(高清版)GB∕T 29054-2019 太陽能電池用鑄造多晶硅塊

ICS29.045GB/T29054—2019太陽能電池用鑄造多晶硅塊國家市場監(jiān)督管理總局IGB/T29054—2019本標準按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。編輯性修改外主要技術變化如下：制備的硅錠上切割得到的準方形多晶硅塊(包括類單晶硅塊)。產品用于切割成硅片后進一步制作太陽能電池”(見第1章，2012年版的第1章)。 刪除了規(guī)范性引用文件中GB/T6616、SEMIPV1-0709,增加了GB/T1554、GB/T2828.1—第2章，2012年版的第2章)。 刪除了硅塊的定義，增加了有效高度、類單晶和最大晶粒面積比例的定義(見第3章，2012年版的第3章)?！獎h除了分類(見2012年版的第4章)?！嗣娉叽缬?25mm×125mm、156mm×156mm改為156.75mm×156.75mm,其他尺寸，建議增減量為1mm的整數(shù)倍(見4.1.1,見2012年版的第4章)。——修改了間隙氧含量的要求，由≤8×101?atoms/cm3改為不大于6×101?atoms/cm3(見4.3,2012年版的5.2)。 ——刪除了硼濃度的要求(見2012年版的5.2)。——增加了附錄A,列出了常見的不同最大晶粒面積比例的類單晶硅塊(見附錄A)。本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。本標準起草單位：江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司、鎮(zhèn)江仁德新能源科技有限公司、江西賽維本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：1太陽能電池用鑄造多晶硅塊本標準適用于從鑄造技術制備的硅錠上切割得到的準方形多晶硅塊(包括類單晶硅塊)。注：多晶硅塊切割成硅片后用于制作太陽能電池。下列文件對于本文件的應用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文GB/T1550非本征半導體材料導電類型測試方法GB/T1554硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法GB/T2828.1—2012計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分：按接收質量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃GB/T31854光伏電池用硅材料中金屬雜質含量的電感耦合等離子體質譜測量方法GB/T14264界定的以及下列術語和定義適用于本文件。硅塊符合各項技術要求的可切割高度。最大晶粒面積比例thepercentageofthelargestsinglegrain類單晶硅塊橫截面上具有指定晶向的最大晶粒區(qū)域的面積與類單晶硅塊橫截面總面積的比值。4.1.2硅塊的有效高度應不小于100mm。24.1.3硅塊的倒角尺寸及角度如圖1所示，倒角尺寸為1.5mm±0.5mm,倒角角度為45°±10°。4.1.4硅塊相鄰兩面的垂直度如圖1所示，垂直度為90°,允許偏差為±0.25°。圖1倒角尺寸、倒角角度和垂直度示意圖4.2電學性能4.2.1硅塊的導電類型為P型。4.2.3硅塊的載流子壽命應不小于2μs。4.3間隙氧含量硅塊的間隙氧含量應不大于6×1017atoms/cm3。4.4代位碳含量硅塊的代位碳含量應不大于5×1017atoms/cm3。4.5金屬雜質總含量硅塊中的金屬雜質(Fe、Cr、Ni、Cu、Zn)總含量應不大于2μg/g。4.6表面質量4.6.1在有效高度內，硅塊表面應無目視可見裂紋、崩邊、缺口。4.6.2硅塊4個側面的紅外探傷檢測結果不應有尺寸大于5mm的點狀雜質。4.6.3硅塊側面的表面粗糙度Ra應不大于0.2μm。4.7類單晶硅塊的最大晶粒面積比例類單晶硅塊的最大晶粒面積比例應符合表1的規(guī)定。常見的不同最大晶粒面積比例的類單晶硅塊參見附錄A。3要求I類最大晶粒面積比例I類類單晶硅塊相對于直拉單晶硅和區(qū)熔單晶硅，可能有更大的位錯密度和晶向偏差。I類類單晶硅塊的最大晶粒面積比例一般要求為100%,如供需雙方協(xié)商一致，可允許最大晶粒面積比例類單晶硅塊任一橫截面的熒光光致發(fā)光(或電致發(fā)光)測試圖像上顯示的位錯缺陷面積比例應不大于橫截面積的10%。需方如對腐蝕位錯密度有要求，由供需雙方協(xié)商確定并在合同中注明。5.3倒角角度和相鄰兩面的垂直度用萬能角度尺或相應精度的量具測量。5.4導電類型的檢驗按GB/T1550的規(guī)定進行。5.5電阻率的檢驗參照GB/T1551的規(guī)定進行，或按供需雙方協(xié)商確定的方法進行。5.6載流子壽命的檢驗參照GB/T1553的規(guī)定進行。5.7間隙氧含量的檢驗在硅塊底部取樣后參照GB/T1557的規(guī)定進行。5.8代位碳含量的檢驗在硅塊頂部取樣后參照GB/T1558的規(guī)定進行。5.9金屬雜質含量的檢驗按GB/T31854的規(guī)定進行，或按供需雙方協(xié)商確定的方法進行。5.11紅外探傷檢測將硅塊置于波長400nm～3000nm紅外光源下，紅外光入射到硅塊，根據(jù)穿過缺5.12表面粗糙度的檢驗用表面粗糙度測試儀進行。5.13類單晶硅塊的最大晶粒面積比例的檢查在光強度為430Ix～6501x的照明條件下，距硅塊30cm～50cm的位置垂直于硅塊橫截面目視進行。5.14類單晶硅塊缺陷密度(除腐蝕位錯密度)的檢驗用熒光光致發(fā)光法或電致發(fā)光法進行；腐蝕位錯密度的檢驗按GB/T1554的規(guī)定進行。46檢驗規(guī)則6.1.1產品應由供方質量監(jiān)督部門進行檢驗，保證產品質量符合本標準及訂貨單(或合同)的規(guī)定，并填寫產品質量證明書。6.1.2需方應對收到的產品按本標準的規(guī)定進行檢驗，如檢驗結果與本標準或訂貨單(或合同)的規(guī)定供需雙方協(xié)商確定。需雙方協(xié)商并在合同中注明。6.4.3間隙氧含量、代位碳含量、金屬雜質含量、類單晶硅塊缺陷密度的檢驗取樣由供需雙方協(xié)商6.5.2導電類型、電阻率和載流子壽命的累a)產品名稱；b)產品技術要求；5GB/T29054—2019b)產品名稱；a)供方名稱；c)產品重量及數(shù)量；e)各項檢驗結果及檢驗部門印記；f)本標準編號；8訂貨單(或合同)內容本標準所列產品的訂貨單(或合同)內應包括下列內容：b)產品規(guī)格；c)產品重量及數(shù)量；e)本標準編號；f)其他。6GB/T29054—2019(資料性附錄)不同最大晶粒面積比例的類單晶硅塊主要有以下兩種常見的表現(xiàn)形式：a)I類：最大晶粒面積比例為100%,如圖A.1所示。b)Ⅱ類：最大晶粒面積比例小于100%,如圖A.2所示。GB/T29054