GB/T 43034.3-2023 集成電路脈沖抗擾度測(cè)量第3部分：非同步瞬態(tài)注入法（正式版）

ICS31.200CCSL56GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013集成電路脈沖抗擾度測(cè)量第3部分：非同步瞬態(tài)注入法(IEC62215-3:2013,IDT)GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013 Ⅲ 1 1 1 3 3 35.2電源注入網(wǎng)絡(luò) 4 55.4輸出引腳注入 55.5多引腳同時(shí)注入 66IC配置和評(píng)估 66.1IC配置和運(yùn)行模式 66.2IC監(jiān)測(cè) 76.3IC性能分級(jí) 7 77.1通則 77.2電磁環(huán)境 77.3環(huán)境溫度 77.4IC供電電壓 8 88.1試驗(yàn)設(shè)備的通用要求 8 8 88.4瞬態(tài)發(fā)生器 8 88.6監(jiān)測(cè)和激勵(lì)設(shè)備 88.7控制單元 8 89.1通則 89.2EMC試驗(yàn)板 9 1GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:201310.1試驗(yàn)計(jì)劃 10.2試驗(yàn)準(zhǔn)備 10.4脈沖抗擾度測(cè)量 10.5試驗(yàn)結(jié)果的說明與比較 10.6瞬態(tài)抗擾度接受電平 附錄A(資料性)試驗(yàn)板要求 附錄B(資料性)選擇耦合和去耦網(wǎng)絡(luò)元件值的提示 附錄C(資料性)工業(yè)環(huán)境和消費(fèi)環(huán)境試驗(yàn) 附錄D(資料性)車輛環(huán)境試驗(yàn) ⅢGB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定本文件是GB/T43034《集成電路脈沖抗擾度測(cè)量》的第3部分。GB/T43034已經(jīng)發(fā)布了以下—第3部分：非同步瞬態(tài)注入法。本文件等同采用IEC62215-3:2013《集成電路脈沖抗擾度測(cè)量第3部分：非同步瞬態(tài)注入法》。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出。本文件由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC78)歸口。GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013為規(guī)范集成電路脈沖抗擾度測(cè)量，以及為集成電路制造商和檢測(cè)機(jī)構(gòu)提供脈沖抗擾度測(cè)量方—第3部分：非同步瞬態(tài)注入法。目的在于規(guī)定非同1GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013集成電路脈沖抗擾度測(cè)量第3部分：非同步瞬態(tài)注入法本文件規(guī)定了集成電路(IC)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)傳導(dǎo)電瞬態(tài)騷擾的抗擾度測(cè)量方法。與受試器件(DUT)運(yùn)行GB/T17626.4—2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)(IEC61000-4-4:2012,IDT)GB/T17626.5—2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)(IEC61000-4-5:2014,IDT)ISO7637-2:2011道路車輛由傳導(dǎo)和耦合引起的電騷擾第2部分：沿電源線的電瞬態(tài)傳導(dǎo)(Roadvehicles—Electricaldisturbancesfromconductionandcoupling—Part2:Electricaltransientconductionalongsupplylinesonly)IEC60050-131國際電工術(shù)語第131章：電路理論[InternationalElectrotechnicalVocabulary(IEV)-Chapter131:Circuittheory]IEC60050-161國際電工術(shù)語第161章：電磁兼容[InternationalElectrotechnicalVocabulary(IEV)-Chapter161:Electromagneticcompatibility]注：GB/T4365—2003電工術(shù)語電磁兼容(IEC60050-161:1990+A1:1997+A2:1998,IDT)IEC62132-4:2006集成電路電磁抗擾度測(cè)量(150kHz～1GHz)第4部分：射頻功率直接注入法(Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticimmunity150kHzto1GHz—Part4:DirectRFpowerinjectionmethod)IEC60050-131和IEC60050-161界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。