GB∕ T 17626.3-2023 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 第3部分：射頻電磁場輻射抗擾度試驗(yàn)（正式版）

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)第3部分：射頻電磁場輻射抗擾度試驗(yàn)Part3:Radiated,radio-frequency,electromagneticfieldimmunitytestRadiated,radio-frequency,elecI V W 1 13術(shù)語、定義和縮略語 1 13.2縮略語 4 5 55.1試驗(yàn)等級選擇 55.2試驗(yàn)頻率范圍 6 7 7 76.3均勻場域(UFA) 8 86.3.2恒定場強(qiáng)電平設(shè)置方法 7試驗(yàn)布置 7.2臺式設(shè)備的布置 7.3落地式設(shè)備的布置 7.4線纜的布置 7.5人體攜帶設(shè)備的布置 8試驗(yàn)程序 8.1概述 8.2實(shí)驗(yàn)室參考條件 8.3試驗(yàn)的實(shí)施 8.4步進(jìn) 9試驗(yàn)結(jié)果的評定 ⅡGB/T17626.3—2023/IEC61000-4-3: 附錄A(資料性)保護(hù)(設(shè)備)抵抗數(shù)字無線電話射頻輻射的試驗(yàn)調(diào)制方式的選擇原理 22A.1可選調(diào)制方式綜述 22A.2試驗(yàn)結(jié)果 A.3二次調(diào)制效應(yīng) A.4結(jié)論 24附錄B(資料性)場發(fā)射天線 26B.1雙錐天線 B.2對數(shù)周期天線 26B.3組合天線 B.4喇叭天線和雙脊波導(dǎo)天線 26附錄C(資料性)電波暗室的應(yīng)用 27C.1電波暗室綜述 27 27C.2.1鐵氧體暗室用于1GHz以上輻射抗擾度試驗(yàn)時引起的問題 C.2.2減少反射的解決方案 28附錄D(資料性)放大器的壓縮與非線性 29D.1限制放大器失真的目的 D.2諧波及飽和可能引起的問題 D.3限制場的諧波含量 29D.4線性特性對抗擾度試驗(yàn)的影響 29D.4.1概述 29D.4.2線性特性的評估方法 附錄E(資料性)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化專業(yè)委員會試驗(yàn)等級選擇指南 E.1概述 E.2一般用途的試驗(yàn)等級 E.3無線電話射頻輻射防護(hù)相關(guān)的試驗(yàn)等級 E.4對固定發(fā)射設(shè)備的特殊措施 35附錄F(資料性)試驗(yàn)方法的選擇 附錄G(資料性)線纜布置細(xì)節(jié) G.2場中的線纜 G.3線纜離開測試區(qū)域的線纜 附錄H(資料性)大型及重型EUT的試驗(yàn)布置示例 ⅢGB/T17626.3—2023/IEC61000-4-3: 40 40附錄I(資料性)多信號試驗(yàn) 42 42 42I.3功率要求 42 43 43 43附錄J(規(guī)范性)由試驗(yàn)儀器引起的測量不確定度 J.1概述 44J.2對于試驗(yàn)電平設(shè)置的不確定度預(yù)評估 44J.2.1被測量的定義 44 46 46附錄K(資料性)電場探頭的校準(zhǔn)方法 K.1概述 47K.2探頭校準(zhǔn)要求 47K.2.1通用要求 K.2.2電平設(shè)置頻率范圍 K.2.3頻率步進(jìn) 47K.3校準(zhǔn)儀器的要求 48K.3.1概述 K.3.2諧波和雜散信號 K.3.3探頭的線性測量 48K.3.4標(biāo)準(zhǔn)喇叭天線增益的確定 K.4暗室內(nèi)的場強(qiáng)探頭校準(zhǔn) K.4.1校準(zhǔn)環(huán)境 K.4.2場強(qiáng)探頭校準(zhǔn)電波暗室的確認(rèn) K.4.3探頭校準(zhǔn)程序 K.5替代的探頭校準(zhǔn)環(huán)境和方法 K.5.1概述 K.5.2使用TEM室校準(zhǔn)場強(qiáng)探頭 GB/T17626.3—2023/IECK.5.3用波導(dǎo)室校準(zhǔn)場強(qiáng)探頭 K.5.4使用開口波導(dǎo)校準(zhǔn)場強(qiáng)探頭 K.5.5用增益?zhèn)鬟f法校準(zhǔn)場強(qiáng)探頭 K.6參考文獻(xiàn) V本文件是GB/T(Z)17626《電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)》的第3部分。GB/T(Z電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)抗擾度試驗(yàn)總論；電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)第3部分：射頻電磁場輻射抗擾度電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)電快速瞬變脈沖群電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)第12部分：振鈴波抗擾度試驗(yàn)；電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)閃爍儀功能和設(shè)電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)0Hz～150kHz共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)；電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)第19部分：交流電源端口2kHz~ 電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)橫電磁波(TEM)波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)；電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)；V 電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)第31部分： —GB/T17626.39—2023電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)第39部分：近距離輻射場抗擾度——1992年首次發(fā)布為GB/T13926.3—1992;——1998年第一次修訂為GB/T17626M —-第32部分：高空核電磁脈沖(HEMP)模擬器概述。