HBM產(chǎn)業(yè)鏈專(zhuān)題報(bào)告匯報(bào)：國(guó)內(nèi)AI發(fā)展勝負(fù)手國(guó)產(chǎn)化迫在眉睫-華源證券

行業(yè)評(píng)級(jí)：看好（首次）--HBM產(chǎn)業(yè)鏈專(zhuān)題報(bào)告匯報(bào)請(qǐng)務(wù)必仔細(xì)閱讀正文之后的評(píng)級(jí)說(shuō)明和重要聲明nHBM是AI時(shí)代的必備品，重要性不亞于GPU/TPU，目前行業(yè)空間正快速增長(zhǎng)。AI的發(fā)展對(duì)數(shù)據(jù)的處理速度、存儲(chǔ)容量、能源效率都提出了更高的要求。HBM相比傳統(tǒng)采用DRAM的方式，具有高帶寬、高容量、低功耗和小尺寸四大優(yōu)勢(shì)，是AI時(shí)代不可或缺的產(chǎn)品，已逐步成為AI加速卡（GPU、TPU等）的搭載標(biāo)配，價(jià)值量占比最高且仍在進(jìn)一步提升，重要性不亞于GPU/TPU。根據(jù)TrendForce，基于三星、海力士和美光的出貨口徑，2023年全球HBM產(chǎn)業(yè)收入為43.5億美元，預(yù)計(jì)2024年快速增長(zhǎng)至183億美元，同比漲幅超過(guò)300%，2025年漲幅預(yù)計(jì)仍將超過(guò)100%，市場(chǎng)空間呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)。n目前HBM國(guó)產(chǎn)化率幾乎為0，國(guó)產(chǎn)替代加速為板塊帶來(lái)戴維斯雙擊機(jī)會(huì)。相較GPU/TPU國(guó)產(chǎn)替代的關(guān)注度而言，市場(chǎng)對(duì)HBM的認(rèn)知有所不足。目前，雖然美國(guó)禁止英偉達(dá)和AMD向中國(guó)出售高端GPU，但我國(guó)仍有一批優(yōu)秀的企業(yè)正積極研發(fā)并已順利量產(chǎn)出具有一定競(jìng)爭(zhēng)力的GPU/TPU產(chǎn)品；而在HBM領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)受制于DRAM和先進(jìn)封裝量產(chǎn)工藝，國(guó)產(chǎn)化率幾乎為0，國(guó)內(nèi)企業(yè)尚無(wú)大規(guī)模量產(chǎn)產(chǎn)品，HBM生產(chǎn)目前仍由海外三大家（三星、海力士和美光）壟斷，一旦產(chǎn)品無(wú)法購(gòu)買(mǎi)，勢(shì)必將影響到我國(guó)AI服務(wù)器的搭建乃至整個(gè)AI的發(fā)展。我們判斷，隨著特朗普上臺(tái)后制裁擔(dān)憂(yōu)升級(jí)，HBM國(guó)產(chǎn)化有望提速，板塊或迎來(lái)戴維斯雙擊。n國(guó)產(chǎn)替代任重道遠(yuǎn)，未來(lái)機(jī)會(huì)和壓力同在。HBM生產(chǎn)需同時(shí)具備DRAM生產(chǎn)和先進(jìn)封裝工藝（核心工藝包括TSV、microbumping和堆疊鍵合技術(shù)）的產(chǎn)業(yè)化能力，目前國(guó)內(nèi)部分企業(yè)雖有一定的DRAM和先進(jìn)封裝技術(shù)基礎(chǔ)，但掌握的DRAM工藝制程明顯落后于國(guó)際水平，且在DRAM上應(yīng)用TSV、micro-bumping和堆疊鍵合等先進(jìn)封裝工藝的經(jīng)驗(yàn)有所不足。未來(lái)機(jī)會(huì)和壓力同在。2n我國(guó)擁有一批優(yōu)秀的HBM產(chǎn)業(yè)鏈（潛在）供應(yīng)商，在AI浪潮及國(guó)產(chǎn)替代共振下，有望乘勢(shì)而起，建議設(shè)備端（機(jī)械建議關(guān)注賽騰股份、精智達(dá)、芯源微、華海清科、中微公司、拓荊科技、北方華創(chuàng)、盛美上海、新益昌材料端：建議關(guān)注聯(lián)瑞新材、華海誠(chéng)科、雅克科技、強(qiáng)力新材封測(cè)端：建議關(guān)注通富微電、佰維存儲(chǔ)、長(zhǎng)電科技、晶方科技n風(fēng)險(xiǎn)提示：良率風(fēng)險(xiǎn)，AI發(fā)展不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)，中美競(jìng)爭(zhēng)風(fēng)險(xiǎn)。生產(chǎn)良率不及預(yù)期：在生產(chǎn)過(guò)程中，工藝、設(shè)備調(diào)試等可能會(huì)影響產(chǎn)品良率，若良率小于40%，將會(huì)難以實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。國(guó)內(nèi)AI發(fā)展不及預(yù)期：算力模型落地應(yīng)用場(chǎng)景目前仍不明朗，若國(guó)內(nèi)AI發(fā)展低于預(yù)期，對(duì)HBM的未來(lái)需求將會(huì)有一定的負(fù)面影響。中美競(jìng)爭(zhēng)加?。