MOSFET特性參數(shù)EAS的解析

MOSFE特性參數(shù)Eas的解析、Eks與Ekr的定義Avalanche巳nergy,singlepulseEas--036mJ/D=5.2AVDD=50V(seetable21)Avalancheenergy,repetitiveEar■■096/o=5,2AVdd-50VEas單脈沖雪崩擊穿能量，Eas標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。如果電壓過(guò)沖值（通常由于漏電流和雜散電感造成）未超過(guò)擊穿電壓，則器件不會(huì)發(fā)生雪崩擊穿， 因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。雪崩擊穿能量標(biāo)定了器件可以容忍的瞬時(shí)過(guò)沖電壓的安全值，其依賴(lài)于雪崩擊穿需要消散的能量。Ear重復(fù)雪崩能量，標(biāo)定了器件所能承受的反復(fù)雪崩擊穿能量。二、如何通過(guò)測(cè)試波形判斷是否發(fā)生雪崩（a）尸5C史形上圖（a）開(kāi)關(guān)電源中的雪崩工作波形。在MOSFET截止時(shí)約有300V的沖擊電壓加在漏極和源極之間，并出現(xiàn)振鈴。上圖（b）對(duì)時(shí)間軸進(jìn)行了放大，由圖可以清楚的看出由于柵極電壓下降，管子截止， Id減小的同時(shí)Vds升高并在295V處Vds電壓波形出現(xiàn)平頂（鉗位）。這種電壓被鉗位的現(xiàn)象即是雪崩狀態(tài)，1所示為開(kāi)所以當(dāng)功率MOSFET發(fā)生雪崩時(shí)，漏源極電壓幅值會(huì)被鉗位至有效擊穿電壓的水平。圖關(guān)電源中典型的雪崩波形。源漏電壓（CH3被鉗制在1kV，并能看到經(jīng)整流的電流（1所示為開(kāi).2V.2VDC5VOCft \KiA?vDC I一■ 30[:flMHMW[]SVoc LISTOPPCOi圖圖1器件擊穿，800V額定值MOSFETVds鉗位—VD50：Vds鉗位—VD50：—VG￡（r反激變換器中典型的雪崩情況三、如何計(jì)算雪崩能量■單個(gè)脈沖雪崩能量l==i1廠 『BR■厶LSR1■單個(gè)脈沖雪崩能量l==i1廠 『BR■厶LSR1.DXBI，口55L:磁性元件提供雪崩能雖■重復(fù)雪崩雪萌事件.IR四、在什么的應(yīng)用條件下要考慮雪崩能量對(duì)于那些在MOSFE的D和S極產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對(duì)于反激的應(yīng)用， MOSFE關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會(huì)降額，從而留有足夠的電壓余量。但是，一些電源在輸出短路時(shí)，初級(jí)中會(huì)產(chǎn)生較大的電流，加上初級(jí)電感，器件就會(huì)有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載，而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生極大的沖擊電流，因此也要

考慮器件的雪崩能量。五、雪崩擊穿（EAS/EAR的保護(hù)Vl$w如上圖所示，可在變壓器（感性負(fù)載）兩端并接 RCD吸收回路，以降低反向尖峰電壓，避免出現(xiàn)雪崩擊穿現(xiàn)象；串聯(lián)柵極電阻，并設(shè)置為合適值，以抑制 dv/dt，增加關(guān)斷時(shí)間，從而抑制反向尖峰電壓，但是這又會(huì)增加關(guān)斷損耗，所以柵極電阻