現(xiàn)代材料測(cè)試技術(shù)期末測(cè)試題

材料現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù)思考題電子束與固體物質(zhì)作用可以產(chǎn)生哪些主要的檢測(cè)信號(hào)這些信號(hào)產(chǎn)生的原理是什么它們有哪些特點(diǎn)和用途電子束與固體物質(zhì)產(chǎn)生的檢測(cè)信號(hào)有：特征X射線(xiàn)、陰極熒光、二次電子、背散射電子、俄歇電子、吸收電子等..信號(hào)產(chǎn)生的原理：電子束與物質(zhì)電子和原子核形成的電場(chǎng)間相互作用..特征和用途：背散射電子：特點(diǎn)：電子能量較大;分辨率低..用途：確定晶體的取向;晶體間夾角;晶粒度及晶界類(lèi)型;重位點(diǎn)陣晶界分布;織構(gòu)分析以及相鑒定等..二次電子：特點(diǎn)：能量較低;分辨率高..用途：樣品表面成像..吸收電子：特點(diǎn)：被物質(zhì)樣品吸收;帶負(fù)電..用途：樣品吸收電子成像;定性微區(qū)成分分析..透射電子：特點(diǎn)：穿透薄試樣的入射電子..用途：微區(qū)成分分析和結(jié)構(gòu)分析..特征X射線(xiàn)：特點(diǎn)：實(shí)物性弱;具有特征能量和波長(zhǎng);并取決于被激發(fā)物質(zhì)原子能及結(jié)構(gòu);是物質(zhì)固有的特征..用途：微區(qū)元素定性分析..俄歇電子：特點(diǎn)：實(shí)物性強(qiáng);具有特征能量..用途：表層化學(xué)成分分析..陰極熒光：特點(diǎn)：能量小;可見(jiàn)光..用途：觀(guān)察晶體內(nèi)部缺陷..什么是電子散射;相干彈性散射和不相干彈性散射電子衍射的成像基礎(chǔ)是什么電子散射：當(dāng)高速運(yùn)動(dòng)的電子穿過(guò)固體物質(zhì)時(shí);會(huì)受到原子中的電子作用;或受到原子核及周?chē)娮有纬傻膸?kù)倫電場(chǎng)的作用;從而改變了電子的運(yùn)動(dòng)方向的現(xiàn)象叫電子散射相干彈性散射：一束單一波長(zhǎng)的電子垂直穿透一晶體薄膜樣品時(shí);由于原子排列的規(guī)律性;入射電子波與各原子的彈性散射波不但波長(zhǎng)相同;而且有一定的相位關(guān)系;相互干涉..不相干彈性散射：一束單一波長(zhǎng)的電子垂直穿透一單一元素的非晶樣品時(shí);發(fā)生的相互無(wú)關(guān)的、隨機(jī)的散射..電子衍射的成像基礎(chǔ)是彈性散射..電子束與固體物質(zhì)作用所產(chǎn)生的非彈性散射的作用機(jī)制有哪些非彈性散射作用機(jī)制有：?jiǎn)坞娮蛹ぐl(fā)、等離子激發(fā)、聲子發(fā)射、軔致輻射單電子激發(fā)：樣品內(nèi)的核外電子在收到入射電子轟擊時(shí);有可能被激發(fā)到較高的空能級(jí)甚至被電離;這叫單電子激發(fā)..等離子激發(fā)：高能電子入射晶體時(shí);會(huì)瞬時(shí)地破壞入射區(qū)域的電中性;引起價(jià)電子云的集體振蕩;這叫等離子激發(fā)..聲子發(fā)射：入射電子激發(fā)或吸收聲子后;使入射電子發(fā)生大角度散射;這叫聲子發(fā)射..軔致輻射：帶負(fù)電的電子在受到減速作用的同時(shí);在其周?chē)碾姶艌?chǎng)將發(fā)生急劇的變化;將產(chǎn)生一個(gè)電磁波脈沖;這種現(xiàn)象叫做軔致輻射..