目的在于提供國際上現(xiàn)有的系統(tǒng)級 X1試驗(yàn)方法描述了評估設(shè)備或系統(tǒng)對來自非鄰近受試設(shè)備(EUT)的射頻源的射頻電磁場的抗擾度符合性方法。試驗(yàn)環(huán)境在第6章有明確規(guī)定。IEC60050-161國際電工詞匯(IEV)第161章：電磁兼容IEC60050-161界定的以及下列術(shù)語和定義設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對該環(huán)境中任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的2能夠有效地向空間輻射或從空間接收無線電波的裝置。遠(yuǎn)場farfield3場強(qiáng)fieldstrength給定點(diǎn)產(chǎn)生的電磁場值。頻帶frequencyband在規(guī)定的兩個界限頻率之間的一段連續(xù)頻率。完全照射法fullilluminationmethod受試設(shè)備的被試驗(yàn)面完全被均勻場域所覆蓋的試驗(yàn)方法。人體攜帶設(shè)備humanbody-mountedequipment用于人體附屬或近距離攜帶的設(shè)備。有意射頻發(fā)射裝置intentionalRFemittingdevice進(jìn)行有意電磁場發(fā)射(傳播)的裝置?；フ{(diào)intermodulation發(fā)生在非線性的器件或傳播媒介中的過程。由此一個或多個輸入信號的頻譜分量相互作用，產(chǎn)生出新的分量，它們的頻率等于各輸入信號分量頻率的整倍數(shù)的線性組合。場探頭，其探測特性與電磁波的傳播方向和極化無關(guān)。[來源：GB/T14733.12—2008,731-03-08,有修改——修改措辭以適用于場強(qiáng)探頭]有效值最大值maximumRMSvalue在一個調(diào)制周期內(nèi)，射頻調(diào)制信號的短期有效值(RMS)的最大值。在線性幅度調(diào)制中，已調(diào)信號的最大和最小幅度之差與這些幅度總和的比值，通常用百分?jǐn)?shù)表4極化polarization復(fù)寄生電容時間增倍調(diào)制電路分時復(fù)合調(diào)制方案，在某一分配均勻場域uniformfieldarea;UFAAE:輔助設(shè)備(AuxiliaryEquipment)AM:調(diào)幅(AmplitudeModulation)CMAD:共模吸收裝置(Common-ModCW:連續(xù)波(ContinuousWavDECT:增強(qiáng)數(shù)字無繩通信(DigitalEnhancedCordlessTelecommunicatERP:有效輻射功率(EffectiveRadiatedP5PM:功率計(jì)(PowerMeter)12334XX是一開放的等級，其場強(qiáng)可為任意值。該等級應(yīng)在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定。6表中試驗(yàn)場強(qiáng)列出的是未調(diào)制載波信號的場強(qiáng)。對設(shè)備試驗(yàn)時，要用1kHz的正弦波對未調(diào)制載波信號進(jìn)行80%的幅度調(diào)制來模擬實(shí)際威脅(見圖1和表2),詳細(xì)試驗(yàn)步驟見第8章。內(nèi)部或外部m=(80±10)%,在信號發(fā)生器輸出端測調(diào)制因子m:產(chǎn)品委員會可為EUT選擇替代調(diào)制方案(見附錄A)。有關(guān)其他基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)中定義的頻率范圍和試驗(yàn)方法的選擇以及本文件在80MHz以下的應(yīng)用的更多信息，請參見附錄F。產(chǎn)品委員會選擇用于試驗(yàn)的頻率或頻率范圍可以是僅限于有意射頻發(fā)射裝置實(shí)際工作的頻率或頻7產(chǎn)品委員會可以要求特定的試驗(yàn)等級和調(diào)制類型(作為80%AM的替代品)?！姴ò凳遥壕哂泻线m的尺寸，能維持相對于EUT來說具有足夠空間的UFA。另外可額外安——AE:用于記錄試驗(yàn)規(guī)定場強(qiáng)所需的功率電平和控制產(chǎn)生試應(yīng)注意確保試驗(yàn)設(shè)備具有充分的抗擾度。試驗(yàn)儀器引起的MU由附錄J規(guī)定。多數(shù)采集數(shù)據(jù)的設(shè)備對抗干擾試驗(yàn)過程中所產(chǎn)生的電磁場很敏感，因此需要用屏蔽室在EUT與試驗(yàn)儀器之間提供一層“屏障”。應(yīng)注意確保穿過屏蔽室的連線的傳導(dǎo)和輻射有充分的衰減，以保證試驗(yàn)設(shè)施為安裝有吸波材料的屏蔽室，且屏蔽室具有足夠的空間以安放EUT,并對試驗(yàn)場強(qiáng)有充分的控制能力。包括電波暗室或調(diào)整后的半電波暗室，圖2給出了一個示例。相關(guān)屏蔽室宜適合于安詳細(xì)導(dǎo)則見附錄C。