對(duì)于暴露在騷擾中的受試器件全部功能的建立和正確性能(操作)進(jìn)行判定所必需的非受試設(shè)備。2GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:20133.23.3電磁兼容性electromagneticcompatiblityEMC設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對(duì)該環(huán)境中任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的3.73.83.93.10局部引腳localpin注：信號(hào)或電源位于所在電路板上作為有/無附加EMC電路的兩個(gè)元件之間的信號(hào)。瞬態(tài)transient3GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013ZL施加或耦合到IC的端子，從而可能影響器件的功能。了解IC的脈沖抗擾度電平能夠?qū)ζ溥M(jìn)行最佳設(shè)瞬態(tài)波形取決于DUT的使用環(huán)境。對(duì)于不同DUT,為了得到可復(fù)現(xiàn)的和可比較的結(jié)果，GB/T17626.4、GB/T17626.5和ISO7637-2分別規(guī)定了工業(yè)和消費(fèi)環(huán)境以及車輛環(huán)境中的典型瞬態(tài)本方法與IEC62132-4中規(guī)定的IC對(duì)傳導(dǎo)RF騷擾的抗擾度試驗(yàn)方法類似。與IEC62132-4—(PCB)參考面。本方法所用的EMC試驗(yàn)板與IEC62132-4中規(guī)定的相同。引腳注入試驗(yàn)法用于評(píng)估單個(gè)或多個(gè)引腳施加瞬態(tài)波形時(shí)IC的性能。正極性和負(fù)極性瞬態(tài)以地作為參考?；驹囼?yàn)布置如圖1所示。z=50z=50Ω瞬態(tài)耦合網(wǎng)絡(luò)EMC試驗(yàn)板R圖1所示耦合網(wǎng)絡(luò)與IEC62132-4中RF抗擾度試驗(yàn)所用的相同。如果需要，串聯(lián)電阻器(R)可用4GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013帶寬，而又不會(huì)對(duì)所連接的引腳產(chǎn)生過度加載(見附錄B)。串聯(lián)電阻器和隔直電容器的默認(rèn)值分別為0Ω和1nF(代表10m平行線的電容值)。為了IC功能的正確運(yùn)行，試驗(yàn)時(shí)可能要使用不同的電容值。電阻器和電容器的實(shí)際值以及選擇依據(jù)應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中記錄。對(duì)于直接連接到電源網(wǎng)絡(luò)的電源引腳，應(yīng)使用圖2所示的直接注入。對(duì)于這些試驗(yàn)，工業(yè)環(huán)境使用GB/T17626.4和IEC61000-4-5中規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)瞬態(tài)發(fā)生器的耦合和去耦網(wǎng)絡(luò)，車輛環(huán)境使用ISO7637-2中規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)瞬態(tài)發(fā)生器的耦合和去耦網(wǎng)絡(luò)。電源引腳處必須使用由制造商推薦的強(qiáng)制隔直電容(Cm)、濾波器或保護(hù)元件。z=50Ω瞬態(tài)VS圖2電源引腳直接注入的試驗(yàn)布置對(duì)于不與電源網(wǎng)絡(luò)直接連接的電源引腳，例如通過電源轉(zhuǎn)換器隔離的全局配電的子電源網(wǎng)絡(luò)。試驗(yàn)電路應(yīng)按圖3所示布置。耦合網(wǎng)絡(luò)中電阻器的默認(rèn)值為0Ω,耦合電容的默認(rèn)值為1nF。