(高清版)GBT 2900.104-2021 電工術(shù)語　微機(jī)電裝置

GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018電工術(shù)語微機(jī)電裝置(IEC60050-523:2018,Internationalelectrotechnicalvocabulary—Part523:Micro-eletromechanicaldevices,IDT)國家市場監(jiān)督管理總局國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定本文件是GB/T2900《電工術(shù)語》的第104部分。GB/T2900已經(jīng)發(fā)布了100多個(gè)部分。本文件做了下列最小限度的編輯性修改：——增加了參考文獻(xiàn)。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由全國電工術(shù)語標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC232)提出并歸口。陸學(xué)貴。IⅡGB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018GB/T2900電工術(shù)語系列國家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)IEC60050國際電工詞匯系列國際標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)IEC對(duì)電本文件等同采用IEC60050-523:2018《國際電工詞匯第523部分：微機(jī)電裝置》,歸于第5部分電——GB/T2900.33—2004電工術(shù)語電力電子技術(shù)(IEC60050-551:1998,IEC60050-551-20:2001,IDT);——GB/T2900.66—2004電工術(shù)語半導(dǎo)體器件和集成電路(IEC60050-521:2002,IDT);——GB/T4210—2015電工術(shù)語電子設(shè)備用機(jī)電元件(IEC60050-581:2008,IDT)。1GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018電工術(shù)語微機(jī)電裝置本文件適用于微機(jī)電技術(shù)領(lǐng)域。2規(guī)范性引用文件3.1通用術(shù)語523-01-01微機(jī)電器件523-01-02523-01-03523-02-01由于一個(gè)或多個(gè)尺寸的變化而導(dǎo)致其性質(zhì)和特性發(fā)生改變的現(xiàn)象。2GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018質(zhì)也受內(nèi)部材料結(jié)構(gòu)和表面的影響，因此，其特征值有時(shí)與體積的特征值不同。微觀世界的摩擦性質(zhì)也與宏觀世界的不同。因此，在設(shè)計(jì)微機(jī)械時(shí)仔細(xì)考慮這些影響。523-02-02微觀世界中的摩擦學(xué)。注：摩擦學(xué)是研究宏觀世界中的摩擦和磨損。當(dāng)微機(jī)械中的部件的尺寸變得非常小時(shí)，表面力和黏性力取代重力和慣性力成為主導(dǎo)力，根據(jù)庫侖摩擦定律，摩擦力與法向載荷成正比。在微機(jī)械環(huán)境中，由于表面力之間的相互作用，產(chǎn)生了在一般尺度環(huán)境下無法想象的大摩擦力。因此，在普通規(guī)模的環(huán)境中，極少量的磨損不會(huì)成為問題，卻會(huì)使微型機(jī)械產(chǎn)生致命的損壞。微摩擦學(xué)研究旨在減少摩擦力，并發(fā)現(xiàn)即使在原子水平上也無摩擦的條件。在這項(xiàng)研究中，觀察了摩擦表面或固體表面在0.1nm～1nm分辨率下發(fā)生的現(xiàn)象，并對(duì)原子級(jí)上的相互作用進(jìn)行了分析。這些方法有望應(yīng)用于解決普通尺度環(huán)境和微機(jī)械環(huán)境下的摩擦學(xué)問題。523-02-03液滴和覆蓋有介電薄膜的襯底之間的電壓控制的襯底的潤濕。注：在襯底上的液滴(通常是電解質(zhì)接觸角可以進(jìn)行電氣控制，因?yàn)楣桃罕砻娼缑鎻埩梢酝ㄟ^作為電容器工作的電雙層中存儲(chǔ)的能量來控制。用確定厚度的介電材料覆蓋電極，可以輕松確定電容。電介質(zhì)上的電潤濕通常用于微流體裝置。523-02-04通過黏附力將移動(dòng)結(jié)構(gòu)粘在另一個(gè)結(jié)構(gòu)或襯底上的現(xiàn)象。在濕法刻蝕過程中釋放小結(jié)構(gòu)時(shí)，MEMS制造過程中經(jīng)常發(fā)生黏著現(xiàn)象。引起黏附的典型黏附力是范德華力、靜電力和結(jié)構(gòu)間液體的表面張力。523-02-05親水的hydrophilic,adj分子通過氫鍵與水(H?O)鍵合的物理性質(zhì)。