86.3.1UFA的特征本文件使用了UFA(見圖3和圖4)的概念，即場的垂直面，其變化在下文規(guī)定的范圍內(nèi)。6.3.2和6.3.3中給出的方法用于證明試驗(yàn)設(shè)施和試驗(yàn)設(shè)備產(chǎn)生均勻試驗(yàn)場的能力。獲得用于設(shè)置抗擾度試驗(yàn)9√在沒有EUT的情況下執(zhí)行均勻場電平設(shè)置(見圖3)。在此過程中，確定UFA內(nèi)的場強(qiáng)與施加到明系統(tǒng)的線性，則實(shí)際試驗(yàn)場強(qiáng)Er可不同于電平設(shè)置布置EL(見6.3.2或6.3.3和附錄D)。只要用于如果可滿足6.3.1中的判據(jù)，UFA的下邊緣可在任何高度。目的是使EUT被場完全照射。然而，很難在金屬地板附近建立UFA,因此不可能對所有EUT進(jìn)行完全覆蓋。詳見第7章。發(fā)射天線與UFA之間的距離應(yīng)能滿足UFA的要求。UFA與發(fā)射天線的距離首選為3m(見UFA的首選尺寸是1.5m×1.5m,但是，如果EUT及其線纜(見7.4)可用較小的UFA完全照在UFA的中心。見圖5。GB/T17626.3—2023/IEC很難建立一個靠近金屬地板的UFA。額外的吸收材料可減少或解決這個問題(見圖2)。將UFA分割成間距為0.5m的一系列小格(見圖4,1.5m×1.5mUFA的舉例)。在每個頻點(diǎn)，所有柵格點(diǎn)中有75%的點(diǎn)測得的場強(qiáng)幅值在標(biāo)稱值0dB～+6dB范圍內(nèi)(例如，如果1.5m×1.5mUFA測量的至少16個點(diǎn)中的12個點(diǎn)在容差范圍內(nèi)),即認(rèn)為該場是均勻的。對于最小UFA為UFA不需要是正方形，只要它可由0.5m×0.5m正方形元素構(gòu)成。選定的UFA至少使用到當(dāng)頻率范圍達(dá)到1GHz時，容差能達(dá)到+10dB,但是不能小于0dB,允許調(diào)整容差的頻率點(diǎn)數(shù)量不得超過整個試驗(yàn)頻率點(diǎn)的3%,在試驗(yàn)報告中記錄真實(shí)的容差。有爭議時，優(yōu)先考慮0dB~+6dB。次在這些位置上對EUT進(jìn)行試驗(yàn)。--—將EUT移到不同位置，在試驗(yàn)中使EUT的每個部分至少處于每個天線位置都需要一個完整的場平設(shè)置。它不是為了照射延伸到UFA下邊緣以下的EUT的所有頻率的首選方法是完全照射。如果不能使用完全照射，則可應(yīng)用一個尺寸(見7.4)和電平設(shè)置要求(優(yōu)選此方法)部分照射法：EUT及線纜的尺寸不符合UFA的尺寸(見7.4)UFA最小尺寸0.5m×0.5m。UFA的柵格尺寸以0.5m步進(jìn)(例如0.5m×的柵格步進(jìn)為0.5m×0.5m。對于0.5m×0.5m的UFA,100電平設(shè)置點(diǎn)應(yīng)滿足要求最小的UFA尺寸為1.5m×1.5m。UFA的柵格尺寸以0.5m步進(jìn)(例如1.5m×置的柵格步進(jìn)為0.5m×0.5m。最小的UFA尺寸為0.5m×0.5m。UFA的柵格尺寸以0.5m步進(jìn)(例如0.5m×電平設(shè)置的柵格步進(jìn)為0.5m×0.5m。對于0.5m×0.5m的UFA.100電平設(shè)置點(diǎn)應(yīng)滿足要求通常按圖6所示的布置對電波暗室和半電波暗室進(jìn)行場的電平設(shè)置。應(yīng)按下述的步驟用未調(diào)制的載波分別對水平和垂直極化方向進(jìn)行電平設(shè)置驗(yàn)期間能夠在線性要求范圍內(nèi)再現(xiàn)調(diào)制(見6.3.2或6.3.3和附錄D)。對于80%AM,在場強(qiáng)至少為施加到EUT的場強(qiáng)的1.8倍的情況下執(zhí)行電平設(shè)置過程。用E?表示該電平設(shè)置場強(qiáng)，E?為僅電平設(shè)如果使用80%AM以外的調(diào)制，則宜根據(jù)調(diào)制信號的峰值功率進(jìn)行適當(dāng)?shù)娘柡蜋z查。下述兩種不同的電平設(shè)置方法，以1.5m×1.5m的UFA為例說明。這兩種方法得O--按照圖示逐個建立UFA電平設(shè)置點(diǎn)(見圖4)。應(yīng)按圖6確定測量場強(qiáng)所選擇的正向功率，16個測量點(diǎn)以dBm為單位進(jìn)行記錄。a)將場強(qiáng)探頭置于16個柵格點(diǎn)的任意一點(diǎn)上(見圖4),將信號發(fā)生器輸出的頻率調(diào)至試驗(yàn)頻率c)使用第8章給出的頻率步進(jìn)。d)重復(fù)步驟b)和步驟c),直至下一頻率超過試驗(yàn)頻率范圍的上限頻率。最后在此上限頻率(例e)對每一柵格點(diǎn)重復(fù)步驟a)～步驟d)。1)將16個點(diǎn)的正向功率讀數(shù)按升序排列。2)從最大讀數(shù)開始檢查，向下至少有11個點(diǎn)的讀數(shù)在最大讀數(shù)的-6dB～+0dB容差范圍內(nèi)。3)若沒有11個點(diǎn)的讀數(shù)在-6dB～+0dB容差范圍內(nèi)，從緊鄰的下一個數(shù)據(jù)開始以此類推重復(fù)上述程序(注意，在本例的16個點(diǎn)UFA中，在每個頻點(diǎn)只有5次機(jī)會調(diào)整)。4)如果至少有12個點(diǎn)的讀數(shù)在6dB范圍內(nèi)則停止檢查程序，將這些值中對應(yīng)最大值的位置作為參考點(diǎn)。正向功率用PI表示。5)確認(rèn)試驗(yàn)系統(tǒng)(例如功率放大器)未處于飽和狀態(tài)。假定El等于1.8倍Er,在每個電平設(shè)置i)將信號發(fā)生器的輸出從上述步驟中確定的建立正向功率P?所需的電平降低5.1dBii)記錄輸出到天線的新的正向功率；調(diào)節(jié)正向功率，依次對16個柵格點(diǎn)的每個點(diǎn)(見圖4)進(jìn)行電平設(shè)置。