SJ∕T 1826-2016 半導(dǎo)體分立器件 3DK100型NPN硅小功率開關(guān)晶體管詳細(xì)規(guī)范

中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布I本規(guī)范按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。——原規(guī)范開關(guān)參數(shù)ts(載流子貯存時(shí)間)和t(下降時(shí)間)在本規(guī)范中合并為tor(關(guān)斷時(shí)間),1SJ/T1826—2016中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部評(píng)定器件質(zhì)量的根據(jù)：GB/T4589.1—2006《半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范》GB/T12560—1999《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》半導(dǎo)體分立器件3DK100型NPN硅少功率開關(guān)晶體管詳細(xì)規(guī)范外形符合GB/T7581-198《半導(dǎo)體分立器件外形尺寸》中A3-01B型的規(guī)定。1.發(fā)射極2.基極3.集電極2簡(jiǎn)略說明開關(guān)用雙極型晶體管半導(dǎo)體材料：硅封裝：金屬封裝(空腔應(yīng)用：鋒種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用。Vcso=20V(3DK100A、BVCBo=15V(3DK1000)VCFo=15V(3DK100A、BVcso=10V(3Dk100C)hE:25-180符號(hào)尺寸數(shù)值最小標(biāo)稱最大A——一jKL—L一2SJ/T1826—20164規(guī)范性引用文件凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T2423.23—2013環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Q:密封GB/T4587—1994半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管GB/T4589.1—2006半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范GB/T4937—1995半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法GB/T6218—1996開關(guān)用雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范半導(dǎo)體分立器件外形尺寸GB/T12560—1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范5極限值(絕對(duì)最大額定值)極限值見表1。除非另有規(guī)定，這些極限值在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)適用。章條號(hào)符號(hào)單位最小值最大值4.1工作環(huán)境溫度-55℃4.2貯存溫度Tstg-55℃4.3最大集電極-基極直流電壓3DK100A3DK100B3DK100CVcmoV4.4最大集電極-發(fā)射極直流電壓3DK100A3DK100B3DK100CVcE——V4.5最大發(fā)射極-基極直流電壓VB一4V4.6最大直流集電極電流mA4.9T=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率PotmW4.10最高結(jié)溫—℃6電特性3SJ/T1826—2016章條號(hào)特性和條件除非另有規(guī)定，Tmb=25℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)符號(hào)單位試驗(yàn)分組最小值最大值正向電流傳輸比d=1V,I=10mA色標(biāo)：橙黃紫一A2b集電極-發(fā)射極飽和電壓I=1mA,Ic=10mAyA2b基極-發(fā)射極飽和電壓I=1mA,A=10mVE(atA2b集電極-基極截止電流A2b集電極-發(fā)射極截止電流A1A2b發(fā)射極-基極截止電流T=0,hx-4yAA2b高溫下的集電極-基極截北電流I=0,T=125℃,h=6AC2b特征頻客Va=6V,-mAf=100MHz導(dǎo)通時(shí)間I=1mA,=10mA關(guān)斷時(shí)間I=1mA,I=10mA3DK100A3DK100B、CfMHzA4、C2aA4A4共基極輸出電容V=6V,I=0,f=5MHzC—3C2a7.1器件上的標(biāo)志——產(chǎn)品型號(hào)和分檔標(biāo)志，如3DK100A;——he分檔色標(biāo)；——質(zhì)量評(píng)定類別標(biāo)志Ⅱ,如3DK100AIⅡ;47.2包裝盒上的標(biāo)志8訂貨資料 9試驗(yàn)條件和檢驗(yàn)要求試驗(yàn)條件和檢驗(yàn)要求按表3～表5的規(guī)定。