10集成電路測試概述及CP

集成電路測試與分析查閱資料，課后完成以下任務：1.集成電路的不正常狀態(tài)分別是缺陷（defect）、故障（fault）和失效（failure），解釋其區(qū)別。2.解釋以下集成電路測試名詞：WAT、CP、FT、PMU、DUT。3.直流參數測試一般都要進行開短路測試，畫圖解釋其基本原理。4.測試工程師的工作內容主要是什么？目錄/CONTENTS010203概述CP測試FT測試集成電路測試概述01PartOne什么是測試？為什么要測試？實際的制作過程所帶來的以及材料本身或多或少都有的缺陷，無論怎樣完美的工程都會產生不良的個體，因而測試也就成為集成電路制造中不可缺少的工程之一。集成電路的測試就是運用各種方法，檢測那些在制造過程中由于物理缺陷而引起的不符合要求的樣品。測試的主要目的是對集成電路的各項功能及參數指標進行檢驗，保證各項參數能夠達標。測試的對象包括數字IC、模擬IC、低頻、射頻和數?；旌闲盘栯娐返仍O備。在IC設計階段產品出樣后,測試結果可以幫助優(yōu)化IC設計在晶圓、芯片和模組階段測試幫助甄別良品和劣品集成電路測試是半導體產業(yè)鏈中不可或缺的一環(huán)，貫穿于整個集成電路設計、制造、封裝及應用過程中。在生產中的每一個環(huán)節(jié)都需要進行相應的測試，從而保證集成電路在整個流程中不會出現較大的問題。測試的對象和主要測試內容集成電路測試的對象包括數字IC、模擬IC、低頻、射頻和數模混合信號電路等測試內容一般分為兩大類：功能測試和參數測試。芯片測試的核心—C語言C語言是一門面向過程的、抽象化的通用程序設計語言，廣泛應用于底層開發(fā)。C語言能以簡易的方式編譯、處理低級存儲器。C語言是僅產生少量的機器語言以及不需要任何運行環(huán)境支持便能運行的高效率程序設計語言。集成電路自動測試系統TMU（TimeMeasureUnit），時間測量單元，主要功能是測量信號的頻率、周期、上升沿時間、高脈沖時間等時間參數；AWG（ArbitraryWaveformGenerator），任意波形發(fā)生器，主要功能是可以產生任意的波形；DIG是數據采集卡，主要對波形的數據進行采集、處理、存儲和傳輸；OVC（OctalVoltage/Current），直流參數測試單元，含1個或多個PMU（PrecisionMeasureUnit，精密測量單元），主要功能對直流參數進行測試。主要測試階段WAT測試CP測試FT測試此外，測試還包括之前介紹的可靠性測試。即器件在額定的使用壽命期限之內是否能夠安全正常地工作。主要測試階段晶圓測試WAT測試（WaferAcceptanceTest）FT測試（FinalTest）CP測試（ChipProbe）

半導體WAT測試（WaferAcceptanceTest）：芯片制造完成后，對芯片進行的測試以確認其質量和可靠性。主要測試內容包括：線寬和線間距測試：檢測芯片中各個線的寬度和間距是否符合要求。漏電流測試：檢測芯片中電流是否泄漏，以確定是否存在損壞或潛在故障。電容測試：測量芯片中各個電容的電容值是否符合要求。短路測試：檢測芯片中各個連接點是否存在短路現象。開路測試：檢測芯片中各個連接點是否存在開路現象。穩(wěn)定性測試：檢測芯片在不同工作溫度和電壓下是否穩(wěn)定?？煽啃詼y試：測試芯片的長期可靠性，包括壽命和耐壓等。功耗測試：測試芯片在不同工作負載下的功耗情況。邏輯測試：檢測芯片中各個邏輯電路是否按照設計要求運行。存儲器測試：測試芯片中的存儲器是否按照設計要求工作。集成電路生產大致流程封裝測試主要指對芯片或器件進行功能測試測試又分為晶圓測試（CP)和最終測試（FT）CP測試FT測試前道工藝：芯片制造后道工藝：封裝測試集成電路晶圓測試（CP)02PartOneCP測試及map圖CP測試工藝流程技能要求晶圓檢測①進行晶圓檢測工藝操作②根據測試條件要求更換探針卡③判定晶圓測試過程中扎針位置、深度④判別測試機、探針臺運行過程發(fā)生的故障類型⑤探針卡的焊接和維護保養(yǎng)⑥測試機和探針臺的日常維護晶圓打點①根據芯片要求加載打點程序②判定晶圓打點過程中墨點是否滿足要求③判別晶圓打點運行過程發(fā)生的故障類型④完成墨盒的日常維護和保養(yǎng)晶圓目檢①對手動打點使用的墨盒進行灌墨操作②根據芯片的大小選擇合適的打點墨盒③對扎針、打點不良的晶圓進行判定、剔除④進行墨點烘烤CP檢測的工藝操作晶圓檢測CP檢測流程扎

