《微電子技術(shù)及應(yīng)用》課程教學(xué)大綱

《微電子技術(shù)及應(yīng)用》課程教學(xué)大綱一、課程基本情況課程代碼：101145223324課程名稱（中/英文）：微電子技術(shù)及應(yīng)用/MicroelectronicsTechnologyandApplications課程類別：專業(yè)選修課程學(xué)分：2總學(xué)時(shí)：32理論學(xué)時(shí)：24實(shí)驗(yàn)/實(shí)踐學(xué)時(shí)：8適用專業(yè)：材料成型及控制工程適用對(duì)象：本科先修課程：大學(xué)物理、物理化學(xué)、材料科學(xué)基礎(chǔ)教學(xué)環(huán)境：多媒體教室/實(shí)驗(yàn)室開(kāi)課學(xué)院：材料科學(xué)與工程學(xué)院二、課程簡(jiǎn)介1．課程任務(wù)與目的本課程的任務(wù)與目的是通過(guò)該課程的學(xué)習(xí)，使學(xué)生對(duì)制造半導(dǎo)體器件的基本工藝原理和工藝加工步驟有比較全面、系統(tǒng)的認(rèn)識(shí)；同時(shí)，對(duì)集成電路的制造加工有基本的了解與掌握，培養(yǎng)學(xué)生分析和解決半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)問(wèn)題的能力。這門課為學(xué)生后續(xù)專業(yè)課程的學(xué)習(xí)和進(jìn)一步獲取有關(guān)專業(yè)知識(shí)奠定必要的理論基礎(chǔ)。在本課程集成電路制造的環(huán)節(jié)，加入對(duì)中國(guó)改革開(kāi)放以來(lái)我國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)及集成電路制造業(yè)的發(fā)展歷史和取得的成果的回顧，起到激發(fā)學(xué)生道路自信，投入經(jīng)濟(jì)建設(shè)一線建功立業(yè)的熱情。2．對(duì)接培養(yǎng)的崗位能力通過(guò)本課程學(xué)習(xí)使學(xué)生從事實(shí)際工作提供一定的實(shí)踐動(dòng)手能力，培養(yǎng)學(xué)生提出問(wèn)題和分析問(wèn)題的能力，使學(xué)生理論聯(lián)系實(shí)際的能力有所提高和發(fā)展，開(kāi)闊學(xué)生的眼界、啟迪并激發(fā)學(xué)生的探索和創(chuàng)新精神，更深層次的提升其研究素質(zhì)，為將來(lái)把基礎(chǔ)理論與半導(dǎo)體技術(shù)最新需求相結(jié)合提高工作能力做好儲(chǔ)備。三、課程教學(xué)目標(biāo)1.課程對(duì)畢業(yè)要求的支撐[畢業(yè)要求指標(biāo)點(diǎn)4.1]掌握材料成型及控制工程相關(guān)的各類物理、化學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)，基于工程科學(xué)原理，通過(guò)文獻(xiàn)信息綜合或相關(guān)方法，分析材料成型過(guò)程中的復(fù)雜工程問(wèn)題。[畢業(yè)要求指標(biāo)點(diǎn)5.2]能夠根據(jù)現(xiàn)代材料成型方法，開(kāi)發(fā)或選擇使用恰當(dāng)?shù)默F(xiàn)代專業(yè)設(shè)備或者測(cè)試技術(shù)解決材料成型復(fù)雜工程問(wèn)題，同時(shí)能夠充分認(rèn)識(shí)各種方法和技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和存在問(wèn)題。2.課程教學(xué)目標(biāo)對(duì)應(yīng)畢業(yè)要求指標(biāo)點(diǎn)，具體內(nèi)容如下教學(xué)目標(biāo)1：通過(guò)本課程的學(xué)習(xí)，學(xué)生應(yīng)對(duì)制造半導(dǎo)體器件基本工藝原理和加工步驟有清晰、全面的認(rèn)識(shí)；了解微電子技術(shù)及其發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用。