電子束激發(fā)固體物質(zhì)產(chǎn)生二次電子和背散射電子是如何形成的他們的成像有何異同點(diǎn)在材料檢測(cè)中有何應(yīng)用1二次電子產(chǎn)生：?jiǎn)坞娮蛹ぐl(fā)過(guò)程中;被入射電子轟擊出來(lái)并離開(kāi)樣品原子的核外電子..應(yīng)用：樣品表面成像;顯微組織觀(guān)察;斷口形貌觀(guān)察等2背散射電子：受到原子核彈性與非彈性散射或與核外電子發(fā)生非彈性散射后被反射回來(lái)的入射電子..應(yīng)用：確定晶體的取向;晶體間夾角;晶粒度及晶界類(lèi)型;重位點(diǎn)陣晶界分布;織構(gòu)分析以及相鑒定等..3成像的相同點(diǎn)：都能用于材料形貌分析

成像的不同點(diǎn)：二次電子成像特點(diǎn)：1分辨率高2景深大;立體感強(qiáng)3主要反應(yīng)形貌襯度..背散射電子成像特點(diǎn)：1分辨率低2背散射電子檢測(cè)效率低;襯度小3主要反應(yīng)原子序數(shù)襯度..特征X射線(xiàn)是如何產(chǎn)生的;其波長(zhǎng)和能量有什么特點(diǎn);有哪些主要的應(yīng)用特征X-Ray產(chǎn)生：當(dāng)入射電子激發(fā)試樣原子的內(nèi)層電子;使原子處于能量較高的不穩(wěn)定的激發(fā)態(tài)狀態(tài);外層的電子會(huì)迅速填補(bǔ)到內(nèi)層電子空位上;并輻射釋放一種具有特征能量和波長(zhǎng)的射線(xiàn);使原子體系的能量降低、趨向較穩(wěn)定狀;這種射線(xiàn)即特征X射線(xiàn)..波長(zhǎng)的特點(diǎn)：不受管壓、電流的影響;只決定于陽(yáng)極靶材元素的原子序..應(yīng)用：物質(zhì)樣品微區(qū)元素定性分析俄歇電子是怎樣產(chǎn)生的對(duì)于孤立的原子來(lái)說(shuō);能夠產(chǎn)生俄歇效應(yīng)的最輕元素是什么俄歇電子的產(chǎn)生：當(dāng)入射電子激發(fā)試樣原子的內(nèi)層電子;使原子處于能量較高的不穩(wěn)定的激發(fā)態(tài)狀態(tài);外層的電子會(huì)迅速填補(bǔ)到內(nèi)層電子空位上;原子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變到基態(tài)釋放的多余能量傳給另一外層電子;使其脫離原子系統(tǒng);成為二次電子;這種二次電子稱(chēng)為俄歇電子..能夠產(chǎn)生俄歇效應(yīng)的最輕元素是鈹..特征X射線(xiàn)的波長(zhǎng)與陽(yáng)極靶材的原子序數(shù)有什么關(guān)系Kα譜線(xiàn)的強(qiáng)度與Kβ譜線(xiàn)的強(qiáng)度哪一個(gè)大一些莫塞萊定律得到關(guān)系式：;這定律表明;陽(yáng)極靶材的原子序數(shù)越大;相應(yīng)于同一系的特征譜波長(zhǎng)越短..②Kα譜線(xiàn)是電子從L層躍遷到K層所發(fā)射的;Kβ譜線(xiàn)是M層電子向K層空位補(bǔ)充所發(fā)射的..由莫塞萊定律可以得出;Kα波長(zhǎng)比Kβ波長(zhǎng)大;但由于在K激發(fā)態(tài)下;L層電子向K層躍遷的幾率遠(yuǎn)大于M層躍遷的幾率;所以Kα譜線(xiàn)的強(qiáng)度約為Kβ的五倍..X射線(xiàn)的強(qiáng)度和硬度通常用什么表達(dá)有什么物理含義硬度表達(dá)：習(xí)慣上;用管電壓的KV數(shù)表示X射線(xiàn)的硬度；物理含義：表示X射線(xiàn)的貫穿本領(lǐng)..