應(yīng)按圖6確定測量初始位置場強(qiáng)所必需的正向功率并記錄，對所有16個測量點(diǎn)施加相同的正向功a)將場強(qiáng)探頭置于柵格中16個點(diǎn)中的任意一點(diǎn)上(見圖4),將信號發(fā)生器輸出的頻率調(diào)至試驗(yàn)b)調(diào)節(jié)發(fā)射天線的正向功率，使所得場強(qiáng)(加上對頻率的場探頭校正因子)等于電平設(shè)置場強(qiáng)c)使用第8章的頻率步進(jìn)。d)重復(fù)步驟b)和步驟c),直至下一頻率超過試驗(yàn)頻率范圍的上限頻率。最后在此上限頻率(例e)將場強(qiáng)探頭移至柵格的另一點(diǎn)，在每一頻率點(diǎn)采用上述步驟a)～步驟d),并記錄步驟b)的場1)將16個場強(qiáng)讀數(shù)按升序排列。2)選擇某點(diǎn)的場強(qiáng)值作為參考值，計(jì)算所有其他點(diǎn)相對于該點(diǎn)的偏差值(分貝)。3)從場強(qiáng)的最小讀數(shù)開始檢查，向上至少有11個點(diǎn)的讀數(shù)在最小讀數(shù)的0dB～+6dB容差范4)若沒有11個點(diǎn)的讀數(shù)在0dB～+6dB容差范圍內(nèi)，從緊鄰的下一個數(shù)據(jù)開始以此類推重復(fù)上述程序(注意，在本例的16個點(diǎn)UFA中，在每個頻5)如果至少有12個點(diǎn)的讀數(shù)在6dB范圍內(nèi)則停止檢查程序，從這些讀數(shù)中找出最小場強(qiáng)的點(diǎn)6)計(jì)算在參考點(diǎn)建立規(guī)定場強(qiáng)所需的正向功率。正向功率用P?表示。7)確認(rèn)試驗(yàn)系統(tǒng)(例如功率放大器)未處于飽和狀態(tài)。假定EL等于1.8倍Er,在每個電平設(shè)置ii)記錄輸出到天線的新的正向功率；7試驗(yàn)布置7.1通則所有EUT的試驗(yàn)都應(yīng)在盡可能接近實(shí)際安裝配置條件下進(jìn)行。除非另有規(guī)定，布線應(yīng)按制造商不需要安裝金屬接地面。當(dāng)需要某種方法來支撐試驗(yàn)樣品時，該方在更高頻率(例如1GHz以上),由木頭或玻璃纖維增強(qiáng)塑料制成的桌子或支撐物可導(dǎo)致反射。宜為了使每個EUT面與UFA一致，可對EUT位置進(jìn)行調(diào)整。待測設(shè)備放置在UFA內(nèi)的一個非導(dǎo)電的試驗(yàn)臺上。非導(dǎo)電支架的高度宜為(圖7具有離開試驗(yàn)區(qū)域線纜的臺式EUT布置和線纜布局示例圖8EUT布置示例(俯視圖)轉(zhuǎn)臺圖8EUT布置示例(俯視圖)(續(xù))如果由于EUT其重量較重或物理尺寸較大或安全原因，設(shè)備不能提高到UF支撐(例如，運(yùn)輸托盤)移走，這種變化應(yīng)記錄在試驗(yàn)報告中。如果EUT延伸超過UFA下邊緣0.5m,在UFA下邊緣50%高度(所有0.5m水平分離的電平設(shè)定點(diǎn))的電磁場大小都應(yīng)被記錄在電平線纜應(yīng)連接到EUT,并按照制造商的安裝說明書在試驗(yàn)場上進(jìn)行布置，要求重現(xiàn)典8.2.2氣候條件保它們不會造成顯著影響(見關(guān)于調(diào)制效應(yīng)的附錄I和關(guān)于試驗(yàn)結(jié)果評估的第9條)。發(fā)射天線應(yīng)對EUT的四個側(cè)面逐一進(jìn)行試驗(yàn)。當(dāng)EUT能以不同方向(如垂直或水平)放置使用時，各個側(cè)面均應(yīng)試驗(yàn)。經(jīng)過技術(shù)論證，試驗(yàn)時一些EUT可采用較少面面向發(fā)射天線。在其他情況在試驗(yàn)過程中應(yīng)嘗試使EUT充分運(yùn)行，并在所有選定的敏感運(yùn)行模式下進(jìn)行抗擾度試驗(yàn)。推薦——本文件第8章要求的試驗(yàn)計(jì)劃中規(guī)定的內(nèi)容；——方波幅度調(diào)制，200Hz,占空比1頻信號；對于DECT便攜設(shè)備的，在100Hz占空比1:24的脈沖射頻信號等(GSM和DECT的定義見附錄I)。優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)3.在本文件及IEC61000-4-6中采用。的調(diào)制模式(如FM,相位調(diào)制，脈沖調(diào)制)大速率變化較敏感)3.需規(guī)定上升時間大速率變化較敏感)1.為匹配不同系統(tǒng)(如GSM、DECT等),需改變3.需規(guī)定上升時間速率變化率敏感)1.為匹配不同的無線電服務(wù)(如LTE、DAB、b)類似GSM的RF脈沖，200Hz,占空比1:8;c)類似DECT的RF脈沖，100Hz,占空比1:2(基站);試驗(yàn)結(jié)果匯總于表A.2與表A.3。表A.2相對干擾電平類似GSM的射頻脈沖，類似DECT的射頻脈沖，100Hz,占空比1:24未加權(quán)的00未加權(quán)的0未加權(quán)的0對騷擾的音頻響應(yīng)為干擾電平。干擾電平低則表示抗擾度等級高。重點(diǎn)：調(diào)整載波幅度，使所有調(diào)制的干擾信號(暴露)的最大有效值(見3.1.19)相同。暴露是通過入射900MHz電磁場產(chǎn)生的。類似DECT的調(diào)制的占空比為1:2而不是1:24,音頻響應(yīng)是測量連接0.5m長聚氯乙烯管的人工耳的聲學(xué)輸d這種情況被選作音頻響應(yīng)的參考點(diǎn)，即0dB。*暴露方式是在電話線施加900MHz的射頻電流，音頻響應(yīng)為電話線上測得的音頻電壓。