1+X集成電路理論知識模擬題與答案

1+X集成電路理論知識模擬題與答案

1、重力式分選機(jī)的測試環(huán)節(jié)是在()進(jìn)行。

A、主轉(zhuǎn)塔中

B、旋轉(zhuǎn)臺(tái)上

C、測試軌道中

D、水平面上

答案：C

2、()分選工序依靠主轉(zhuǎn)盤執(zhí)行，上料后主轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)，每轉(zhuǎn)動(dòng)一格，都

會(huì)將產(chǎn)品送到各個(gè)工位，每個(gè)工位對應(yīng)不同的作用，包括上料位、光檢位、旋

轉(zhuǎn)糾姿位、功能測試位等，從而實(shí)現(xiàn)芯片的測試與分選。

A、重力式分選機(jī)

B、平移式分選機(jī)

C、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)

D、真空螺旋分選機(jī)

答案：C

3、晶圓檢測工藝中，在進(jìn)行打點(diǎn)工序以后，需要進(jìn)行的工序是()o

A、真空入庫

B、扎針測試

C、打點(diǎn)

D、外觀檢查

答案：D

導(dǎo)片一上片一加溫、扎針調(diào)試一扎針測試一打點(diǎn)一烘烤一外檢一真空入庫

4、扎針測試時(shí)，測試機(jī)將測試結(jié)果通過()傳輸給探針臺(tái)。

A、USB

B、GPIB

C、HDMI

D、VGA

答案：B

扎針測試時(shí)，測試機(jī)將測試結(jié)果通過GPIB傳輸給探針臺(tái)。

5、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備的上料步驟正確的是：()。

A、待測芯片上料一芯片篩選一芯片吸取

B、芯片篩選一待測芯片上料一芯片吸取

C、待測芯片上料一芯片吸取一芯片篩選

D、芯片篩選一芯片吸取一待測芯片上料

答案：A

轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備的上料步驟為：待測芯片上料f芯片篩選一芯片吸取。

6、單晶爐的開機(jī)順序正確的是（）。

A、電源開關(guān)一加熱器開關(guān)一片煙開關(guān)一籽晶開關(guān)

B、電源開關(guān)一生煙開關(guān)~加熱器開關(guān)一籽晶開關(guān)

C、電源開關(guān)一籽晶開關(guān)一生期開關(guān)一加熱器開關(guān)

D、籽晶開關(guān)一生期開關(guān)一加熱器開關(guān)一電源開關(guān)

答案：A

單晶爐的開機(jī)順序?yàn)椋弘娫撮_關(guān)一加熱器開關(guān)一生期開關(guān)一籽晶開關(guān)。

7、用四氯化硅氫還原法進(jìn)行硅提純時(shí)，通過（）可以得到高純度的四氯化

硅。

A、高溫還原爐

B、精儲(chǔ)塔

C、多晶沉積設(shè)備

D、單晶爐

答案：B

用四氯化硅氫還原法進(jìn)行硅提純時(shí)，通常使用精儲(chǔ)法，精微法是在精儲(chǔ)塔

中實(shí)現(xiàn)的。

8、單晶爐中籽晶軸的作用是（）。

A、保證爐內(nèi)溫度均勻分布及散熱

B、帶動(dòng)籽晶上下移動(dòng)和旋轉(zhuǎn)

C、起支撐作用

D、提供一個(gè)原子重新排列標(biāo)準(zhǔn)

答案：B

籽晶軸的作用是帶動(dòng)籽晶上下移動(dòng)和旋轉(zhuǎn)；籽晶的作用是提供一個(gè)原子重

新排列的標(biāo)準(zhǔn)；用堀外的高純石墨用埸托起支撐作用；爐腔可以保證爐內(nèi)溫度

均勻分布及散熱。

9、晶圓檢測工藝的測試車間符合（）潔凈區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。

A、10萬級

B、萬級

C、千級

D、100萬級

答案：B

晶圓檢測工藝對環(huán)境的要求：測試車間符合10萬級潔凈區(qū)標(biāo)準(zhǔn)，溫度常年

保持在22±3℃,濕度保持在45±15吼

10、進(jìn)行料盤包裝時(shí)，一個(gè)內(nèi)盒中通常裝有（）袋真空包裝完的料盤。

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：A

進(jìn)行料盤包裝時(shí)，一個(gè)內(nèi)盒中通常裝有1袋真空包裝完的料盤。

11、利用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片分選時(shí)，分選環(huán)節(jié)的流程是。。