強(qiáng)度表達(dá)：習(xí)慣上;用一定管電壓下的管電流mA數(shù)表示X射線(xiàn)的強(qiáng)度..物理意義：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)通過(guò)與射線(xiàn)方向的單位面積上的輻射能量..α-Fe體心立方;點(diǎn)陣參數(shù)a=2.866à;如果用CrKαX射線(xiàn)λ=2.291à照射;如果110發(fā)生衍射;其掠射角是多少由布拉格公式：2dsinθ=γ;及晶面夾角公式;計(jì)算得θ=34.42°α-Fe的X-射線(xiàn)衍射譜圖如下圖;所用的X光波長(zhǎng)為0.1542nm;試計(jì)算每個(gè)峰線(xiàn)所對(duì)應(yīng)的晶面間距;并確定其晶格常數(shù)..據(jù)圖可知:由布拉格方程:可得晶面間距為：晶面夾角公式:可算得晶格參數(shù)為:簡(jiǎn)述從X射線(xiàn)衍射圖譜中可以知道被檢測(cè)樣品那些結(jié)構(gòu)信息X射線(xiàn)衍射圖譜具有3要素;衍射線(xiàn)的位置、強(qiáng)度以及線(xiàn)型;從這些要素中我們可以獲得以下關(guān)于晶體信息：物相分析；點(diǎn)陣參數(shù);膨脹系數(shù)測(cè)定；晶體取向和點(diǎn)陣畸變；多晶材料中的層錯(cuò)幾率；晶粒尺寸和多晶織構(gòu)；殘余應(yīng)力測(cè)定等信息..如果一個(gè)樣品的X射線(xiàn)衍射圖譜中某個(gè)晶面衍射峰的2θ角比卡片值偏低;而衍射峰強(qiáng)度比卡片值明顯偏高;說(shuō)明該樣品就有什么樣的結(jié)構(gòu)特征2dsinθ=;由于2θ值下降;因而晶面間距增大;原子固溶度增大;晶格發(fā)生畸變..晶粒生長(zhǎng)發(fā)生擇優(yōu)取向..射峰強(qiáng)度比卡片值明顯偏高說(shuō)明樣品內(nèi)存在宏觀(guān)應(yīng)力;晶格點(diǎn)陣發(fā)生畸變..如果要對(duì)樣品中一塊微區(qū)微米量級(jí)進(jìn)行物相分析;可以采用哪些測(cè)試方法如果對(duì)該微區(qū)進(jìn)行化學(xué)成分分析;可用那些測(cè)試方法微區(qū)物相分析：采用透射電子顯微鏡選區(qū)電子衍射分析方法；微區(qū)進(jìn)行化學(xué)成分分析：可采用電子探針EPMA和俄歇電子能譜儀來(lái)進(jìn)行測(cè)試分析..透射電鏡的中間鏡的作用有哪些成像作用：如果把中間鏡的物平面和物鏡的像平面重合;在熒光屏上得到一放大像；衍射作用：如果把中間鏡的物平面和物鏡的背焦面重合;在熒光屏上得到一電子衍射花樣..X射線(xiàn)衍射與透射電子衍射產(chǎn)生的衍射條件有什么不同適用范圍有什么不同由于電子波長(zhǎng)比X射線(xiàn)波長(zhǎng)小;由布拉格方程可知;電子的衍射角比X射線(xiàn)的衍射角小;電子波波長(zhǎng)很短;一般只有千分之幾納米;電子的衍射角θ很小一般只有幾度..由于物質(zhì)對(duì)電子的散射作用很強(qiáng)主要來(lái)源于電子的散射作用;遠(yuǎn)強(qiáng)于物質(zhì)對(duì)X射線(xiàn)的散射作用;因而電子束穿進(jìn)物質(zhì)的能力大大減弱;電子衍射只適用于材料表層或薄膜樣品的結(jié)構(gòu)分析..X射線(xiàn)衍射能準(zhǔn)確的測(cè)定晶格常數(shù);透射電子衍射的優(yōu)勢(shì)在于微區(qū)結(jié)構(gòu)的測(cè)量..