通過(guò)本課程的學(xué)習(xí)，掌握微電子技術(shù)領(lǐng)域集成電路的制造基本原則，并能將創(chuàng)新思想融入解決方案。能夠通過(guò)文獻(xiàn)信息綜合或相關(guān)方法，設(shè)計(jì)相關(guān)的測(cè)試實(shí)驗(yàn)，分析微電子技術(shù)領(lǐng)域中的復(fù)雜工程問(wèn)題。（支撐畢業(yè)要求指標(biāo)點(diǎn)4.1）教學(xué)目標(biāo)2：能夠利用所學(xué)解決復(fù)雜結(jié)構(gòu)或環(huán)境下的微電子技術(shù)及應(yīng)用問(wèn)題，具有選擇與利用集成電路的能力，能夠?qū)Ω鞣N集成電路制造方法的優(yōu)點(diǎn)，并對(duì)存在的問(wèn)題有明確的了解。（支撐畢業(yè)要求指標(biāo)點(diǎn)5.2）四、教學(xué)課時(shí)安排（一）學(xué)時(shí)分配主題或知識(shí)點(diǎn)教學(xué)內(nèi)容總學(xué)時(shí)學(xué)時(shí)完成課程教學(xué)目標(biāo)講課實(shí)驗(yàn)實(shí)踐主題1半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)22001、2主題2晶體生長(zhǎng)22001、2主題3硅的氧化22001、2主題4光刻22001、2主題5刻蝕22001、2主題6擴(kuò)散42201、2主題7離子注入44001、2主題8薄膜沉積42201、2主題9工藝集成22001、2主題10集成電路制造62401、2主題11未來(lái)趨勢(shì)和挑戰(zhàn)22001、2合計(jì)322480（二）實(shí)驗(yàn)教學(xué)安排序號(hào)實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目名稱實(shí)驗(yàn)/實(shí)踐學(xué)時(shí)實(shí)驗(yàn)/實(shí)踐類型實(shí)驗(yàn)/實(shí)踐要求每組人數(shù)備注1擴(kuò)散實(shí)驗(yàn)2必做52薄膜沉積實(shí)驗(yàn)2必做53集成電路制造—釬焊實(shí)驗(yàn)2必做54集成電路制造—3D打印實(shí)驗(yàn)2必做5五、教學(xué)內(nèi)容及教學(xué)設(shè)計(jì)主題1半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)1．教學(xué)內(nèi)容半導(dǎo)體硅材料的特性、半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體工藝技術(shù)、基本工藝步驟；半導(dǎo)體器件發(fā)展的歷史進(jìn)程。在緒論中介紹半導(dǎo)體器件的發(fā)展歷史與現(xiàn)狀，我國(guó)芯片制造“卡脖子”的原因及現(xiàn)狀，未來(lái)加快芯片制造技術(shù)的發(fā)展和產(chǎn)業(yè)鏈的完善，提高自主創(chuàng)新能力和核心競(jìng)爭(zhēng)力。2．教學(xué)重點(diǎn)半導(dǎo)體工藝技術(shù)。3．教學(xué)難點(diǎn)基本半導(dǎo)體工藝步驟。4．教學(xué)方案設(shè)計(jì)（含教學(xué)方法、教學(xué)手段）采用混合式教學(xué)，結(jié)合多媒體授課，同時(shí)授課過(guò)程中采用問(wèn)題討論式、案例式、啟發(fā)式等多種教學(xué)方法。主題2晶體生長(zhǎng)1．教學(xué)內(nèi)容晶體結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、晶體生長(zhǎng)技術(shù)、區(qū)熔法、直拉法、砷化鎵晶體的生長(zhǎng)技術(shù)、柴可拉斯基單晶爐的結(jié)構(gòu)。