A、分選f吸嘴吸取芯片一收料

B、吸嘴吸取芯片一分選一收料

C、吸嘴吸取芯片一收料一分選

D、分選一收料一吸嘴吸取芯片

答案：B

12、在光刻過程中，完成涂膠后需要進(jìn)行質(zhì)量評估，以下不屬于涂膠質(zhì)量

評估時(shí)，光刻膠覆蓋硅片的質(zhì)量缺陷的是（）。

A、光刻膠脫落

B、光刻膠中有針孔

C、光刻膠的回濺

D、光刻膠起皮

答案：A

13、當(dāng)芯片移動(dòng)到氣軌（）時(shí)，旋轉(zhuǎn)臺(tái)吸嘴吸取芯片。

A、首端

B、中端

C-I―;山

、木歹而

D、任意位置

答案：C

當(dāng)芯片移動(dòng)到氣軌末端時(shí)，旋轉(zhuǎn)臺(tái)吸嘴的升降電機(jī)到達(dá)芯片正上方，吸嘴

產(chǎn)生一定負(fù)壓將該芯片吸起，升降電機(jī)上移并后退進(jìn)入旋轉(zhuǎn)臺(tái)，上料完成。

14、引線鍵合最常使用的原材料是（）o

A、金線

B、銀線

C、銅線

D、鋁線

答案：A

引線鍵合利用高純度的金線、銅線或鋁線把框架的引線與芯片電極通過焊

接的方法連接起來。通常使用金線，其焊接簡單、良率高；目前還有采用鋁線

和銅線工藝的，優(yōu)點(diǎn)是成本低，缺點(diǎn)是工藝難度加大，良率降低。

15、封裝工藝中，裝片機(jī)上料區(qū)上料時(shí)，是將。的引線框架傳送到進(jìn)料

槽。

A、頂層

B、中間位置

C、底層

D、任意位置

答案：C

16、晶圓烘烤時(shí)長一般為（）分鐘。

A、1

B、5

C、10

D、20

答案：B

晶圓烘烤長一般為5分鐘。烘烤時(shí)間太長會(huì)導(dǎo)致墨點(diǎn)開裂，時(shí)間太短可能

會(huì)使墨點(diǎn)不足以抵抗后續(xù)封裝工藝中的液體沖刷，導(dǎo)致墨點(diǎn)消失。

17、一個(gè)花籃最多裝（）片晶圓。

A、15

B、20

C、25

D、30

答案：C

一個(gè)花籃最多裝25片晶圓。

18、塑封一般采用（）為塑封料。

A、熱塑性塑料

B、熱固性塑料

C、人工催化塑料

D、芳煌類塑料

E、結(jié)晶性塑料

答案：B

略

19、主要使用萬用表、毫伏表、示波器、兆歐表、信號發(fā)生器等測試設(shè)備

主要用來測試（）。

A、電子成品的幾何性能

B、電子產(chǎn)品的物理性能

C、電子產(chǎn)品的功能性能

D、以上都是

答案：B

20、根據(jù)以下隨件單信息可知，從待檢查品貨架上找到的編號為（）的中轉(zhuǎn)

箱。

A、7LK8

B、57493

C、1586

D、1568

答案：D

由隨件單信息可知，該批次的中轉(zhuǎn)箱號為1568。

21、風(fēng)淋的作用是（）。

A、清除進(jìn)入車間的人或物體表面的灰塵

B、檢測進(jìn)入車間人員的體重與生態(tài)狀況

C、降低人體衣物表面的溫度

D、使衣物保持潔凈、平整

答案：A

風(fēng)淋的操作是針對芯片處于裸露狀態(tài)工藝的車間設(shè)計(jì)的，其目的是為了清

除進(jìn)入車間的人或物體表面的灰塵，保證車間內(nèi)的無塵環(huán)境不被破壞。

22、裝片機(jī)上料區(qū)上料時(shí)，是將（）的引線框架傳送到進(jìn)料槽。

A、最頂層

B、中間層

C、最底層

D、任意位置

答案：C

略

23、晶圓扎針測試在測到一定數(shù)量時(shí)，需要檢查扎針情況。若發(fā)現(xiàn)針痕有

異常，需如何處理。。

A、重新輸入晶圓信息

B、重新設(shè)置扎針深度或扎針位置

C、繼續(xù)扎針測試

D、記錄測試結(jié)果

答案：B

24、用編帶機(jī)進(jìn)行編帶前預(yù)留空載帶的原因是（）。

A、比較美觀

B、防止芯片散落

C、確認(rèn)編帶機(jī)正常運(yùn)行

D、節(jié)省人工檢查時(shí)間

答案：B

空余載帶預(yù)留設(shè)置是為了防止卷盤上編帶的兩端在操作過程中可能會(huì)出現(xiàn)

封口分離的情況，導(dǎo)致端口的芯片散落。

25、芯片外觀檢查前為了防止靜電擊穿損壞，工作人員必須佩戴（）。

A、絕緣手套

B、絕緣服

C、防靜電護(hù)腕

D、無紡布手套

答案：C

26、重力分選機(jī)自動(dòng)裝料步驟中將待測料管放在篩選機(jī)的入料區(qū)內(nèi)，料管

隨傳送帶上升到（）。

A、入料區(qū)

B、廢料區(qū)

C、激光檢測區(qū)

D、顯示區(qū)

答案：C

27、重力式分選設(shè)備進(jìn)行芯片并行測試時(shí)，在測試軌道完成芯片測試后，

下一環(huán)節(jié)需要進(jìn)行。操作。

A、上料

B、分選

C、外觀檢查

D、真空入庫

答案：B

28、單晶硅生長完成后，需要進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)，其中熱探針法可以測量單晶

