液晶配向膜測(cè)試方法 第3部分：光電性能 征求意見(jiàn)稿

1液晶配向膜測(cè)試方法第3部分光電性能本文件規(guī)定了液晶配向膜光電性能的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則。本文件適用于顯示用液晶配向膜。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T18910.61-2021液晶顯示器件第6-1部分：液晶顯示器件測(cè)試方法光電參數(shù)3術(shù)語(yǔ)和定義下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。3.1預(yù)傾角（Pretiltangle）液晶配向膜，經(jīng)摩擦配向或光配向后，由于各向異性使得液晶分子與基板表面會(huì)維持一個(gè)固定夾角。3.2扭曲角（TwistAngle）LCD盒內(nèi)液晶分子沿特定軸的方向旋轉(zhuǎn)至另一個(gè)方向的旋轉(zhuǎn)角度。3.3電壓保持率（VoltageHoldingRatio）即為電壓保持率（VoltageHoldingRatio），為L(zhǎng)CD保持電壓與LCD寫入電壓的比值，分為電壓比和面積比兩種方式。3.4離子密度（IonDensity）LCD內(nèi)可以移動(dòng)離子等價(jià)的電荷量。4試驗(yàn)方法2FORMTEXTGB/T丄FORMTEXTXXX4.1預(yù)傾角測(cè)試本測(cè)試需要采用液晶取向劑制備液晶測(cè)試盒。4.1.1測(cè)試機(jī)理本測(cè)試需要將液晶測(cè)試盒放置于一個(gè)特殊的光學(xué)監(jiān)測(cè)裝置，測(cè)試示意圖如圖1所示。液晶測(cè)試盒放置于兩片光學(xué)偏振板中間，兩片光學(xué)偏振板通過(guò)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)。當(dāng)入射光通過(guò)旋轉(zhuǎn)的光學(xué)偏振板和液晶測(cè)試盒后，由于液晶的雙折射效應(yīng)，光學(xué)探頭將監(jiān)測(cè)到最終的出射光信號(hào)。通過(guò)光學(xué)計(jì)算公式模擬計(jì)算獲取預(yù)傾角的數(shù)值。光學(xué)探頭光學(xué)探頭光學(xué)偏振板液晶測(cè)試盒光學(xué)偏振板入射光源圖1預(yù)傾角測(cè)試光學(xué)監(jiān)測(cè)示意圖4.1.2液晶測(cè)試盒制備液晶測(cè)試盒制備：a)基板：鍍有氧化銦錫透明導(dǎo)電膜的硼硅玻璃或鈉鈣玻璃；b)在基板導(dǎo)電膜面涂布所需測(cè)試的液晶配向膜，并固化；c)配向條件：根據(jù)需求，選擇摩擦配向或光配向；d)盒厚：根據(jù)需求選擇盒厚1~100μm之間；e)灌注液晶類型：相對(duì)應(yīng)顯示模式的液晶。4.1.3測(cè)試儀器：液晶盒光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)4.1.4測(cè)試環(huán)境：暗室，25℃±2℃、50%±5%RH4.1.5測(cè)試設(shè)定測(cè)試設(shè)定如下：a)顯示模式設(shè)定：根據(jù)液晶測(cè)試盒的實(shí)際顯示模式設(shè)定相應(yīng)的測(cè)試模式，如TN、VA或IPS模式；b)液晶折射率各向異性參數(shù)設(shè)定：錄入液晶的尋常光折射率no和非尋常光折射率ne；c)設(shè)定量測(cè)范圍：錄入液晶測(cè)試盒的扭曲角、預(yù)傾角、光學(xué)延遲量的量測(cè)范圍。