在試驗(yàn)脈沖的頻譜范圍內(nèi)，宜使用大于400Ω(默認(rèn)值)的阻抗(Z)對(duì)外部直流電源和DUT的電源引腳進(jìn)行去耦。對(duì)于耦合和去耦網(wǎng)絡(luò)中的元件，可使用其他值，但應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中注明(同時(shí)見第11章)。電源引腳處宜使用由制造商推薦的強(qiáng)制隔直電容(Cm)、濾波器或保護(hù)元件。5GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013OO電源Z=502GNDEMC試驗(yàn)板耦合網(wǎng)絡(luò)Cm.發(fā)生器圖3電源引腳容性注入試驗(yàn)布置5.3輸入引腳注入對(duì)于配置為輸入的通用I/O引腳或只作為輸入的全局引腳，試驗(yàn)電路應(yīng)按圖4所示布置。耦合網(wǎng)絡(luò)中電阻器的默認(rèn)值為0Ω,耦合電容的默認(rèn)值為1nF。在試驗(yàn)脈沖的頻譜范圍內(nèi)，宜使用大于400Ω(默認(rèn)值)的阻抗(Z)對(duì)外部信號(hào)源(例如信號(hào)發(fā)生器，其與輸入信號(hào)連接器相連)和DUT的輸入引腳進(jìn)推薦進(jìn)行配置，只需施加規(guī)定元件[例如：使用合適的外部上拉電阻器(Ru)、下拉電阻器(Rp)或串聯(lián)電阻器(Rs)]。耦合網(wǎng)絡(luò)不應(yīng)影響DUT的功能。輸入信號(hào)連接器輸入信號(hào)連接器耦合網(wǎng)絡(luò)EMC試驗(yàn)板發(fā)生器VS對(duì)于配置為輸出的通用I/O引腳或只作為輸出的全局引腳，試驗(yàn)電路應(yīng)按圖5所示布置。耦合網(wǎng)絡(luò)中電阻器的默認(rèn)值為0Ω,耦合電容的默認(rèn)值為1nF。在試驗(yàn)脈沖的頻譜范圍內(nèi)，宜使用大于400Ω(默認(rèn)值)的阻抗(Z)對(duì)外部信號(hào)處理單元或負(fù)載(其與輸出信號(hào)連接器相連)和DUT的輸出引腳進(jìn)行薦進(jìn)行配置和加載[例如使用合適的外部容性負(fù)載(CL)]。試驗(yàn)中宜根據(jù)規(guī)范僅連接強(qiáng)制的外部元件。對(duì)于輸出引腳，隔直電容不應(yīng)超過該輸出容性負(fù)載的額定值以避免輸出信號(hào)出現(xiàn)不可接受的偏離。6GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013OOZ>400Ω輸出耦合網(wǎng)絡(luò)瞬態(tài)Z=50ΩC圖5輸出引腳注入試驗(yàn)布置對(duì)于多引腳或引腳組的平行耦合，可使用如圖6所示的耦合網(wǎng)絡(luò)，其由一個(gè)注入點(diǎn)和容性脈沖信號(hào)分路器組成。這些耦合網(wǎng)絡(luò)中元件的默認(rèn)值與單引腳對(duì)應(yīng)的耦合網(wǎng)絡(luò)中的相同。Z=50Z=50Q耦合網(wǎng)絡(luò)R瞬態(tài)Pin2RCC6IC配置和評(píng)估6.1IC配置和運(yùn)行模式對(duì)于脈沖抗擾度試驗(yàn)，IC應(yīng)根據(jù)其典型數(shù)據(jù)表的數(shù)值設(shè)置為正常運(yùn)行狀態(tài)。這意味著供電電壓應(yīng)設(shè)置為標(biāo)稱值而不是數(shù)據(jù)表中的最小和最大值。根據(jù)IC功能，宜選擇相關(guān)的IC運(yùn)行模式。宜盡可能充分地執(zhí)行會(huì)顯著影響DUT抗擾度的所有功能和運(yùn)行模式。如果可能，IC宜按照預(yù)期的典型應(yīng)用進(jìn)行激勵(lì)或通過輔助設(shè)備進(jìn)行激勵(lì)，但不宜影響DUT的抗擾度性能。當(dāng)IC具有看門狗功能時(shí)，試驗(yàn)中為了收集額外信息可能禁用此功能。宜使用數(shù)據(jù)表中所列的規(guī)定元件，這些元件對(duì)于IC的功能或激勵(lì)是必需的。規(guī)定元件的位置和試驗(yàn)板布局的設(shè)計(jì)應(yīng)不會(huì)對(duì)IC的試驗(yàn)結(jié)果產(chǎn)生不利影響。7GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:20136.2IC監(jiān)測(cè)宜對(duì)DUT進(jìn)行監(jiān)測(cè)，目的是盡可能完整地確定其抗擾度性能。實(shí)施的監(jiān)測(cè)不應(yīng)影響DUT的抗擾度性能。