碳化硅外延片

ICS29.045

CCSH83

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/TXXXXX—XXXX

碳化硅外延片

Siliconcarbideepitaxialwafers

（征求意見(jiàn)稿）

XXXX-XX-XX發(fā)布XXXX-XX-XX實(shí)施

GB/TXXXXX—XXXX

碳化硅外延片

1范圍

本文件規(guī)定了碳化硅外延片的產(chǎn)品分類(lèi)、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸與貯

存、隨行文件和訂貨單內(nèi)容。

本文件適用于在n型或p型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅同質(zhì)外延層的外延片，產(chǎn)品用于碳化硅電子電力

器件制作。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T2828.1-2012計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T6624硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T14146硅外延層載流子濃度測(cè)定電容-電壓法

GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14847重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射法測(cè)量方法

GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度測(cè)量方法

GB/T30656碳化硅單晶拋光片

GB/T30867碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T31351碳化硅單晶拋光片微管密度無(wú)損檢測(cè)方法

GB/T32278碳化硅單晶片平整度測(cè)試方法

GB/TXXXXX碳化硅外延片表面缺陷的測(cè)試顯微可見(jiàn)光法（計(jì)劃號(hào)為20203728-T-469）

GB/TXXXXX碳化硅外延層厚度的測(cè)試紅外反射法（計(jì)劃號(hào)為20204893-T-469）

GB/TXXXXX碳化硅晶體材料缺陷圖譜（計(jì)劃號(hào)為20213238-T-469）

3術(shù)語(yǔ)和定義

GB/T14264界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

4產(chǎn)品分類(lèi)

4.1碳化硅外延片按外延層導(dǎo)電類(lèi)型分為n型和p型。

4.2碳化硅外延片按直徑尺寸分為76.2mm、100.0mm、150.0mm。

4.3碳化硅外延片按晶型分為4H<0001>、6H<0001>等。

1

GB/TXXXXX—XXXX

5技術(shù)要求

5.1碳化硅外延片用襯底材料

碳化硅單晶襯底片的電阻率應(yīng)符合表1的規(guī)定，其他參數(shù)包括合格質(zhì)量區(qū)要求、幾何參數(shù)、表面取

向及偏離、基準(zhǔn)標(biāo)記、缺陷密度、表面質(zhì)量均應(yīng)符合GB/T30656中工業(yè)級(jí)（P級(jí)）的規(guī)定。襯底片的

技術(shù)要求由供方保證，如有需求可由供方提供檢測(cè)值。

表1碳化硅單晶襯底片的電阻率

電阻率徑向不均勻性

導(dǎo)電類(lèi)型晶型電阻率(Ω?cm)

直徑76.2mm直徑100.0mm直徑150.0mm

n型4H0.015~0.028≤5%≤10%≤10%

5.2外延層參數(shù)