硅的（）參數(shù)。

A、電阻率

B、直徑

C、少數(shù)載流子壽命

D、導(dǎo)電類型

答案：D

熱探針法用來測量單晶硅錠的導(dǎo)電類型；四探針技術(shù)用來測量單晶硅錠的

電阻率；激光掃描法用來測量硅錠的直徑；光電導(dǎo)衰法用來測量少數(shù)載流子的

壽命。

29、重力式分選機(jī)進(jìn)行自動(dòng)上料時(shí)，進(jìn)入上料架，上料夾具準(zhǔn)備夾取的料

管中的芯片位置（）要求：（）。

A、有；芯片印章在上面

B、有；芯片印章在下面

C、無；需要等待料管篩選

D、無；進(jìn)入上料的芯片位置沒有要求

答案：A

重力式分選機(jī)進(jìn)行上料時(shí)，進(jìn)入上料架，上料夾具準(zhǔn)備夾取的料管中的芯

片位置要求芯片印章朝上，便于后期操作。

30、重力分選機(jī)手動(dòng)裝料要操作人員取下待測料管一端的（），并將料管

整齊地?cái)[放在操作臺(tái)上。

A、擋板

B、螺母

C、料盤

D、塞釘

答案：D

31、編帶外觀檢查的步驟正確的是（）。

A、檢查外觀f歸納放置一固定卷盤一編帶回料一編帶固定

B、歸納放置一固定卷盤一檢查外觀一編帶回料一編帶固定

C、固定卷盤一歸納放置一檢查外觀一編帶回料一編帶固定

D、編帶固定一固定卷盤一歸納放置一檢查外觀一編帶回料

答案：B

編帶外觀檢查的步驟：歸納放置一固定卷盤一檢查外觀f編帶回料一編帶

固定。

32、平移式分選機(jī)設(shè)備的上料步驟正確的是：（）。

A、待測芯片上料一吸嘴轉(zhuǎn)移芯片一空料盤替換

B、吸嘴轉(zhuǎn)移芯片一待測芯片上料一空料盤替換

C、空料盤替換一待測芯片上料一吸嘴轉(zhuǎn)移芯片

D、吸嘴轉(zhuǎn)移芯片一空料盤替換一待測芯片上料

答案：A

平移式分選機(jī)設(shè)備的上料步驟為：待測芯片上料一吸嘴轉(zhuǎn)移芯片一空料盤

替換。

33、重力式分選機(jī)的測試環(huán)節(jié)是在（）中進(jìn)行。

A、主轉(zhuǎn)塔

B、旋轉(zhuǎn)臺(tái)

C、測試軌道

D、水平面上

答案：C

重力式分選機(jī)的測試環(huán)節(jié)是在測試軌道中進(jìn)行的。主轉(zhuǎn)塔和旋轉(zhuǎn)臺(tái)是轉(zhuǎn)塔

式分選機(jī)的設(shè)備，平移式分選機(jī)是在水平面上完成芯片的測試、分選。

34、重力式分選機(jī)進(jìn)行自動(dòng)上料篩選，當(dāng)檢測到傳送帶上的料管放置不符

合要求時(shí)，下一步對料管的操作是（）。

A、拔出塞釘

B、進(jìn)入空管槽

C、進(jìn)入上料槽

D、放回上料區(qū)

答案：D

激光檢測到不符合要求的料管會(huì)重新放回上料區(qū)，等待下次篩選。

35、料盤外觀檢查前期，將料盤從中轉(zhuǎn)箱中取出后，將測試合格的料盤放

在（）。

A、己檢品區(qū)

B、待檢品區(qū)

C、不合格品區(qū)

D、工作臺(tái)任意位置

答案：B

料盤外觀檢查前期，將料盤從中轉(zhuǎn)箱中取出后，根據(jù)隨件單核對合格品、

不合格品的數(shù)量一致后，將合格品和隨件單放在工作臺(tái)的右邊，其中不合格品

放在工作臺(tái)下方的不合格品箱中，合格品放在待檢區(qū)，并且不能超過黃線，這

是為了防止檢查時(shí)進(jìn)行混合。

36、以全自動(dòng)探針臺(tái)為例，上片過程中，當(dāng)承重臺(tái)下降到指定位置時(shí)，（）。

A、紅色指示燈亮

B、紅色指示燈滅

C、綠色指示燈亮

D、綠色指示燈滅

答案：B

以全自動(dòng)探針臺(tái)為例，承重臺(tái)前的兩個(gè)按鈕指示燈：綠色表示上升，紅色

表示下降。承重臺(tái)下降到指定位置后，下降指示燈滅，即紅色指示燈滅。

37、芯片檢測工作流程()。

A、確定產(chǎn)品等級、研讀Spe確定機(jī)械手、確定測試機(jī)、設(shè)計(jì)測試DUT、

方案編程調(diào)試、批量驗(yàn)證

B、確定產(chǎn)品等級、研讀Spe確定機(jī)械手、設(shè)計(jì)測試DUT、確定測試機(jī)、

方案編程調(diào)試、批量驗(yàn)證

C、確定產(chǎn)品等級、方案編程調(diào)試、研讀Spe確定測試機(jī)、確定機(jī)械手、

設(shè)計(jì)測試DUT、批量驗(yàn)證

D、確定產(chǎn)品等級、研讀Spe確定測試機(jī)、確定機(jī)械手、設(shè)計(jì)測試DUT、

方案編程調(diào)試、批量驗(yàn)證

答案：D

38、芯片檢測工藝中，整批芯片完成外觀檢查后，需要進(jìn)入。環(huán)節(jié)。

A、編帶

B、上料

C、測試

D、真空包裝

答案：D

39、單晶硅生長完成后，需要進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)，其中四探針法可以測量單晶

硅的()參數(shù)。

A、電阻率

B、直徑

C、少數(shù)載流子壽命

D、導(dǎo)電類型

答案：A

40、下面選項(xiàng)中不屬于激光打字的優(yōu)點(diǎn)的是()o

A、精度高

B、字跡清晰

C、塑封體上易反復(fù)進(jìn)行

D、不易擦除

答案：C

略

41、在外檢時(shí)，發(fā)現(xiàn)晶圓周邊有指紋等印記時(shí)，用()進(jìn)行剔除。

A、打點(diǎn)器

B、油墨筆

C、鉛筆

D、鋼筆

答案：A

在外檢時(shí)，發(fā)現(xiàn)晶圓周邊有指紋等印記時(shí)，用油墨筆進(jìn)行剔除。

42、在AD軟件中，當(dāng)項(xiàng)目被編譯后，任何錯(cuò)誤都將顯示在（）o

A、Message面板

B、Debug面板

C、Navigator面板

D、Project面板

答案：A

43、｛平移式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測時(shí)，芯片在該區(qū)域的操作完成后會(huì)進(jìn)入（）