對(duì)于混合信號(hào)IC,取決于實(shí)現(xiàn)的功能或安裝的軟件程序，其可產(chǎn)生不同的響應(yīng)信號(hào)?？杀O(jiān)測(cè)響應(yīng)信號(hào)以表明IC是否敏感。響應(yīng)信號(hào)包括但不限于以下參數(shù)特性和功能特性：——輸出波形的信號(hào)過渡時(shí)間(上升或下降);——DUT復(fù)位；——DUT掛起；——DUT的閂鎖效應(yīng)；——數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的丟失或出現(xiàn)偏差；——內(nèi)存內(nèi)容損壞。對(duì)于所監(jiān)測(cè)的響應(yīng)信號(hào)，宜單獨(dú)定義IC脈沖抗擾度試驗(yàn)的失效判據(jù)。使用標(biāo)稱信號(hào)值和允差定義失效判據(jù)。6.3IC性能分級(jí)IC抗擾度性能等級(jí)分類如下。等級(jí)Aic:在試驗(yàn)期間和試驗(yàn)之后，IC所有監(jiān)測(cè)功能按預(yù)期工作。等級(jí)Bc:在試驗(yàn)期間一個(gè)或多個(gè)監(jiān)測(cè)信號(hào)的短時(shí)性能降低并不能對(duì)IC進(jìn)行評(píng)價(jià)。因此，這種分類可能不適用于IC(見注)。等級(jí)Cc:試驗(yàn)期間IC至少一個(gè)功能超過規(guī)定允差，但試驗(yàn)結(jié)束后能自動(dòng)恢復(fù)正常。等級(jí)Drc:試驗(yàn)期間IC至少一個(gè)功能超過規(guī)定允差，試驗(yàn)結(jié)束后不能自動(dòng)恢復(fù)正常，需要人工干預(yù)才能恢復(fù)正常?！燃?jí)Dlc:IC通過人工干預(yù)恢復(fù)正常(例如，復(fù)位)?！燃?jí)D2c:IC通過電源的通斷恢復(fù)正常。7試驗(yàn)條件7.3環(huán)境溫度試驗(yàn)過程中環(huán)境溫度應(yīng)保持在23℃±5℃范圍內(nèi)。8GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013供電電壓應(yīng)設(shè)置為IC制造商規(guī)定的標(biāo)稱電壓，允差為±5%。8試驗(yàn)設(shè)備8.1試驗(yàn)設(shè)備的通用要求試驗(yàn)中所用的所有設(shè)備應(yīng)對(duì)施加的瞬態(tài)具有抗擾能力，不會(huì)影響試驗(yàn)結(jié)果。試驗(yàn)設(shè)備應(yīng)滿足以下要求。8.2電纜推薦使用同軸電纜傳輸騷擾信號(hào)以保護(hù)試驗(yàn)環(huán)境，同時(shí)避免騷擾信號(hào)與激勵(lì)和監(jiān)測(cè)信號(hào)的交叉耦合。為了在高壓試驗(yàn)條件下傳輸正確的試驗(yàn)信號(hào)，應(yīng)規(guī)定并使用額定值能滿足最大試驗(yàn)電壓的電纜。8.3屏蔽為了確保DUT功能合適的電磁環(huán)境，或?yàn)榱艘种婆c電磁環(huán)境的耦合，可要求試驗(yàn)在屏蔽室內(nèi)進(jìn)行。8.4瞬態(tài)發(fā)生器應(yīng)使用GB/T17626.4、GB/T17626.5或ISO7637-2中規(guī)定的瞬態(tài)發(fā)生器。8.5電源DUT應(yīng)使用不會(huì)受到所注入的騷擾信號(hào)影響的電源。如果使用電池，則該電池應(yīng)滿足IC的要監(jiān)測(cè)和激勵(lì)設(shè)備不應(yīng)受到注入騷擾信號(hào)的影響，宜注意監(jiān)測(cè)和激勵(lì)設(shè)備不會(huì)對(duì)影響DUT或試驗(yàn)結(jié)果產(chǎn)生不利影響。8.7控制單元推薦使用控制單元自動(dòng)控制瞬態(tài)發(fā)生器、激勵(lì)I(lǐng)C以及獲得性能監(jiān)測(cè)的數(shù)據(jù)。9試驗(yàn)布置非同步瞬態(tài)抗擾度試驗(yàn)布置框圖如圖7所示。瞬態(tài)發(fā)生器通過EMC試驗(yàn)板上的耦合網(wǎng)絡(luò)將騷擾注入給受試IC的引腳。瞬態(tài)發(fā)生器的輸出端與耦合網(wǎng)絡(luò)的同軸連接器直接相連。瞬態(tài)發(fā)生器的地應(yīng)與EMC試驗(yàn)板的參考地相連接。當(dāng)IC加電且施加要求功能的激勵(lì)時(shí)，宜監(jiān)測(cè)IC產(chǎn)生的響應(yīng)信號(hào)以表明其是否敏感。系統(tǒng)可由控制單元進(jìn)行控制。9GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013瞬態(tài)發(fā)生器監(jiān)測(cè)控制EMC試驗(yàn)板控制總線激勵(lì)圖7試驗(yàn)布置框圖9.2EMC試驗(yàn)板本試驗(yàn)方法需要使用EMC試驗(yàn)板，試驗(yàn)板用于放置DUT、規(guī)定元件和必要的耦合和去耦網(wǎng)絡(luò)。試驗(yàn)板的規(guī)定見IEC62132-4。對(duì)于IC的脈沖試驗(yàn)，推薦使用具有公共地平面的印制電路板。DUT宜直接安裝在試驗(yàn)板上而不宜使用IC插座。如果使用IC插座，一定要注意IC插座的電感不會(huì)顯著影響試驗(yàn)結(jié)果，尤其是對(duì)于快速瞬態(tài)試驗(yàn)。本文件的主要目的僅是試驗(yàn)DUT的脈沖抗擾度。因此，除非DUT的外部保護(hù)元件(例如隔直電在IC上并在相同的地平面上進(jìn)行接地。從規(guī)定的隔直元件到DUT的返回路徑或者傳輸線屏蔽層不宜有縫隙。50Ω走線50Ω走線脈沖注入口盡量短可選電阻器去耦PCB頂層：PCB底層：外圍設(shè)備輸入輸出信號(hào)耦合電容器圖8從注入端口到DUT引腳的布線圖從脈沖注入端連接器到耦合網(wǎng)絡(luò)的印制線宜為50Ω?jìng)鬏斁€(見圖8)。傳輸線的末端到DUT的引腳宜盡可能地短。印制線最合理的長(zhǎng)度宜為所施加信號(hào)最短波長(zhǎng)的1/20。對(duì)于時(shí)域中定義的瞬態(tài)，印制線的長(zhǎng)度可由以下公式(1)和公式(2)計(jì)算：GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:20式中：l.——印制線的長(zhǎng)度，單位為厘米(cm)。t.—上升時(shí)間，單位為納秒(ns)。c——光速，單位為米每秒(m/s)。 (1) (2)cm/ns,PCB材料為FR4:vp=E,——相對(duì)介電常數(shù)。較短的印制線長(zhǎng)度對(duì)于試驗(yàn)是有利的。接地平面上載有耦合信號(hào)的印制線的返回路徑上不應(yīng)存在縫隙。如果不可避免，那么載有耦合信號(hào)的印制線的返回路徑上的縫隙長(zhǎng)度不應(yīng)超過最短波長(zhǎng)的1/20。為了獲得可靠的接地參考，DUT的接地引腳和提供耦合信號(hào)的任何傳輸線的屏蔽層之間的阻抗應(yīng)盡可能地小。因此，強(qiáng)烈推薦使用PCB上的接地平面以使接地連接的阻抗最小。脈沖去耦網(wǎng)絡(luò)宜盡可能地接近脈沖注入的引腳。如果不能滿足上述條件，那么應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中描述存在的偏離。脈沖抗擾度試驗(yàn)板可以修改采用IEC62132-4中描述的RF抗擾度試驗(yàn)板。附錄A給出了試驗(yàn)板的附加要求。10試驗(yàn)程序10.1試驗(yàn)計(jì)劃試驗(yàn)計(jì)劃應(yīng)包括與DUT和所施加的瞬態(tài)有關(guān)的所有條件：——根據(jù)預(yù)期使用和相關(guān)基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)選擇有關(guān)脈沖，試驗(yàn)等級(jí)和極性；——發(fā)生器的設(shè)置(重復(fù)率、脈沖數(shù)、輸出阻抗);——運(yùn)行模式；——監(jiān)測(cè)的功能和失效判據(jù)；——被耦合的引腳。10.2試驗(yàn)準(zhǔn)備在試驗(yàn)條件下給DUT通電并完成運(yùn)行檢查以確認(rèn)其功能正常(例如運(yùn)行DUT試驗(yàn)代碼)。在運(yùn)行檢查過程中，瞬態(tài)發(fā)生器和任何激勵(lì)以及測(cè)量設(shè)備應(yīng)加電并與PCB連接；然而，瞬態(tài)發(fā)生器的輸出應(yīng)被關(guān)閉。DUT的性能不應(yīng)因?yàn)榄h(huán)境條件而降低。10.3耦合脈沖特性為了試驗(yàn)的一致性和重復(fù)性，需要分別按照GB/T17626.4、GB/T17626.5和ISO7637-2的規(guī)定表征發(fā)生器在開路條件下的輸出電壓信號(hào)。此外，表征開路條件下在DUT注入點(diǎn)的耦合脈沖也是重要的。這種表征包括脈沖發(fā)生器、連接線、耦合網(wǎng)絡(luò)、必需的元件和使用的去耦網(wǎng)絡(luò)。根據(jù)開路條件下脈沖發(fā)生器的輸出與DUT注入點(diǎn)測(cè)得的信號(hào)之間的差值可估計(jì)傳輸特性。