暴露方式是在電源線纜施加900MHz的射頻電流，音頻響應(yīng)為用麥克風(fēng)測得的喇叭音頻輸表A.3相對抗擾度電平類似GSM的射頻脈沖，200Hz,1:8的占空比類似DECT的射頻脈沖，100Hz,1:24的占空比響應(yīng)電視機(jī)明顯干擾強(qiáng)干擾十1十2顯示器關(guān)閉~+19RS232接口的00類似GSM的射頻脈沖，200Hz,1:8的占空比100Hz,1:24的占空比響應(yīng)RS232調(diào)制解調(diào)器注入干擾時)000注入干擾時)源“DC輸出電流2%SDH交叉連接出現(xiàn)誤碼0·表中數(shù)據(jù)為使用各種調(diào)制方式產(chǎn)生相同干擾電平信號(暴露)所需要的最大RMS電平值(見3.1.19)的相關(guān)數(shù)據(jù)。分貝值高則表示抗擾度等級高。b調(diào)節(jié)騷擾信號以便在各種調(diào)制方式下具有相同的響應(yīng)(干擾)?！┞斗绞绞窃诰€纜電源線纜施加900MHz的RF電流。響應(yīng)為屏幕上產(chǎn)生的干擾電平。由于不同場合狀況下干擾的類型不同，使得評價結(jié)論更帶有主觀的成分。“這種情況被選定為參考電平，即0dB。*暴露方式為在RS232線纜端施加900MHz的RF電流。暴露方式為在電話或RS232線纜施加900MHz的RF電流?！氨┞斗绞綖樵谥绷鬏敵鼍€纜施加900MHz的RF電流。hSDH為同步數(shù)據(jù)層，暴露方式是入射935MHz電磁場。使用正弦波AM和脈沖調(diào)制(占空比1:2)以高達(dá)30V/m場強(qiáng)對下列數(shù)字設(shè)備進(jìn)行試驗(yàn)：---2/34Mb數(shù)字多路(復(fù)用)器； 分量),會產(chǎn)生復(fù)幀效應(yīng)?？蛇x的非連續(xù)發(fā)射模式(DTX)也可引起2當(dāng)正弦波調(diào)制和TDMA模式間存在不同的響應(yīng)結(jié)果時，對產(chǎn)品的特定差別可通過在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中 基于上述因素，本文件規(guī)定的調(diào)制方式為80%正弦波AM調(diào)制。建議有關(guān)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化委員會僅在(資料性)場發(fā)射天線B.1雙錐天線該天線由一個巴倫與兩個對稱的錐形振子組成，它能提供較寬的頻段響應(yīng)，用于收發(fā)。這種緊湊的天線結(jié)構(gòu)在電波暗室內(nèi)使用起來較為理想，其鄰近效應(yīng)能降到最小。B.2對數(shù)周期天線對數(shù)周期天線是由連接到一根傳輸線上、不同長度的偶極子組成的天線陣。這些寬頻帶天線具有相對高的增益和低的電壓駐波比。對數(shù)周期天線和雙錐天線可進(jìn)行組合。這類組合可增加頻率范圍，并且僅使用單副天線就可覆蓋從80MHz以下到GHz的頻率范圍。這種天線可以被稱為復(fù)合天線或類似的稱法。由于雙錐單元通常遠(yuǎn)離對數(shù)周期天線的尖端，所以雙錐偶極子單元和EUT之間的距離可能比復(fù)合天線的尖端跟EUT之間的距離大得多。此類天線可能需要更高的功率產(chǎn)生RF場。為了獲得更高的增益，還可將兩副對數(shù)周期天線組合在一起。這種天線可命名為“堆疊”天線或類似的稱法。B.4喇叭天線和雙脊波導(dǎo)天線喇叭天線和雙脊波導(dǎo)天線產(chǎn)生線性極化電磁場，通常用在1000MHz以上頻率。(資料性)對于半電波暗室，通過在地板上增加額外的RF吸波材料，有助于在全頻段內(nèi)得到需要的均勻增加的吸波材料不宜放在天線到EUT之間的直射路徑上，但試驗(yàn)時宜放在與電平設(shè)置時的同一方向和位置上。另外，通過傾斜和升高場發(fā)射天線以防止放置直接照射在鋪也可通過將發(fā)射天線放在偏離電波暗室軸線上的方法來改進(jìn)場的在頻率高于1GHz時，鐵氧體磁片可能呈反射而不是吸收功能。由于暗室內(nèi)表面——使用喇叭天線和雙脊波導(dǎo)天線來減少場的反向輻射。由于天線的波束較窄——縮短發(fā)射天線與EUT之間的距離，使墻壁的反射最小(天線與EUT之間的距離可減到遵循上述程序?qū)⑾蟛糠址瓷洳?見圖C.2)。圖C.2大部分反射波被消除(適用于頂視圖放大器的非線性會嚴(yán)重影響施加到EUT的騷擾信號。目標(biāo)是使得放大器的非線性足夠低，從而最小化對騷擾信號的影響。附錄D幫助實(shí)驗(yàn)室理解和限制放大器的失真。a)諧波可能會顯著地影響UFA測量期間獲得的測量值。由于寬帶場探頭將測量基波及其諧b)諧波可能會導(dǎo)致EUT發(fā)生故障，其中EUT在預(yù)期的基波頻率下穩(wěn)定，而在諧波頻率下不穩(wěn)c)即使它在特殊情況下能很好地抑制諧波，諧波依然會影響試驗(yàn)結(jié)果。例如，在試驗(yàn)一臺900MHz的接收機(jī)時，即使很微弱的300MHz諧波信號也可能使接收機(jī)輸入端過載。如果信號發(fā)生器輸出非諧波相關(guān)信號，也會發(fā)生類似情況?？墒褂锰厥獾淖o(hù)敏感的EUT。d)在未檢測出諧波的情況下也可能存在飽和。如果放大器具有一個抑制諧波和/或內(nèi)部電路的2)在試驗(yàn)過程中，這種類型的飽和會導(dǎo)致錯誤的調(diào)制因子和調(diào)制頻率(通常為1kHz)的受的(注意D.2列項(xiàng)c)中的例外現(xiàn)象]。對于輸出端具有頻率固定的低通濾波器的放大器，其基頻上限大約為放大器規(guī)定的最大頻率的1/3。的最大場強(qiáng)點(diǎn))不得超過放大器的2dB壓縮點(diǎn)。在2dB壓縮點(diǎn)，峰值振幅會下降20%。宜驗(yàn)證放大器的線性度，從而確保所使用的放大器在UFA場強(qiáng)值或較低的計(jì)算電平下產(chǎn)生正確D.4.2.1評估等級范圍基于其中一個UFA點(diǎn)的電平設(shè)置結(jié)果計(jì)算不同的試驗(yàn)場強(qiáng)等級時，線性度的評估范圍為用于試驗(yàn)的最小到最大放大器輸出。例如，如果使用從10V/mUFA電平設(shè)置獲得的數(shù)據(jù)執(zhí)行3V/m試非常重要。