晶科能源發(fā)布硅晶技術(shù)白皮書

.晶科能源發(fā)布晶硅組件技術(shù)白皮書旦多晶克服一些工藝問題，也從砂線切割改成金剛線，成本將進一所以未來較長一段時間多晶仍將占據(jù)大部分市場份額。二品私歲是州母的優(yōu)勢三高科多品的發(fā)展路拉1.LID衰減1~5年的光率，還是以后的穩(wěn)定光率都要明顯低于單品。所以單多品行業(yè)功率衰減線性質(zhì)保：多品功率衰減質(zhì)保就較單品低0.5%,同樣功率組件，多晶壽命周期內(nèi)保障的發(fā)電量就高于單晶。LID衰減實測：單晶初始LID光率較多晶高1.0%,光衰后單晶組件功率與標(biāo)稱功率差距顯著大于多晶，導(dǎo)致單晶出廠后經(jīng)光衰導(dǎo)致的發(fā)電量損失高于多晶，由此帶來的發(fā)電收益損失高于多晶。初始光率平均值單晶多晶初始LID越高，則穩(wěn)定后組件功率與標(biāo)稱功率差距越大，則組件發(fā)電損失越多，發(fā)電收益損失越大。從圖1和圖2顯示，同樣輻照量下，無論電池端，還是組件端，單品較多晶衰減均高1.00%,即單晶比多晶光衰率吏高。多品多C圖1單晶與多晶電池衰減比較穩(wěn)定衰減：單多品初始光衰的差異是由于硅片性質(zhì)決定的，而之后的穩(wěn)定衰減主要根據(jù)組件封裝材料、工藝決定組件老化速度，所以和是單晶還是多晶的硅片關(guān)系不大，穩(wěn)定衰減方面，單多晶一線品牌都提供線性質(zhì)保0.7%。單晶多晶CTM(Cell-to-Module):即從電池到組件的功率封裝損失，電池片在封裝成為組件的過程中，封裝前后發(fā)電功率會變化，通常稱為CTM。CTM實測：單品較多品高2.0%以上，同樣效率電池封裝成組件，單品單晶封裝損失：2-5%圖3顯示，單晶CTM均在2.0%以上，甚至高達(dá)5%,而多晶則在0.5%這就是為什么單多晶最終組件效率的差異要小于電池片效率差異，在主流量產(chǎn)的功率輸出上單多品相差不多，以品科和某品牌為例，其60片多品的量產(chǎn)主流功率檔265-275W,而某品牌單品同樣在CTM差異原因：從電池到組件，山于電池與組件發(fā)電而積與光學(xué)反射原理差異，單晶光學(xué)利用率的降低及有效發(fā)電面積的減少，均較多晶1)電池與組件反射率的巨大差異：單晶硅片反射率約10%,電池片反射率約2%;多晶硅片反射率約20%,電池片反射率約6%。就電池片而言反射率多晶不如單晶，這是常規(guī)多晶效率低于單晶的主要原因；但當(dāng)電池封裝成為組件以后，組件的反射基本發(fā)生在玻璃表面，玻璃反射率約4%,這樣單晶電池片原本在反射率上的優(yōu)勢就被犧牲掉了。這也是為什么多品的封裝損失可能甚至出現(xiàn)負(fù)值，是因為多品電池被封裝以后，電池表面反射率大幅下降，電池實際接受到的光線獲得了增益，所以效率可能不降反升。2)外量子效率EQE:多晶，短波區(qū)域(380-560nm區(qū)域),組件較電池組件較電池均有顯著降低，即整個波段組件對光子的利用率均小于電此外，多品，長波區(qū)域(900-1200nm),組件較電池更低，即該波段區(qū)域，組件反射的光少于電池；而單晶，在該長波區(qū)域，組件與電池反射率柑當(dāng)，組件反射的光與電池相當(dāng)。從圖4的單多品電池到組件—外量子效率EQE及反射率Ref-變化圖可以清楚得看到短波區(qū)域(380-560nm區(qū)域)和長波區(qū)域(900-1200nm),多品組件較多晶電池對光的利用更好，而單晶組件較單晶電池對光的封裝以后的光學(xué)損失方面，單晶顯著高于多晶。