融入定向凝固技術(shù)在材料加工領(lǐng)域的應(yīng)用，鼓勵(lì)學(xué)生學(xué)好專業(yè)知識(shí)，開(kāi)闊學(xué)生的眼界、啟迪并激發(fā)學(xué)生的探索和創(chuàng)新精神。2．教學(xué)重點(diǎn)晶體生長(zhǎng)技術(shù)中直拉法的過(guò)程和特點(diǎn)、區(qū)熔法。3．教學(xué)難點(diǎn)晶體結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、砷化鎵晶體的生長(zhǎng)技術(shù)。4．教學(xué)方案設(shè)計(jì)（含教學(xué)方法、教學(xué)手段）采用混合式教學(xué)，結(jié)合多媒體授課，同時(shí)授課過(guò)程中采用問(wèn)題討論式、案例式、啟發(fā)式等多種教學(xué)方法。主題3硅的氧化1．教學(xué)內(nèi)容硅片的標(biāo)準(zhǔn)清洗方法、熱氧化的本質(zhì)與過(guò)程、干氧氧化、濕氧氧化、水汽氧化的過(guò)程、氧化過(guò)程中的雜志再分布、二氧化硅的掩模特性、氧化質(zhì)量、氧化層厚度特性、氧化模擬。介紹硅在半導(dǎo)體行業(yè)的重要性，“硅谷”的由來(lái)——即最早研究和生產(chǎn)以硅為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體芯片的地方；鼓勵(lì)學(xué)生學(xué)習(xí)我國(guó)科學(xué)家在芯片等“卡脖子”問(wèn)題上堅(jiān)持不懈，不斷創(chuàng)新的精神。2．教學(xué)重點(diǎn)干氧氧化、濕氧氧化、水汽氧化的過(guò)程與特點(diǎn)、氧化的本質(zhì)。3．教學(xué)難點(diǎn)氧化的兩個(gè)過(guò)程、幾種氧化的異同點(diǎn)。4．教學(xué)方案設(shè)計(jì)（含教學(xué)方法、教學(xué)手段）采用混合式教學(xué)，結(jié)合多媒體授課，同時(shí)授課過(guò)程中采用問(wèn)題討論式、案例式、啟發(fā)式等多種教學(xué)方法。主題4光刻1．教學(xué)內(nèi)容光刻膠的組成、正性光刻膠和負(fù)性光刻膠的區(qū)別、光刻工藝的每個(gè)步驟、接觸式曝光、接近式曝光、投影式曝光、步進(jìn)式曝光、四種曝光系統(tǒng)、光刻的精度。融入光刻機(jī)的原理和技術(shù)壁壘，強(qiáng)調(diào)創(chuàng)新發(fā)展的意義。2．教學(xué)重點(diǎn)光刻膠的組成、正性光刻膠和負(fù)性光刻膠的區(qū)別、光刻工藝的流程、勻膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、檢測(cè)。3．教學(xué)難點(diǎn)接觸式曝光、接近式曝光、投影式曝光、步進(jìn)式曝光、光刻的精度。4．教學(xué)方案設(shè)計(jì)（含教學(xué)方法、教學(xué)手段）采用混合式教學(xué)，結(jié)合多媒體授課，同時(shí)授課過(guò)程中采用問(wèn)題討論式、案例式、啟發(fā)式等多種教學(xué)方法。主題5刻蝕1．教學(xué)內(nèi)容干法刻蝕、濕法刻蝕、IC工藝中四種被刻蝕的材料和主要的刻蝕劑、IC工藝的刻蝕過(guò)程、各向異性刻蝕、各向同性刻蝕、刻蝕精度、刻蝕工藝中的危險(xiǎn)。不同的刻蝕方法有不同的應(yīng)用產(chǎn)品，各有利弊，根據(jù)實(shí)際選擇最優(yōu)的方法，并鼓勵(lì)學(xué)生進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新。2．教學(xué)重點(diǎn)干法刻蝕、濕法刻蝕、IC工藝的刻蝕過(guò)程。3．教學(xué)難點(diǎn)各向異性刻蝕、各向同性刻蝕、刻蝕精度。4．教學(xué)方案設(shè)計(jì)（含教學(xué)方法、教學(xué)手段）采用混合式教學(xué)，結(jié)合多媒體授課，同時(shí)授課過(guò)程中采用問(wèn)題討論式、案例式、啟發(fā)式等多種教學(xué)方法。主題6擴(kuò)散1．