2024晶體硅光伏組件技術(shù)規(guī)范

Crystallinesiliconphotovoltaic(PV)IEC61215系列標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了IEC對(duì)IEC60721-2-1中定義的適于在室外氣候條件下長期運(yùn)行的地面用本標(biāo)準(zhǔn)不適用于帶聚光器的組件，但可能適用于帶低聚光器的組件（1~3個(gè)聚光器。對(duì)于帶低聚IEC60269-6低壓熔斷器——第6IEC60721-2-1IEC60891光伏器件——測(cè)定I-VIEC60904-1光伏器件——第1部分：光伏電流-IEC60904-3光伏器件——第3部分:IEC60904-10光伏器件——第10IEC61215-2地面用光伏組件——設(shè)計(jì)鑒定和定型——第2IEC61730-2光伏組件安全認(rèn)證——第2IECTS61836IECTS62915ISO/IEC17025IEC60050和IEC61836binofpower容差<貼于標(biāo)簽上>tolerancesontype注1VIM2.32.4electricallystablepoweroutputrepeatabilityofresultsof可準(zhǔn)備一個(gè)特殊樣品來做旁路二極管MQT18（見IEC61215-2）IECTS62915所有電氣數(shù)據(jù)均應(yīng)在標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)條件下得出（根據(jù)IECTS61836，為1000W/m2，25°C，AM1.5)b）符合IEC61730-2的反向額定電流；——過電流保護(hù)器件類型與額定值參見IEC60269-6。建議使用額定過載量為1h和1.35In的過電流上述電氣數(shù)據(jù)均應(yīng)在標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)條件下得出（根據(jù)IECTS61836，為1000W/m2，25°C，AM1.5）。組件標(biāo)稱工作溫度下的性能（按照IEC61215-24.6.3.2MQT06.2）；i）低輻照度下的性能（按照IEC61215-2第4.7條執(zhí)行-MQT07）。標(biāo)明MQT16中靜態(tài)機(jī)械載荷試驗(yàn)期間用于評(píng)估組件安全性的各種機(jī)械方式設(shè)計(jì)荷載的申明。也“通常情況下，光伏組件可能比報(bào)告中標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)條件下產(chǎn)生更大電流和/或電壓。因此，確定部件以1.2”最大功率中間測(cè)量（按IEC61215-2第4.2章-MQT02）和絕緣試驗(yàn)（按IEC61215-2第4.3章-MQT一個(gè)試驗(yàn)序列中獨(dú)立進(jìn)行的所有單個(gè)試驗(yàn)（如：IEC61215-2:2016第4.9章熱斑耐久試驗(yàn)-MQT09和IEC61215-2旁路二極管-MQT18中具體試驗(yàn)樣品）應(yīng)根據(jù)情況在IEC61215-2-MQT01、MQT02、MQT03和MQT15中試驗(yàn)初期時(shí)進(jìn)行。進(jìn)行試驗(yàn)時(shí)，試驗(yàn)員應(yīng)嚴(yán)格遵守制造廠裝卸、安裝與連接說明書。如果已按照IEC61853-1測(cè)試組件類型，序列A可省略。這種情況下，應(yīng)在最終報(bào)告中說明或引用IEC61853-1中相關(guān)試驗(yàn)結(jié)果?？倓t標(biāo)簽上額定值驗(yàn)證→1驗(yàn)（具體技術(shù)要求參見IEC61215-1部分）。組件穩(wěn)定后，應(yīng)按照IEC61215-24.6.3.1STC下測(cè)量-(Pmax(Lab)·｛1+｜m1｜［%］／100｝≥Pmax(NP)·｛1-｜t1｜［%］／100Pmax(Lab)——穩(wěn)定狀態(tài)下所測(cè)量的各組件標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下最大功率；Pmax(NP)——各組件最大額定銘牌功率（無容差）；Pmax(Lab)·｛1+｜m1｜［%］／100Voc(Lab)·｛1+｜m2｜［%］／100｝≤Voc(NP)·｛1+｜t2｜［%］／100Isc(Lab)·｛1+｜m3｜［%］／100｝≤Isc(NP)·｛1+｜t3｜［%］／100Pmax(Lab_2號(hào)閘門)≥0.95×Pmax(Lab_1號(hào)閘門)·｛1r［%］／100如果r超過對(duì)照組件技術(shù)具體限值，實(shí)驗(yàn)室需要與其內(nèi)部參考組件核對(duì)，檢查試驗(yàn)設(shè)備是否出現(xiàn)故障、被測(cè)組件是否導(dǎo)致再現(xiàn)性較差或組件在執(zhí)行I62152MQT1.1后是否已不在穩(wěn)定狀態(tài)。如果所有r繼續(xù)進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)結(jié)束后，應(yīng)滿足絕緣試驗(yàn)（IEC61215-2MQT03）各序列開始和結(jié)束時(shí)，應(yīng)滿足濕漏電流試驗(yàn)（IEC61215-2MQT15）要求。IECTS62915規(guī)定詳細(xì)的重復(fù)試驗(yàn)要求。利用建議的試驗(yàn)序列來鑒定改良產(chǎn)品的不利變化。驗(yàn)程序說明見IEC61215-2。本標(biāo)準(zhǔn)相應(yīng)技術(shù)部分對(duì)相關(guān)技術(shù)差異進(jìn)行說明。表1IECMQTMQTIEC60904-MQT50V1000V和兩倍最大1min500V2min，測(cè)量MQTIECIEC60904-10的導(dǎo)則（1MQT標(biāo)稱工作溫度的IEC61853-MQT標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件具體要求見第7章MQT低輻照度下的性MQTMQTMQTMQTMQTMQTMQTMQT500V/s500V或組件最大系統(tǒng)電壓（MQT靜態(tài)機(jī)械載荷試MQTMQT旁路二極管熱力MQTMQT02連續(xù)測(cè)量三次輸出功率P1、P2和P3MQT06.1測(cè)定B MQT20085℃/相對(duì)濕度10MQT旁路二極管熱力試驗(yàn)5010MQT旁路二極管熱力試驗(yàn)50MQTMQT1011MQT112MQTaAMQT