單品單品3)發(fā)電面積利用率：單品電池片倒角形狀導(dǎo)致當(dāng)封裝到組件上，組件實際的有效接受太陽光的受光面積要小于方形多品電池片的組件，再加上電池片上的柵線是不發(fā)電的，所以其占居的這部分面積也不能發(fā)揮效能。組件中單多晶有效發(fā)電面積利用率—單晶組件有效發(fā)電面積的利用率較多晶吏低，致使其CTM改善的空間不及多晶?？偨Y(jié)：單晶電池扣除面積損失、封裝損失、光衰的話，最終的組件效率與多晶的組件效率相差不人。1.量產(chǎn)多晶白晶科量產(chǎn)多晶開始，組件功率保持5-10W/年的速度提升，并始終引領(lǐng)行業(yè)的發(fā)展。量產(chǎn)功率：晶科多晶以5-10W/年的速度提升，當(dāng)前量產(chǎn)多晶主流功率265-275W及最高功率280W,高出行業(yè)平均水平1-2個檔，而與單品量產(chǎn)功率僅差1個檔。量產(chǎn)技術(shù)：行業(yè)內(nèi)率先實現(xiàn)四主柵技術(shù)的全面量產(chǎn)，并融合自主研發(fā)的低位錯高純度J硅片/低電阻焊接技術(shù)/IQE匹配封裝技術(shù)，助力晶科多晶功率行業(yè)領(lǐng)先。發(fā)電性能vs行業(yè)單晶：晶科量產(chǎn)多晶較行業(yè)量產(chǎn)單晶具有更低的電流，戶外發(fā)電時線纜損耗更低，組件發(fā)熱更小，因而工作溫度更低，發(fā)電性能吏優(yōu)，發(fā)電量損失也吏少圖5和圖6顯示的是晶科多晶電池和組件量產(chǎn)效率與行業(yè)平均水平及其他一線主流品牌的比較，晶科在多晶電池和組件量產(chǎn)功率方面遙遙領(lǐng)先行業(yè)和其他一線品牌。圖5晶科多晶電地和組件量產(chǎn)效率與行業(yè)平均水平比較圖7是晶科多晶產(chǎn)品量產(chǎn)功率路線圖，晶科多晶量產(chǎn)功率始終處于行業(yè)前沿。圖7顯科多溫產(chǎn)品量產(chǎn)功率據(jù)樣圖晶科多晶量產(chǎn)主流功率(265-275W)及量產(chǎn)最高功率(280W)較行業(yè)多晶平均水平高1-2個檔位(行業(yè)多晶量產(chǎn)主流功率255-265W,多晶量產(chǎn)最高功率270-275W),而較行業(yè)單晶量產(chǎn)功率僅低1個檔位。晶科多品產(chǎn)品功率當(dāng)前在行業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先水平。圖8晶科當(dāng)前務(wù)品量產(chǎn)功事行業(yè)內(nèi)額先2.融合多項先進技術(shù)的量產(chǎn)多品產(chǎn)品低位錯高純度的晶科J硅片四主柵技術(shù)-業(yè)內(nèi)率先實現(xiàn)全面量產(chǎn)低電阻焊接技術(shù)IQE封裝匹配技術(shù)3.晶科較行業(yè)量產(chǎn)單晶發(fā)電性能更優(yōu)組件電流越高，則電站中線路損耗越高，且組件工作時發(fā)熱也越高，即組件工作溫度更高，從而組件發(fā)電量損失越大。從電性能參數(shù)列表可以看出，同檔位組件(280W),某品牌-單品較品科-多晶具有更高的Is(高0.05A,0.25%)c和Imp0.05A(高0.09A,0.05A,0.55%)和Imp(高0.13A,1.50%)差值更大。因而，戶外發(fā)電時，晶科-多晶產(chǎn)品較某品牌-單晶產(chǎn)品具有更低的線路損耗和工作溫度，實際發(fā)電損失更小，發(fā)電性能更優(yōu)。中紅新身數(shù)60片Z80W量戶確高功幸多器開路壓VocM中度bc(A)趣大電FXmp/V)最大電商implA)4.