喝裘绹?guó)加強(qiáng)對(duì)國(guó)內(nèi)HBM相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備限制，將可能會(huì)延遲國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)HBM自供的進(jìn)程。3nHBM可滿(mǎn)足AI的高帶寬需求，已逐步成為AI加速卡（GPU、TPU等）的搭載標(biāo)nHBM當(dāng)前國(guó)產(chǎn)化率幾乎為0，國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊n特朗普上臺(tái)后制裁擔(dān)憂(yōu)升級(jí)，HBM國(guó)產(chǎn)化有望提速，板塊或迎來(lái)戴維斯雙擊公司加速卡B300,GB300,B300A,GB300AVersalTPUAIAI加速卡物料清單成本占比4n存儲(chǔ)器占半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模的25%以上。半導(dǎo)體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，根據(jù)功能的不同，集成電路又可以分為邏輯電路、存儲(chǔ)器、模擬電路、微處理器等細(xì)分領(lǐng)域。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)（WSTS）對(duì)世界半導(dǎo)體貿(mào)易規(guī)模的最新報(bào)告預(yù)測(cè)，2024年全球半導(dǎo)體行業(yè)的整體規(guī)模將達(dá)到6112.31億美元，同比增長(zhǎng)16.0%。其中存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模1631.53億美元，是半導(dǎo)體中第二大的子行業(yè)，僅次于邏輯電路，占比超過(guò)1/4。2024年半導(dǎo)體行業(yè)全球市場(chǎng)結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)2013-2025全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)（億美元）6n半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是指利用磁性材料或半導(dǎo)體等材料作為介質(zhì)進(jìn)行信息存儲(chǔ)的器件，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器利用半導(dǎo)體介質(zhì)貯存電荷以實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)，存儲(chǔ)與讀取過(guò)程體現(xiàn)為電荷的貯存或釋放。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照是否需要持續(xù)通電以維持?jǐn)?shù)據(jù)分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。易失存儲(chǔ)芯片主要包含靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）和動(dòng)除可編程只讀寄存器（EPROM/EEPROM）等。合計(jì)占整個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)比例達(dá)到95%以上。2023年存儲(chǔ)芯片全球市場(chǎng)結(jié)構(gòu)7n2024年NANDFlash市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)為656.1億美元。NANDFlash是非易失性存儲(chǔ)的一種，相較于其他非易失性存儲(chǔ)產(chǎn)品，NANDFlash具有存儲(chǔ)容量大、讀寫(xiě)速度快、功耗低、單位成本低等特點(diǎn)，主要應(yīng)用于有大容量存儲(chǔ)需求的電子設(shè)備。據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，2024年NANDFlash市場(chǎng)規(guī)模為656.1億美元。nNANDFlash市場(chǎng)集中度很高，CR5達(dá)95%以上。目前全球具備N(xiāo)ANDFlash晶圓生產(chǎn)能力的主要有三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士、英特爾等企業(yè)，國(guó)產(chǎn)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)處于起步狀態(tài)，正在市場(chǎng)份額與技術(shù)上奮起直追。根據(jù)TrendForce，截止2024年6月，五大NANDFlash晶圓廠占據(jù)了95%以上的市場(chǎng)份額。