SJ-T 1831-2016 半導(dǎo)體分立器件 3DK28型ＮPＮ硅小功率開關(guān)晶體管詳細(xì)規(guī)范

半導(dǎo)體分立器件3DK28型NPN硅小功率開關(guān)晶體管詳細(xì)規(guī)范2016-04-05發(fā)布2016-09-01實(shí)施中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部—原標(biāo)準(zhǔn)開關(guān)參數(shù)ts(載流子貯存時(shí)間)和r(下降時(shí)間)在本規(guī)范中合并為ton(關(guān)斷時(shí)間),本規(guī)范主要起草人：趙濱宋鳳領(lǐng)呂瑞芹。I半導(dǎo)體分立器件3DK28型NPN硅小功率開關(guān)晶體管詳細(xì)規(guī)范中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部半導(dǎo)體分立器件3DK28型NPN硅小功率開關(guān)晶體管詳細(xì)規(guī)范封裝：金屬封裝(空腔)應(yīng)用：各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩6①3質(zhì)量評(píng)定類別參考數(shù)據(jù)(T=25℃)符號(hào)最小AjKLL1GB/T2423.23—2013環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Q:密封GB/T4587—1994半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管GB/T4589.1—2006半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范5極限值(絕對(duì)最大額定值極限值見表1。除非房有規(guī)定這些極限值在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)適。章條號(hào)數(shù)值℃貯存溫片℃最大集電極一集極直流電片V最大集電極一發(fā)射流電壓5V4VT ℃2章條號(hào)除非另有規(guī)定，T=25℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)符號(hào)正向電流傳輸比綠藍(lán)紫VV高溫下的集電極一基極截止電流Va=10V,I=20mA,f=10導(dǎo)通時(shí)間關(guān)斷時(shí)間G34引用標(biāo)準(zhǔn)除非另有規(guī)定，T=25℃±5℃標(biāo)志清晰，表面無(wú)機(jī)械損傷、破損5正向電流傳輸比2電流正向電流傳輸比壓檢檢黃錄藍(lán)559VV5導(dǎo)通時(shí)間關(guān)斷時(shí)間z5符號(hào)引用標(biāo)準(zhǔn)(見GB/T4589.1—2006的4.1)見第1章外形圖引線彎曲(D)方法1,器件管體之間有相對(duì)移快速溫度變化(D)流正向電流傳輸比0℃~100℃;10個(gè)循環(huán)試驗(yàn)Q,方法1電耐久性(168h)流正向電流傳輸比集電極一發(fā)射極飽和電壓144216注：標(biāo)明(D)的試驗(yàn)是破壞性的(見GB/T4589.1—2006的3.6.6)。6符號(hào)引用標(biāo)準(zhǔn)除非另有規(guī)定，T=25℃±5℃(見GB/T4589.1—2006的4.1)除A、Φa、ΦD之外的其余尺寸見第1章外形圖Va=10V,I=20mA,f=100高溫下的集電極一2引出端強(qiáng)度(D)拉力和器件管體之間有相對(duì)移動(dòng)認(rèn)的器件失效耐焊接熱(D)穩(wěn)態(tài)濕熱(D)85℃±2℃,相對(duì)濕度85%±5%,同B8分組最后測(cè)試電耐久性(1000h)高溫貯存(D)同B8分組最后測(cè)試 —提供C2a、C2b、C3、