523-02-06非極性分子在水中形成類似分子聚集體和類似分子內(nèi)相互作用的趨勢。3.3材料科學(xué)523-03-01最大力(循環(huán)中)maximumforce(inacycle)循環(huán)中施加力的最大值。注：本定義是ASTME1823-05a中定義的修訂版。3GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018523-03-02最小力(循環(huán)中)minimumforce(inacycle)Pmin循環(huán)中施加力的最小值。523-03-03平均力meanforcePmean等幅加載或單個(gè)循環(huán)中最大力和最小力的平均值。523-03-04δmax循環(huán)中應(yīng)用位移的最高值。523-03-05δmin循環(huán)中應(yīng)用位移的最小值。523-03-06等幅加載或單個(gè)循環(huán)中最大位移和最小位移的平均值。523-03-07等幅加載下最大位移和最小位移之間的差值。523-03-08R最小力(或最小應(yīng)力)與最大力(或最大應(yīng)力)之比。523-03-09偏差(試樣的)deflection(ofatestpiece)W4GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018β振幅(微機(jī)電裝置)amplitude(micro-electromechanicaldevices)在疲勞試驗(yàn)中，導(dǎo)致試樣斷裂的循環(huán)應(yīng)力S和循環(huán)次數(shù)N之間的關(guān)系曲線。瞬時(shí)失效強(qiáng)度instantaneousfailurestrength0fK薄膜區(qū)域在獨(dú)立式薄膜樣品中直接與壓力介質(zhì)接觸并被框架包圍的測試區(qū)域。見圖1。5GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018t——薄膜的厚度。523-03-19523-03-20電氣失效延伸率elongationate電阻開始超過預(yù)定極限的工程應(yīng)變值。523-04-01部分是測量與反應(yīng)相關(guān)的物理或化學(xué)量變化的器件。通過硅微機(jī)械加工技術(shù)制備的半導(dǎo)體傳感器或任何類型的電極(例如微氧電極和熒光檢測光學(xué)傳感器)均可以被制作成這種器件。生物傳感器常用于血液分析系統(tǒng)中523-04-02結(jié)合微探針和信號(hào)處理電路的一體式探針。6GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018523-04-03集成離子敏感電極和場效應(yīng)晶體管(FET)的半導(dǎo)體傳感器。使用FET,即一種通過使用垂直于載流電場控制多數(shù)載流子形成的電流路徑的電導(dǎo)的晶體管。ISFET基于硅523-04-04用于測量角速度的微傳感器。環(huán)形激光陀螺儀和光纖陀螺儀的功能是基于薩尼亞克效應(yīng)(Sagnaceffect)原理實(shí)現(xiàn)。在這些類型的陀螺儀中，523-04-05分隔空間的柔性膜結(jié)構(gòu)。度可根據(jù)不同的應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)計(jì)，從幾微米到幾十微米均可。該結(jié)構(gòu)可用于檢測壓力大小變化或壓力引起523-04-06微加工而成的懸臂梁。523-04-07微加工產(chǎn)生的通道。注：微通道通常用于流體裝置，例如片上實(shí)驗(yàn)室。微通道中的流動(dòng)與宏觀的流動(dòng)不同。流動(dòng)的形成是523-04-08通過微機(jī)械加工產(chǎn)生的執(zhí)行器。注1:微機(jī)械進(jìn)行機(jī)械工作時(shí)，微執(zhí)行器是必不可少的基本組件。主要的應(yīng)用有利用如鋯鈦酸鉛(PZT)、氣動(dòng)橡膠7GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018523-04-09523-04-10使用壓電材料的執(zhí)行器。523-04-11切換執(zhí)行器的電流來任意控制。最近，已經(jīng)嘗試使用這些合金來構(gòu)建具有適當(dāng)反饋機(jī)制和冷卻系統(tǒng)的伺服系523-04-12523-04-13用于掃描光束的鏡面結(jié)構(gòu)。523-04-14無須轉(zhuǎn)換成電信號(hào)就可切換光信號(hào)的光學(xué)元件。8GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018523-04-15抓取微觀物體的機(jī)械設(shè)備。注：微夾具有兩個(gè)作用。它們可以用作組裝微機(jī)械的工具或用作微機(jī)器人的手部等部位。在任何一種情況下，微精確控制。