驗(按照GB/T10066.1—2019中9.10);j)極限真空度的測量(按照GB/T10066.1—2019中9.11.1);k)空爐抽氣時間的測量(按照GB/T10066.1—2019中9.11.2);1)壓升率的測量(按照GB/T10066.1—2019中9.11.3);m)配套件的檢查，包括型號、規(guī)格和出廠合格證件的檢查；n)供貨范圍，包括出廠技術(shù)文件完整性的檢查；o)包裝檢查。7.3型式檢驗項目碳化硅單晶生長裝置的型式檢驗項目包括：a)全部出廠檢驗項目(在型式檢驗條件下);b)受熱構(gòu)件