nNANDFlash下游需求以固態(tài)硬盤(pán)和手機(jī)為主。隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、5G等新興應(yīng)用場(chǎng)景不斷落地，電子設(shè)備需要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)也越來(lái)越龐大，NANDFlash需求量龐大，市場(chǎng)前景廣闊。根據(jù)Gartner，2020年NANDFlash下游固態(tài)硬盤(pán)占8n2024年DRAM市場(chǎng)規(guī)模約780億美元。DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，相較于SRAM，DRAM的特征是讀寫(xiě)速度快、延遲低，但掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，常用于計(jì)算系統(tǒng)的運(yùn)行內(nèi)存。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，2024年DRAM整體市場(chǎng)規(guī)模約為780億美元。nDRAM市場(chǎng)集中度很高，CR3達(dá)95%以上。目前DRAM晶圓的市場(chǎng)供應(yīng)主要集中在三星、海力士和美光。截止2024年6月三大廠商市場(chǎng)占有率合計(jì)已超過(guò)95%，其中三星市場(chǎng)占有率42.9%。國(guó)內(nèi)DRAM晶圓廠商主要為合肥長(zhǎng)鑫，目前尚處于起步階nDRAM下游需求以移動(dòng)設(shè)備和服務(wù)器為主。根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，DRAM下游需求市場(chǎng)格局較為穩(wěn)定，2023年移動(dòng)設(shè)備占比最高達(dá)37.6%，服務(wù)器次之，占比達(dá)36%。9nHBM屬于DRAM中GDDR的一種。DRAM按照產(chǎn)品分類(lèi)分為傳統(tǒng)型（Legacy/SDR）DRAM、DDR、LPDDR和GDDR，其中DDR/LPDDR為DRAM目前應(yīng)用最廣的類(lèi)型，兩者合計(jì)占DRAM比例穩(wěn)定維持在90%左右，其特點(diǎn)分別如下：（2）DDR在時(shí)鐘上升沿和下降沿都可以讀取數(shù)據(jù)，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，主要應(yīng)用在個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器上，預(yù)計(jì)未來(lái)DDR5滲透率會(huì)逐步提高；是一種基于3D堆棧工藝的高性能半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，具備高帶寬和能效，常被用于高性能計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備等需要高存儲(chǔ)器帶寬的應(yīng)用場(chǎng)合。作為全新一代的CPU/GPU內(nèi)存芯片，HBM本質(zhì)上是基于2.5/3D先進(jìn)封裝技術(shù)，把多塊DRAM堆疊起來(lái)后與GPU芯片封裝在一起，實(shí)現(xiàn)大容量、高位寬的DDR組合陣列。nHBM產(chǎn)業(yè)鏈涵蓋上游的材料和設(shè)備廠商，中游的IDM廠商，下游的CPU/GPU/TPU等廠商。上游設(shè)備商主要提供生產(chǎn)HBM所需的原材料和設(shè)備，如硅晶圓、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等，參與廠商包括應(yīng)用材料、泛林、法國(guó)液化空氣、科磊等。中游制造商則負(fù)責(zé)將原材料加工成HBM芯片，包括晶圓制造、切割、封裝等環(huán)節(jié)，參與廠商為三星、海力士和美光等。下游則主要是HBM芯片的應(yīng)用領(lǐng)域，如數(shù)據(jù)中心、AI芯片、固態(tài)硬盤(pán)等，參與廠商包括英偉達(dá)、AMD和谷歌等。nHBM技術(shù)相較于傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)，具有高帶寬、高容量、低功耗和小尺寸四大優(yōu)勢(shì)：（1）高帶寬：由于采用了串行接口和優(yōu)化的信號(hào)傳輸技術(shù)，HBM能夠提供遠(yuǎn)超傳統(tǒng)DRAM的帶寬，滿(mǎn)足高性能計(jì)算的需求。（2）高容量：通過(guò)3D堆疊技術(shù)，HBM在相同的芯片面積內(nèi)可以集成更多的DRAM層，從而提供更大的內(nèi)存容量。（3）低功耗：HBM的垂直堆疊結(jié)構(gòu)減少了數(shù)據(jù)傳輸?shù)木嚯x，從而降低了功耗；同時(shí)，TSV技術(shù)的應(yīng)用也有助于減少功耗。