由于微夾具的功能僅是抓住物體，因此多自由度的處理需要組合適當(dāng)?shù)目刂破?。與使用激光束的523-04-16注：這些微型泵主要在硅或玻璃上制造，并使用微機(jī)械加工技術(shù)與執(zhí)行器一起形成隔膜。應(yīng)用示例包電元件驅(qū)動(dòng)的微型止回閥的隔膜式泵，以及使用熱膨脹執(zhí)行器和微型加熱器的集成泵。泵通過由堆疊壓電致523-04-17控制微觀通道中的流體流動(dòng)的機(jī)械裝置。制閥由堆疊的壓電執(zhí)行器和隔膜組成。為了控制高黏度的流體(例如血液),要擴(kuò)大通道并增加閥驅(qū)動(dòng)器的沖523-04-18通過電化學(xué)過程將燃料的化學(xué)能直接轉(zhuǎn)換為電能的微機(jī)械裝置。523-04-19523-04-20523-04-21使用傳感器的電輸出計(jì)算并輸出方位角的羅盤。9GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018523-04-22使用2軸磁傳感器作為地磁檢測元件的電羅盤。523-04-233軸電子羅盤3-axise-compass使用3軸磁傳感器作為地磁檢測元件的電羅盤。523-04-246軸電子羅盤6-axise-compass使用3軸磁傳感器作為地磁檢測元件和3軸加速度傳感器作為重力檢測元件的電子羅盤。523-04-25集成MEMS設(shè)備，其中互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)信號(hào)處理電路和MEMS元件形成在同一523-05-01厚膜技術(shù)thickfilmtechnology在襯底上形成厚膜的技術(shù)。523-05-02薄膜技術(shù)thinfilmtechnology在襯底上形成薄膜的技術(shù)。523-05-03去除部分襯底的微機(jī)械加工。GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018523-05-04在襯底表面上形成各種微形狀的不同物質(zhì)的微機(jī)械加工。523-05-05523-05-06X射線深層光刻電鑄成型工藝LIGApro523-05-07使用激光沿襯底上的劃片槽輻射和掃描進(jìn)行晶圓切割的技術(shù)。523-05-08刻蝕速率不隨能量束方向或結(jié)晶取向變化的刻蝕工藝。523-05-09刻蝕速率隨能量束方向或結(jié)晶取向變化的刻蝕工藝。523-05-10刻蝕停止層etchstop523-05-11犧牲層刻蝕sacrificialetching優(yōu)先(犧牲)蝕刻夾在兩層不同材料之間的中間層，并有選擇性地去除的微機(jī)械加工工藝。GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018523-05-12腐蝕性氣體和離子濺射相結(jié)合刻蝕的技術(shù)。523-05-13深反應(yīng)離子刻蝕deepreactiveionetching;DRIE可產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的高深寬比結(jié)構(gòu)的反應(yīng)離子刻蝕(RIE)的變化。523-05-14高強(qiáng)度電感耦合電磁場產(chǎn)生的高密度等離子體。523-05-15原子層沉積atomiclayerdeposition;ALD原子級(jí)分辨率厚度的薄膜沉積技術(shù)。523-05-16523-05-17523-05-18復(fù)制納米級(jí)結(jié)構(gòu)的模塑過程。GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018523-05-19在將液化材料倒入模具中之后獲得所需形狀的微觀組件的方法。物和陶瓷的原材料加入模具中來產(chǎn)生微形狀。在LIGA工藝中，使用精密模塑技術(shù)在金屬模具中形成塑料。在典型的例子中，將低黏度塑料脫氣并在高壓下送入真空模具中以防止起泡并完全填充小間隙。熱處理在高523-05-20掃描隧道顯微鏡加工STMmachining使用掃描隧道顯微鏡(STM)進(jìn)行原子和分子級(jí)別的表面處理(原子操作)。3.6鍵合裝配技術(shù)523-06-01將一個(gè)對(duì)象連接到另一個(gè)對(duì)象的技術(shù)。[來源：IEC62047-1:2016,2.6.1,有修改]523-06-02陽極鍵合anodicbonding璃側(cè)為陰極的襯底上施加高壓而產(chǎn)生的雙電層的靜電吸引而結(jié)合。注：高精度黏合是由于在襯底固態(tài)下的鍵合過程實(shí)現(xiàn)的。鍵合強(qiáng)度很大程度上取決于表面的平整度，盡管這不如523-06-03擴(kuò)散鍵合diffusionbonding將材料加熱到其熔點(diǎn)以下并將其壓在一起，通過原子的相互擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)固態(tài)結(jié)合的鍵合技術(shù)。注：由于材料是在固態(tài)狀態(tài)下鍵合的，因此與熔合鍵合相比更精確。