區(qū)域。｝

A、上料

B、待測

C、測試

D、分選

答案：D

該圖紅色所框區(qū)域有L字型的測壓手臂，為平移式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測工

藝的測試區(qū)域。測試完成后，會(huì)根據(jù)測試結(jié)果進(jìn)行分選。

44、對晶向?yàn)?英寸N型半導(dǎo)體材料來說，（）是作為放置第一步

的光刻圖形的掩膜版的依據(jù)。

A、主平面

B、次平面

C、兩個(gè)平面均可

D、定位槽

答案：A

晶向?yàn)?英寸N型半導(dǎo)體材料在定位時(shí)有兩個(gè)基準(zhǔn)面，主平面主要

用于硅片上芯片圖形的定位和機(jī)械加工的定位，即作為放置第一步的光刻圖形

的掩膜版的依據(jù)。

45、（）是指按照一定的方式將雜質(zhì)摻入到半導(dǎo)體等材料中，改變材料電

學(xué)性質(zhì)，達(dá)到形成半導(dǎo)體器件的目的。

A、光刻

B、摻雜

C、刻蝕

D、金屬化

答案：B

摻雜是指按照一定的方式將雜質(zhì)摻入到半導(dǎo)體等材料中，改變材料電學(xué)性

質(zhì)，達(dá)到形成半導(dǎo)體器件的目的。

46、封裝工藝中，在晶圓切割后的光檢中環(huán)節(jié)發(fā)現(xiàn)的不良廢品，需要做()

處理。

A、剔除

B、修復(fù)

C、標(biāo)記

D、降檔

答案：A

47、“對刀”操作時(shí)，點(diǎn)擊顯示屏上主菜單的()按鈕，使承載盤真空從

關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)為開啟狀態(tài)。

A、9角度調(diào)整

B、開始

C、WorkSet

D、ManualAlign

答案：C

點(diǎn)擊顯示屏上主菜單的“WorkSet"(設(shè)置)按鈕，使承載盤真空從關(guān)閉

狀態(tài)轉(zhuǎn)為開啟狀態(tài)。點(diǎn)擊顯示屏上的“ManualAlign”(手動(dòng)對位)按鈕，界

面跳轉(zhuǎn)到“切割道調(diào)整界面”。點(diǎn)擊“

48、在全自動(dòng)探針臺(tái)上進(jìn)行扎針調(diào)試時(shí)，若發(fā)現(xiàn)探針整體偏移，則對應(yīng)的

處理方式是：()。

A、利用搖桿微調(diào)扎針位置

B、相關(guān)技術(shù)人員手動(dòng)撥針，使探針移動(dòng)至相應(yīng)位置

C、更換探針測試卡D、調(diào)節(jié)扎針深度

答案：A

扎針調(diào)試時(shí)通過對焦圖檢查到針印整體偏移，需要用搖桿微調(diào)整體的扎針

位置。

49、清潔車間內(nèi)的墻面時(shí)要求使用()進(jìn)行清潔。

A、麻布

B、不掉屑餐巾紙

C、無塵布

D、棉

答案：C

一周擦一次墻面，清潔車間內(nèi)的墻時(shí)應(yīng)使用無塵布。無塵布由100%聚酯纖

維雙面編織而成，表面柔軟，易于擦拭敏感表面，摩擦不脫纖維，具有良好的

吸水性及清潔效率。

50、若遇到需要編帶的芯片，在測試完成后的操作是（）。

A、測試

B、上料

C、編帶

D、外觀檢查

答案：C

轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的操作步驟一般為：上料一測試一編帶一外觀檢查一真空包

裝。

51、晶圓進(jìn)行扎針測試時(shí)，測試機(jī)將測試結(jié)果通過（）傳輸給探針臺(tái)。

A、USD

B、GPIB

C、HDMI

D、VGA

答案：B

52、把塑封后的芯片放到溫度為175±5℃的高溫烘箱內(nèi)的作用是（）o

A、消除內(nèi)部應(yīng)力，保護(hù)芯片

B、測試產(chǎn)品耐高溫效果

C、改變塑封外形

D、剔除塑封虛封的產(chǎn)品

答案：A

注塑之后為了保護(hù)芯片，消除內(nèi)部的應(yīng)力，我們還需要把塑封后的芯片放

到溫度為175±5℃的高溫烘箱內(nèi)進(jìn)行高溫固化，一般需要8小時(shí)的固化時(shí)間。

53、當(dāng)測壓手臂未吸起芯片，經(jīng)檢查有芯片在入料梭上后，需按“（）”鍵

繼續(xù)吸取一次。

A、SKIP

B、RESTART

C、RETRY

D、STOP

答案：C

當(dāng)測壓手臂未吸起芯片，經(jīng)檢查有芯片在入料梭上后，需按“RETRY”鍵繼

續(xù)吸取一次。

54、完善的精儲(chǔ)技術(shù)可將雜質(zhì)總量降低到（）量級。

A、10-210-5

B、10-5^10-7

C、10-7^10-10

D、10-17^10-20

答案：C

提純四氯化硅通常使用精儲(chǔ)法。完善的精儲(chǔ)技術(shù)可將雜質(zhì)總量降低到10-

7~10-10量級。

55、低壓化學(xué)氣相淀積的英文縮寫是。。

A、APCVD

B、PECVD

C、LPCVD

D、HDPCVD

答案：C

APCVD是常壓化學(xué)氣相淀積；PECVD是等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積；