（4）小尺寸：HBM的3D堆疊設(shè)計(jì)使得內(nèi)存模塊的尺寸大大減小，有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。），nHBM最大的特點(diǎn)是高帶寬。HBM的I/O速率雖然慢于傳統(tǒng)GDDR，但其接口有1024個(gè)數(shù)據(jù)“線”，遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)GDDR的32條數(shù)據(jù)線，通過(guò)極寬的接口方式實(shí)現(xiàn)了更高的帶寬。資料來(lái)源：EEPW，華源證券研究n2024年HBM市場(chǎng)空間將近200億美元，呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù)TrendForce，按照三星、海力士、美光的出貨情況看，2023年全球HBM產(chǎn)業(yè)收入達(dá)43.5億美元，預(yù)計(jì)2024年快速增長(zhǎng)至183億美元，同比漲幅超過(guò)300%，主要系銷(xiāo)量增長(zhǎng)200%以上以及產(chǎn)品均價(jià)小幅提升。2025年預(yù)計(jì)漲幅仍超過(guò)100%，呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。n隨著AI的快速發(fā)展，HBM的用量大幅提升。根據(jù)TrendForce，2023年全球AI芯片所需要的HBM達(dá)19.2億Gb，而預(yù)計(jì)2024年n隨著高代際HBM產(chǎn)品比例不斷提升，HBM出貨均價(jià)呈現(xiàn)上升態(tài)勢(shì)。根據(jù)TrendForce，2023年HBM3及以上代際產(chǎn)品出貨量合計(jì)約45%，2024年預(yù)計(jì)提升至82%左右，高代際產(chǎn)品占比提升。根據(jù)TrendForce，2024年HBM2、2E、3、3E（代際由低到高）價(jià)格分別為1.55、1.29、1.38、1.71美元/Gb。隨著高代際產(chǎn)品比例提升，整體HBM出貨均價(jià)呈現(xiàn)逐步增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，預(yù)nHBM市場(chǎng)由海力士、三星、美光壟斷，其中海力士份額最高。根據(jù)TrendForce，2022年，SK海力士占據(jù)HBM內(nèi)存市場(chǎng)50%的份額，三星占40%，美光占10%。2023和2024年間，三星和SK海力士將繼續(xù)主導(dǎo)市場(chǎng)，兩家公司的份額幾乎相同，合計(jì)約為95%，美光的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將在4%至7%之間徘徊。目前看，未來(lái)還是以三大家為主，因三星和美光的全力追趕，海力士的份額有所回落但依舊保持領(lǐng)先地位。預(yù)計(jì)2025年，三星、海力士和美光市場(chǎng)份額將分別為42%、45%和13%。HBM產(chǎn)品；2018年，海力士發(fā)布第二代HBM產(chǎn)品HBM2，關(guān)鍵改進(jìn)是偽通道模式、用于通道的硬修復(fù)和軟修復(fù)的通道重新映射模式、防過(guò)熱保護(hù)等，數(shù)據(jù)速率和能耗均有所改善；2020年，海力士發(fā)布第三代產(chǎn)品HBM2E是HBM2的擴(kuò)展版本，與HBM2相比，HBM2E具有技術(shù)更先進(jìn)、應(yīng)用范圍更廣泛、速度更快、容量更大等特點(diǎn)，同時(shí)HBM2E的散熱性能也比HBM2高出36%；2021年10月，海力士依舊全球率先發(fā)布首款HBM3，持續(xù)鞏固其市場(chǎng)領(lǐng)先地位；2024年，海力士全球率先開(kāi)始量產(chǎn)8/12層HBM3E，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品中最大的36GB容量。11月4日，海力士正式于2024年SKAI峰會(huì)上宣布開(kāi)發(fā)全球最大容次亮相?！齌BDTBD8GB49GB-64GBTBDTBD1α,1β1β,1cn明年預(yù)計(jì)GPU廠商將會(huì)開(kāi)始使用HBM3E12hi（12層）。目前Nvidia的產(chǎn)品發(fā)布周期已從兩年縮短至一年，加快各大內(nèi)存公司在下一代高帶寬內(nèi)存(HBM)技術(shù)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)節(jié)奏。展望2025年，從各大AI方案商來(lái)看，HBM規(guī)格需求將明顯朝HBM3e轉(zhuǎn)移，12hi堆疊產(chǎn)品預(yù)期將會(huì)增加，將帶動(dòng)單顆芯片HBM容量提升。2024年9月底，根據(jù)TrendForce最新調(diào)查顯示，三星、SK海力士與美光分別于1H24與3Q24提交首批HBM3e12hi樣品，目前正處于驗(yàn)證階段，兩家廠商進(jìn)度較快，預(yù)計(jì)年底完成驗(yàn)證。