5.2.1導(dǎo)電類(lèi)型

碳化硅外延層的導(dǎo)電類(lèi)型為n型、p型。n型外延層摻雜元素為氮，p型外延層摻雜元素為鋁。

5.2.2載流子濃度

外延層載流子濃度及其允許偏差、載流子濃度變化應(yīng)符合表2的規(guī)定。外延層載流子濃度值為由中

心點(diǎn)和在平行與垂直于主參考面的兩條直徑上多點(diǎn)載流子濃度測(cè)量值的平均值。

表2外延層載流子濃度及其允許偏差

載流子濃度

導(dǎo)電類(lèi)型允許偏差載流子濃度變化（CV）

cm-3

n型5E13～1E19±25%20%

p型5E13～1E19±50%25%

5.2.3外延層厚度

外延層厚度及其允許偏差、徑向厚度變化應(yīng)符合表3的規(guī)定。外延層厚度值為由中心點(diǎn)和在平行與

垂直于主參考面的兩條直徑上多點(diǎn)厚度測(cè)量值的平均值。

表3外延層厚度及其允許偏差

厚度

允許偏差徑向厚度變化（TV）

μm

1～150±10％8%

5.2.4緩沖層

n型碳化硅外延層的緩沖層要求見(jiàn)表4。如客戶(hù)對(duì)緩沖層有特殊要求，也可由供需雙方協(xié)商確定。

表4外延層厚度及其允許偏差

2

GB/TXXXXX—XXXX

外延厚度緩沖層濃度緩沖層厚度

μmcm-3μm

＜20μm1E180.5

≥20μm1E181.0

5.2.5晶格完整性

碳化硅外延層的晶格缺陷包括3C夾雜物、彗星尾、顆粒、硅滴、臺(tái)階聚集、多型、微管、三角型缺

陷、胡蘿卜缺陷、梯形缺陷等外延層缺陷，其晶格缺陷密度應(yīng)不大于0.5cm-2。

5.3表面質(zhì)量

5.3.1外延片的正表面質(zhì)量應(yīng)符合表5的規(guī)定。表面缺陷要求的區(qū)域?yàn)橹睆?6.2mm邊緣去除2mm，

直徑100mm、150mm邊緣去除3mm。

表5正表面缺陷

序要求

檢驗(yàn)項(xiàng)目

號(hào)直徑76.2mm直徑100.0mm直徑150.0mm

≤3條且≤5條且≤5條且

1劃痕a

累計(jì)長(zhǎng)度≤38.1mm累計(jì)長(zhǎng)度≤50.0mm累計(jì)長(zhǎng)度≤75.0mm

2崩邊b無(wú)無(wú)無(wú)

3裂紋無(wú)無(wú)無(wú)

4沾污無(wú)無(wú)無(wú)

5點(diǎn)狀缺陷c無(wú)無(wú)無(wú)

5.3.2碳化硅外延片的背表面應(yīng)顏色均勻一致，背表面質(zhì)量要求由供需雙方協(xié)商確定。

5.4表面粗糙度

碳化硅外延片正面的表面粗糙度應(yīng)符合表6的規(guī)定。

表6表面粗糙度

要求

檢驗(yàn)項(xiàng)目

直徑76.2mm直徑100.0mm直徑150.0mm

0.2μm≤外延層厚度≤20μm≤0.3nm≤0.3nm≤0.3nm

≤0.4nm≤0.4nm≤0.4nm

表面粗糙度20μm＜外延層厚度≤50μm

50μm＜外延層厚度≤100μm≤0.8nm≤0.8nm≤0.8nm

注1：表面粗糙度掃描范圍為10μm×10μm，采用Rq值即均方根粗糙度。

注2：外延層厚度在100μm以上的表面粗糙度由供需雙方協(xié)商決定。

3

GB/TXXXXX—XXXX

5.5幾何參數(shù)

碳化硅外延片的幾何參數(shù)應(yīng)符合表7的規(guī)定。

表7碳化硅外延片幾何參數(shù)

序號(hào)項(xiàng)目幾何參數(shù)要求

直徑及允許偏差

176.2±0.2100.0±0.5150.0±0.5

mm

厚度及允許偏差

2350±25350±25350±25

μm

總厚度變化TTV

3≤5μm≤5μm≤5μm

μm

局部厚度變化SBIR/LTV

4≤3≤3≤3

μm

翹曲度BOW

5≤20≤20≤35

μm

彎曲度（絕對(duì)值）WARP

6≤15μm≤15μm≤20μm

μm

5.6其他

如需方對(duì)產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)有特殊要求，由供需雙方協(xié)商確定并在訂貨單中注明。

6試驗(yàn)方法

6.1外延層載流子濃度的測(cè)試按GB/T14146的規(guī)定進(jìn)行或按供需雙方商定的其他方法進(jìn)行。

6.2外延層載流子濃度變化按公式（1）進(jìn)行：

………………（1）

式中：

Ρσ——中心點(diǎn)和在平行與垂直于主參考面的兩條直徑上多點(diǎn)載流子濃度測(cè)量值的標(biāo)準(zhǔn)方差，單位

為每立方厘米（cm-3）；

Ρmean——中心點(diǎn)和在平行與垂直于主參考面的兩條直徑上多點(diǎn)載流子濃度測(cè)量值的平均值，單位

為每立方厘米（cm-3）。

6.3外延層厚度的測(cè)試按GB/T14147的規(guī)定進(jìn)行或按供需雙方商定的其他方法進(jìn)行。

6.4外延層徑向厚度變化按公式（2）計(jì)算：

………（2）

式中：

Tσ——中心點(diǎn)和在平行與垂直于主參考面的兩條直徑上多點(diǎn)厚度測(cè)量值的標(biāo)準(zhǔn)方差，單位為微米

（μm）；

4

GB/TXXXXX—XXXX

Tmean——中心點(diǎn)和在平行與垂直于主參考面的兩條直徑上多點(diǎn)厚度測(cè)量值的平均值，單位為微米

（μm）。

6.5外延層晶格缺陷密度的檢驗(yàn)按GB/T31351的規(guī)定進(jìn)行。

6.6外延片表面質(zhì)量的檢驗(yàn)按GB/T6624的規(guī)定進(jìn)行，經(jīng)供需雙方協(xié)商可用顯微鏡檢驗(yàn)確認(rèn)。