愛(ài)瓦爾德球是如何建立的用愛(ài)瓦爾德球說(shuō)明電子束uvw對(duì)于晶體hkl晶面發(fā)生衍射的充分必要條件..愛(ài)瓦爾德球的建立：以晶體內(nèi)一點(diǎn)O為中心;以1/λ為半徑在空間畫(huà)一個(gè)球;令電子束沿AO入射到達(dá)O’點(diǎn);在球上取一點(diǎn)G;使O’G=1/d;若AO’與AG的夾角為θ;則滿(mǎn)足布拉格衍射公式2dsinθ=;入射束用矢量k表示;衍射束用矢量k’表示;則有布拉格方程的倒易矢量形式ghkl=k’-k;k’與k滿(mǎn)足布拉格衍射方程；晶面發(fā)生充分必要條件：①滿(mǎn)足倒易矢量方程ghkl=k’-k；②矢量ghkl//Nhkl；③AO’=2/λ;O’G=1/dX射線(xiàn)衍射與電子衍射有何異同點(diǎn)不同點(diǎn)：a、X射線(xiàn)波長(zhǎng)大;衍射角大;可接近90°;電子束波長(zhǎng)小;衍射角通常小于90°；b、電子衍射采用薄晶樣品;會(huì)使點(diǎn)陣在倒易空間里沿厚度方向拉伸成桿狀;增加倒易點(diǎn)陣與反射球相交的機(jī)會(huì);使略偏離布拉格衍射角的電子束也能發(fā)生衍射；c、電子波長(zhǎng)較小;反射球半徑很大;在衍射角范圍內(nèi)的球面可看成平面；d、晶體對(duì)電子的散射能力強(qiáng)于對(duì)X射線(xiàn)的散射能力;衍射強(qiáng)度高；e、電子衍射只使用非常薄或微細(xì)粉末樣品;而X射線(xiàn)衍射對(duì)樣品的要求較低、相同點(diǎn)：都需要滿(mǎn)足布拉格衍射條件才能發(fā)生衍射;都可以進(jìn)行物相的鑒定;電子衍射的精度更高..什么是晶帶軸定理求002和1-10晶面的晶帶軸uvw晶帶軸定理：在統(tǒng)一晶帶uvw中;各晶面HKL中的法線(xiàn)及各晶面對(duì)應(yīng)的倒易矢量與晶帶軸垂直;即：倒易點(diǎn)陣與正點(diǎn)陣之間存在何種關(guān)系;倒易點(diǎn)陣與晶體電子衍射斑點(diǎn)之間有何對(duì)應(yīng)關(guān)系倒易點(diǎn)陣與正點(diǎn)陣之間的關(guān)系：正基矢與倒易基矢處于完全對(duì)稱(chēng)的地位;因此正空間與倒易空間是互為倒易關(guān)系;有下式：正空間和倒易空間的單晶胞體積也互為倒數(shù);那么有V=1/V’倒易矢量垂直于對(duì)應(yīng)指數(shù)的晶面;倒易矢量的模等于1/dhkl;晶面間距等于倒易矢量的倒數(shù)dhkl=ghkl倒易點(diǎn)陣與晶體衍射斑點(diǎn)之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系：電子衍射斑點(diǎn)是與晶體相對(duì)應(yīng)的倒易點(diǎn)陣中某一截面上陣點(diǎn)排列的像;倒易矢量投影后的之間的夾角、對(duì)稱(chēng)性、比例都保持不變;且存在關(guān)系Rd=Lλ分析倒易點(diǎn)陣為面心立方和體心立方;其對(duì)應(yīng)的正點(diǎn)陣的晶體結(jié)構(gòu)點(diǎn)陣類(lèi)型是什么倒易空間為面心立方對(duì)應(yīng)正點(diǎn)陣為體心立方；倒易點(diǎn)陣為體心立方對(duì)應(yīng)的正點(diǎn)陣的晶體結(jié)構(gòu)為面心立方..