LPCVD是低壓化學(xué)氣相淀積；HDPCVD是高密度等離子體化學(xué)氣相淀積。

56、在使用JTink驅(qū)動(dòng)連接單片機(jī)是需在魔法棒按鈕的()中設(shè)置()o

A、Debug；地址范圍

B、Debug；工作頻率

C、Output；地址范圍

D、Output；工作頻率

答案：A

57、通常被用于深紫外光刻膠的準(zhǔn)分子激光器的光源材料是()。

A、KrF

B、F2

C、ArF

D、XeF

答案：A

通常被用于深紫外光刻膠的準(zhǔn)分子激光器的光源材料是氟化氟KrF。

58、SOP封裝的芯片一般采用()形式進(jìn)行包裝。

A、卷盤

B、編帶

C、料管

D、料盤

答案：B

SOP封裝因其體積小等特點(diǎn)，一般采用編帶包裝形式。

59、重力式分選機(jī)進(jìn)行自動(dòng)上料篩選，當(dāng)檢測到傳送帶上的料管放置不符

合要求時(shí)，下一步對料管的操作是（）。

A、拔出塞釘

B、進(jìn)入空管槽

C、進(jìn)入上料槽

D、放回上料區(qū)

答案：D

激光檢測到不符合要求的料管會(huì)重新放回上料區(qū)，等待下次篩選。

60、平移式分選機(jī)完成測試后，會(huì)進(jìn)入（）環(huán)節(jié)。

A、上料

B^分選

C、外觀檢查

D、真空包裝

答案：B

平移式分選機(jī)的操作步驟一般為：上料一測試一分選一外觀檢查一真空包

裝。

61、進(jìn)行芯片檢測工藝的芯片外觀檢查時(shí)，將工作臺(tái)整理干凈后，根據(jù)物

流提供的。到待檢查品貨架上領(lǐng)取待外檢的芯片。

A、芯片測試隨件單

B、晶圓測試隨件單

C、中轉(zhuǎn)箱號

D、芯片名稱

答案：C

62、在半自動(dòng)探針臺(tái)進(jìn)行扎針調(diào)試時(shí)，當(dāng)針尖懸于待測點(diǎn)上方，先調(diào)節(jié)（）

旋鈕。

A、X軸

B、Y軸

C、Z軸

D、X-Y-Z微調(diào)

答案：B

在半自動(dòng)探針臺(tái)上進(jìn)行扎針調(diào)試時(shí)，當(dāng)針尖懸于待測點(diǎn)上方，先用Y軸旋

鈕將探針退后少許，再用Z軸旋鈕下針，最后用X軸旋鈕。

63、管裝包裝時(shí)，將真空包裝的編帶盤放入內(nèi)盒、合上蓋子后，需要在內(nèi)

盒的封口邊（）處貼上“合格”標(biāo)簽。

A、左側(cè)

B、右側(cè)

C、中央

D、任意位置

答案：C

管裝包裝時(shí)，將真空包裝的編帶盤放入內(nèi)盒、合上蓋子后，需要在內(nèi)盒的

封口邊中央處貼上“合格”標(biāo)簽。

64、解決鋁尖刺的方法有。。

A、在合金化的鋁中適當(dāng)?shù)靥砑鱼~

B、采用三層夾心結(jié)構(gòu)

C、在合金化的鋁中適當(dāng)?shù)靥砑庸?/p>

D、采用“竹節(jié)狀”結(jié)構(gòu)

答案：C

解決鋁尖刺的方法有在合金化的鋁中適當(dāng)?shù)靥砑庸琛?/p>

65、下列有關(guān)平移式分選機(jī)描述錯(cuò)誤的是（）。

A、平移式分選機(jī)是采用測壓手臂下壓的壓測方式進(jìn)行的

B、通過入料梭移動(dòng)將芯片從待測區(qū)“中轉(zhuǎn)站”轉(zhuǎn)移至測試區(qū)，等待測壓

手臂吸取芯片進(jìn)行測試。

C、收料時(shí)，為了確保料盤能平穩(wěn)地放入，需要將收料架上的料盤向下壓

緊

D、測試機(jī)通過GPIB將測試結(jié)果反饋給分選機(jī)，在分選機(jī)的顯示界面顯示

測試結(jié)果并記錄

答案：C

66、一般來說，（）封裝形式會(huì)采用平移式分選機(jī)進(jìn)行測試。

A、LGA/TO

B、LGA/SOP

C、DIP/SOP

D、QFP/QFN

答案：D

一般來說，LGA/TO會(huì)采用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測試，DIP/SOP會(huì)采用重力式