針調

試氮氣柜從氮氣柜中取出待檢測的花籃晶圓測試隨件單加

溫

/

避

光扎

針測

試確定扎針位

置與深度特殊檢測常規(guī)檢測導

片上

片全自動探針臺CP測試晶圓檢測設備執(zhí)行測試動作發(fā)出測試信號測試機晶圓檢測設備測試結果顯示區(qū)CP測試探針卡測試區(qū)晶圓上片區(qū)CP測試

晶圓檢測工藝n晶圓檢測的工藝操作1.導片?氮氣柜用于存放晶圓，又稱氮氣防潮箱，利用氮氣來降低濕度和氧含量，防止氧化?氮氣柜無風扇、無噪音、不返潮、不結霜、無熱效應產生，除濕效果穩(wěn)定?充入的氮氣越多，濕度降得越低，防氧化的效果也越好氮氣柜CP測試

晶圓檢測工藝n晶圓檢測的工藝步驟1.

導片?核對晶圓與晶圓測試隨件單?將同一批次的晶圓按片號依次放入空花籃?導片工具：花籃、晶圓鑷子?花籃分為常溫花籃、高溫花籃，是裝載晶圓的容器，輸送、放置晶圓，花籃可存放25片晶圓?晶圓鑷子具有耐磨損性、耐化學品腐蝕、阻燃等特點，可平穩(wěn)地轉移晶圓，避免因人手直接接觸而造成產品污染晶圓鑷子氮氣柜

隨件單

花籃

晶圓測試

晶圓檢測工藝n晶圓檢測的工藝操作2.上片?上片是將完成導片的晶圓放置到探針臺的指定位置，保證放置的位置正確?探針臺通過金屬探針將圓片上集成電路芯

片的電極與測試機聯接?探針臺：手動探針臺、半自動探針臺、全自動探針臺?半自動探針臺，將晶圓手動放置于載片臺上，手動探針動到待測點上方，顯微鏡觀

察UF200型

全自動探針臺東京精密公司半自動探針臺上片CP測試

晶圓檢測工藝n晶圓檢測的工藝操作2.上片?全自動探針臺上片操作步驟①放置花籃將導片完成的花籃放在探針臺的待測區(qū)域

(承重臺)

，花籃放置時需注意晶圓印章正面朝上承重臺前的兩盞指示燈均處于燈滅狀態(tài)，其中綠燈表示上升，紅燈表示下降②花籃位置固定前后輕移花籃，將花籃固定在承重臺上對應位置，當花籃位置

放置正確時，承重臺后側位置指示燈亮n晶圓檢測的工藝操作2.上片?全自動探針臺具體上片操作步驟③花籃下降花籃的卡槽和承重臺的上片槽緊密貼合后，按下確認

鍵，下降指示燈

(紅燈)

亮④花籃到達指定位置承重臺下降到指定位置后，下降指示燈

(紅燈)

滅，合上蓋子，探針臺自動完成晶圓上片CP測試晶圓檢測工藝n晶圓檢測的工藝操作2.上片?全自動探針臺具體上片操作步驟注意：①若花籃位置放置不正確，花籃的卡槽與探針臺的上片槽沒有緊貼，會導致探針錯位、晶圓破片②