6.7外延片表面粗糙度的檢驗(yàn)按GB/T29505的規(guī)定進(jìn)行。

6.8外延片幾何參數(shù)的測(cè)試按GB/T32278的規(guī)定進(jìn)行。

7檢驗(yàn)規(guī)則

7.1檢查和驗(yàn)收

7.1.1產(chǎn)品應(yīng)由供方或第三方進(jìn)行檢驗(yàn),保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本文件及訂貨單的規(guī)定。

7.1.2需方可對(duì)收到的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)。若檢驗(yàn)結(jié)果與本文件或訂貨單的規(guī)定不符時(shí)，應(yīng)在收到產(chǎn)品之

日起3個(gè)月內(nèi)以書(shū)面形式向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。

7.2組批

產(chǎn)品應(yīng)成批提交驗(yàn)收，每批應(yīng)由供需雙方一致確認(rèn)的相同技術(shù)指標(biāo)的碳化硅外延片組成。

7.3檢驗(yàn)項(xiàng)目

每批碳化硅外延片應(yīng)對(duì)外延層載流子濃度、徑向載流子濃度變化、厚度、徑向厚度變化、晶格完整

性以及外延片的表面質(zhì)量、表面粗糙度、幾何參數(shù)進(jìn)行檢驗(yàn)。

7.4取樣

每批碳化硅外延片的檢驗(yàn)按照GB/T2828.1抽樣檢查，或按供需雙方商定的方法抽樣。

7.5檢驗(yàn)結(jié)果的判定

7.5.1導(dǎo)電類(lèi)型、晶向由供方保證，如需方抽檢有任一不合格，判該批產(chǎn)品為不合格。

7.5.2其他檢驗(yàn)項(xiàng)目的接收質(zhì)量限（AQL）應(yīng)符合表8的規(guī)定。

表8合格質(zhì)量水平

序號(hào)檢驗(yàn)項(xiàng)目接收質(zhì)量限AQL

1外延層載流子濃度1

2外延層徑向載流子濃度變化1

3外延層厚度1

4外延層徑向厚度變化1

5外延層晶格完整性1

劃痕1

崩邊1

裂紋1

正表面

沾污1

6表面質(zhì)量

點(diǎn)狀缺陷1

累計(jì)2.5

背面顏色一致性1

背表面

背面缺陷1

5

GB/TXXXXX—XXXX

7表面粗糙度1

總厚度變化1

8幾何參數(shù)翹曲度1

彎曲度1

8標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存和隨行文件

8.1包裝和標(biāo)志

8.1.1放置碳化硅外延片的片盒應(yīng)為專(zhuān)用潔凈片盒。

8.1.2碳化硅外延片用單片盒或25片一盒放入片盒中，蓋好盒蓋，片盒接口處貼上專(zhuān)用密封膠帶，然

后進(jìn)行真空塑封，或按供需雙方商定的其他辦法包裝。

8.1.3包裝箱外應(yīng)有“小心輕放”、“防腐防潮”、“易碎”字樣或標(biāo)記，并注明：

a)需方名稱(chēng)；

b)產(chǎn)品導(dǎo)電類(lèi)型；

c)產(chǎn)品數(shù)量；

d)供方名稱(chēng)。

8.2運(yùn)輸和貯存

8.2.1產(chǎn)品在運(yùn)輸過(guò)程中應(yīng)輕裝輕卸、勿擠勿壓，并有防震措施。

8.2.2產(chǎn)品應(yīng)貯存在潔凈、干燥的環(huán)境中。

8.3隨行文件

每批產(chǎn)品應(yīng)附有隨行文件，其中除應(yīng)包括供方信息、產(chǎn)品信息、本文件編號(hào)、出廠日期或包裝日期

外，還宜包括：

a）產(chǎn)品質(zhì)量證明書(shū)，內(nèi)容如下：

產(chǎn)品的主要性能及技術(shù)參數(shù)；

產(chǎn)品特點(diǎn)；

產(chǎn)品獲得的質(zhì)量認(rèn)證或帶供方技術(shù)監(jiān)督部門(mén)檢印的各項(xiàng)分析檢驗(yàn)結(jié)果。

b）產(chǎn)品質(zhì)量控制過(guò)程中的檢驗(yàn)報(bào)告及成品檢驗(yàn)報(bào)告。

c）產(chǎn)品使用說(shuō)明：正確搬運(yùn)、使用、貯存方法等。

d）其他。

9訂貨單內(nèi)容

需方可根據(jù)自身的需要，在訂購(gòu)本文件所列產(chǎn)品的訂貨單內(nèi)，列出以下內(nèi)容：

a)產(chǎn)品名稱(chēng)；

b)導(dǎo)電類(lèi)型；

c)數(shù)量；

d)規(guī)格、技術(shù)要求；

e)本文件編號(hào)。

_________________________________

6

GB/TXXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定

起草。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)（SAC/TC203）和全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化