試驗(yàn)布置如圖D.1所示。的放大器宜在80MHz、500MHz和1GHz下進(jìn)行評估。如果放大器的頻率范圍分為幾個頻帶，則宜功率計(jì)正向功率發(fā)射天線2)將信號發(fā)生器設(shè)置為在步驟a)中確定的最小值，并記錄信號發(fā)生器的輸出和放大器的正向3)將信號發(fā)生器的設(shè)置增加1dB,并記錄信號發(fā)生器的輸出和放大器的正向功率。4)重復(fù)步驟2)到步驟3),直到達(dá)到在步驟1)中確定的信號發(fā)生器的最大設(shè)置值。如果按照D.4.2.2中定義的過程獲得的測量數(shù)據(jù)符合±1dB規(guī)范，則試驗(yàn)實(shí)驗(yàn)室線性特性線性特性0信號發(fā)生器輸出電平/dBm圖D.2線性曲線示例4320信號發(fā)生器輸出電平/dBm5圖D.3增益偏差示例D.4.2.4放大器線性度特性不符合判據(jù)時的抗擾度試驗(yàn)如果在D.4.2.3中執(zhí)行的評估不滿足線性度判據(jù)±1dB,則有必要根據(jù)以下方法在實(shí)際EUT試驗(yàn)期間調(diào)整正向功率。一種方法是使用帶反饋的系統(tǒng)，其中功率計(jì)用于監(jiān)控功率放大器的輸出功率。另一種方法適用于沒有反饋的系統(tǒng)，其中正向功率電平設(shè)置需要在每個期望試驗(yàn)電平下進(jìn)行。(資料性)E.1概述E.2一般用途的試驗(yàn)等級試驗(yàn)等級和頻段是根據(jù)EUT最終安裝所處的電磁輻射環(huán)境來選擇的，在選擇所采用的試驗(yàn)等級——等級1:低電平電磁輻射環(huán)境。位于1km以外的地方廣播臺/電視臺和低功率的發(fā)射機(jī)/接收-等級2:中等的電磁輻射環(huán)境。使用低功率的便攜收發(fā)機(jī)(通常功率小于1W),但限定在設(shè)備——等級3:嚴(yán)重電磁輻射環(huán)境。便攜收發(fā)機(jī)(額定功率2W或更大),可接近設(shè)備使用，但距離不如果使用的發(fā)射器離EUT的距離小于0.2m,則宜考慮根據(jù)IEC61000-4-39(參見附錄F)進(jìn)行的E.3無線電話射頻輻射防護(hù)相關(guān)的試驗(yàn)等級宜按預(yù)期的電磁場選擇試驗(yàn)等級，要考慮無線電設(shè)備的功率以及發(fā)射天線和EUT之間的大致距在選擇所采用的試驗(yàn)等級時宜考慮到失效所造成的后果以及抗擾度試驗(yàn)所需實(shí)際可能的情況是發(fā)生暴露的程度比試驗(yàn)等級高但發(fā)生概率小表E.1給出了試驗(yàn)等級、性能指標(biāo)及相關(guān)保護(hù)距離的示例。保護(hù)距離為當(dāng)按所述的試驗(yàn)等級進(jìn)行試驗(yàn)時，到數(shù)字無線電話可接受的最小距離。該距離按公式(E.1)進(jìn)行計(jì)算，其中k=7,并且假設(shè)用mmm(通用移動通信系統(tǒng))m(微波接入的全球操作網(wǎng)絡(luò))m(無限局域網(wǎng))m例11123A3~0.2d~0.24BA4~0.2~0.14~0.14~0.14~0.14Bh設(shè)備失效后果不嚴(yán)重。在此距離或更近距離時遠(yuǎn)場公式E.1不準(zhǔn)確。如果使用的發(fā)射器離EUT的距離小于0.2IEC61000-4-39(參見附錄F)進(jìn)行的試驗(yàn)。A性能等級，按第9章要求。B性能等級，按第9章要求?！獙SM/LTE手持設(shè)備，目前市場上大部分終端設(shè)備為4級(最大ERP為2W),而實(shí)際使用中有相當(dāng)多的移動終端是3級和2級(最大ERP分別為5W和8W)。除了在接收差的地區(qū)常會調(diào)整其ERP(可能增加到最大發(fā)射功率),以優(yōu)化通信鏈路。從EMC的觀點(diǎn)考慮這是最80MHz波長的4(4波長=93.75cm)。電磁場的感應(yīng)信號非常容易通過具有4波長或更長長度的線(資料性)H.1帶有底部饋線的EUT圖H.1為底部帶有信號和電源饋電線纜EUT的試驗(yàn)布置示例圖。EUT宜放置在厚度為0.05m或以上的絕緣托盤或其他絕緣支架上，也可使用大型和重型EUT上常見的非導(dǎo)電滾輪替代。大型圖H.1帶有底部線纜的EUT試驗(yàn)布置示例圖(未標(biāo)出CMAD)H.2帶有架空線纜的EUT圖H.2為帶有架空信號和電源線纜EUT的試驗(yàn)布置示例圖。這類產(chǎn)品例如網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器，由于實(shí)也宜將其用于試驗(yàn)設(shè)置。如果可能的話，連接EUT裝置的多余長度的線纜宜在線的中部捆扎成低感如果EUT太大，無法完全裝入UFA窗口，那么每次沿EUT進(jìn)行試驗(yàn)后，宜移動單個UFA窗線纜電源線纜場發(fā)射天線圖H.2帶有架空線纜的EUT試驗(yàn)布置示例圖能打印機(jī)，通常包含多個AE之間的幾種不同長度和類型的線纜。只有足夠長的線纜才能以不低于規(guī)定，長線纜宜如圖3所示排列，使用非導(dǎo)電支撐，以實(shí)現(xiàn)垂直和/或水平暴暗室墻壁信號線連接輔助設(shè)備的信號線H.4帶有側(cè)饋線纜并需要多個UFA窗口的大型設(shè)備EUT進(jìn)行試驗(yàn)后，宜移動單個UFA窗口，使EUT(包括外部饋電線纜)能夠完整的被UFA覆蓋。天線和吸波材料(可選)宜如圖H.4所示移動，直到整個EUT被UFA窗口覆蓋。如果可能的話，連接EUT裝置的多余長度的線纜宜在線的中心捆扎成低感性線束。圖H.4帶有側(cè)饋線纜并需要多個UFA窗口的大型設(shè)備試驗(yàn)布置示例圖GB/T17626.3—2023/IEC(資料性)線性度和諧波檢查以及多信號試驗(yàn)時EUT的性能判據(jù)。這種互調(diào)的結(jié)果是以邊帶(大概以基頻和諧波為中心)的形式產(chǎn)生的無用圖I.1試驗(yàn)頻率f?