探針臺上的指示燈處于亮燈狀態(tài)時不能進行其他操作，否則會引起探針臺死機，導致晶圓撞擊探針及測試卡CP測試晶圓檢測工藝?這類有特殊要求的晶圓約占5%①避光測試用一塊黑布遮擋住晶圓四周，通過顯微鏡觀察到待測點位置、完成扎針位置的調試后，再測試晶圓對光線特別敏感，經光線照射后會失效，影響產品合格率，因此采用避光測試3.加溫/避光測試?根據晶圓測試隨件單上測試條件要求，有些特殊的晶圓需在避光、加溫條件下進行扎針測試CP測試晶圓檢測工藝n晶圓檢測的工藝操作②加溫測試在扎針測試之前，將需要高溫加熱的晶圓放置在載片臺上，根據隨件單上的加溫要求對晶圓進行加溫晶圓檢測工藝n晶圓檢測的工藝操作3.加溫/避光測試溫度顯示載片臺CP測試n

訓練目標1.能正確識別晶圓測試隨件單上的參數設置信息2.能進行扎針參數設置3.能進行扎針定位手動調試CP測試

任務1

扎針調試n

扎針調試的操作步驟

輸入晶圓信息

自動對焦

查看MAP圖

扎針調試

1.參數設置?晶圓上片后，在扎針測試前進行參數設置和扎針調試，來確定扎針位置與深度?根據晶圓測試隨件單，在探針臺操作界面輸入晶圓尺寸、步距尺寸、晶圓產品名、批次編號、

晶圓ID等相關信息；?輸入完成后再進行核對，保證輸入的信息無誤CP測試

任務1

扎針調試CP測試

任務1

扎針調試n

扎針調試的操作步驟2.自動對焦?信息輸入正確后，點擊確認鍵，探針臺自動對晶

圓的上下、左右四個方位進行掃描對焦?將對焦圖調到最清楚的視窗，方便后面利用對焦圖進行扎針等情況的檢查對焦圖CP測試

任務1

扎針調試n

扎針調試的操作步驟3.調出檢測MAP圖?對焦圖調至最清楚的視窗后，自動調出對應的檢測

MAP圖?調出的檢測MAP圖與探針臺操作界面輸入的晶圓信息

一致若晶圓信息輸入錯誤，就會調出錯誤的檢測MAP圖MAP圖CP測試

任務1

扎針調試n

扎針調試的操作步驟4.扎針調試①扎針位置：移動搖桿，調節(jié)扎針的位置，若調試時發(fā)現扎針位置發(fā)生偏移，通過對焦

圖檢查偏移情況進行調整?針印整體偏移：利用搖桿微調扎針的位置?單根扎針的針印偏移：進行手動撥針，使探針移動至相應位置②扎針深度：?在扎針深度調整界面改變扎針深度的數值，界面初值為0?調試時針痕不能太深或太淺，太深容易扎透鋁層，太淺容易測試不合格搖桿任務1

扎針調試扎針調試的操作步驟4.扎針調試?根據“熱脹冷縮”的原理，需要加溫的晶圓在加溫結束后再進行扎針調

試，否則扎針時可能會扎透鋁層?進行扎針調試前要確保探針臺的真空閥門運行正常，使晶圓吸附在載片臺上，不會發(fā)生移動?在探針臺操作界面進行扎針深度加深時，數值不能一次性過大，容易扎

透鋁層?調整扎針位置時，需利用要搖桿的“微調”檔位進行位置的確定CP測試針印nn

訓練目標1.能根據隨件單進行晶圓信息錄入2.能進行零點確認3.能正確進行測試數據記錄CP測試

任務2

扎針測試CP測試

任務2

扎針測試n

扎針測試的步驟

1.輸入晶圓信息?掃描晶圓測試隨件單二維碼，進入測試機軟件檢測界面，核對軟件檢測程序、版本

和隨件單是否一致，并手工輸入片號等信息?確保晶圓測試隨件單、測試機操作界面、檢測MAP圖三者的信息保持一致測試機軟件界面隨件單調用程序測試清零n

扎針測試的步驟2.清零?核對信息一致后?為保證晶圓的零點與檢測MAP圖上的零點位置一致，清零?清零后，點擊開始按鈕進行扎針測試CP測試任務2

扎針測試沿邊直接剔除區(qū)域：相當于芯片的外圍部分，該部分不會被測試，可以減少扎針的氧化程度并提高測試效率。灰色區(qū)域：

待測扎針

(測試進度)