HBM生產(chǎn)各環(huán)節(jié)合計(jì)市場(chǎng)空間預(yù)計(jì)約為92億美元。根據(jù)3DInCites，以4層DRAM存儲(chǔ)芯片與一層邏輯芯片堆疊為例，在99.5%的封裝良率下，TSV生產(chǎn)、TSV顯露、晶圓凸點(diǎn)、組裝（采用TC-NCF法）在總成本中的占比分別為18%、12%、3%、15%，其中TSV環(huán)節(jié)成本包括TSV創(chuàng)建和TSV顯露，合計(jì)占比達(dá)30%，約為27.6億美元。TSV環(huán)節(jié)作為成本的重要組成項(xiàng)，直接影響了產(chǎn)品的良率。bumping技術(shù)在晶圓層面上完成通孔和凸點(diǎn)，再通過(guò)TC-NCF、MR-MUF、HybridBonding工藝完成堆疊鍵合，然后連接至單個(gè)DRAM制作時(shí)使用TSV技術(shù)和MR-MUF或者TC-NCF工藝，整體封裝階段使用技術(shù)為：nTSV本質(zhì)是一種垂直互聯(lián)方式。TSV（硅通孔技術(shù)）是通過(guò)垂直堆疊芯片、垂直連接各層來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)傳輸?shù)淖钚禄ミB方案。為了實(shí)現(xiàn)信號(hào)的傳輸，在通孔的中心填充導(dǎo)電性良好的金屬來(lái)實(shí)現(xiàn)互連。nTSV相較于傳統(tǒng)互連方式更有優(yōu)勢(shì)。傳統(tǒng)方式是采取金屬布線和引線鍵合技術(shù)相結(jié)合的方式實(shí)現(xiàn)互連封裝，其信號(hào)傳輸距離長(zhǎng)，信號(hào)損耗大，降低了通道和電路的可靠性。同時(shí)，平面層內(nèi)互連布線復(fù)雜，容易導(dǎo)致信號(hào)和某些器件之間相互干擾。此外，平面布線也占用了芯片一定的使用面積。相較于傳統(tǒng)方式，TSV采用垂直互聯(lián)方式，其優(yōu)勢(shì)在于進(jìn)一步提高了芯片的集成度，避免了空間的閑置和浪費(fèi)，從而提高了芯片的堆疊密度。同時(shí)，由于是垂直空間互連，信號(hào)的傳輸效率和可靠性大大提高。硅通孔的應(yīng)用使芯片的集成化、小型化和低功耗成為可能。傳統(tǒng)互連方式傳統(tǒng)互連方式VSTSV垂直互連示意圖nTSV制造的主要工藝流程依次為：使用化學(xué)沉積的方法沉積制作絕緣層；使用物理氣相沉積的方法沉積制作阻擋層和種選擇一種電鍍方法在盲孔中進(jìn)行銅填充；使用化學(xué)和機(jī)械拋光（CMP）法去除多余的銅。而一旦完成了銅填充，則需要對(duì)晶圓進(jìn)行減??；最后是進(jìn)行晶圓鍵合。采用深反應(yīng)離子刻蝕法行成通孔：目前，TSV的刻蝕方法主要包括深反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）和激光刻蝕。DRIE也稱(chēng)“Bosch”刻蝕，由Bosch公司首次提出，Bosch工藝通過(guò)交替進(jìn)行刻蝕和保護(hù)步驟來(lái)改善TSV的各向異性，保證TSV通孔的垂直度，從而形成硅通孔。具體而言，DRIE以其出色的制高深寬比孔能力而聞名。它可以實(shí)現(xiàn)大于20:1的深寬比，這對(duì)于制造深而窄的通孔非常重要，另外DRIE的各向異性蝕刻工藝使其能夠有效地蝕刻縱向深度，同時(shí)保持較小的橫向?qū)挾?。供?yīng)商：國(guó)外：刻蝕設(shè)備主要由美國(guó)應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體占據(jù)；氣體包括液化空氣集團(tuán)、默克、林德等國(guó)內(nèi)：中微公司、北方華創(chuàng)等推出的等離子刻蝕機(jī)，可實(shí)現(xiàn)一定程度的高深寬比刻蝕使用化學(xué)沉積的方法沉積制作絕緣層：TSV孔內(nèi)的絕緣層用于將硅襯底與孔內(nèi)的傳輸通道隔離，有效降低了信號(hào)從導(dǎo)電金屬泄露至硅襯底所造成的信號(hào)畸變和串?dāng)_。側(cè)壁隔離層的質(zhì)量成為主要關(guān)注點(diǎn)，絕緣層失效可能導(dǎo)致漏電或其他可靠性問(wèn)題，直接影響硅基器件的良率。介質(zhì)層沉積的方法主要有高溫?zé)嵫趸?、物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)，其中CVD包括等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)和亞大氣壓化學(xué)氣相沉積(SACVD)。國(guó)內(nèi)：拓荊科技等絕緣層生成流程示意圖），使用物理氣相沉積的方法沉積制作阻擋層和種子層：在TSV的制作工藝中，一般采用銅作為T(mén)SV通孔內(nèi)部的金屬互連材料。然而銅在互連線中的應(yīng)用面臨一些挑戰(zhàn)。銅在二氧化硅介質(zhì)中的擴(kuò)散速度很快，容易導(dǎo)致絕緣層介電性能的嚴(yán)重劣化，甚至導(dǎo)致器件在低溫下性能劣化。