分選機(jī)進(jìn)行測試，QFP/QFN會(huì)采用平移式分選機(jī)進(jìn)行測試。

67、關(guān)于全自動(dòng)探針臺(tái)扎針調(diào)試的步驟，下列說法正確的是：（）o

A、輸入晶圓信息一調(diào)出檢測MAP圖一自動(dòng)對焦一扎針調(diào)試

B、輸入晶圓信息一自動(dòng)對焦一調(diào)出檢測MAP圖一扎針調(diào)試

C、輸入晶圓信息一自動(dòng)對焦一扎針調(diào)試一調(diào)出檢測MAP圖

D、輸入晶圓信息一調(diào)出檢測MAP圖一扎針調(diào)試一自動(dòng)對焦

答案：B

全自動(dòng)探針臺(tái)扎針調(diào)試步驟：輸入晶圓信息一自動(dòng)對焦一調(diào)出檢測MAP圖

一扎針調(diào)試。

68、有關(guān)開路測試不正確的是（）。

A、管腳正常連接：pinl和地之間會(huì)存在一個(gè)壓差，其大小為pinl與地

之間的ESD二極管的導(dǎo)通壓降，大約在0.6~0.7V左右。如果改變電壓方向，VI

電壓的測量結(jié)果大約為-0.6~-0.7V左右

B、管腳出現(xiàn)開路：ESD二極管被斷開，pinl和地之間的電阻會(huì)無限大，

在管腳施加負(fù)電流時(shí)，VI的電壓會(huì)無限?。ㄘ?fù)壓）。在實(shí)際情況中，電壓會(huì)受

測試源本身存在的鉗位電壓，或者受電壓量程擋位限制達(dá)到一個(gè)極限值

C、管腳出現(xiàn)短路：ESD二極管被短路，pinl和地之間的電阻接近為0歐

姆，此時(shí)不管施加多少電流，VI都接近于0V

D、測量Pinl和VDD之間的通斷情況，則可以將VDD通過測試源加到0V,

利用12電流和二極管D2的正向?qū)▔航颠M(jìn)行測量和判斷。此時(shí)12的電流方向

和II的電流方向相同，此時(shí)VI的電壓為正電壓

答案：D

69、芯片封裝工藝中，下列選項(xiàng)中的工序均屬于前段工藝的是（）。

A、晶圓切割、引線鍵合、塑封、激光打字

B、晶圓貼膜、芯片粘接、激光打字、去飛邊

C、晶圓貼膜、晶圓切割、芯片粘接、引線鍵合

D、晶圓切割、芯片粘接、塑封、去飛邊

答案：C

封裝工藝流程中前段工藝包括晶圓貼膜、晶圓切割、芯片粘接以及引線鍵

合，后段工藝則包括塑封、激光打字、去飛邊、電鍍以及切筋成型。

70、重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測時(shí)，上料的第一步是（）。

A、設(shè)置參數(shù)

B、吸取芯片

C、裝料

D、上料夾具夾持

答案：C

裝料是上料的第一步。裝料是將待測料管放入上料槽內(nèi)。裝料完成后由上

料夾具夾持上料。

71、通常一個(gè)花籃中最多裝（）片晶圓。

A、15

B、20

C、25

D、30

答案：C

72、轉(zhuǎn)塔式芯片檢測前需要進(jìn)行參數(shù)設(shè)置，其中設(shè)置動(dòng)作延時(shí)的時(shí)間是為

了（）。

A、確保所有環(huán)節(jié)的測試能夠完整進(jìn)行

B、配合并行測試的速率

C、防止卷盤上編帶兩端在操作過程中出現(xiàn)封口分離的情況

D、準(zhǔn)備對應(yīng)的測試卡

答案：A

轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備在芯片檢測前需要進(jìn)行參數(shù)設(shè)置，其中設(shè)置動(dòng)作延時(shí)的

時(shí)間是為了確保所有環(huán)節(jié)的測試能夠完整進(jìn)行。

73、使用重力式分選機(jī)進(jìn)行模塊電路的串行測試時(shí)，假設(shè)A,B軌道測試合

格，C軌道測試不合格，芯片移動(dòng)的路線是（）O

A、A測試軌道一分選梭1-B測試軌道f分選梭2-C測試軌道一分選梭

3~D合格軌道~分選梭4一不良品料管；

B、A測試軌道一分選梭1-B測試軌道~分選梭2-C不合格軌道一分選

梭3-D不合格軌道一分選梭4f不良品料管；

C、A測試軌道一分選梭1-B測試軌道一分選梭2-C不合格軌道f分選

梭3-D不合格軌道一分選梭4f不良品料管

D、A測試軌道一分選梭1-B測試軌道f分選梭2-C測試軌道f分選梭

3->D不合格軌道一分選梭4f不良品料管

答案：D

74、墨點(diǎn)打點(diǎn)的位置是在（）的中央。

A、PAD點(diǎn)

B、晶粒

C、晶圓

D、切割通道

答案：B

打點(diǎn)時(shí)，合格的墨點(diǎn)必須控制在管芯面積的1/4、1/3大小，且墨點(diǎn)不能覆

蓋PAD點(diǎn)。管芯是指在集成電路中制造集成塊所用的晶粒。

75、在晶圓盒內(nèi)壁放一圈海綿的目的是（）。

A、防止晶圓包裝盒和晶圓直接接觸

B、防止晶圓之間的接觸

C、防止晶圓在搬運(yùn)過程中發(fā)生移動(dòng)

D、美觀

答案：A

在晶圓盒內(nèi)壁放一圈海綿是為了防止晶圓盒和晶圓接觸。

76、主控有較多的選擇空間，這里主要考慮檢測方案是（）o

A、是否需要A/D轉(zhuǎn)換

B、工作頻率高低

C、能耗大小

D、輸入、輸出數(shù)量

答案：A

77、使用重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測，當(dāng)遇到料管卡料時(shí)，設(shè)備會(huì)（）。