藍色區(qū)域：

未測區(qū)域CP測試?扎針測試7/E/9等屬于故障區(qū)域：

不同的標記代表不同類型的故障，方便參數異常分析黃色區(qū)域：沿邊直接剔除區(qū)

域綠色區(qū)域：PASS

n

扎針測試的步驟?測試正常運行?測試機將測試結果通過GPIB線傳輸給探針臺，探針臺的檢

測MAP圖上會顯示相應的標記，并對測試結果進行計數?“TOTAL”表示已經進行扎針測試的晶?？倲礐P測試

任務2

扎針測試?“PASS”表示扎針測試合格數?“FAIL”表示扎針測試不合格數已測總數合格數不合格數n

扎針測試的步驟檢查扎針情況?定期檢查扎針情況，例如測至500顆左右時，停止扎針，手動移動搖桿，通過對焦圖隨機檢查扎針位置、深淺等是否符合質量外觀的要求?對于一片具有幾千甚至上萬個晶粒的晶圓而言，500顆左右可稱其為樣本?該項檢查可保證后續(xù)扎針的正確性，及時發(fā)現問題并進行相應調整，從而提高產品的合格率CP測試

任務2

扎針測試任務2

扎針測試異常情況處理?在對焦圖上抽查到針痕異常后，要對該晶圓上已經完成測試的晶粒進行全檢，判斷扎針異常的原因，再重新設置扎針深度，調整扎針位置等?若檢查時正常時，繼續(xù)進行扎針測試記錄測試結果?晶圓測試完成后，在晶圓測試隨件單

上記錄測試結果?包括：合格數、不合格數、合格率等CP測試合格扎針n

訓練目標1.能區(qū)分不同規(guī)格探針卡2.能正確進行探針臺“退片”、“進片”操作3.能正確完成探針卡拆裝CP測試

任務3

更換探針測試卡任務3

更換探針測試卡?探針測試卡又稱探針卡，主要是連接探針臺和測試機，也是測試

機與待測晶圓之間的接口?探針卡是帶有很多細針的印刷電路板，這些細針和待測晶圓進行機械和電學接觸?探針材料通常由鎢制成，由特殊測試結構的壓焊點定制，通過它傳導進出晶圓測試結構壓焊點的電流?每個待測晶圓通常需要一個的探針卡，應選擇與之對應的探針卡?每個探針卡有幾百個探針不等，結構多種多樣，排列正確、探針保持在同一個平面內、價格昂貴，從幾百到上萬美元不等?當探針卡損壞時，必須及時更換新的探針卡探針與晶圓上的晶

粒

(

PAD)

點接觸CP測試探針卡?也可以根據針卡外形，分為方卡和圓卡兩種?采用直連方式，適用于高速高頻的IC測試?圓卡比較大，有更多的探針，及多外圍電路，適合SOC等大規(guī)模IC測試，也可以進行多管芯測試CP測試

任務3

更換探針測試卡n

探針卡類型?探針卡根據連接方式，分為Cable

(線纜)

連接和Pogopin

(頂針)

直連兩種圓卡方卡：?方卡尺寸和探針臺的固定槽位統一，方便安裝拆卸?方卡的PCB空間少，因此不能放置大量的元器件，適合測試外圍簡單的IC?方卡上方是空的，方便安裝顯微鏡、光源、氮氣?

方卡成本低任務3

更換探針測試卡n

探針卡類型CP測試方卡CP測試

任務3

更換探針測試卡n

探針卡更換步驟①點擊探針臺界面的“退片”按鈕②松動四顆針卡固定螺絲，小心取下探針卡，切勿誤觸到針尖，取下探針卡用針尖保護殼

蓋上并貼緊③

拿對應型號規(guī)格新的探針卡，取下保護蓋板對準方向裝在對應位置上，擰緊固定螺絲④點擊探針臺界面的“進片”按鈕，換完成注意：取下的探針卡放在指定位置、不得損壞部件n