教學(xué)內(nèi)容擴(kuò)散機(jī)制、間隙式擴(kuò)散、替位式擴(kuò)散、擴(kuò)散的過(guò)程、各向異性摻雜、各向同性摻雜、菲克第一定律、菲克第二定律、恒定表面濃度擴(kuò)散的主要特點(diǎn)、有限表面源擴(kuò)散的特點(diǎn)、兩步擴(kuò)散、雜質(zhì)擴(kuò)散的方法、擴(kuò)散效果的測(cè)量。菲克第一定律及菲克第二定律都既適用于穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散也適用于非穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散，只是由于菲克第一定律沒(méi)有給出擴(kuò)散物質(zhì)濃度與時(shí)間的關(guān)系。難以將其用來(lái)全面描述濃度隨時(shí)間不斷變化的非穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散過(guò)程。通過(guò)菲克定律啟迪并激發(fā)學(xué)生的探索和創(chuàng)新精神。2．教學(xué)重點(diǎn)擴(kuò)散機(jī)制、間隙式擴(kuò)散、替位式擴(kuò)散、擴(kuò)散的過(guò)程、兩步擴(kuò)散法。3．教學(xué)難點(diǎn)菲克第一定律、菲克第二定律、恒定表面濃度擴(kuò)散的主要特點(diǎn)、有限表面源擴(kuò)散的特點(diǎn)、兩步擴(kuò)散。4．教學(xué)方案設(shè)計(jì)（含教學(xué)方法、教學(xué)手段）采用混合式教學(xué)，結(jié)合多媒體授課，同時(shí)授課過(guò)程中采用問(wèn)題討論式、案例式、啟發(fā)式等多種教學(xué)方法。主題7離子注入1．教學(xué)內(nèi)容離子束的性質(zhì)、離子束的用途、離子注入機(jī)制、掩模方式（投影方式）、聚焦方式、離子注入系統(tǒng)、離子源、離子注入過(guò)程、平均投影射程與初始能量的關(guān)系、離子注入的特點(diǎn)、離子注入控制、溝道效應(yīng)、陰影效應(yīng)、注入損傷、退火。離子注入在現(xiàn)代硅片制造過(guò)程中有廣泛應(yīng)用，其中最主要的用途是摻雜半導(dǎo)體，離子注入能夠重復(fù)控制雜質(zhì)的濃度和深度。離子注入有很多優(yōu)點(diǎn)，但是也有缺點(diǎn)，鼓勵(lì)學(xué)生分析事物應(yīng)辯證的看問(wèn)題，考慮全面，揚(yáng)長(zhǎng)避短。2．教學(xué)重點(diǎn)離子注入機(jī)制、掩模方式（投影方式）、聚焦方式、離子注入系統(tǒng)、離子源、離子注入過(guò)程、平均投影射程與初始能量的關(guān)系、離子注入的特點(diǎn)。3．教學(xué)難點(diǎn)離子注入機(jī)制、溝道效應(yīng)、陰影效應(yīng)。4．教學(xué)方案設(shè)計(jì)（含教學(xué)方法、教學(xué)手段）采用混合式教學(xué)，結(jié)合多媒體授課，同時(shí)授課過(guò)程中采用問(wèn)題討論式、案例式、啟發(fā)式等多種教學(xué)方法。主題8薄膜沉積1．教學(xué)內(nèi)容外延生長(zhǎng)技術(shù)、外延層結(jié)構(gòu)及缺陷、電介質(zhì)淀積、多晶硅淀積、金屬化、化學(xué)氣象沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）。薄膜沉積是集成電路制造過(guò)程中必不可少的環(huán)節(jié)，但是不同的方法具有不同的工藝特性，適合不同的材料，根據(jù)不同的要求選擇不同的方法，提升學(xué)生的研究素質(zhì)，為將來(lái)提高工作能力做好儲(chǔ)備。2．教學(xué)重點(diǎn)二氧化硅外延生長(zhǎng)技術(shù)、常壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)、低壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)、濺射法和真空蒸發(fā)法。3．