A、繼續(xù)操作

B、會(huì)自動(dòng)處理

C、停止運(yùn)行并報(bào)警

D、只進(jìn)行報(bào)警

答案：C

重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測時(shí)，如果遇到料管滿管或者卡料時(shí)，會(huì)出現(xiàn)設(shè)

備自動(dòng)停測并報(bào)警提示。

78、晶圓切割的作用是。。

A、對晶圓邊緣進(jìn)行修正

B、將完整的晶圓分割成單獨(dú)的晶粒

C、在完整的晶圓上劃出切割道的痕跡，方便后續(xù)晶粒的分離

D、切除電氣性能不良的晶粒

答案：B

晶圓切割將整片晶圓切割成一顆顆獨(dú)立的晶粒，用于后續(xù)集成電路的制造。

79、｛以串行測試為例，假設(shè)A,B軌道測試合格，C軌道測試不合格，芯片

移動(dòng)的路線是（）。｝

A、A測試軌道一分選梭1-B測試軌道一分選梭2fC測試軌道f分選梭

3->D合格軌道分選梭4f不良品料管；

B、A測試軌道一分選梭1-B測試軌道一分選梭2-C不合格軌道一分選

梭3-D不合格軌道一分選梭4f不良品料管；

C、A測試軌道一分選梭1-B測試軌道一分選梭2-C不合格軌道一分選

梭3-D不合格軌道一分選梭4f不良品料管

D、A測試軌道分選梭1-B測試軌道一分選梭2-C測試軌道一分選梭

3-D不合格軌道f分選梭4f不良品料管

答案：D

重力式分選機(jī)進(jìn)行串行測試時(shí)，A,B軌道測試合格，C軌道測試不合格，芯

片移動(dòng)的路線是：分選梭1將A軌道測試合格的芯片送入B測試軌道，B軌道

測試合格后，分選梭2將芯片送人C測試軌道，C軌道測試不合格后，分選梭3

將芯片送入D不合格軌道，分選梭4將芯片放入不良品料管中。

80、金屬鋁在集成電路中通常用于。。

A、填充塞

B、金屬連線

C、阻擋層

D、焊接層

答案：A

金屬鴇在集成電路中通常用于鴇填充塞。

81、LK32Tl02單片機(jī)內(nèi)部有一個(gè)()ADC。

A、8位

B、12位

C、18位

D、24位

答案：B

82、避光測試是通過顯微鏡觀察到待測點(diǎn)位置、完成扎針位置的調(diào)試后，

用()遮擋住晶圓四周，完全避光后再進(jìn)行測試。

A、氣泡膜

B、不透明袋

C、黑布

D、白布

答案：C

83、裝有晶圓的花籃需要放在氮?dú)夤裰袃?chǔ)存的主要目的是。。

A、防氧化

B、合理利用生產(chǎn)車間的空間

C、作為生產(chǎn)工藝的中轉(zhuǎn)站

D、防塵

答案：A

84、晶圓檢測工藝中，進(jìn)行晶圓烘烤時(shí)，溫度一般設(shè)置在。°C。

A、110

B、120

C、130

D、150

答案：B

85、下列選項(xiàng)中不屬于“5s”管理要求的是（）o

A、培訓(xùn)

B、清掃

C、整理

D、素養(yǎng)

答案：A

〃5S管理起源于日本，是指在生產(chǎn)現(xiàn)場對人員、機(jī)器、材料、方法等生產(chǎn)

要素進(jìn)行有效管理的一種管理方式。5s即整理（SEIRI）、整頓（SEITON）、

清掃（SEISO）、清潔（SEIKETSU）、素養(yǎng)（SHITSUKE）,因?yàn)檫@5個(gè)詞日語中

羅馬拼音的第一個(gè)字母都是"S",所以簡稱為"5S"。"

86、請根據(jù)下列圖片判斷哪幅圖片是合格針跡？（）

A、圖片

B、圖片

C、圖片

D、圖片

答案：A

87、以立式氧化擴(kuò)散爐為例，以下氧化擴(kuò)散方式正確的是（）。①產(chǎn)品放

置完成后在電腦終端輸入控制片ID。②在電腦終端輸入操作設(shè)備ID、硅片批

號等。③放置硅片盒后，在設(shè)備上確認(rèn)硅片批號等信息后按下確認(rèn)按鈕。④

將一定數(shù)量的硅片盒放在立式氧化擴(kuò)散爐設(shè)備的loader窗口，確認(rèn)放好后按下

按鈕進(jìn)行操作。⑤等待設(shè)備傳片，傳完片后石英舟上升進(jìn)入爐管。⑥按同樣

的方法將控制片放置在氧化爐窗口。⑦等待工藝完成后，設(shè)備傳片結(jié)束，此時(shí)

設(shè)備黃燈閃爍。

A、②④③①⑥⑤⑦

B、②①④③⑥⑤⑦

C、②④⑥③①⑤⑦

D、②⑥⑤④③①⑦

答案：A

88、下列關(guān)于平移式分選機(jī)描述錯(cuò)誤的是（）。

A、傳送帶將料架上層的料盤輸送至待測區(qū)料盤放置的指定區(qū)域

B、料盤輸送到待測區(qū)的指定位置后，吸嘴從料盤上真空吸取芯片，然后

轉(zhuǎn)移至“中轉(zhuǎn)站”

C、等待芯片傳輸裝置移動(dòng)到“中轉(zhuǎn)站”接收芯片并將芯片轉(zhuǎn)移至測試區(qū)