技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)（SAC/TC203/SC2）共同提出并歸口。

本文件起草單位：南京國(guó)盛電子有限公司、南京盛鑫半導(dǎo)體材料有限公司等。

本文件主要起草人：駱紅等。

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GB/TXXXXX—XXXX

碳化硅外延片

1范圍

本文件規(guī)定了碳化硅外延片的產(chǎn)品分類(lèi)、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸與貯

存、隨行文件和訂貨單內(nèi)容。

本文件適用于在n型或p型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅同質(zhì)外延層的外延片，產(chǎn)品用于碳化硅電子電力

器件制作。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T2828.1-2012計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T6624硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T14146硅外延層載流子濃度測(cè)定電容-電壓法

GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14847重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射法測(cè)量方法

GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度測(cè)量方法

GB/T30656碳化硅單晶拋光片

GB/T30867碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T31351碳化硅單晶拋光片微管密度無(wú)損檢測(cè)方法

GB/T32278碳化硅單晶片平整度測(cè)試方法

GB/TXXXXX碳化硅外延片表面缺陷的測(cè)試顯微可見(jiàn)光法（計(jì)劃號(hào)為20203728-T-469）

GB/TXXXXX碳化硅外延層厚度的測(cè)試紅外反射法（計(jì)劃號(hào)為20204893-T-469）

GB/TXXXXX碳化硅晶體材料缺陷圖譜（計(jì)劃號(hào)為20213238-T-469）

3術(shù)語(yǔ)和定義

GB/T14264界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

4產(chǎn)品分類(lèi)

4.1碳化硅外延片按外延層導(dǎo)電類(lèi)型分為n型和p型。

4.2碳化硅外延片按直徑尺寸分為76.2mm、100.0mm、150.0mm。

4.3碳化硅外延片按晶型分為4H<0001>、6H<0001>等。

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5技術(shù)要求

5.1碳化硅外延片用襯底材料

碳化硅單晶襯底片的電阻率應(yīng)符合表1的規(guī)定，其他參數(shù)包括合格質(zhì)量區(qū)要求、幾何參數(shù)、表面取

向及偏離、基準(zhǔn)標(biāo)記、缺陷密度、表面質(zhì)量均應(yīng)符合GB/T30656中工業(yè)級(jí)（P級(jí)）的規(guī)定。襯底片的

技術(shù)要求由供方保證，如有需求可由供方提供檢測(cè)值。

表1碳化硅單晶襯底片的電阻率

電阻率徑向不均勻性

導(dǎo)電類(lèi)型晶型電阻率(Ω?cm)

直徑76.2mm直徑100.0mm直徑150.0mm

n型4H0.015~0.028≤5%≤10%≤10%

5.2外延層參數(shù)