和f?及其二階和三階互調(diào)頻率v?(t)=cos(2πf?t)+coPMsAvG=PssAvc·N…………(I.5)PMSPk=PsspK·N2PMsPK——多個信號的峰值功率；N——信號的數(shù)量。率不同，其相對相位總是在變化，只有當(dāng)所有信號同相時，才能達(dá)到峰值功I.4試驗(yàn)電平設(shè)置要求除了試驗(yàn)設(shè)備的選擇，更重要的是要考慮到互調(diào)和放大器飽和效應(yīng)。試驗(yàn)電平設(shè)置流程按照6.3.2和6.3.3的要求(根據(jù)要求的頻段確定AM調(diào)制的試驗(yàn)電平)來確定在不使放大器飽和引入太多失真的情況下，可將多少信號組合成一個試驗(yàn)集。6.3.2步驟5)和6.3.3步驟7)以及附錄D的線性6.3.2步驟5)和6.3.3步驟7)中定義的線性度檢查流程宜作為一個整體用于每個信號測試集。測在駐留時間內(nèi)用一個以上的信號進(jìn)行試驗(yàn)會使EUT暴露在超出標(biāo)準(zhǔn)要求強(qiáng)度的輻射下。這種過度暴露可能導(dǎo)致EUT喪失功能或性能下降，而這非是由單一頻率的照射造成的。由于本文件的要求(規(guī)范性)器產(chǎn)生的諧波這類騷擾量的參數(shù)，實(shí)驗(yàn)室也需要以一種合適的方法進(jìn)行考慮進(jìn)下面的影響量圖(見圖J.1)給出試驗(yàn)電平設(shè)置影響量的舉例。本圖表同時適用于電平設(shè)置和試驗(yàn)選用。為了不同的試驗(yàn)場地和實(shí)驗(yàn)室得到可比較的預(yù)評估值，不確定度預(yù)評估的計(jì)算至少包括表J.1場強(qiáng)探頭和功率監(jiān)視儀(可重復(fù)性而不是絕對的測量準(zhǔn)確度和線性度)不包括表J.1和表J.2給出了一些試驗(yàn)電平設(shè)置的不確定度預(yù)評估的示例。不確定度預(yù)評估包括電平設(shè)因子C正態(tài)k=221111擴(kuò)展不確定度U(y)(CAL),k=2因子C電平設(shè)置111111如果用功率計(jì)對信號發(fā)生器的輸出電平進(jìn)行控制，則在表格中包含PM,。否則，應(yīng)大器的穩(wěn)定度和漂移。在這個例子中，因?yàn)楣β史糯笃髯鳛楣β史糯笃鬏敵隹刂频囊徊糠?，不會對不確定度預(yù)評估產(chǎn)生影響，所以考慮功率計(jì)的不確定度貢獻(xiàn)就足夠J.2.4術(shù)語解釋設(shè)置證書(作為正態(tài)分布處理)中獲得。如果電平設(shè)置和試驗(yàn)使用同一個[1]IEC/TR61000-1-6Electromagnetictheassessmentofmeasurementuncertainty[2]UKAS,M3003,Edition4,2019,TheExpressionofUncertaintyandConfidenceinMeasure-[3]ISO/IECGuide98-3Uncertaintyofmeasurement—Part3:Guidetotheexpressionofcertaintyinmeasurement(GUM:1995)——80MHz到1GHz使用下列頻率電平設(shè)置電場探頭(通常用50MHz的步進(jìn)):80MHz,100MHz,150MHz,200MHz,…,9501200MHz,1400MHz,…,5800MHz,6001234X注：X,Y是開放的校準(zhǔn)等級，可比等級1～4高或者低。產(chǎn)品規(guī)范或試驗(yàn)實(shí)驗(yàn)室可給出這個等級。K.3.1概述任何從功率放大器輸出的諧波和雜散信號要比載波頻率的電平低20dB。該要求適用于校準(zhǔn)和線性試驗(yàn)的所有場強(qiáng)等級。因?yàn)楣β史糯笃鞯闹C波含量在高功率電平通常是最高等級的場強(qiáng)校準(zhǔn)中進(jìn)行。諧波試驗(yàn)可使用校準(zhǔn)過的頻譜分析儀，通過頻譜分析儀連接到定向耦合器的端口3來實(shí)現(xiàn)(用頻譜分析儀的輸入替代功率計(jì)探頭一見圖k.2)。掃頻寬度至少包括預(yù)期頻率的3次諧波。在產(chǎn)生最高預(yù)期場強(qiáng)的功率電平進(jìn)行確認(rèn)測量。可使用諧波抑制濾波器來提高功率放大器的頻譜純度(見附錄D)。通常探頭的線性響應(yīng)不會隨頻率有明顯的改變。可采用接近預(yù)期頻率范圍用足夠小步進(jìn)(例如1dB)來測量探頭的線性響應(yīng)，且測量場強(qiáng)宜控制在驗(yàn)證暗室中使用的場強(qiáng)表K.2探頭線性測量的示例表K.2探頭線性測量的示例(續(xù))0標(biāo)準(zhǔn)角錐形喇叭天線的遠(yuǎn)場增益可準(zhǔn)確地確定(在[1]2)中報告不確定度小于0.1dB)。遠(yuǎn)場增益場區(qū)域進(jìn)行校準(zhǔn)?？捎肹2]中的公式確定標(biāo)準(zhǔn)增益喇叭天線的近場增益。在假設(shè)喇叭的口徑是二次相影響，例如喇叭邊際的多次反射，還有口徑的更高階的模式等。根據(jù)頻率和喇叭設(shè)計(jì)，誤差通常在方括號中提到的參考文件在條款K.6。5%。喇叭天線的增益可用實(shí)驗(yàn)方法確定。例如，增益可使用三天線法在減少的距離用推導(dǎo)技術(shù)確在校準(zhǔn)中推薦的天線和試驗(yàn)探頭的距離至少為0探頭校準(zhǔn)宜在一個全電波暗室或者在地面鋪設(shè)了滿足K.4.2.1要求的吸波材料的半電波暗室中進(jìn)行。如果使用全電波暗室，推薦的用于探頭校準(zhǔn)的最小內(nèi)部工作尺寸是5m(長)×3m(寬)×3m準(zhǔn)空間內(nèi)有一個球形的靜區(qū)。本附錄的特定要求專用于位于天線波瓣軸上的試驗(yàn)點(diǎn)的VSWR試驗(yàn)。