根據(jù)對(duì)應(yīng)的脈沖標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013使用示波器分別進(jìn)行這兩種測(cè)量。EMC試驗(yàn)板加電，DUT運(yùn)行在預(yù)期試驗(yàn)?zāi)Ｊ剑瑴y(cè)量IC對(duì)注入瞬態(tài)騷擾信號(hào)的抗擾度。應(yīng)按照試驗(yàn)計(jì)劃逐步增加試驗(yàn)電平直到觀察到故障或達(dá)到最大試驗(yàn)電平。試驗(yàn)電壓的步進(jìn)不應(yīng)大于試驗(yàn)計(jì)劃的規(guī)定。試驗(yàn)計(jì)劃所列試驗(yàn)電平為負(fù)載開路條件下瞬態(tài)發(fā)生器的輸出脈沖。在每一試驗(yàn)電平，瞬態(tài)信號(hào)至少應(yīng)施加10s(或至少是DUT產(chǎn)生響應(yīng)和監(jiān)測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)到任何性能降級(jí)所需的時(shí)間)。需要規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用的典型值。默認(rèn)值為10min。詳細(xì)的試驗(yàn)步驟如下。1)按照?qǐng)D7所示連接所有設(shè)備。2)驗(yàn)證DUT的運(yùn)行正常。3)瞬態(tài)發(fā)生器設(shè)置為所需電壓電平。4)瞬態(tài)發(fā)生器設(shè)置為所需極性。5)按照所要求的駐留時(shí)間注入瞬態(tài)。在瞬態(tài)注入過程中監(jiān)測(cè)DUT是否出現(xiàn)性能降級(jí)。6)如果還需進(jìn)行其他電壓電平的試驗(yàn)，重復(fù)步驟3)～步驟5)。只要在相同的條件下進(jìn)行測(cè)量，就可以直接比較結(jié)果。如果專門為了進(jìn)行IC間的比較，則器件需為了確定IC的性能等級(jí)，宜考慮監(jiān)測(cè)信號(hào)出現(xiàn)的偏離是否是由IC的功能或是由騷擾信號(hào)疊加在功能信號(hào)上產(chǎn)生的。如果功能信號(hào)的降低是由IC的功能運(yùn)行產(chǎn)生，應(yīng)區(qū)分這種功能運(yùn)行是有意的(例根據(jù)IC的預(yù)期使用，瞬態(tài)抗擾度接受電平由制造商和IC用戶商定。附錄C和附錄D給出了典型11試驗(yàn)報(bào)告試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)提供所有必要信息來解釋和復(fù)現(xiàn)試驗(yàn)結(jié)果。試驗(yàn)報(bào)告宜包含： EMC試驗(yàn)板的信息： GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013(資料性)試驗(yàn)板要求A.1試驗(yàn)板的機(jī)械描述板的典型大小為100±3mm×100±3mm(其他試驗(yàn)也可以使用該試驗(yàn)板)。在板角處可以加孔，如圖A.1所示。板的所有邊緣至少宜鍍錫5mm,或者使之導(dǎo)電以便進(jìn)行良好的電接觸。也可以選擇在板的邊緣鍍金。板邊緣的過孔宜距邊緣至少5mm。A.2試驗(yàn)板的描述-電氣要求A.2.1概述將圖A.1作為布線指南。至少使用雙層板。如果功能需要，也可以在其中增加第二層、第三層或更多層形成多層板。第一層宜用作地平面。第四層允許通過其他信號(hào)，但宜盡可能保持完整以也用作地平面。作為基本要求，IC下面的第一層宜保留為地平面，以定義需要的特性阻抗。制作試驗(yàn)板時(shí)，IC宜安裝在PCB的一面(第一層),而所有其他的元器件和走線都在另一面(第為了使試驗(yàn)板在高壓條件下正常工作，應(yīng)注意避免閃絡(luò)(例如細(xì)致的試驗(yàn)板布局，元器件選擇)。A.2.2地平面地平面(第一層和第四層)宜通過過孔相互連接。這些過孔在板上的位置見表A.1。表A.1板上過孔的位置過孔位置特定區(qū)域1板邊緣四周2只在DUT區(qū)域的外側(cè)3只在DUT下方區(qū)域的內(nèi)側(cè)第一層的地平面與位置2的過孔保持電連續(xù)性，由此第1層的地平面在整個(gè)板上都保持電連續(xù)性。如果IC的封裝和可利用的空間允許，第四層也宜同樣處理。A.2.3封裝引腳A.2.3.1概述A.2.3.2DIL封裝這些封裝不需要過孔，因?yàn)橐延须婂兺滓_或由其引腳本身就已具備。GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013這些封裝需要使用過孔。這些過孔宜優(yōu)先布置在用于焊接IC的襯墊的中央。