下圖是單晶體、多晶體和非晶體的電子衍射花樣;選擇對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu)類(lèi)型的電子衍射花樣;并說(shuō)明原因..abca、多晶體..多晶體中包含了眾多的晶粒;結(jié)晶學(xué)取向在三維空間是隨機(jī)分布的;同名晶面族對(duì)應(yīng)的倒易點(diǎn)陣在倒易空間中的分布是等幾率的;無(wú)論電子束沿任何方向入射;同名晶面族對(duì)應(yīng)的倒易點(diǎn)陣與反射球面相交的軌跡都是一個(gè)圓環(huán)形;由此產(chǎn)生的衍射束均為圓形環(huán)線(xiàn)..b、非晶體..由于單個(gè)原子團(tuán)或多面體的尺度非常小;其中包含的原子數(shù)目非常少;倒易球面也遠(yuǎn)比多晶材料的厚..所以;非晶態(tài)材料的電子衍射圖只含有一個(gè)或兩個(gè)非常彌散的衍射環(huán)..c、單晶體中晶體學(xué)取向是固定的;每個(gè)晶面族對(duì)應(yīng)的倒易點(diǎn)陣在倒易空間中的都有對(duì)稱(chēng)的點(diǎn)陣;與反射球面相交后的軌跡都是有規(guī)則的點(diǎn);因此產(chǎn)生的衍射束為花樣斑點(diǎn)..20.下圖是用熔膠-凝膠法制備的二氧化鈦薄膜TiO2;從初始狀態(tài)As-prepared到溫度800℃一個(gè)小時(shí)保溫處理后的X射線(xiàn)衍射圖;分析二氧化鈦薄膜結(jié)構(gòu)隨溫度變化的規(guī)律..TiO2金紅石結(jié)構(gòu)---rutile;TiO2銳鈦礦結(jié)構(gòu)---anatase分析：初始狀態(tài)下溶膠-凝膠法制備的TiO2薄膜為非晶狀態(tài);X射線(xiàn)衍射表現(xiàn)出饅頭狀的衍射峰;300℃時(shí)仍然為非晶狀態(tài)；400℃保溫1小時(shí)后出現(xiàn)了輕微的衍射峰;說(shuō)明非晶態(tài)的TiO2開(kāi)始結(jié)晶；500℃保溫后銳鈦型TiO2相應(yīng)晶面的衍射峰以開(kāi)始形成；600℃保溫后;銳鈦型TiO2衍射峰型已基本形成;但并未出現(xiàn)金紅石結(jié)構(gòu)TiO2；700℃后形成了尖銳的銳鈦型TiO2衍射峰型;非晶型TiO2已全部轉(zhuǎn)化完畢;并出現(xiàn)金紅石結(jié)構(gòu)TiO2的衍射峰；800℃熱處理后;銳鈦型TiO2全部轉(zhuǎn)化為金紅石結(jié)構(gòu)TiO2;使得其結(jié)構(gòu)排列越來(lái)越規(guī)整;X射線(xiàn)衍射顯示為全部的金紅石結(jié)構(gòu)TiO2的衍射峰..21.上題中如果對(duì)二氧化鈦薄膜做進(jìn)一步出分析;應(yīng)該選用怎樣實(shí)驗(yàn)測(cè)試分析方法:a對(duì)二氧化鈦的晶化點(diǎn)做出精確測(cè)定；b對(duì)二氧化鈦結(jié)構(gòu)形態(tài)進(jìn)行測(cè)試分析；c對(duì)二氧化鈦的界面結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析；d對(duì)二氧化鈦?zhàn)鼋M態(tài)分析aX射線(xiàn)衍射分析b透射電鏡分析c掃描電鏡分析dX射線(xiàn)光電子能譜分析法XPS不確定也有說(shuō)電子探針顯微鏡分析EPMA用已學(xué)過(guò)的實(shí)驗(yàn)方法設(shè)計(jì)試驗(yàn)方案;說(shuō)明晶化點(diǎn)為300℃的非晶塊體樣品的結(jié)構(gòu)變化規(guī)律..