訓練目標1.能準確判斷扎針位置是否符合要求2.能準確判斷扎針深度是否符合要求CP測試

任務4

晶圓扎針質量檢查CP測試

任務4

晶圓扎針質量檢查n

扎針位置判別標準?合格扎針要求在PAD點的范圍內有針印，且針印無異常?壓點指在封裝過程中用于粘合金屬線的區(qū)域，扎針針痕必須在壓點中間?且當單個壓點上有兩個以上的探針測試時，針痕應均勻分布在壓點中間n

扎孔深淺判別標準?扎針不可過深或過淺u

晶圓測試過程，探針會對與探針接觸的晶圓PAD施加一定的壓力，若壓力不足，導致接觸不良，無法正常判斷芯片的好壞u若壓力超出一定范圍，會導致探針扎入晶圓PAD表面鋁層深度變深，嚴重的會將晶圓PAD表面鋁層扎穿,造成芯片中間絕緣層的損壞CP測試

任務4

晶圓扎針質量檢查CP測試

任務4

晶圓扎針質量檢查n

扎孔深淺判別標準?針跡過深通常表現為兩種情況：u將晶圓PAD表面鋁層扎穿，導致銅裸露u一種未將晶圓PAD表面鋁層扎穿，但PAD的中間絕緣層已出現輕

微的裂痕u通過測試無法篩選出來，使用200倍顯微鏡檢查通常僅能觀察出針跡較正常針跡大且深，無法看出裂痕u使用一段時間后會出現：工作狀態(tài)不穩(wěn)定、產品壽命周期縮短

等問題輕微的裂痕銅裸露2.扎針次數①普通產品≤3次②OTP產品:第一道測試CP1≤2次，第二道測試CP2≤3次，第三道測試CP3≤4次任務4

晶圓扎針質量檢查1.扎針注意事項①扎針前必須確認已經清零②扎針測試開始后要定期檢查扎針情況③若發(fā)現有異常情況，立刻停止扎針測試進行調試CP測試n

訓練目標1.能正確使用顯微鏡2.能正確判別扎針痕跡是否合格3.能正確進行扎針痕跡合格情況記錄CP測試

任務5

晶圓扎針質量目檢n

檢查方法?晶圓在扎針完成后，要對扎針情況進行質量檢查?通過顯微鏡進行扎針檢查?檢查晶圓是否有劃傷、異物等情況?對不合格的晶粒進行打點剔除CP測試

任務5

晶圓扎針質量目檢任務5

晶圓扎針質量目檢n

顯微鏡檢測步驟?準備工作①按下顯微鏡電源按鈕②將待檢測晶圓正面朝上放在外檢托盤上，選擇顯微鏡放大倍數：高放大倍數75~150,低放大倍數30~50調節(jié)顯微鏡的粗調、微調旋鈕，直至眼睛通過顯微鏡能觀察到清晰的晶圓圖形?目檢①對顯微鏡載物臺上的晶圓表面進行目檢②目檢完成，關閉電源CP測試項目說明圖示合格扎痕位于PAD點中央扎痕呈圓形或橢圓形扎針深度適宜不合格扎痕扎針痕跡為長條形扎針偏出壓點扎針后導致鋁層脫落CP測試

任務5

晶圓扎針質量目檢n

扎針質量判定標準項目說明圖示不合格扎痕扎針后PAD墨水沾污扎針偏扎針太深，導致擠鋁多個扎痕CP測試

任務5

晶圓扎針質量目檢n

扎針質量判定標準項目說明圖示不合格扎痕扎針淺扎針偏出PAD點無扎針痕跡CP測試

任務5

晶圓扎針質量目檢n

扎針質量判定標準n

訓練目標1.能進行測試機的日常維護2.能判斷探針臺氮氣是否充足3.能進行探針卡日常維護CP測試

任務6

晶圓檢測設備日常維護晶圓檢測設備日常維護n

晶圓檢測設備的日常維護與常見故障2.

探針臺常見故障①晶圓進片異常②探針與芯片沒有對準③探針與焊墊接觸不穩(wěn)定④探針臺界面異常⑤測試板異常1.

測試機常見故障①測試板故障②電氣回路故障③測試機界面顯示異常CP測試任務6CP測試

任務6

晶圓檢測設備日常維護3.