晶科多晶行業(yè)排名-光伏領(lǐng)跑者中領(lǐng)頭羊證書編號：CQC16024138486建根卷號1<914024132486特?fù)Q效掌高3轉(zhuǎn)換效不便標(biāo)準(zhǔn)測試額件(STC)下的轉(zhuǎn)接效事(%)組件面積(含邊題，)標(biāo)稱功率(W)電池為數(shù)量(片)產(chǎn)晶名稱產(chǎn)品類別產(chǎn)品望號制選查此附錄與證書同時使用時有效。5家企業(yè)獲得光伏領(lǐng)跑者一級能效證書，而晶科是唯一取得多品一級能效證書的企業(yè)；晶科一級能效多晶產(chǎn)品較行業(yè)平均水平高10-15W。中制施庫光實科痰有股公一安計出狀積族到限出牌一6無難約準(zhǔn)大街質(zhì)范于有除公司一一吡精C最光電科傳有吸公毒二店二級兼紅共關(guān)文無能料件料身公司二費元出先次秘技數(shù)幫公園二些②節(jié)能(鍵工)工陽電起授與據(jù)出二些二級山選騎安又距響紅族年程責(zé)任公每二級昌料能源有限公司級中利騰萍光伏科技有獨公司二級無錫尚待太汨能電力有限公司二級第州億船究電科技有演公司二級上海筑天汽車機電投份有限公司二級浙江合大木歸能科技有同公司二鼓中節(jié)船(精江)太陽能科技有限公司2級協(xié)蓋屬成和技股份有限公司二般查能清潔能源科技有限公司二級潤峰電力有報公司二級轉(zhuǎn)化新能薄有限公司二級中電投西安太歸教電力有報公司二級中電電氣上海太陽酯科技有限公司煅東方日升新能薄股份有限公司二級折江正泰太舊能科技有展公司級領(lǐng)跑者是什么?根據(jù)2015年1月8日發(fā)改委等八部門發(fā)布的《能效領(lǐng)跑者制度實施方案》,所謂“能效領(lǐng)跑者”是指同類可比范圍內(nèi)能源利用效率最高光伏領(lǐng)跑者又是怎么回事?施180%-(雪)以上17:.5%《露)以上17.0%(含)-1RD第165%(禽)-17.5%5.晶科的高效多晶-創(chuàng)造多項行業(yè)世界記錄20.13%-量產(chǎn)多晶電池效率世界記錄(經(jīng)國家光伏質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心6.高功率溫度系數(shù)特性優(yōu)勢和實際發(fā)電效能比較晶科量產(chǎn)多晶vs行業(yè)量產(chǎn)單多晶-晶科多晶功率溫度系數(shù)更高，戶外實際發(fā)電性能更優(yōu)組件功率隨工作溫度的升高而降低，組件功率溫度系數(shù)越低，表明組件溫度升高時，組件功率降低幅度越大，組件實際發(fā)電量損失越多。品科量產(chǎn)多品功率溫度系數(shù)較行業(yè)量產(chǎn)多品和量產(chǎn)單品均更高，戶外實際發(fā)電過程中，組件溫度升高時，晶科多晶功率的降低幅度來的更小，因而實際發(fā)電量損失來的更低更低的溫度系數(shù)，表示隨著溫度升高，每上升一度，晶科多晶組件功率下降0.40%,而某品牌單晶組件功率下降0.42%。與STC實驗室條件下(1000W/m2,250C,AM1.5)的額定功率相比，PTC的值(1000W/m2,200C,AM1.5)更能說明組件在實際工作環(huán)境中的真實功率。晶科60片多品的PTC值約在91~92%,而單品一般在87-90%。某品牌單晶品科多晶技術(shù)發(fā)展路線和時間節(jié)點年內(nèi)實現(xiàn)60P多品組件300W量產(chǎn)，5年內(nèi)實現(xiàn)60P多品組件330W量反射率和光學(xué)吸收率也優(yōu)于單晶。較傳統(tǒng)多晶光譜響應(yīng)波段更寬(拓展至紅外波段),具有吏高的光學(xué)利用率。晶科研發(fā)的黑硅電池量產(chǎn)效率已經(jīng)達(dá)到20.13%。