教學(xué)難點(diǎn)外延層結(jié)構(gòu)及缺陷、電介質(zhì)沉積。4．教學(xué)方案設(shè)計(jì)（含教學(xué)方法、教學(xué)手段）采用混合式教學(xué)，結(jié)合多媒體授課，同時(shí)授課過(guò)程中采用問(wèn)題討論式、案例式、啟發(fā)式等多種教學(xué)方法。主題9工藝集成1．教學(xué)內(nèi)容無(wú)源單元、雙極型工藝技術(shù)、CMOS技術(shù)、MESFET技術(shù)、MEMS技術(shù)、鈍化技術(shù)、工藝模擬。不同的工藝集成技術(shù)適用不同的材料及環(huán)境要求，啟發(fā)學(xué)生在以后的學(xué)習(xí)和工作中根據(jù)現(xiàn)實(shí)條件選擇合適的技術(shù)，學(xué)以致用。2．教學(xué)重點(diǎn)雙極型工藝技術(shù)、CMOS技術(shù)。3．教學(xué)難點(diǎn)CMOS技術(shù)、MESFET技術(shù)、MEMS技術(shù)、鈍化技術(shù)。4．教學(xué)方案設(shè)計(jì)（含教學(xué)方法、教學(xué)手段）采用混合式教學(xué)，結(jié)合多媒體授課，同時(shí)授課過(guò)程中采用問(wèn)題討論式、案例式、啟發(fā)式等多種教學(xué)方法。主題10集成電路制造1．教學(xué)內(nèi)容集成電路發(fā)展歷史、雙極型工藝技術(shù)、CMOS技術(shù)、電測(cè)試、電子封裝、統(tǒng)計(jì)工藝控制、統(tǒng)計(jì)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)、成品率、計(jì)算機(jī)集成制造。在介紹基礎(chǔ)電路的發(fā)展歷史時(shí)，講述集成電路在通信中的廣泛應(yīng)用，回顧我國(guó)導(dǎo)航系統(tǒng)如何從當(dāng)初卡脖子到現(xiàn)在服務(wù)全球的輝煌歷程，彰顯道路自信和制度自信。2．教學(xué)重點(diǎn)雙極型工藝技術(shù)、CMOS技術(shù)、電測(cè)試、電子封裝。3．教學(xué)難點(diǎn)CMOS技術(shù)、計(jì)算機(jī)集成制造。4．教學(xué)方案設(shè)計(jì)（含教學(xué)方法、教學(xué)手段）采用混合式教學(xué)，結(jié)合多媒體授課，同時(shí)授課過(guò)程中采用問(wèn)題討論式、案例式、啟發(fā)式等多種教學(xué)方法。主題11未來(lái)趨勢(shì)和挑戰(zhàn)1．教學(xué)內(nèi)容半導(dǎo)體技術(shù)的應(yīng)用發(fā)展趨勢(shì)、半導(dǎo)體工業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)、微電子技術(shù)的個(gè)發(fā)展方向。學(xué)生通過(guò)學(xué)習(xí)了解該領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀及面臨的問(wèn)題，鼓勵(lì)學(xué)生進(jìn)行科學(xué)探索及技術(shù)創(chuàng)新。2．教學(xué)重點(diǎn)半導(dǎo)體技術(shù)的應(yīng)用發(fā)展趨勢(shì)、半導(dǎo)體工業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)、微電子技術(shù)的四個(gè)發(fā)展方向。3．教學(xué)難點(diǎn)半導(dǎo)體工業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)。4．教學(xué)方案設(shè)計(jì)（含教學(xué)方法、教學(xué)手段）采用混合式教學(xué)，結(jié)合多媒體授課，同時(shí)授課過(guò)程中采用問(wèn)題討論式、案例式、啟發(fā)式等多種教學(xué)方法。六、學(xué)生成績(jī)?cè)u(píng)定1.