因此，在電鍍銅填充TSV通孔之前，需要制備阻擋層，阻止銅遷移到硅襯底，從而使銅能夠應(yīng)用于集成電路中。由于阻擋層上銅的導(dǎo)電性低、成核行為差，且阻擋層材料延展性較差，通常需要在沉積阻擋層后再沉積銅種子層才能進(jìn)行銅電鍍，幫助導(dǎo)電。通常，鈷、氮化硅鉭、鈦、氮化鈦、氮化硅和氮化鎢被用作阻擋層，鈦被用作種子層。國(guó)內(nèi)：北方華創(chuàng)等阻擋層和種子層生成流程示意圖），選擇電鍍法在盲孔中進(jìn)行銅填充：目前，硅通孔中心導(dǎo)體填充的金屬材料主要有銅和鎢。銅由于導(dǎo)電性能優(yōu)異，能與現(xiàn)行工藝很好地結(jié)合，一般采用電鍍填充銅。目前，TSV電鍍填銅主要采用硫酸銅工藝體系。電鍍液的絕大部分成分為硫酸、銅離子、氯離子、促進(jìn)劑、抑制劑、整平劑六種。理想的填充工藝為自下而上的沉積工藝，即在鍍銅液中合理配比抑制劑、促進(jìn)劑等不同添加劑，可達(dá)到“在孔內(nèi)加速，在孔外抑制”的效果，從而得到電阻率低、無(wú)空洞、可靠性高的硅通孔結(jié)構(gòu)。硅通孔電鍍銅工藝目前主要有大馬士革電鍍和掩模電鍍兩種。國(guó)外：設(shè)備包括德國(guó)安美特、東京電子、Ebara、應(yīng)用材料、泛林集團(tuán)等；電鍍液包括陶氏化學(xué)、樂(lè)思化學(xué)、上村、安美特、羅門(mén)哈斯等國(guó)內(nèi)：設(shè)備包括盛美上海等；電鍍液包括上海新陽(yáng)、天承科技等電鍍填充流程示意圖使用化學(xué)和機(jī)械拋光（CMP）法去除多余的銅：TSV工藝中引入了CMP技術(shù)，用于去除硅表面的SiO2電介質(zhì)層、阻擋層和種子層。CMP工藝會(huì)將電鍍產(chǎn)生的多余銅從表面去除，需要快速的銅去除速度和高的一致性。其次，為了去除阻擋層，拋光液必須具有速度選擇性并使缺陷最小化。最后，必須對(duì)氧化層進(jìn)行拋光。在CMP過(guò)程中，當(dāng)銅表面的氧化物被去除后，拋光液的化學(xué)成分會(huì)氧化新暴露的金屬表面，然后對(duì)其進(jìn)行機(jī)械研磨，直到多余的銅金屬全部消失。國(guó)外：設(shè)備包括應(yīng)用材料、Ebara等；拋光墊、拋光液包括陶氏、FujiFilm、卡博特等國(guó)內(nèi)：設(shè)備包括華海清科、特思迪等；拋光墊、拋光液包括鼎龍股份、安集科技等n晶圓微凸點(diǎn)是先進(jìn)封裝中的關(guān)鍵基礎(chǔ)技術(shù)之一。其主要作用是電信號(hào)互連及機(jī)械支撐，目前絕大部分先進(jìn)封裝均需要用到晶圓微凸點(diǎn)技術(shù)，而凸點(diǎn)的制備則是微凸點(diǎn)技術(shù)最為關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。nHBM采用電鍍法制備微凸點(diǎn)。凸點(diǎn)制備方法有蒸發(fā)濺射法、電鍍法、化學(xué)鍍法、機(jī)械打球法、焊膏印刷法和植球法等。目凸點(diǎn)制備方法比較微凸點(diǎn)截面示意圖200μm的凸點(diǎn)60μm可制備直徑小于60μm的凸點(diǎn)，），），n凸點(diǎn)制作流程涉及前道工藝，其主要步驟包括：（2）由于要確保凸點(diǎn)擁有足夠的高度，因此需選用能在晶圓上厚涂的光刻膠，并利用其形成掩膜；（3）銅電鍍形成凸點(diǎn)，電鍍完成后，光刻膠隨即被去除，并采用金屬刻蝕工藝去除凸點(diǎn)之外的UBM；（4）通過(guò)晶圓級(jí)回流焊設(shè)備將這些凸點(diǎn)制成球形。這里采用的焊接凸點(diǎn)回流焊工藝可以最大限度減少各凸點(diǎn)的高度差，降低焊接凸點(diǎn)表面的粗糙度，同時(shí)去除焊料中自帶的氧化物，進(jìn)而保障在鍵合過(guò)程中增加鍵合強(qiáng)度。資料來(lái)源：《晶圓微凸點(diǎn)技術(shù)在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用研究進(jìn)展》（劉冰、夏良、賀京n堆疊鍵合工藝包括TC-NCF、MR-MUF和混合鍵合工藝，目前海力士采用MR-MUF工藝，三星和美光采用TC-NCF工藝，由于不同工藝對(duì)層數(shù)和高度上限不同，未來(lái)三家逐步走向混合鍵合工藝，可在一定高度內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多的層數(shù)。互聯(lián)，具體步驟是使用非導(dǎo)電薄膜（NCF）填充DRAMdie微凸點(diǎn)側(cè)的微凸點(diǎn)間空隙，再使用熱壓鍵合連接兩層die。對(duì)HBM產(chǎn)品中所有的垂直堆疊芯片同時(shí)進(jìn)行加熱和互聯(lián)，具體步驟是將多個(gè)芯片放置在下層基板上，通過(guò)回流焊一次性粘合，并用模塑料填充間隙。MR-MUF示意圖TC-NCF示意圖n先進(jìn)MR-MUF：海力士開(kāi)發(fā)的先進(jìn)MR-MUF即新一代MR-MUF技術(shù)，具備翹曲控制特性，可實(shí)現(xiàn)無(wú)翹曲堆疊，且芯片厚度比傳統(tǒng)芯片薄40%，并通過(guò)新型保護(hù)材料提高了散熱性能。