D、當(dāng)待測區(qū)料盤上的芯片全部轉(zhuǎn)移后，需要更換料盤，繼續(xù)進(jìn)行上料

答案：A

89、下列說法錯(cuò)誤的是（）o

A^在cadence軟件界面上，單擊Tools菜單，選擇LibraryManager命

令，出現(xiàn)“庫文件管理器”

B、用戶可以在庫文件里新建單元，但不能在新建的單元下新建視圖

C、選擇Tool選項(xiàng)中的Composer-Schematic選項(xiàng)，表示在單元下建立電

路圖視圖

D、在電路編輯窗口中，利用圖標(biāo)欄可以快速建立、編輯電路圖

答案：B

90、編帶過程中，在進(jìn)行熱封處理后，需要進(jìn)行（）環(huán)節(jié)。

A、芯片放入載帶

B、密封

C、編帶收料

D、光檢

答案：C

轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行編帶的步驟是：芯片光檢一載帶移動(dòng)一熱封處理一編帶

收料一清料。

91、在淀積時(shí)，反應(yīng)氣體的多少會(huì)影響淀積的速率及均勻性，因此需嚴(yán)格

控制氣體流量，通常采用（）來實(shí)現(xiàn)精確控制。

A、質(zhì)量流量計(jì)

B、氣體流量計(jì)

C、液體流量計(jì)

D、電磁流量計(jì)

答案：A

92、下列語句的含義是（）。

A、->OUT&=0X00FF

B、->OUT|=0X0F00

C、GPIOB低八位端口，高四位為低，低四位為高

D、GPI0B低八位端口，高四位為高，低四位為低

E、GPIOB高八位端口，高四位為低，低四位為高

F、GPIOB高八位端口，高四位為高，低四位為低

答案：C

93、在扎針測試時(shí)，如果遇到需要加溫的晶圓，對晶圓的加溫是（）。

A、在扎針調(diào)試之前

B、在扎針調(diào)試之后

C、在扎針調(diào)試過程中

D、在扎針調(diào)試前后都可以

答案：A

94、在原理圖編輯器內(nèi)，用鼠標(biāo)左鍵選擇每一個(gè)元件，當(dāng)選中一個(gè)元件時(shí),

在對話框的右邊的封裝管理編輯框內(nèi)設(shè)計(jì)者可以。當(dāng)前選中元件的封裝。

A、添加、刪除

B、添加、刪除、復(fù)制

C、添加、刪除、編輯

D、添加、刪除、復(fù)制、編輯

答案：C

95、激光打標(biāo)文本內(nèi)容和格式設(shè)置好之后，需要（）。

A、選擇打標(biāo)文檔

B、點(diǎn)擊保存按鈕

C、點(diǎn)擊開始打標(biāo)按鈕

D、調(diào)整光具位置

答案：B

打標(biāo)文本內(nèi)容編輯好后點(diǎn)擊“保存”即可，然后開始調(diào)整光具位置準(zhǔn)備打

標(biāo)。

96、封裝工藝中，。工序后的合格品進(jìn)入塑封工序。

A、引線鍵合

B、第二道光檢

C、芯片粘接

D、第三道光檢

答案：D

97、扎針測試的步驟是：（）。

A、輸入晶圓信息一測試f清零一檢查扎針情況（有異常）一異常情況處

理~繼續(xù)測試一記錄測試結(jié)果

B、輸入晶圓信息一測試一檢查扎針情況（有異常）一異常情況處理一清

零一繼續(xù)測試一記錄測試結(jié)果

C、輸入晶圓信息一檢查扎針情況（無異常）一測試一清零一繼續(xù)測試一

記錄測試結(jié)果

D、輸入晶圓信息一清零一測試一檢查扎針情況（無異常）一繼續(xù)測試一

記錄測試結(jié)果

答案：D

扎針測試時(shí)，在界面輸入晶圓信息并進(jìn)行核對，核對信息一致后需要進(jìn)行

清零，清零是為了保證晶圓的零點(diǎn)與檢測MAP圖上的零點(diǎn)位置一致，防止出現(xiàn)

探針未按照設(shè)定運(yùn)行軌跡進(jìn)行扎針測試的現(xiàn)象。確認(rèn)清零后，點(diǎn)擊開始按鈕進(jìn)

行扎針測試。當(dāng)測至500顆左右時(shí)需檢查扎針情況，若無異常則繼續(xù)進(jìn)行測試,

測試完成后記錄測試結(jié)果，若有異常則需要進(jìn)行相應(yīng)處理后再繼續(xù)測試。

98、在AltiumDesigner軟件中完成電路設(shè)計(jì)之后，為了驗(yàn)證所布線的電

路板是符合設(shè)計(jì)規(guī)則的，現(xiàn)在設(shè)計(jì)者要運(yùn)行（）。

A、BoardLayers&Colors

B、DesignRuleCheck

C、ProjectOutputsforMultivibrator

D、PCBRulesandconstraintsEditor

答案：B

99、封裝工藝中，芯片粘接工序中，完成點(diǎn)銀漿以后進(jìn)入（）步驟。

A、框架上料

B、芯片拾取

C、框架收料

D、銀漿固化

答案：B

100、重力式外觀檢查是在（）環(huán)節(jié)之前進(jìn)行的。

A、編帶

B、測試

C、分選

D、真空包裝

答案：D

重力式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測工藝流程：上料一測試一分選一編帶（SOP）一

外觀檢查一真空包裝。

101、模塊電路外觀檢查時(shí)