探針卡常見故障①探針氧化通常探針是由鎢制成的，它如果長期不用，針尖氧化，氧化后，接觸電阻變大,測試時參數測不穩(wěn)。②針尖高低不平(針尖高度差在30以上)不能在同一平面上?某些針尖位置高的扎不上鋁層,使測試時電路不通?某些針尖位置低的扎傷鋁層，對后續(xù)封裝壓焊有影響，使芯片與封裝后成品管腳焊接質量差，容易引起短路?某些針尖壓痕太長，超出PAD范圍，使PAD周圍的鋁線短路?針尖開裂、折斷、彎曲、破損等?原因：針尖沒有裝好保護蓋，針尖朝下直接放到設備上，取卡時針尖不小心碰撞，用細砂子打磨針尖時用力太大使針尖彎曲，承片臺上升過快,而撞到針尖，裝打點器時不小碰傷，調針時鑷子碰傷針尖等③針尖磨平?原因：很長時間使用后針尖的損耗，操作工用過粗的砂紙打磨針尖時用力過猛，砂磨的時間過長等CP測試

任務6

晶圓檢測設備日常維護3.

探針卡常見故障③針尖異常任務6

晶圓檢測設備日常維護3.探針卡常見故障⑤探針卡沒焊好?探針卡針焊接不到位，不牢固，針虛焊?基板上銅箔剝落，卡針無法焊接牢固?探針卡布線斷線或短路?背面有突起物，焊錫線頭⑥針尖有異物針尖有鋁粉、墨跡，塵埃等CP測試?定期對探針卡清潔①工具：毛刷、無水酒精或熱水②用毛刷從PIN的根部往上刷到針尖部位時毛刷抬起③每刷一次都要把毛刷放到無水酒精或水中清洗一次③把針卡翻過來重復第②項作業(yè)，清洗反面④清洗結束后在顯微鏡下觀察有無雜質⑤清潔工序完成后，針卡有水份,需放置在80°烘箱烘烤15分鐘晶圓檢測設備日常維護n

探針卡的日常維護CP測試任務6反面正面1.測試機配套推車的連線整理2.測試機的自檢操作3.測試機的點檢4.不易保養(yǎng)的部位進行拆卸檢查5.更換磨損部件晶圓檢測設備日常維護n

測試機的日常維護項目6.緊固螺絲7.電氣電路的檢查8.老化電線的更換9.參數校準CP測試任務6CP測試

任務6

晶圓檢測設備日常維護n

探針臺的日常維護1.檢查氮氣是否充足2.檢查探針卡是否氧化n

訓練目標1.能根據隨件單信息錄入參數2.能正確調用MAP圖文件3.能正確完成打點操作CP測試

任務7

晶圓打點?扎針測試完成后需要對不合格的晶粒進行標記，即打點?打點是用打點器對測試不合格的晶粒和沿邊直接剔除區(qū)域打上墨點，便于在封

裝工藝時進行剔除，降低成本?根據晶圓測試隨件單在打點界面輸入晶圓批號、片號，生成對應的打點電子硅

片圖(MAP圖)，即完成測試后的MAP圖?芯片封裝時把MAP圖下載到設備數據庫中，并在硅片被切成單個晶粒后剔除所CP測試

任務7

晶圓打點n

晶圓自動打點工藝輸入晶圓信息選擇墨管隨件單打點有不合格的晶粒MAP圖墨點調試晶圓打點1.標識不合格芯片2.便于在封裝時剔除CP測試CP測試?設備5mil的墨管30mil的墨管全自動探針臺打點器墨管CP測試

任務7

晶圓打點n

晶圓打點的操作步驟1.參數設置根據隨件單信息，在操作界面輸入本批次晶圓的參數載入數據清零打點CP測試

任務7

晶圓打點n

晶圓打點的操作步驟2.MAP圖調用及信息核對調用MAP圖與操作界面輸入的晶圓信息有關，操作界面的信息要與隨件單的信息一致3.墨管選擇根據晶圓尺寸勾選正確的打點墨盒參數核對界面任務7