為了使IC電流流過的回路面積最小，這些過孔優(yōu)先布置在表A.1的位置3處。A.2.3.4PGA、BGA封裝正在考慮中。A.2.4過孔A.2.4.1過孔類型位置1的所有過孔直徑宜為0.8mm,所有其他過孔的直徑宜大于或等于0.2mm。A.2.4.2過孔距離宜控制過孔的位置，以便能測(cè)量到1GHz。連接第一層和第四層的過孔之間的最大橫向距離宜為10mm。連接信號(hào)走線的過孔宜盡可能靠近連接第一層和第四層的過孔，以便形成小的返回信號(hào)環(huán)路。所有附加的元器件都宜安裝在第四層。這些元器件的安裝不宜影響第一層、第四層和層間過孔的限定條件。A.2.6電源去耦為了獲得可復(fù)現(xiàn)的測(cè)量數(shù)據(jù)，需要根據(jù)試驗(yàn)板的規(guī)格對(duì)電源去耦。試驗(yàn)板上的去耦電容器分為以下兩組。去耦電容器和其他去耦元器件的值及其在版圖上的位置宜記錄在試驗(yàn)報(bào)告中?！狪C去耦電容器宜按照制造商推薦的方法對(duì)IC進(jìn)行電源去耦。如有IC去耦電容器，則宜連接到IC下方第4層的地平面上(見圖A.1),以保持DUT的正確運(yùn)行。DUT每個(gè)電源引腳的去耦電容器的電容值及其在版如果試驗(yàn)板電源去耦設(shè)計(jì)得不合適，則其電源的阻抗可能會(huì)影響測(cè)量結(jié)果。測(cè)量中可能用到各種A.2.7I/0負(fù)載加載或激活I(lǐng)C所需的其他元器件，以及試驗(yàn)過程中對(duì)IC進(jìn)行監(jiān)測(cè)所需的端口，都宜安裝在第四GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013單位為毫米孔的界線內(nèi)第一層—地第二層——電源第三層——信號(hào)第四層——地和/或電源和/或信號(hào)標(biāo)稱1.6≤0.75圖A.1典型試驗(yàn)板示例GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013在單個(gè)EMC試驗(yàn)板上可能會(huì)安裝多種注入試驗(yàn)結(jié)構(gòu)以便全面描述IC特性。圖A.2給出了單個(gè)試驗(yàn)板上包含所有可能的注入結(jié)構(gòu)的示意圖。對(duì)于由額外電源、接地、輸入或輸出引腳的IC,這種適當(dāng)?shù)脑囼?yàn)結(jié)構(gòu)是可以進(jìn)行復(fù)制的。有同樣名稱(例如，VS1、VS2等)的多重電源和接地引腳宜歸為一間如圖所示進(jìn)行連接。去耦電容器的值按用戶指南中的標(biāo)稱。圖A.2多引腳注入布線圖GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013(資料性)選擇耦合和去耦網(wǎng)絡(luò)元件值的提示B.1一般要求根據(jù)IC使用的預(yù)期瞬態(tài)環(huán)境和耦合現(xiàn)象定義耦合和去耦網(wǎng)絡(luò)。對(duì)于非直接的容性耦合，電容器的值根據(jù)單位長(zhǎng)度導(dǎo)線線束的電容值(即100pF/m)確定。對(duì)于與導(dǎo)線線束連接的全局引腳，導(dǎo)線長(zhǎng)度線的長(zhǎng)度為0.05m～0.2m,其可用10pF～47pF的耦合電容器表示。B.2IC全局引腳的耦合和去耦網(wǎng)絡(luò)對(duì)于在試驗(yàn)布置中與瞬態(tài)發(fā)生器直接相連且通過其供電的電源引腳，可分別使用GB/T17626.4、IEC61000-4-5或ISO7637-2中發(fā)生器提供的耦合和去耦網(wǎng)絡(luò)。對(duì)于在試驗(yàn)布置中不直接與瞬態(tài)發(fā)生器相連且不通過其供電的電源引腳，宜使用下面的耦合網(wǎng)絡(luò)：對(duì)于快脈沖(上升時(shí)間<10ns):耦合網(wǎng)絡(luò)：發(fā)生器的內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)或C=1nF(陶瓷貼片電容400Ω)400Ω)當(dāng)施加負(fù)脈沖時(shí)，二極管用于對(duì)流向電網(wǎng)的正脈沖去耦，電源開關(guān)用于斷開電網(wǎng)(器件的額定值根據(jù)預(yù)期的電流和電壓值選定)對(duì)于在試驗(yàn)布置中不直接與瞬態(tài)發(fā)生器相連且不通過其供電的子電源引腳，應(yīng)使用下面的耦合對(duì)于快脈沖和慢脈沖：去耦網(wǎng)絡(luò)：阻抗近似為400Ω的扼流圈(對(duì)于車輛和工業(yè)環(huán)境)(與其匹配的可選固定電阻值，例如B.2.2I/0引腳的耦合和去耦網(wǎng)絡(luò)對(duì)于快脈沖和慢脈沖：GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013取決于對(duì)特定IC引腳負(fù)載的定義，可能需要對(duì)耦合去耦網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行修改。