TC-NCFVSMR-MUFMR-MUF提升散熱性能以實(shí)現(xiàn)高層堆疊。SK海力士目前在探討將該技術(shù)應(yīng)用于16層以上HBM產(chǎn)品的必要性。同時(shí)，公司也在考慮采用先進(jìn)MR-MUF技術(shù)和混合鍵合技術(shù)相結(jié)合的方式。HBM三大家各代際產(chǎn)品采用堆疊鍵合工藝情況帶寬460GB/s1.5TB/STBD堆疊海力士TC-NCFTC-NCFMR-MUFMR-先進(jìn)MR-MR-先進(jìn)MR-先進(jìn)MR-先進(jìn)MR-TBD先進(jìn)MR-TBDTBD混合鍵合TC-NCFTC-NCFTC-NCFTC-NCFTC-NCFTBDTC-NCFTBDTC-NCFTBDTBD混合鍵合美光TC-NCFTC-NCFTC-NCFTC-NCFTC-NCFTBDTC-NCFTBDTC-NCFTBDTBD混合鍵合），n應(yīng)用于前道制程和先進(jìn)封裝的質(zhì)量控制工藝可細(xì)分為檢測(cè)和量測(cè)兩大環(huán)節(jié)，分別對(duì)應(yīng)檢測(cè)設(shè)備和量測(cè)設(shè)備。檢測(cè)指在晶圓表面上或電路結(jié)構(gòu)中，檢測(cè)其是否出現(xiàn)異質(zhì)情況，如顆粒污染、表面劃傷、開(kāi)短路等對(duì)芯片工藝性能具有不良影響的特征性結(jié)構(gòu)缺陷；量測(cè)指對(duì)被觀測(cè)的晶圓電路上的結(jié)構(gòu)尺寸和材料特性做出的量化描述，如薄膜厚度、關(guān)鍵尺寸、刻蝕深度、表面形貌等物理性參數(shù)的量測(cè)。根據(jù)檢測(cè)類(lèi)型的不同，半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備可分為檢測(cè)設(shè)備和量測(cè)設(shè)備。n由于HBM的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)更加精細(xì)化，生產(chǎn)流程更加復(fù)雜化，對(duì)質(zhì)量控制設(shè)備的需求倍增。HBM由于是在晶圓層面上進(jìn)行多層堆疊，制作工藝難度較大，同時(shí)多次重復(fù)堆疊也使得原本工藝流程次數(shù)成倍增加，因此為了確保良率維持較好水平，HBM生產(chǎn)對(duì)生產(chǎn)工藝控制提出了更高的要求，量檢測(cè)設(shè)備需求也相應(yīng)地成倍增加。n2020年全球半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為76.5億美元，其中中國(guó)大陸市場(chǎng)規(guī)模為21.0億美元。全球半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模高速增長(zhǎng)，根據(jù)VLSIResearch統(tǒng)計(jì)，2016年至2020年全球半導(dǎo)體檢測(cè)與量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模的年均復(fù)合增長(zhǎng)率為12.6%，2020年全球市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到76.5億美元，同比增長(zhǎng)20.1%，其中中國(guó)大陸半導(dǎo)體檢測(cè)與量測(cè)設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模為21.0億美元，同比增長(zhǎng)24.3%。根據(jù)VLSIResearch統(tǒng)計(jì)，2020年全球半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)中檢測(cè)設(shè)備占比為62.6%，量測(cè)設(shè)備占比為33.5%。2016-2020年全球半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模（億美元）2020年全球半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)結(jié)構(gòu)n全球和中國(guó)大陸半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)均由國(guó)外設(shè)備企業(yè)壟斷，國(guó)產(chǎn)化空間較大。全球范圍內(nèi)主要檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備企業(yè)包括科磊半導(dǎo)體、應(yīng)用材料、日立等。根據(jù)VLSIResearch，科磊半導(dǎo)體一家獨(dú)大，2020年其在量檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)份額占比為50.8%，全球前五大公司合計(jì)市場(chǎng)份額占比超過(guò)了82.4%，均來(lái)自美國(guó)和日本，市場(chǎng)集中度較高。