方案設(shè)計(jì)：a、將若干樣品在300℃下保溫不同時(shí)間;得到不同晶化程度的試樣b、將這些試樣做成符合X射線(xiàn)衍射要求的粉末;把這些試樣粉末在低于300℃退火后進(jìn)行XRD衍射實(shí)驗(yàn);并與100%結(jié)晶度的樣品的衍射譜線(xiàn)進(jìn)行對(duì)比;計(jì)算出在結(jié)晶度、擬合出結(jié)晶度與保溫時(shí)間之間的關(guān)系曲線(xiàn)..c、將一定結(jié)晶度的試樣減薄后進(jìn)行TEM分析;觀(guān)察結(jié)晶區(qū)與非結(jié)晶區(qū)的界面;分析結(jié)晶區(qū)與非結(jié)晶區(qū)的關(guān)系;并對(duì)結(jié)晶區(qū)進(jìn)行電子衍射..能譜儀和波普儀工作原理是什么在做成分分析的時(shí)候哪一種測(cè)試方法的分辨率高一些能譜儀工作原理：能譜儀是利用不同X射線(xiàn)光子能量特征能量不同這一特點(diǎn)來(lái)進(jìn)行成分分析、具體工作原理如下：能譜儀主要器件為鋰漂移硅SiLi檢測(cè)器;當(dāng)X光子進(jìn)入檢測(cè)器后;在SiLi晶體內(nèi)激發(fā)出一定書(shū)目的電子-空穴對(duì)..產(chǎn)生一個(gè)空穴對(duì)的最低平均能量ε是一定的;因此由一個(gè)X射線(xiàn)光子造成電子-空穴對(duì)的數(shù)目為N;N=△E/ε;X射線(xiàn)光子能量不同;N也不同;再利用偏壓收集電子-空穴對(duì);并轉(zhuǎn)換成電流脈沖;把脈沖電流分類(lèi)計(jì)數(shù);這樣形成特征的脈沖對(duì)應(yīng)特征能量的X射線(xiàn);就可以描出一張?zhí)卣鱔射線(xiàn)按能量大小分布的圖譜..波譜儀工作原理：特征X射線(xiàn)具有特征的波長(zhǎng);照射到分光晶體上時(shí);不同波長(zhǎng)的特征X射線(xiàn)將在各自滿(mǎn)足布拉格方程的2dsinθ=γ條件下發(fā)生衍射;接收器接受后便可記錄下不同種類(lèi)的特征X射線(xiàn)參數(shù)..做成分分析時(shí)：波譜儀的分辨率要高一些;能譜儀給出的波峰比較寬;容易產(chǎn)生重疊透射電鏡的衍射襯度原理是什么作圖分析明場(chǎng)像與暗場(chǎng)像的原理..P169衍射襯度原理：由于各處晶體取向不同和晶體結(jié)構(gòu)不同;滿(mǎn)足布拉格條件的程度不同;使得對(duì)應(yīng)試樣下面有不同的電子束強(qiáng)度;從而在試樣之下形成一個(gè)隨位置而異的衍射襯度..圖1明場(chǎng)像圖2暗場(chǎng)像明場(chǎng)成像是投射束通過(guò)物鏡光闌而把衍射束擋掉得到的圖像襯度的方法;而暗場(chǎng)成像就是把入射電子束方向傾斜2θ角度;使B晶粒的hkl晶面組處于強(qiáng)烈衍射的位向;而物鏡光闌仍在光軸位置;此時(shí)只有B晶粒的hkl的衍射束正好通過(guò)光闌孔;而投射束被擋掉..X射線(xiàn)光電子能譜分析和X射線(xiàn)熒光光譜分析的基本原里有哪些不同分別有怎樣的適用性光電子的能量分布曲線(xiàn)：采用特定元素某一X光譜線(xiàn)作為入射光;實(shí)驗(yàn)測(cè)定的待測(cè)元素激發(fā)出一系列具有不同結(jié)合能的電子能譜圖;即元素的特征譜峰群；應(yīng)用：1元素定性分析2元素定量分析3固體化合物表面分析4化學(xué)結(jié)構(gòu)分析X射線(xiàn)熒光分析：X射線(xiàn)照射下脫離原子的束縛;成為自由電子;原子被激發(fā)了;處于激發(fā)態(tài);這時(shí);其他的外層電子便會(huì)填補(bǔ)這一空位;也就是所謂躍遷;同時(shí)以發(fā)出X射線(xiàn)的形式放出能量..