晶圓打點n

晶圓打點的操作步驟4.設備運行選擇設備運行模塊，點擊“開始模擬”?設備啟動——按鈕控制點擊“開始”按鈕，開始打點操作，對應操作效果如圖打點效果實際晶圓MAP圖CP測試任務7

晶圓打點n

晶圓打點的操作步驟4.設備運行?首檢u

打點開始后，需要定期檢查打點情況u及時發(fā)現問題進行相應調整u點擊顯示界面，進入后點擊MAP圖，進入首檢界面首檢界面CP測試4.設備運行?首檢觀察界面上的墨點是否在晶粒中央、大小是否合適，若都符合要求，進入下一步目檢操作環(huán)節(jié)CP測試

任務7

晶圓打點n

晶圓打點的操作步驟首檢n

晶圓自動打點工藝?合格墨點必須控制在管芯的中央，且占管芯面積的1/4~1/3，且不能覆蓋PAD點CP測試

任務7

晶圓打點①根據所需打點的晶粒的大小選擇正確的墨管規(guī)格②

定時檢查打點情況，如有偏移等情況及時進行調整CP測試

任務7

晶圓打點?注意區(qū)分烘烤型墨水與免烘烤型墨水?烘烤型墨水在打點結束后需要用烘箱對墨點進行固化?免烘烤型墨水常溫下就可以固化?在墨點進行固化完畢后，為防止在扎針和打點過程中出現不良情況，需要人工對晶圓的扎針進行外觀檢查，對扎針扎透

鋁層、墨點大小點等異常的晶粒進行手動標記晶圓目檢

對于扎針痕和墨點不合格的現象，需要人工進行打點油墨筆打點打點器打點

?目檢CP測試任務7

晶圓打點n

晶圓打點設備的常見故障在打點過程中，可能會出現諸多異常情況，從而影響打點質量?打點器常見故障①打點導墨絲損壞，無法打點②打點器不能連續(xù)進行打點?打點運行故障①墨水外溢，沾污圓片②墨點出現異常(墨點開裂、空心墨點、雙墨點、墨點過大過小等)③出現未打點的情況CP測試n

訓練目標1.能正確使用顯微鏡2.能正確判別墨點是否合格3.能正確進行墨點合格情況記錄CP測試

任務8

晶圓打點質量檢查?扎針不合格的晶粒用油墨筆或打點器打上墨點?并在晶圓測試隨件單上做好相應的記錄?墨點尺寸盡量一致，大小點不能太明顯?將不好的管芯墨點的大小和之前的墨點大小保持一致?手動剔除墨點尺寸差異太大的?打點完成后要及時清洗，避免外壁以及工作臺上存有墨漬任務8

晶圓打點質量檢查CP測試項目說明圖示合格墨點墨點應落在管芯內不合格墨點空心墨點墨點開裂墨點打在壓點上，出框CP測試

任務8

晶圓打點質量檢查n

晶圓打點質量判定標準項目說明圖示不合格墨點雙墨點墨點大小點長形點墨點偏大CP測試

任務8

晶圓打點質量檢查n

晶圓打點質量判定標準n

訓練目標1.選擇墨管規(guī)格2.能識別墨管規(guī)格3.能根據晶粒面積選擇墨管CP測試

任務9

選擇墨管規(guī)格任務9

選擇墨管規(guī)格墨管規(guī)格的選擇原則?5英寸、6英寸面積較小的晶圓，一般選擇5mil規(guī)格的墨管，墨點尺寸大小為125μm，管芯尺寸大小在2.0mm2

以下?8英寸、12英寸面積較大的晶圓，一般選擇30mil規(guī)格的墨管，墨點尺寸大小為750μm，管芯尺寸大小在4.0mm2

以上5mil的墨管30mil的墨管CP測試nn

訓練目標1.能準確辨別新墨管2.能正確開啟新墨管3.能正確進行墨管加墨操作CP測試

任務10

墨管灌墨?新墨管辨別方法墨管頂部兩個凸點，上方凸點位于下方凸點左側15°左右，即為鎖死狀態(tài)，墨管下方密封圈干凈即為新墨管上下晃動墨管，墨管中導墨絲跟隨移動方式，上下移動?開啟新墨管的方式向右