統(tǒng)多品原料及鑄錠工藝制備，生產(chǎn)成本遠(yuǎn)比拉晶而成的單品低廉。內(nèi)部缺陷及雜質(zhì)更少，量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率較傳統(tǒng)多晶提升約1.0%。1.未來單品市場份額會超越多品嗎?些工藝問題，也從砂線切割改成金剛線，成本將進一步下降，再次拉大與單晶成本差距，再加多晶效率提升有較大空間，所以未來較長一段時間多晶仍將占據(jù)大部分市場份額。2.單品組件的功率真的比多品組件高很多嗎?單品電池的效率是要比多晶電池效率高，但由于封裝損失，光衰特別是初始光衰，發(fā)電有效面積損失，單晶的輸出功率與多晶相差不大，晶科的多晶組件量產(chǎn)功率檔在260-275瓦，某品牌單晶在265-275瓦。3.單多晶電站投資收益對比?目前60片封裝的高功率組件，晶科的多晶組件量產(chǎn)功率檔在260-275瓦，某品牌單品在265-280瓦。雖然單晶高出5瓦檔，但晶科多品1500V高壓組件能讓每個陣列增加50%的組件數(shù)量，有效節(jié)約了支架、夾具、匯流箱、光伏電纜、基礎(chǔ)工程、安裝工程等，因此在總的投資成本上，晶科多晶系統(tǒng)將比某品牌單品系統(tǒng)具有更好的成本優(yōu)勢。在電站營運層面，由于晶科多晶的光衰特別是初始光衰要大大低于單晶，所以每瓦發(fā)電量至少比單晶高1-2%,電站造價多晶也要低于單晶，那么在25%資木金比例、15年貸款年限的融資結(jié)構(gòu)下，我國中部地區(qū)投資多晶電站的資本金內(nèi)部收益率IRR會比投資多晶電站高出至少2%以上。4.單多晶電站運行實際效能比較?全世界范圍內(nèi)，就已經(jīng)運行的電站來看，單多晶電站的比率是9:1,也就是多晶電站有更多、吏久的實際的電站發(fā)電數(shù)據(jù)來證明多晶技術(shù)的可靠度和數(shù)據(jù)的可信度，多晶技術(shù)和多晶電站已經(jīng)經(jīng)歷過長期在不同地區(qū)，不同地理氣候環(huán)境下運行的考驗。5.單品硅片是否比多晶硅片有更高的機械強度?這是個概念誤區(qū)，組件機械強度主要取決于封裝材料和封裝工藝及品質(zhì)，日前主流單多晶組件都通過5400帕和2400帕風(fēng)雪靜態(tài)載荷測試，品科多晶組件是“首家”;現(xiàn)在行業(yè)中其他家也通過了這個測試。6.單晶硅電池比多晶硅電池有更高的轉(zhuǎn)換效率和更大的效率提升空這也是個概念誤區(qū)，單晶硅由于本身就是硅材料性質(zhì)，量產(chǎn)單晶硅品質(zhì)已經(jīng)很多年沒有變化，但是多晶硅質(zhì)量及制造技術(shù)提升很快，這也是這幾年來單晶硅的效率提升速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如多晶技術(shù)的發(fā)展速度；隨著多晶硅純度和品質(zhì)進一步提升，更先進的高效多晶鑄錠技術(shù)及電池表面處理技術(shù)的應(yīng)用，多晶電池效率具有更大的提升空間。7.在長期可靠性方面，單多晶電站比較?就提供的承諾質(zhì)保來看，多晶功率衰減質(zhì)保較單晶低0.5%,同樣功率組件，多晶壽命周期內(nèi)保障的發(fā)電量高于單晶。單晶初始LID光率較多晶高1.0%,光衰后單晶組件功率與標(biāo)稱功率差距顯著人于多晶，導(dǎo)致單晶出廠后經(jīng)光衰導(dǎo)致的發(fā)電量損失高于多品，由此帶來的發(fā)電收益損失高于多品。8.多晶更容易發(fā)生隱裂嗎?隱裂主要是因為組件發(fā)生彎曲，或機械強度特別是動態(tài)