擴(kuò)散鍵合主要用于金屬的鍵起的開裂，大多數(shù)擴(kuò)散鍵合研究都用降低熱應(yīng)力的方法。實(shí)現(xiàn)此目標(biāo)的方法是將熱膨脹系數(shù)大致介于兩種鍵合材料之間的第三種材料或者它們之間易于變形的材料夾在一起。對(duì)于材料的熱膨脹系數(shù)的變化，人們?yōu)榱?23-06-04表面活化鍵合surface-activatedbonding;SAB通過使用離子束或等離子輻射增加每個(gè)襯底的表面能，直接鍵合兩個(gè)襯底的工藝。GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018523-06-05硅融熔鍵合siliconfusionbonding結(jié)合的鍵合技術(shù)。較長的工藝時(shí)間。硅融熔鍵合的主要問題是工藝溫度高，所有低溫工藝都在鍵合后進(jìn)行。目前正在進(jìn)行的研究是通過在連接前應(yīng)用等離子體氧化處理降低工藝溫度，并將該技術(shù)應(yīng)用于非硅材料的連接。通過氧化硅片523-06-06封裝(組合的)packaging(ofcomponents)通過將組件安裝在具有外部終端的容器中來保護(hù)組件的過程。變可能會(huì)帶來麻煩。為了防止這種情況的發(fā)生，將微組件等連接到硅片上的鍵合技術(shù)非常重要。在傳感器系523-06-07523-06-08在硅襯底上下表面形成的垂直穿透電互連。523-06-09粘接彎曲強(qiáng)度adhesivebendstrength彎曲模式下黏合劑接合區(qū)域的標(biāo)稱強(qiáng)度。523-06-10粘接剪切強(qiáng)度adhesiveshearstrengthGB/T2900.104—2021/IEC60050-523:20183.7測量技術(shù)523-07-01掃描探針顯微鏡scanningprobemicroscope;SPM利用原子尺寸的探頭針尖在靠近樣品表面的光柵圖形內(nèi)進(jìn)行掃描，根據(jù)測得的探針與樣品表面的物理量獲得圖像的顯微鏡。523-07-02原子力顯微鏡atomicforcemicroscope;AFM通過監(jiān)測懸臂尖端和樣品之間的原子力引起的懸臂位移，同時(shí)以光柵模式掃描懸臂，來測量微觀幾何形狀的顯微鏡。523-07-03橢圓偏振光檢測法spectroscopicellipsometry用幾個(gè)不同波長的單色光先后照射，可以從偏振反射中同時(shí)獲得層的厚度和折射率的光學(xué)測量方法。523-07-04深寬比(微機(jī)電裝置)aspectratio(micro-electromechanicaldevices)高寬比(微機(jī)電裝置)三維結(jié)構(gòu)的垂直尺寸(高度)與水平尺寸(寬度)之比，用作表征結(jié)構(gòu)的相對(duì)厚度。注：硅工藝不適合形成深度大的三維結(jié)構(gòu)，因?yàn)殡y以加工縱橫比超過10:1的結(jié)構(gòu)。通過使用各向異性刻蝕或3.8應(yīng)用技術(shù)523-08-01生物微機(jī)電系統(tǒng)bio-MEMS;biomedicalMEMSMEMS技術(shù)在生物學(xué)、生物醫(yī)學(xué)科學(xué)的單一學(xué)科或兩者中的應(yīng)用。[來源：IEC62047-1:2016,2.8.1]523-08-02MEMS技術(shù)在光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用。GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018523-08-03微機(jī)電動(dòng)力系統(tǒng)powerMEMSMEMS技術(shù)在發(fā)電和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的應(yīng)用。523-08-04能量采集energyharvesting;powerharvesting;energyscavenging將來自環(huán)境中的電能源存儲(chǔ)在存儲(chǔ)設(shè)備中的技術(shù)。523-08-05523-08-06微全分析系統(tǒng)microTAS集成的小型化學(xué)、生物化學(xué)或生物技術(shù)分析系統(tǒng)。523-08-07用于化學(xué)反應(yīng)過程的微米級(jí)裝置。1/100時(shí)，分子擴(kuò)散時(shí)間降至1/10000。微反應(yīng)器的其他潛在優(yōu)點(diǎn)包括更好地控制反應(yīng)條件，提高安全性和改善便攜性。由于反應(yīng)器的高表面積與體積比，溫度的精確可控性導(dǎo)致其具有更好的控制性能。微反應(yīng)器的制523-08-08光纖內(nèi)窺鏡fibreendoscope通過一束光纖傳輸圖像，從外部直接觀察身體內(nèi)部的工具。內(nèi)部裝載顯微外科手術(shù)工具，醫(yī)生可以在觀察患病部位的同時(shí)進(jìn)行外科手術(shù)。