4.1.6測(cè)試方法將液晶測(cè)試盒放置于儀器的測(cè)試平臺(tái)上，液晶測(cè)試盒在平臺(tái)上的擺放，要遵循液晶盒配向角度的方向要與平臺(tái)上X軸的方向一致。關(guān)閉暗室，進(jìn)行測(cè)試。計(jì)算機(jī)通過(guò)連接測(cè)試儀器，由計(jì)算機(jī)軟件分析后讀取預(yù)傾角數(shù)值并記錄。3FORMTEXTGB/T丄FORMTEXTXXX4.2扭曲角本測(cè)試需要采用液晶配向膜制備液晶測(cè)試盒，僅適用于TN、IPS顯示模式的測(cè)試。4.2.1測(cè)試原理測(cè)試原理參考4.1.1條碼的內(nèi)容。扭曲角測(cè)試與預(yù)傾角測(cè)試采用同一套測(cè)試系統(tǒng)，本同時(shí)計(jì)算輸出數(shù)值結(jié)果。4.2.2液晶測(cè)試盒制備液晶測(cè)試盒制備如下：a)基板：鍍有氧化銦錫透明導(dǎo)電膜的硼硅玻璃或鈉鈣玻璃；b)在基板導(dǎo)電膜面涂布所需測(cè)試的液晶配向膜，并固化；c)配向條件：根據(jù)需求，選擇摩擦配向或光配向；d)盒厚：根據(jù)需求選擇盒厚1~100μm之間；e)灌注液晶類型：相對(duì)應(yīng)顯示模式的液晶；4.2.3測(cè)試儀器：液晶盒光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)4.2.4測(cè)試環(huán)境：暗室，25±2℃、50±5%RH4.2.5測(cè)試設(shè)定測(cè)試設(shè)定如下：a)顯示模式設(shè)定：根據(jù)液晶測(cè)試盒的實(shí)際顯示模式設(shè)定相應(yīng)的測(cè)試模式，如TN、IPS模式；b)液晶折射率各向異性參數(shù)設(shè)定：錄入液晶的尋常光折射率no和非尋常光折射率ne；c)設(shè)定量測(cè)范圍：錄入液晶測(cè)試盒的扭曲角、預(yù)傾角、光學(xué)延遲量的量測(cè)范圍。4.2.6測(cè)試方法將液晶測(cè)試盒放置于儀器的測(cè)試平臺(tái)上，液晶測(cè)試盒在平臺(tái)上的擺放，要遵循液晶盒配向角度的方向要與平臺(tái)上X軸的方向一致。關(guān)閉暗室，進(jìn)行測(cè)試。計(jì)算機(jī)通過(guò)連接測(cè)試儀器，由計(jì)算機(jī)軟件分析后讀取預(yù)傾角數(shù)值并記錄。4.3電壓保持率4.3.1測(cè)試原理液晶電性測(cè)試系統(tǒng)對(duì)液晶測(cè)試盒施加電壓，施加電壓后斷開(kāi)并監(jiān)測(cè)液晶測(cè)試盒電極兩端的電壓變化，如圖2為測(cè)試加電示意圖，如圖3為電壓保持率計(jì)算曲線，根據(jù)公式（2）計(jì)算液晶測(cè)試盒的電壓保持率。4FORMTEXTGB/T丄FORMTEXTXXXV1電壓電壓保持時(shí)間加壓時(shí)間保持時(shí)間保持時(shí)間加壓時(shí)間保持時(shí)間電壓保持率加壓示意圖V1電壓電壓V2圖3電壓保持率計(jì)算示意圖VHRarea=×100%…………………式中：V1為施加于液晶測(cè)試盒的電壓，單位為伏特（V）；V2為經(jīng)過(guò)保持時(shí)間后液晶測(cè)試盒的殘留電壓，單位為伏特（V）；SV1為假定的施加于液晶測(cè)試盒的電壓V1在經(jīng)過(guò)保持時(shí)間后100%保持時(shí)的積分面積，如圖3虛框部分；5SV2為施加于液晶測(cè)試盒的電壓V1在經(jīng)過(guò)保持時(shí)間后電壓下降曲線的積分面積，如圖3陰影部分。4.3.2液晶測(cè)試盒制備液晶測(cè)試盒制備如下：a)基板：鍍有氧化銦錫透明導(dǎo)電膜的硼硅玻璃；b)在基板導(dǎo)電膜面涂布所需測(cè)試的液晶配向膜，并固化；c)配向條件：根據(jù)需求，選擇摩擦配向或光配向；d)盒厚：根據(jù)需求選擇盒厚1~100μm之間，一般采用4μm；e)灌注液晶類型：相對(duì)應(yīng)顯示模式的液晶。