本章中，LTPD抽樣引自GB/T12560—1999。5檢驗(yàn)或試驗(yàn)符號(hào)引用標(biāo)準(zhǔn)除非另有規(guī)定，T=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)極限值單位LTPD最小值最大值A(chǔ)1分組外部目檢GB/T4589.1—20064.3.1.1標(biāo)志清晰，表面無(wú)機(jī)械損傷、破損5A2a分組不能工作器件集電極-基極截止電流正向電流傳輸比GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994I=0,Vca=6VVce=1V,I=10mA短路：Icaoi≥10μA開路：hE≤5A2b分組集電極-基極截止電流集電極-發(fā)射極截止電流發(fā)射極-基極截止電流正向電流傳輸比基極-發(fā)射極飽和電壓集電極-發(fā)射極飽和電壓GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994GB/T4587—1994IV,1,2.2GB/T4587—1994GB/T4587—1994GB/T4587—1994橙橙黃綠藍(lán)I=0,Vo=4VVe=1V,I=10mAI=1mA,I=10mAI=1mA,I=10mA一 一5580VV5A4分組特征頻率導(dǎo)通時(shí)間關(guān)斷時(shí)間3DK100A3DK100B、CGB/T4587—1994IV,1,13.2GB/T4587—1994ⅢI,4,3.3.2GB/T4587—1994Ⅲ,4,3.3.2Ke=6V,I=3mAf=100MHzI=1mA,I=10mAI=1mA,I=10mA MHz6檢驗(yàn)或試驗(yàn)符號(hào)引用標(biāo)準(zhǔn)除非另有規(guī)定，Tm=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)最小值最大值單位LTPDB1分組尺寸GB/T4589.1—20064.3.2A、φD見第1章外形圖B3分組引線彎曲(D)GB/T4937—1995IⅡ,1.2方法1,受試引出端數(shù)：3外加彎曲力：2.5N發(fā)現(xiàn)有斷裂(密封彎月面處的除外)、松動(dòng)或引線和器件管體之間有相對(duì)移動(dòng)，均認(rèn)為器件失效B4分組可焊性GB/I4937+19952焊槽法潤(rùn)濕良好B5分組快速溫度變化(D)密封a.細(xì)檢漏b.粗檢漏最后測(cè)試集電極-基極截止電流正向電流傳輸比GB7T4937—1995Ⅲ,12GB/T437—1995GB/T4937--1995Ⅲ,7.3.6GB/T4587一1994IV,1,2.1GB/T4587—1994橙橙黃綠藍(lán)紫0℃~100℃;10個(gè)循環(huán)GB/T2423.23—2013試驗(yàn)0方法1GB/2423.23—2013Vce=1V,I=10mA5——B8分組電耐久性(168h)最后測(cè)試集電極-基極截止電流正向電流傳輸比集電極-發(fā)射極飽和電壓GB/T4587-1994V,1GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994GB/T4587—1994橙橙黃綠藍(lán)紫工作壽命t=168h,Ka=0.6Vo,Pot=100mWI=0,Ya=6VVg=1V,I=10mAIg=1mA,I=10mA1442160.36—注：標(biāo)明(D)的試驗(yàn)是破壞性的(見GB/T4589.1—2006的3.6.6)。7表5C組—周期檢驗(yàn)或試驗(yàn)符號(hào)引用標(biāo)準(zhǔn)除非另有規(guī)定，T=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)LTPD最小值最大值單位C1分組尺寸GB/T4589.1—20064.3.2除A、Φa、ΦD之外的其余尺寸見第1章外形圖C2a分組特征頻率共基極輸出電容fGB/T4587—1994IV,1,13.2GB/T4587—1994IV,8.1Va=6V,I=3mA,f=100MHzVa=6V,I=0,f=5MHz—3MHzC2b分組高溫下的集電極-基極截止電流GB/T4587—1994IV,1,2.1 C3分組引出端強(qiáng)度(D)拉力GB/T4937—1995IⅡ,1.1受試引出端數(shù)：3外加力：5N發(fā)現(xiàn)有斷裂(密封彎月面處的除外)、松動(dòng)或引線和器件管體之間有相對(duì)移動(dòng)均認(rèn)為器件失效C4分組耐焊接熱(D)最后測(cè)試GB/T4937—1995I,2.2方法1A。周期=180d同B5分組最后測(cè)試 C6分組恒定加速度最后測(cè)試GB/T4937—199520000g同B5分組最后測(cè)試 —C7分組穩(wěn)態(tài)濕熱(D)最后測(cè)試GB/T4937—199585℃±2℃,相對(duì)濕度85%±5%,時(shí)間168h同B8分組最后測(cè)試 —C8分組電耐久性(1000h)最后測(cè)試GB/T4587—1994V,1工作壽命：t=1000h,Ve=0.6Vceo,Ptot=100mW同B8分組最后測(cè)試— C9分組高溫貯存(D)最后測(cè)試GB/T4937—1995Ⅲ