這種網(wǎng)絡(luò)中的元件值應(yīng)按GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013(資料性)工業(yè)環(huán)境和消費(fèi)環(huán)境試驗(yàn)C.1概述對(duì)于工業(yè)環(huán)境，IC應(yīng)根據(jù)GB/T17626.4和IEC61000-4-5定義的典型脈沖騷擾進(jìn)行試驗(yàn)。基于典型應(yīng)用，IC引腳宜根據(jù)表C.1進(jìn)行分類。表C.1引腳類型的定義引腳類別引腳類型引腳類型示例試驗(yàn)電路根據(jù)表C.2的試驗(yàn)電路元件值備注局部引腳電源相環(huán)圖3輸入通用輸入端口、復(fù)位、中斷請(qǐng)求(IRQ)、放大器的輸入或模擬輸入圖4、圖6輸入端對(duì)注入信號(hào)作為有效信號(hào)進(jìn)行響應(yīng)。10pF用于模擬PCB上印制線的耦合輸出通用輸出輸出端口圖5、圖610pF用于模擬PCB上印制線的耦合振蕩器晶體振蕩器圖4對(duì)負(fù)載敏感。注入時(shí)使用小電容(1pF~5pF)全局引腳電源主電源圖2、圖3受到快速瞬態(tài)、浪涌的影響。如果引腳不直接與電網(wǎng)連接，使用1nF的電容對(duì)電池或交流電源進(jìn)行耦合輸入通用輸入端口圖4、圖6輸入端把注入信號(hào)作為有效信號(hào)進(jìn)行響應(yīng)。對(duì)于長(zhǎng)導(dǎo)線與導(dǎo)線或?qū)Ь€與殼體的耦合使用1nF的電容輸出通用輸出端口圖5、圖6對(duì)于長(zhǎng)導(dǎo)線與導(dǎo)線或?qū)Ь€與殼體的耦合使用1nF的電容通信輸入/輸出串行通信接口(SCI)、通用串行總線(USB)、以太網(wǎng)、兩線式串行總線(I2C)圖4、圖5G2、G3長(zhǎng)的線路、不同防護(hù)要求、對(duì)于長(zhǎng)導(dǎo)線與導(dǎo)線的耦合使用1nF的電容GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013取決于特定應(yīng)用環(huán)境，預(yù)期用于工業(yè)和消費(fèi)環(huán)境的器件的某些引腳可能是全局引腳或局部引腳。C.3試驗(yàn)類型對(duì)于單引腳注入，表C.2給出了試驗(yàn)電路的推薦值。如果這些元件值或可選值不能用于器件的正各個(gè)單引腳注入使用的元件值相同。表C.2試驗(yàn)電路的推薦值試驗(yàn)類型圖號(hào)CRZCBL電源3待確定待確定待確定待確定待確定待確定待確定待確定輸入40n.p0不適用不適用輸出50n.p.0n.p.n.p.不適用敏感輸入41pF~0n.p.0n,p.n.p.不適用不適用電源2不適用不適用0不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用根據(jù)要求G2b輸入40n.p.0不適用不適用G3b輸出50n.p.不適用不適用不適用不適用n.p.——除非為了IC正確地運(yùn)行，否則不需要。Ru/Rp——上拉或下拉電阻?！と绻娫匆_不直接與電網(wǎng)相連，則不能使用GB/T17626.4和GB/T17626.5中規(guī)定的發(fā)生器的內(nèi)部耦合網(wǎng)絡(luò)。對(duì)于通信輸入/輸出，為了IC的正確運(yùn)行，可能需要使用其他元件值。C.4脈沖特性脈沖特性應(yīng)與GB/T17626.4和GB/T17626.5中規(guī)定的相同。C.5試驗(yàn)電平表C.3。試驗(yàn)時(shí)的注入值將被記錄為發(fā)生器的開路電壓。表C.3IC脈沖試驗(yàn)電平示例(GB/T17626.4—2018)引腳數(shù)試驗(yàn)類型配置極性注入試驗(yàn)電壓起始值/V注入試驗(yàn)電壓最終值/V注入電壓步進(jìn)/V脈沖駐留時(shí)間/s1輸入上拉正400020引腳數(shù)試驗(yàn)類型配置極性注入試驗(yàn)電壓起始值/V注入試驗(yàn)電壓最終值/V注入電壓步進(jìn)/V脈沖駐留時(shí)間/s1輸入上拉負(fù)4電源正4電源—負(fù)敏感輸入晶體振蕩器正敏感輸入晶體振蕩器負(fù)通信輸入串行輸入端口正通信輸