課程考核方式及比例本課程考核學(xué)生獲取知識(shí)的能力、應(yīng)用所學(xué)知識(shí)分析問(wèn)題和解決問(wèn)題能力、實(shí)踐動(dòng)手能力和創(chuàng)新能力等；考核方式采用出勤、作業(yè)評(píng)測(cè)、課堂表現(xiàn)、平時(shí)階段測(cè)驗(yàn)等多種形式、多個(gè)階段等全過(guò)程的考核，使學(xué)生成績(jī)?cè)u(píng)定更加合理多樣，優(yōu)化課程評(píng)價(jià)體系，進(jìn)一步提升本課程教學(xué)效果。學(xué)生成績(jī)?cè)u(píng)定表考核方式平時(shí)成績(jī)期中考試期末考試出勤作業(yè)課堂表現(xiàn)階段測(cè)驗(yàn)答辯項(xiàng)目小論文實(shí)驗(yàn)√√√√√成績(jī)比例%51051010602.課程考核方式評(píng)價(jià)權(quán)重本課程教學(xué)目標(biāo)與考核方式評(píng)價(jià)權(quán)重如表所示：課程教學(xué)目標(biāo)支撐畢業(yè)要求指標(biāo)點(diǎn)考核評(píng)價(jià)方式權(quán)重（%）過(guò)程性考核實(shí)驗(yàn)期末考試合計(jì)出勤及課堂表現(xiàn)作業(yè)及階段測(cè)驗(yàn)教學(xué)目標(biāo)1指標(biāo)點(diǎn)4.1510530~3550~55教學(xué)目標(biāo)2指標(biāo)點(diǎn)4.2510525~3045~50合計(jì)102010601003.課程成績(jī)?cè)u(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)平時(shí)成績(jī)?cè)u(píng)定及考核標(biāo)準(zhǔn)考核環(huán)節(jié)考核結(jié)果及標(biāo)準(zhǔn)評(píng)估項(xiàng)目及權(quán)重優(yōu)秀（90~100分）良好（80~89分）中等（70~79分）及格（60~69分）不及格（<60分）出勤及課堂表現(xiàn)（10%）無(wú)遲到、早退、曠課現(xiàn)象。積極參加課堂討論，并有自己獨(dú)到的見(jiàn)解，能夠準(zhǔn)確回答問(wèn)題，并有自己獨(dú)到的見(jiàn)解偶爾有遲到、早退現(xiàn)象。較為積極參加課堂討論，能夠準(zhǔn)確回答問(wèn)題，并提出自己的見(jiàn)解有遲到、早退現(xiàn)象。能夠主動(dòng)參加課堂討論，能夠回答問(wèn)題有遲到、早退、偶爾有曠課現(xiàn)象。參與課堂討論，基本能回答相關(guān)問(wèn)題遲到、早退、曠課較多。不能有效參加課堂討論，回答不出所有問(wèn)題作業(yè)（10%）能夠獨(dú)立完成作業(yè)，作業(yè)完成質(zhì)量?jī)?yōu)秀，能夠靈活運(yùn)用所學(xué)知識(shí)和理論解決問(wèn)題，并獲得正確結(jié)論能夠獨(dú)立完成作業(yè)，完成質(zhì)量較高，能夠運(yùn)用所學(xué)知識(shí)和理論解決問(wèn)題，并獲得正確結(jié)論能夠獨(dú)立完成作業(yè)，完成質(zhì)量符合要求，能夠運(yùn)用所學(xué)知識(shí)和理論解決問(wèn)題，并獲得有效結(jié)論基本能夠獨(dú)立完成作業(yè)，部分題目解答存在抄襲現(xiàn)象，運(yùn)用所學(xué)知識(shí)和理論解決問(wèn)題的能力基本符合要求不能獨(dú)立完成作業(yè)，存在明顯抄襲現(xiàn)象，不具備運(yùn)用所學(xué)知識(shí)和理論解決問(wèn)題的能力階段測(cè)驗(yàn)（10%）完成所有階段測(cè)驗(yàn)，根據(jù)參考答案評(píng)分，總評(píng)成績(jī)?yōu)閮?yōu)秀完成所有階段測(cè)驗(yàn)，根據(jù)參考答案評(píng)定分，總評(píng)成績(jī)?yōu)閮?yōu)良完成所有階段測(cè)驗(yàn)，根據(jù)參考答案評(píng)分，總評(píng)成績(jī)?yōu)橹械韧瓿伤须A段測(cè)驗(yàn)，根據(jù)參考答案評(píng)分，總評(píng)成績(jī)?yōu)榧案駴](méi)有完成階段測(cè)試，根據(jù)參考答案評(píng)分，總評(píng)成績(jī)不及格實(shí)驗(yàn)（10分%）實(shí)驗(yàn)報(bào)告能夠獨(dú)立完成，內(nèi)容完整，數(shù)據(jù)合理，數(shù)據(jù)處理正確，圖表規(guī)范。