應(yīng)用：1定性分析；2定量分析；3可測(cè)原子序數(shù)5~92的元素;可多元素同時(shí)測(cè)定；原子光譜分析和分子光譜分析有什么區(qū)別吸收光譜分析和發(fā)射光譜分析有什么區(qū)別原子光譜分析：由原子外層或內(nèi)層電子能級(jí)的變化產(chǎn)生的;它的表現(xiàn)形式為線(xiàn)光譜..分子光譜分析：由分子中電子能級(jí)、振動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)能級(jí)的變化產(chǎn)生的;表現(xiàn)形式為帶光譜..吸收光譜分析：當(dāng)物質(zhì)所吸收的電磁輻射能與該物質(zhì)的原子核、原子或分子的兩個(gè)能級(jí)間躍遷所需的能量滿(mǎn)足△E=hv的關(guān)系時(shí);將產(chǎn)生吸收光譜..發(fā)射光譜分析：通過(guò)測(cè)量物質(zhì)的發(fā)射光譜的波長(zhǎng)和強(qiáng)度來(lái)進(jìn)行定性和定量分析的方法叫做發(fā)射光譜分析法..紅外光譜和拉曼光譜有何區(qū)別在分析樣品時(shí)如何選擇測(cè)試方法兩者的本質(zhì)區(qū)別是：紅外是吸收光譜;拉曼是散射光譜;拉曼光譜與紅外光譜兩種技術(shù)包含的信息量通常是互補(bǔ)的..此外;兩者產(chǎn)生的機(jī)理不同;紅外容易測(cè)量;而且信號(hào)好;而拉曼的信號(hào)很弱..有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)鑒定常用紅外光譜;通過(guò)分析試樣的譜圖以及與標(biāo)準(zhǔn)譜圖對(duì)照;就可以準(zhǔn)確地確定化合物的結(jié)構(gòu)..通常拉曼光譜可以進(jìn)行半導(dǎo)體、陶瓷等無(wú)機(jī)材料的分析..如剩余應(yīng)力分析、晶體結(jié)構(gòu)解析等..原子力顯微鏡AFM和隧道掃描顯微鏡STM的工作原理有什么不同AFM的工作原理是利用原子之間的范德華力的作用來(lái)呈現(xiàn)樣品的表面特征;而STM的工作原理是基于量子力學(xué)的隧道電流效應(yīng);通過(guò)一個(gè)由壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)的探針在物體表面作精確的二位掃描;通過(guò)隧道電流的變化來(lái)得到表面起伏情況..在微米或納米量級(jí)上觀(guān)察樣品的表面形貌可以用什么方法在微米量級(jí)省可采用SEM和光學(xué)顯微鏡觀(guān)察..