5.2.1導(dǎo)電類(lèi)型

碳化硅外延層的導(dǎo)電類(lèi)型為n型、p型。n型外延層摻雜元素為氮，p型外延層摻雜元素為鋁。

5.2.2載流子濃度

外延層載流子濃度及其允許偏差、載流子濃度變化應(yīng)符合表2的規(guī)定。外延層載流子濃度值為由中

心點(diǎn)和在平行與垂直于主參考面的兩條直徑上多點(diǎn)載流子濃度測(cè)量值的平均值。

表2外延層載流子濃度及其允許偏差

載流子濃度

導(dǎo)電類(lèi)型允許偏差載流子濃度變化（CV）

cm-3

n型5E13～1E19±25%20%

p型5E13～1E19±50%25%

5.2.3外延層厚度

外延層厚度及其允許偏差、徑向厚度變化應(yīng)符合表3的規(guī)定。外延層厚度值為由中心點(diǎn)和在平行與

垂直于主參考面的兩條直徑上多點(diǎn)厚度測(cè)量值的平均值。

表3外延層厚度及其允許偏差

厚度

允許偏差徑向厚度變化（TV）

μm

1～150±10％8%

5.2.4緩沖層

n型碳化硅外延層的緩沖層要求見(jiàn)表4。如客戶(hù)對(duì)緩沖層有特殊要求，也可由供需雙方協(xié)商確定。

表4外延層厚度及其允許偏差

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外延厚度緩沖層濃度緩沖層厚度

μmcm-3μm

＜20μm1E180.5

≥20μm1E181.0

5.2.5晶格完整性

碳化硅外延層的晶格缺陷包括3C夾雜物、彗星尾、顆粒、硅滴、臺(tái)階聚集、多型、微管、三角型缺

陷、胡蘿卜缺陷、梯形缺陷等外延層缺陷，其晶格缺陷密度應(yīng)不大于0.5cm-2。

5.3表面質(zhì)量

5.3.1外延片的正表面質(zhì)量應(yīng)符合表5的規(guī)定。表面缺陷要求的區(qū)域?yàn)橹睆?6.2mm邊緣去除2mm，

直徑100mm、150mm邊緣去除3mm。

表5正表面缺陷

序要求

檢驗(yàn)項(xiàng)目

號(hào)直徑76.2mm直徑100.0mm直徑150.0mm

≤3條且≤5條且≤5條且

1劃痕a

累計(jì)長(zhǎng)度≤38.1mm累計(jì)長(zhǎng)度≤50.0mm累計(jì)長(zhǎng)度≤75.0mm

2崩邊b無(wú)無(wú)無(wú)

3裂紋無(wú)無(wú)無(wú)

4沾污無(wú)無(wú)無(wú)

5點(diǎn)狀缺陷c無(wú)無(wú)無(wú)

5.3.2碳化硅外延片的背表面應(yīng)顏色均勻一致，背表面質(zhì)量要求由供需雙方協(xié)商確定。

5.4表面粗糙度

碳化硅外延片正面的表面粗糙度應(yīng)符合表6的規(guī)定。

表6表面粗糙度

要求

檢驗(yàn)項(xiàng)目

直徑76.2mm直徑100.0mm直徑150.0mm

0.2μm≤外延層厚度≤20μm≤0.3nm≤0.3nm≤0.3nm

≤0.4nm≤0.4nm≤0.4nm

表面粗糙度20μm＜外延層厚度≤50μm

50μm＜外延層厚度≤100μm≤0.8nm≤0.8nm≤0.8nm

注1：表面粗糙度掃描范圍為10μm×10μm，采用Rq值即均方根粗糙度。

注2：外延層厚度在100μm以上的表面粗糙度由供需雙方協(xié)商決定。

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GB/TXXXXX—XXXX

5.5幾何參數(shù)

碳化硅外延片的幾何參數(shù)應(yīng)符合表7的規(guī)定。

表7碳化硅外延片幾何參數(shù)

序號(hào)項(xiàng)目幾何參數(shù)要求

直徑及允許偏差

176.2±0.2100.0±0.5150.0±0.5

mm

厚度及允許偏差

2350±25350±25350±25

μm

總厚度變化TTV

3≤5μm≤5μm≤5μm

μm

局部厚度變化SBIR/LTV

4≤3≤3≤3

μm

翹曲度BOW

5≤20≤20≤35

μm

彎曲度（絕對(duì)值）WARP

6≤15μm≤15μm≤20μm

μm

5.6其他

如需方對(duì)產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)有特殊要求，由供需雙方協(xié)商確定并在訂貨單中注明。

6試驗(yàn)方法

6.1外延層載流子濃度的測(cè)試按GB/T14146的規(guī)定進(jìn)行或按供需雙方商定的其他方法進(jìn)行。

6.2外延層載流子濃度變化按公式（1）進(jìn)行：

………………（1）

式中：

Ρσ——中心點(diǎn)和在平行與垂直于主參考面的兩條直徑上多點(diǎn)載流子濃度測(cè)量值的標(biāo)準(zhǔn)方差，單位

為每立方厘米（cm-3）；

Ρmean——中心點(diǎn)和在平行與垂直于主參考面的兩條直徑上多點(diǎn)載流子濃度測(cè)量值的平均值，單位

為每立方厘米（cm-3）。

6.3外延層厚度的測(cè)試按GB/T14147的規(guī)定進(jìn)行或按供需雙方商定的其他方法進(jìn)行。

6.4外延層徑向厚度變化按公式（2）計(jì)算：

………（2）

式中：

Tσ——中心點(diǎn)和在平行與垂直于主參考面的兩條直徑上多點(diǎn)厚度測(cè)量值的標(biāo)準(zhǔn)方差，單位為微米

（μm）；

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