4.3.3測(cè)試條件測(cè)試條件如下：a)測(cè)量設(shè)備：液晶電性測(cè)試系統(tǒng)b)測(cè)試電壓：5V/3V/1Vc)測(cè)試波形：方波（square）d)加壓時(shí)間：60μse)保持時(shí)間：一般設(shè)定為1.667s，根據(jù)實(shí)際需求，可以設(shè)定為0.1667、16.67s；f)測(cè)量溫度：60℃,烘箱要求控溫精度0.1℃以內(nèi)。4.3.4測(cè)試方法按照以下步驟順序進(jìn)行測(cè)試：a)測(cè)試前先要將待測(cè)液晶測(cè)試盒的兩極通過(guò)導(dǎo)線連接至設(shè)備測(cè)試電極，置于電磁屏蔽盒內(nèi)，并連同電磁屏蔽盒一起置于高溫烘箱內(nèi)加熱；b)測(cè)試設(shè)備開(kāi)機(jī)，并設(shè)定測(cè)試電壓、加壓時(shí)間、保持電壓數(shù)值；c)啟動(dòng)烘箱60℃加熱30min后開(kāi)始測(cè)試，測(cè)試完畢讀取電壓保持率VHRarea數(shù)值。4.4離子濃度4.4.1測(cè)試原理通過(guò)將對(duì)液晶測(cè)試盒的電極施加三角波形的電壓，并在此施加周期內(nèi)監(jiān)測(cè)液晶測(cè)試盒的電流隨電壓的變化。當(dāng)施加電壓隨三角波形變化時(shí)，雜質(zhì)離子在液晶測(cè)試盒內(nèi)移動(dòng)，形成電流，該電流會(huì)在電流與電壓的關(guān)系曲線中形成一個(gè)波峰，如圖4所示。此波峰的積分面積即為液晶測(cè)試盒的離子濃度。6FORMTEXTGB/T丄FORMTEXTXXX電流（A）電壓（V）圖4離子濃度測(cè)試曲線圖4.4.2液晶測(cè)試盒制備參考4.3.2中的液晶測(cè)試盒制作條件。4.4.3測(cè)試條件測(cè)試條件如下：a)測(cè)量設(shè)備：液晶電性測(cè)試系統(tǒng)；b)測(cè)試電壓：5V/2.5V；c)測(cè)試波形：三角波（triangle）；d)測(cè)試頻率（Frequency）：0.01Hz；e)測(cè)量溫度：60℃,烘箱要求控溫精度0.1℃以內(nèi)。4.4.4測(cè)試方法按照以下步驟順序進(jìn)行測(cè)試：a)測(cè)試前先要將待測(cè)液晶測(cè)試盒的兩極通過(guò)導(dǎo)線連接至設(shè)備測(cè)試電極，置于電磁屏蔽盒內(nèi)，并連同電磁屏蔽盒一起置于高溫烘箱內(nèi)加熱；b)在設(shè)備設(shè)置界面內(nèi)設(shè)定測(cè)試電壓、頻率；c)啟動(dòng)烘箱60℃加熱30min后開(kāi)始測(cè)試；d)測(cè)試完畢后，如圖4中離子濃度測(cè)試曲線，采用切線法獲取陰影區(qū)域，并對(duì)陰影區(qū)域面積進(jìn)行積分，即得到離子濃度的數(shù)值。5檢驗(yàn)規(guī)則5.1檢驗(yàn)分類按照檢驗(yàn)的目的分為開(kāi)發(fā)檢驗(yàn)、出廠檢驗(yàn)。5.2組批每一個(gè)生產(chǎn)主體設(shè)備的每一個(gè)連續(xù)工藝處理過(guò)程所得到的產(chǎn)品為一組批。7FORMTEXTGB/T丄FORMTEXTXXX5.3抽樣原則抽樣原則如下：a)從每一組批中平行取樣兩份，每份250g,其中一份用于檢測(cè)，另一份用于留樣；b)用抽樣的樣品代表該組批的檢驗(yàn)。5.4開(kāi)發(fā)檢驗(yàn)在產(chǎn)品的每一組批均應(yīng)進(jìn)行生產(chǎn)完成時(shí)，均應(yīng)進(jìn)行一次檢驗(yàn)。5.5