制造顯微外科手術(shù)工具的研究523-08-09由安排在固體襯底上的小型化測試點(diǎn)組成，可在短時(shí)間內(nèi)響應(yīng)各種生物反應(yīng)的裝置。GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018脫氧核糖核酸芯片DNAchip由高密度的DNA短片段陣列與固體表面相結(jié)合組成，且能同時(shí)對(duì)數(shù)千個(gè)基因進(jìn)行高通量分析的裝置。蛋白質(zhì)芯片proteinchip由對(duì)各種蛋白質(zhì)(如抗體)具有強(qiáng)親和力的高密度物質(zhì)陣列組成，可同時(shí)促進(jìn)數(shù)千種蛋白質(zhì)的高通量分析的器件。用于合成數(shù)十億個(gè)DNA片段的相同復(fù)制品的擴(kuò)增過程。GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018[2]IEC62047-1:2016Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—Part1:Termsanddefinitions[3]IEC62047-6:2009Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—Part6:Axialfatiguetestingmethodsofthinfilmmaterials[4]IEC62047-8:2011Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—Part8:Stripbendingtestmethodfortensilepropertymeasurementofthinfilms[5]IEC62047-12:2011Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—Part12:BendingfatiguetestingmethodofthinfilmmaterialsusingresonantvibrationofMEMSstructures[6]IEC62047-13:2012Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—Part13:Bend—andshear—typetestmethodsofmeasuringadhesivestrengthforMEMSstructures[7]IEC62047-15:2015Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—Part15:TestmethodofbondingstrengthbetweenPDMSandglass[8]IEC62047-16:2015Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—Part16:TestmethodsfordeterminingresidualstressesofMEMSfilms—Wafercurvatureandcantileverbeamdeflectionmethods[9]IEC62047-17:2015Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—Part17:Bulgetestmethodformeasuringmechanicalpropertiesofthinfilms[10]IEC62047-19:2013Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—Part19:Electroniccompasses[11]IEC62047-22:2014Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—Part22:ElectromechanicaltensiletestmethodforconductivethinfilmsonflexiblesubstratesGB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018漢語拼音索引B薄膜窗口 523-03-18薄膜技術(shù) 523-05-02薄膜區(qū)域 表面改性 523-06-04 523-05-04C殘余應(yīng)力 523-02-01D 523-02-03 523-03-20電鑄 電子羅盤 523-04-21F 封裝(組合的) 523-06-06G高寬比(微機(jī)電裝置) 523-07-04 523-05-08 523-05-09光電轉(zhuǎn)換器 523-04-09 523-08-08硅融熔鍵合 523-06-05硅通孔 523-06-08H厚膜技術(shù) 523-05-01GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體微機(jī)電系統(tǒng)…………………523-04-25J激光劃片 