能夠正確完成實(shí)驗(yàn)報(bào)告中提出的問(wèn)題，并對(duì)實(shí)驗(yàn)中遇到的問(wèn)題進(jìn)行深入的討論，提出自己的見(jiàn)解。實(shí)驗(yàn)報(bào)告能夠獨(dú)立完成，內(nèi)容完整，數(shù)據(jù)合理，數(shù)據(jù)處理正確，圖表基本規(guī)范。能夠完成實(shí)驗(yàn)報(bào)告中提出的問(wèn)題，并對(duì)實(shí)驗(yàn)中遇到的問(wèn)題進(jìn)行討論，提出意見(jiàn)。實(shí)驗(yàn)報(bào)告能夠完成，內(nèi)容完整，數(shù)據(jù)基本合理，能夠進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，圖表基本規(guī)范。能夠基本完成實(shí)驗(yàn)報(bào)告中中提出的問(wèn)題，對(duì)實(shí)驗(yàn)中遇到的問(wèn)題進(jìn)行討論。實(shí)驗(yàn)報(bào)告基本能夠獨(dú)立完成，內(nèi)容完整，數(shù)據(jù)圖表齊全，基本完成實(shí)驗(yàn)報(bào)告中提出的問(wèn)題。實(shí)驗(yàn)報(bào)告不能獨(dú)立完成，存在抄襲現(xiàn)象，報(bào)告中提出的問(wèn)題沒(méi)有或基本沒(méi)有回答。課程教學(xué)目標(biāo)評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)考核環(huán)節(jié)考核結(jié)果及標(biāo)準(zhǔn)評(píng)估項(xiàng)目及權(quán)重優(yōu)秀（90~100分）良好（80~89分）中等（70~79分）及格（60~69分）不及格（<60分）教學(xué)目標(biāo)1熟練掌握制造半導(dǎo)體器件基本工藝原理和加工步驟；熟練掌握微電子技術(shù)及其發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用。熟練掌握微電子技術(shù)領(lǐng)域集成電路的制造基本原則，并能將創(chuàng)新思想融入解決方案。能夠通過(guò)文獻(xiàn)信息綜合或相關(guān)方法，設(shè)計(jì)相關(guān)的測(cè)試實(shí)驗(yàn)，分析微電子技術(shù)領(lǐng)域中的復(fù)雜工程問(wèn)題。準(zhǔn)確掌握制造半導(dǎo)體器件基本工藝原理和加工步驟；熟練掌握微電子技術(shù)及其發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用。準(zhǔn)確掌握微電子技術(shù)領(lǐng)域集成電路的制造基本原則，并能將創(chuàng)新思想融入解決方案。能夠通過(guò)文獻(xiàn)信息綜合或相關(guān)方法，設(shè)計(jì)相關(guān)的測(cè)試實(shí)驗(yàn)，分析微電子技術(shù)領(lǐng)域中的較為復(fù)雜的工程問(wèn)題。掌握制造半導(dǎo)體器件基本工藝原理和加工步驟；熟練掌握微電子技術(shù)及其發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用。掌握微電子技術(shù)領(lǐng)域集成電路的制造基本原則，并能將創(chuàng)新思想融入解決方案。能夠通過(guò)文獻(xiàn)信息綜合或相關(guān)方法，設(shè)計(jì)相關(guān)的測(cè)試實(shí)驗(yàn)，分析微電子技術(shù)領(lǐng)域中的一般工程問(wèn)題?；臼炀氄莆罩圃彀雽?dǎo)體器件基本工藝原理和加工步驟；熟練掌握微電子技術(shù)及其發(fā)