DL∕T 1474-2021 交、直流系統(tǒng)用高壓聚合物絕緣子憎水性測量及評(píng)估方法

交、直流系統(tǒng)用高壓聚合物絕緣子憎水性測量及評(píng)估方法2021-12-22發(fā)布2022-06-22實(shí)施國家能源局發(fā)布I Ⅱ 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語和定義 14一般要求 25憎水性測量方法 36出廠絕緣子憎水性的測量 57運(yùn)行絕緣子憎水性的測量 58運(yùn)行絕緣子的憎水性評(píng)估 6附錄A(規(guī)范性)憎水性分級(jí)的描述及典型狀況 7附錄B(資料性)弱憎水性的判定方法 8附錄C(資料性)憎水性與污閃電壓梯度的關(guān)系 本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)本文件代替DL/T1474—2015《標(biāo)稱電壓高于1000V交、直流系統(tǒng)用復(fù)合絕緣子憎水性測量方12憎水性分級(jí)在HC5～HC6,甚至接近HC6。a)溫度：20℃±5℃。b)相對(duì)濕度：50%～70%。c)溫度：>0℃。3電壓等級(jí)√√√±400~±1100√√√√√√等徑傘形的絕緣子隔傘進(jìn)行編號(hào)，支柱和空心復(fù)合絕緣子每個(gè)取樣傘裙四象限各取1個(gè)測量點(diǎn)。b分別選取靠近絕緣子的接地端和高壓端的第2個(gè)大傘裙的上表面及中部1個(gè)大傘裙的上表面。分別選取靠近絕緣子的接地端和高壓端的第2個(gè)、第3個(gè)及中部2個(gè)連續(xù)大傘裙的上表面。4d)每秒噴水1次，共25次，噴水后試品表面有水分流下；5a)采用自動(dòng)噴水裝置的噴水量、噴射水流散開角、試品與水平面的傾角、噴水方向和噴嘴到試品c)試驗(yàn)室自動(dòng)測量示意圖如圖2所示。出廠絕緣子的憎水性測量應(yīng)在試驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境下進(jìn)行。絕緣子應(yīng)垂直布置，測量取樣點(diǎn)的選取和編號(hào)應(yīng)按照5.1的規(guī)定，并從絕緣子下端開始測量。測量方法按照5.2的規(guī)定進(jìn)行。應(yīng)按照第5章的規(guī)定，絕緣子表面污穢應(yīng)保留。測量帶污穢層的運(yùn)行絕緣子時(shí)，噴水次數(shù)不宜超過5次，不同地區(qū)可以通過調(diào)整噴水量從而使表面形成可判別的水珠。6若不超過1個(gè)測量點(diǎn)的憎水性處于HC5～HC6,其余測量點(diǎn)均優(yōu)于HC5(不包括HC5),則判定整7(規(guī)范性)只有分離的水珠，大部分水珠的狀態(tài)、大小及分布應(yīng)與圖A.1基本一致只有分離的水珠，大部分水珠的狀態(tài)、大小及分布應(yīng)與圖A.1基本一致只有分離的水珠，水珠一般不再是圓的，大部分水珠的狀態(tài)、大小及分布應(yīng)與圖A.1基本一致同時(shí)存在分離的水珠與水帶。完全濕潤的水帶面積小于2cm2,總面積小于被測區(qū)域面積的90%一些完全濕潤的水帶面積大于2cm2,總面積小于被測區(qū)域面積的90%完全濕潤總面積大于90%,仍存在少量干燥區(qū)域(點(diǎn)或帶)圖A.1憎水性分級(jí)標(biāo)準(zhǔn)(圖例)8(資料性)B.1總則若整支絕緣子的憎水性在HC5～HC6時(shí)，可用液滴面B.2測量設(shè)備及材料要求a)20℃時(shí)蒸餾水或去離子水的電導(dǎo)率：≤10μS/cm。a)用靛藍(lán)溶液按1:50比例染色去離子水。c)將方形塑料片放到水滴附近，利用微距攝像機(jī)或照相機(jī)從試品正上方50mm±5mm處拍攝液d)利用圖像分析軟件，提取上述照片中液滴和參照物的圖像信息，通過像素?cái)?shù)來計(jì)算液滴的面…A液滴面積，單位為平方毫米(mm2);B.4弱憎水性判定標(biāo)準(zhǔn)在同一傘裙重復(fù)進(jìn)行3次以上試驗(yàn)，取其液滴面積平均值A(chǔ)。圖B.1三個(gè)等級(jí)所對(duì)應(yīng)的液滴典型形態(tài)9污閃梯度(污閃梯度(kV/m)圖B.2污閃電壓梯度與液滴面積平均值關(guān)系(資料性)憎水性與污閃電壓梯度的關(guān)系曲線如圖C.1和圖C.2所示。HC50圖C.1憎水性與污閃電壓梯度關(guān)系曲線(一)0圖C.2憎水性與污閃電壓梯度關(guān)系曲線(二)