在納米量級(jí)可采用SEM、TEM、AFM、STM等方法進(jìn)行觀(guān)察兩塊不銹鋼板A和B用亞弧焊焊接在一起;A為1Cr18Ni9Ti;B為1Cr18Ni9;在使用了一段時(shí)間后;發(fā)現(xiàn)某一塊板離焊縫一段距離處出現(xiàn)銹跡..1設(shè)計(jì)試驗(yàn)方案分析不銹鋼板失效的原因說(shuō)明實(shí)驗(yàn)方法;基本步驟;擬得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析2提出解決方案1設(shè)計(jì)試驗(yàn)方案分析不銹鋼板失效的原因說(shuō)明實(shí)驗(yàn)方法;基本步驟;擬得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析仔細(xì)取樣a、b、c和d點(diǎn);磨制金相試樣；觀(guān)察金相試樣a、b和d點(diǎn)相差不大;但c點(diǎn)金相觀(guān)察中在晶界出現(xiàn)析出物..用電子探針顯微分析EPMA對(duì)析出物和基體進(jìn)行成分定點(diǎn)分析；結(jié)果表明a處的Cr百分含量為18.6%;略有上升；b處的Cr百分含量為17.4%;略有下降；C處的Cr百分含量為12.5%;明顯下降；d處的Cr為18.3%;略有上升；晶界析出物Cr百分含量高達(dá)86.5%..用透射電鏡TEM對(duì)析出物進(jìn)行選區(qū)電子衍射分析確定析出物的類(lèi)型和結(jié)構(gòu)..分析晶間腐蝕的原因綜合前三個(gè)步驟的結(jié)果得出;兩塊不銹鋼利用氬弧焊后在焊縫的附近均出現(xiàn)了析出物;由成分檢測(cè)可以推知;a處的析出物有可能是TinCm;而c點(diǎn)析出物是CrmCm..由于c點(diǎn)處于熱影響區(qū);大量析出了含Cr的碳化物所以Cr含量大大下降;因而不滿(mǎn)足Tammann定律即n/8定律;因而集體較其他化合物的電極電位低;在腐蝕過(guò)程中;基體中作為陽(yáng)極被腐蝕..對(duì)于a點(diǎn);由于含有穩(wěn)定化元素Ti;因而TimCm首先析出;從而減少了Cr的析出;保證了耐腐蝕性能..確立腐蝕類(lèi)型可以推知;在熱影響區(qū)附近腐蝕模型為晶間腐蝕;在焊接后冷卻過(guò)程中在晶界中析出大量含有Cr的碳化物;形成貧鉻區(qū);從而引起晶界的電位下降;晶界、境內(nèi)的電位差增大;因而引起晶間腐蝕..2提出解決方案對(duì)于不銹鋼板B;加熱到1000~900℃之間進(jìn)行淬火;然后在950~850℃之間進(jìn)行退火處理;退火后需要快速冷卻；對(duì)于不銹鋼板A;加熱到1100~1000℃之間進(jìn)行淬火;然后在950~850℃之間進(jìn)行退火處理;退火后緩慢冷卻..31．指出下列敘述中的錯(cuò)誤;并予以改正：“對(duì)材料AmBn的研究方法是：用X射線(xiàn)衍射儀器對(duì)材料進(jìn)行含量及顯微組織形貌的測(cè)定；用掃描電鏡對(duì)材料進(jìn)行物相分析;確定其晶體學(xué)參數(shù)；用透射電鏡對(duì)材料界面、結(jié)合組態(tài)進(jìn)行測(cè)試分析”..X射線(xiàn)衍射儀可以對(duì)材料進(jìn)行物相分析;確定其晶體學(xué)參數(shù);但無(wú)法對(duì)材料進(jìn)行含量及顯微組織形貌的測(cè)定；掃描電鏡可以測(cè)定材料的顯微組織形貌;但無(wú)法進(jìn)行物相分析；透射電鏡可以對(duì)材料的界面進(jìn)行分析;但無(wú)法對(duì)材料的結(jié)合組態(tài)進(jìn)行測(cè)試分析..改正：對(duì)材料AmBn的研究方法是：用掃面電鏡并配上能譜儀對(duì)材料進(jìn)行含量及顯微組織形貌的測(cè)定；用X射線(xiàn)衍射儀對(duì)材料進(jìn)行物相分析;確定其晶