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半導體能隙●隨著溫度的升高，半導體能隙隨一般趨于減小,減小量在低溫下(T≤100K)隨溫度平方變化，之上呈線性關系.這個關系通常由下面Varshni公式表示有些半導體如CuCl

或鉛鹽的能隙隨著溫度的升高而加寬;也有些半導體如CuBr的能隙隨著溫度的升高增加到最大值后降低.平面波時間反演，取共軛后可得：可見Kramers簡并：若微觀物理系統(tǒng)具有時間反演不變性，則有（不考慮自旋）晶體中電子和空穴1.半導體導電性滿帶和部分填充能帶狀態(tài)被電子占據的幾率是一樣的，因此在熱平衡條件下，無論是滿帶還是部分填充能帶,電子在狀態(tài)中的分布都是對稱的，由于狀態(tài)電子對電流的貢獻互相抵消，因此晶體中總電流為0.在沒有外場的熱平衡條件下，分布函數只是能量E的函數.由于在有外場存在情況.孟憲章《半導體物理》●導帶中電子導電.●價帶中空穴導電.圖(a)CB中一個電子和圖(b)VB中一個空穴.2.空穴性質●代表近滿殼層價帶中大量電子對電流的貢獻.

每平方厘米中每個帶通常具有個態(tài)。滿殼層電流為0=-q·V+J,J為VB中近滿殼層價

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