試驗(yàn)固定裝置及其影響不能被完全評估(例如探頭的固定裝置可能暴露在電傳遞到發(fā)射裝置的凈功率可使用一個4端口的雙向定向耦合器試驗(yàn)，或者兩個3端口的單向定向42源31圖K.2發(fā)射裝置凈功率測量配置如果知道天線的VSWR,可使用一個單獨(dú)的三端口耦合器。例如，如果天線的VSWR為1.5那么等效于電壓反射系數(shù)為0.2。準(zhǔn)確度受到耦合器方向性的影響。方向性是衡量耦合器隔離前向和反向如，發(fā)射天線的VSWR是1.5,耦合器的方向性是20dB,由限定方向性決定的凈功率的絕對最大不確定度是0.22dB-0.18dB=0.04dB,符合U形分布(0.22dB是1.5的VSWR產(chǎn)生的入射功率的損Pnet=CfwaPM?(1-VRC2)喇叭天線的增益用K.3.4描述的方法獲得。天線軸向電場(V/m)由公式(K.6)確定K.4.2.4暗室驗(yàn)證試驗(yàn)頻率范圍和頻率步進(jìn)暗室的VSWR試驗(yàn)應(yīng)覆蓋預(yù)期的電平設(shè)置探頭的頻率發(fā)射喇叭天線發(fā)射喇叭天線場強(qiáng)探頭標(biāo)準(zhǔn)增益喇叭天線吸波材料ALAL的場強(qiáng)(例如20V/m)進(jìn)行試驗(yàn)。當(dāng)發(fā)射天線和場強(qiáng)探頭都垂直極化時，在所有位置所有頻率記錄探K.4.2.6VSWR的接受準(zhǔn)則VSWR測量結(jié)果應(yīng)通過使用下面的程序比較。場強(qiáng)的計(jì)算參考K.4.2.3。b)數(shù)據(jù)的調(diào)整計(jì)算的場強(qiáng)值之間的差異為修正值k,用于90cm～120cm的所有數(shù)據(jù)。如：比較1m距離的探頭測量值Vm(如21V/m)與計(jì)算值V(如20V/m)。修正值k是一些場強(qiáng)探頭有金屬外殼或者探頭桿，例如電池或電路。這些元件在探頭校準(zhǔn)中探頭固定裝置可引起電磁場的反射。因此，固定裝置對校準(zhǔn)結(jié)a)把探頭放在相對介電常數(shù)小于1.2,損耗正切角小于0.005的支撐材料上。探頭的位置要與校準(zhǔn)設(shè)置一樣。參考固定裝置宜盡可能地小。其他支撐物要不影響試驗(yàn)，并且至少離探頭c)記錄所有的校準(zhǔn)頻率點(diǎn)的探頭讀數(shù)。如果需要在每個校準(zhǔn)位置旋轉(zhuǎn)或者重新定位探頭(對各d)移除參考固定裝置并用待測的探影響暗室的VSWR。發(fā)射天線應(yīng)和暗室VSWR的試驗(yàn)以及探頭校準(zhǔn)時所用發(fā)射天線相同。乙烯材料AL配置顯示在圖K.6和圖K.7,從喇叭天線的口應(yīng)另外評估(見K.4.2.7)。在所有位置生成恒定場，例如20V/m。生成的場強(qiáng)需要在場強(qiáng)探頭的動態(tài)范圍之內(nèi)。發(fā)射天線和場強(qiáng)探頭都使用垂直極化：記錄所有位置的所有頻率的探頭讀數(shù)。將天線和探頭水平極化，重復(fù)位置數(shù)據(jù)L-20m~L+30cm探頭校準(zhǔn)應(yīng)使用滿足K.4要求的測量系統(tǒng)/環(huán)境。K.4.3.2試驗(yàn)布置不能完全滿足K.4.2.7的探頭固定裝置會導(dǎo)致大的MU。因此應(yīng)使用K.4.2.7驗(yàn)證過的探頭固定應(yīng)被試驗(yàn)實(shí)驗(yàn)室使用以限制各向同性的影響。如果生產(chǎn)商在數(shù)據(jù)表中未說明任何場強(qiáng)探頭的方向測量布置的示例見圖K.9和圖K.10。與驗(yàn)證與驗(yàn)證測試一樣GB/T17626.3—2023/IECK.5替代的探頭校準(zhǔn)環(huán)境和方法K.5.1概述K.5.2使用TEM室校準(zhǔn)場強(qiáng)探頭中5.2所述的方法。TEM室的上限頻率典型值是幾百M(fèi)Hz。TEM室芯板與上頂板或下底板之間中 (K.7)TEM室的VSWR宜保持小值，如小于1.3以減小MU。測量Pn的替代方法是使用校準(zhǔn)過的、低VSWR的衰減器和連接到TEM室輸出口的功率探頭進(jìn)K.5.3用波導(dǎo)室校準(zhǔn)場強(qiáng)探頭圖K.11波導(dǎo)室橫截面圖校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室應(yīng)確保波導(dǎo)室工作在主模TE1。模式。應(yīng)避免能激發(fā)更高次模式的頻率。波導(dǎo)制造商式中，μ和e是波導(dǎo)材料的磁導(dǎo)率和介電常數(shù)。對充滿空氣的波GB/T17626.3—2023/IECK.5.5用增益?zhèn)鬟f法校準(zhǔn)場強(qiáng)探頭可使用傳遞探頭在場發(fā)生設(shè)備(工作標(biāo)準(zhǔn)裝置)里建立標(biāo)準(zhǔn)場。傳遞探頭的響應(yīng)可通過理論計(jì)算(如偶極子探頭),或依據(jù)K.5.2或K.5.3描述的方法進(jìn)行校準(zhǔn)得到。工作標(biāo)準(zhǔn)裝置的傳輸函數(shù)可由傳—受試探頭在結(jié)構(gòu)上(尺寸和元件設(shè)計(jì))和參考文獻(xiàn)[7]和參考文獻(xiàn)[8]對以上方法有提供更多信息。K.6參考文獻(xiàn)[1]STUBENRAUCH,C.,NEWELL,C.A.C.,REPJAR,A.C.A.,MacREYTAMURAD.T.,LARSON,F.H.,LEMANCZYK,J.,BEHE,R.,PORTIER,G.,ZEHREN,J.C.,HOLLMANN,H.,HUNTER,J.D.,GENTLE,D.G.,andDeVREEDE,J.P.M.InternationalInter-comparisonofHornGainatX—Band.IEEETrans.OnAntennasVol.44,No.10[2]IEEE1309,Cal[3]KANDA,M.andKAWALKO,S.Near