523-05-07 523-06-01 絕緣襯底上的硅 523-04-20K刻蝕停止層 523-05-10擴(kuò)散鍵合 523-06-03L離子敏場效應(yīng)晶體管 523-04-03 523-03-08M膜結(jié)構(gòu)…………………523-04-05N 能量采集 523-08-04 P偏差(試樣的) 523-03-09 523-08-05平均力 523-03-03 523-03-06Q 523-02-05曲率 S 掃描隧道顯微鏡加工 523-05-20 523-07-01 深寬比(微機(jī)電裝置) 523-07-04生物傳感器 523-04-01GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018生物微機(jī)電系統(tǒng) 523-08-01生物芯片 523-08-09失效強(qiáng)度 523-02-06雙軸電子羅盤 523-04-22瞬時(shí)失效強(qiáng)度 T體微加工 523-05-03脫氧核糖核酸芯片 523-08-10橢圓偏振光檢測法 523-07-03W網(wǎng)格圖形 微反應(yīng)器 523-08-07微光機(jī)電系統(tǒng) 523-08-02微機(jī)電動(dòng)力系統(tǒng) 523-08-03 523-01-01 523-01-01微機(jī)械 523-01-03 微模鑄 523-02-02微全分析系統(tǒng) 523-08-06微通道 523-04-07 523-04-04微系統(tǒng)技術(shù) 523-01-02 微懸臂梁 523-04-06微執(zhí)行器 523-04-08位移區(qū)間 523-03-07X 形狀記憶合金執(zhí)行器 523-04-11Y壓電執(zhí)行器 陽極鍵合 523-06-02 2021GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018應(yīng)力比 523-03-08原子層沉積 523-07-02圓片級(jí)封裝 523-06-07Z粘接剪切強(qiáng)度 粘接彎曲強(qiáng)度 523-06-09振幅(微機(jī)電裝置) 523-03-11最大力(循環(huán)中) 523-03-01最大位移 523-03-04最小力(循環(huán)中) 523-03-02最小位移 523-03-053軸電子羅盤 523-04-236軸電子羅盤 523-04-24 523-03-12X射線深層光刻電鑄成型工藝 523-05-06英文對(duì)應(yīng)詞索引A 523-06-09 AFM 523-07-02ALD amplitude(micro-electromechanicaldevices) 523-05-09anodicbonding 523-06-02aspectratio(micro-electromechanicaldevices) 523-07-04atomicforcemicroscope 523-07-02atomiclayerdeposition Bbio-chip 523-08-09biomedicalMEMS 523-08-01bio-MEMS 523-08-01biosensor bonding 523-06-01bulkmicromachining 523-05-03C 523-04-25GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018comb-driveactuator curvature Ddeepreactiveionetching deflectionangle deflection(ofatestpiece) 523-03-09diaphragmstructure 523-04-05diffusionbonding 523-06-03displacementrange 523-03-07DNAchip DRIE Ee-compass 523-04-21electroforming electroniccompass 523-04-21electro-wettingondielectric 523-02-03elongationatelectricalfailure 523-03-20energyharvesting 523-08-04 523-08-04 EWOD 523-02-03Ffailurestrength fibreendoscope 523-08-08forceratio 523-03-08Ggaugefactor gridpattern 523-03-15Hhydrophilic 523-02-05hydrophobic 523-02-06IICP inductivelycoupledplasma 523-05-14instantaneousfailurestrength 523-03-14integratedmicroprobe 523-04-02ion-sensitivefield-effecttransistor 523-04-0322GB/T2900.104—2021/IEC60050-523:2018ISFET isotropicetching