在線(xiàn)網(wǎng)課知慧《半導(dǎo)體制造技術(shù)(上海工技大)》單元測(cè)試考核答案

第一章單元測(cè)試第二章單元測(cè)試第三章單元測(cè)試第四章單元測(cè)試第五章單元測(cè)試第六章單元測(cè)試第七章單元測(cè)試第八章單元測(cè)試第九章單元測(cè)試1【單選題】(2分)“摩爾定律”是（）提出的？A.1960B.1970年C.1965年D.1958年2【單選題】(2分)第一個(gè)晶體管是（）材料晶體管？A.鍺B.硅C.碳3【單選題】(2分)戈登摩爾是（）科學(xué)家。A.德國(guó)B.美國(guó)C.英國(guó)D.法國(guó)4【單選題】(2分)第一個(gè)集成電路在（）被研制。A.1958B.1955C.1960D.19655【單選題】(2分)（）被稱(chēng)為中國(guó)“芯片之父”。1、A.鄧中翰B.吳德馨C.許居衍D.沈緒榜第二章單元測(cè)試1【單選題】(2分)硅在地殼中的儲(chǔ)量為（）。A.第四B.第一C.第三D.第二2【單選題】(2分)脫氧后的沙子主要以（）的形式。A.二氧化硅B.碳化硅C.硅3【單選題】(3分)半導(dǎo)體級(jí)硅的純度（）。A.99.99999％B.99.999％C.99.999999％D.99.9999999％4【判斷題】西門(mén)子工藝制備得到的硅為單晶硅。（）A.對(duì)B.錯(cuò)5【判斷題】一片硅片只有一個(gè)定位邊。（）A.對(duì)B.錯(cuò)6【判斷題】晶面指數(shù)（m1m2m3）：m1、m2、m3分別為晶面在X、Y、Z軸上截距的倒數(shù)。（）A.錯(cuò)B.對(duì)第三章單元測(cè)試1【判斷題】通過(guò)薄膜淀積方法生長(zhǎng)薄膜不消耗襯底的材料。（）A.錯(cuò)B.對(duì)2【判斷題】熱氧化法在硅襯底上制備二氧化硅需要消耗硅襯底。（）A.對(duì)B.錯(cuò)3【判斷題】二氧化硅可以與氫氟酸發(fā)生反應(yīng)。（）A.對(duì)B.錯(cuò)4【判斷題】(3分薄膜的密度越大，表明致密性越低。（）A.錯(cuò)B.對(duì)5【判斷題】(3分電阻率，表征導(dǎo)電能力的參數(shù)，同一種物質(zhì)的電阻率在任何情況下都是不變的。（）A.錯(cuò)B.對(duì)第四章單元測(cè)試1【判斷題】光刻本質(zhì)上是光刻膠的光化學(xué)反應(yīng)。（）A.對(duì)B.錯(cuò)2【判斷題】(3分一個(gè)透鏡的數(shù)值孔徑越大就能把更少的衍射光會(huì)聚到一點(diǎn)。（）A.錯(cuò)B.對(duì)3【判斷題】使用正膠進(jìn)行光刻時(shí)，晶片上所得到的圖形與掩膜版圖形相同。（）A.對(duì)B.錯(cuò)4【判斷題】使用負(fù)膠進(jìn)行光刻時(shí)，晶片上得到的圖形與掩膜版上的圖形相反。（）A.錯(cuò)B.對(duì)5【判斷題】(3分正性光刻膠經(jīng)過(guò)曝光后，可以溶解于顯影液。（）A.對(duì)B.錯(cuò)6【判斷題】負(fù)性光刻膠經(jīng)過(guò)曝光后，可以溶解于顯影液。（）A.錯(cuò)B.對(duì)第五章單元測(cè)試1【判斷題】刻蝕是用化學(xué)方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程。（）A.對(duì)B.錯(cuò)2【判斷題】(3分濕法刻蝕是各向同性腐蝕。（）A.對(duì)B.錯(cuò)3【判斷題】干法刻蝕有各向同性腐蝕，也有各向異性腐蝕。（）A.錯(cuò)B.對(duì)4【判斷題】(3分選擇比指在不同刻蝕條件下，刻蝕一種材料對(duì)另一種材料的刻蝕速率之比。（）A.對(duì)B.錯(cuò)5【判斷題】(3分同一晶體不同晶面的原子鍵密度不一樣，導(dǎo)致刻蝕速率不一樣。（）A.錯(cuò)B.對(duì)第六章單元測(cè)試1【判斷題】雜質(zhì)摻雜只能改變半導(dǎo)體的類(lèi)型，不能改變其電阻率。（）A.對(duì)B.錯(cuò)2【判斷題】(3分?jǐn)U散是一種人為現(xiàn)象，是微觀粒子熱運(yùn)動(dòng)的形式，結(jié)果使其濃度趨于均勻。（）A.對(duì)B.錯(cuò)3【判斷題】菲克第一擴(kuò)散定律中的負(fù)號(hào)代表從高濃度向低濃度運(yùn)動(dòng)。（）A.錯(cuò)B.對(duì)4【判斷題】半導(dǎo)體常用的摻雜方式有擴(kuò)散和離子注入。（）A.對(duì)B.錯(cuò)5【判斷題】(3分離子注入摻雜是物理過(guò)程。（）A.錯(cuò)B.對(duì)第七章單元測(cè)試1【判斷題】選擇比指在同樣的條件下對(duì)兩種無(wú)圖形覆蓋材料拋光速率的比值。（）A.錯(cuò)B.對(duì)2【判斷題】(3分尖楔現(xiàn)象是鋁硅接觸時(shí)，較多的鋁溶解到硅中形成尖刺的現(xiàn)象。（）A.對(duì)B.錯(cuò)3【判斷題】(3分雙大馬士革中采用CMP，銅需要被刻蝕。（）A.錯(cuò)B.對(duì)4【判斷題】(3分高溫回流：一般是在高溫下進(jìn)行，可適用于所有金屬層間介質(zhì)。（）A.錯(cuò)B.對(duì)5【判斷題】肖特基接觸在某種條件下可以轉(zhuǎn)變?yōu)闅W姆接觸（高摻雜）。（）A.對(duì)B.錯(cuò)第八章單元測(cè)試1【判斷題】物質(zhì)有三種形態(tài)。（）A.錯(cuò)B.對(duì)2【判斷題】霜是有水汽直接在地面或近地面的物體上凝華形成的。（）A.錯(cuò)B.對(duì)3【判斷題】半導(dǎo)體制造工藝中用的氣體可以隨便運(yùn)輸。（）A.對(duì)B.錯(cuò)4【判斷題】工藝腔是指一個(gè)受控的常壓環(huán)境。（）A.錯(cuò)B.對(duì)5【判斷題】等離子體是不導(dǎo)電的。（）A.錯(cuò)B.對(duì)第九章單元測(cè)試1【判斷題】芯片測(cè)試完成時(shí)，合格的芯片用墨水標(biāo)出。（）A.錯(cuò)B.對(duì)2【判斷題】芯片成品率等于合格芯片數(shù)占總芯片數(shù)的百分比。（）A.錯(cuò)B.對(duì)3【判斷題】半導(dǎo)體制造工藝中不同硅片之間測(cè)試數(shù)據(jù)差別過(guò)大是可以接受的。（）A.對(duì)B.錯(cuò)4【判