在中國(guó)半導(dǎo)體檢測(cè)與量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)中，設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率較低，市場(chǎng)主要由幾家壟斷全球市場(chǎng)的國(guó)外企業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，其中科磊半導(dǎo)體在中國(guó)市場(chǎng)的占比仍然最高，領(lǐng)先于所有國(guó)內(nèi)外檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備公司，但國(guó)內(nèi)也正在涌現(xiàn)一批有限的量檢測(cè)企業(yè)，包括精測(cè)電子、中科飛測(cè)、賽騰股份、睿勵(lì)科學(xué)等。2020年全球半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)格局情況2020年中國(guó)半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)格局情況3.1AI發(fā)展對(duì)數(shù)據(jù)的處理速度、存儲(chǔ)容量、能源效率都提出了更高的要求n快速處理數(shù)據(jù)：AI系統(tǒng)必須快速處理大量數(shù)據(jù)，以做出實(shí)時(shí)決策。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器通過(guò)實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)訪問(wèn)和存儲(chǔ)，為這一過(guò)程提供支持。n支持AI訓(xùn)練：AI應(yīng)用程序通過(guò)在大型數(shù)據(jù)集上進(jìn)行訓(xùn)練來(lái)提高性能。高容量和高帶寬的存儲(chǔ)器產(chǎn)品可以更高效地儲(chǔ)存和管理這些數(shù)據(jù)集。同時(shí)，存儲(chǔ)解決方案的快速讀寫(xiě)能力可以加速AI訓(xùn)練，使AI系統(tǒng)更加高效。n能源效率：AI應(yīng)用通常是資源密集型應(yīng)用。采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，可以有效降低能耗，從而提升其可持續(xù)性。尤其是對(duì)像智能傳感器和移動(dòng)AI處理器這樣的邊緣設(shè)備，正是依賴(lài)于節(jié)能型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器來(lái)執(zhí)行實(shí)時(shí)圖像識(shí)別等任務(wù)，同時(shí)節(jié)省電池壽命。nHBM相比傳統(tǒng)采用DRAM的方式，更能滿(mǎn)足AI的高性能和低功耗要求，是AI時(shí)代不可或缺的產(chǎn)品。在AI時(shí)代，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器對(duì)AI應(yīng)用的順暢運(yùn)行十分重要，其性能決定了能否釋放AI加速卡的全部潛力，主要決勝點(diǎn)在于存儲(chǔ)器的性能和功耗。采用堆功耗于一身，是AI領(lǐng)域內(nèi)不可或缺的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，能夠高效應(yīng)對(duì)AI系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求。nHBM目前國(guó)產(chǎn)化自供率基本為0，是國(guó)內(nèi)AI發(fā)展的勝負(fù)手。隨著AI的發(fā)展，GPU/TPU與HBM的重要性日益凸顯，雖然美國(guó)禁止英偉達(dá)和AMD向中國(guó)出售高端GPU，我國(guó)仍有一批優(yōu)秀的企業(yè)正積極研發(fā)突破，并已可順利量產(chǎn)出具有一定競(jìng)爭(zhēng)力的GPU/TPU產(chǎn)品；但在HBM領(lǐng)域，目前國(guó)內(nèi)受制于DRAM和先進(jìn)封裝量產(chǎn)工藝，仍處于積極研發(fā)狀態(tài)，尚無(wú)大規(guī)模量產(chǎn)產(chǎn)品，HBM生產(chǎn)目前仍由海外三大家（三星、海力士和美光）壟斷，一旦產(chǎn)品無(wú)法購(gòu)買(mǎi)，勢(shì)必將影響到我國(guó)AI服務(wù)器的搭建乃至整個(gè)AI的發(fā)展。nHBM生產(chǎn)需同時(shí)具備DRAM生產(chǎn)和先進(jìn)封裝工藝的產(chǎn)業(yè)化能力。目前國(guó)內(nèi)部分企業(yè)雖有一定的DRAM和先進(jìn)封裝技術(shù)基礎(chǔ)，但掌握的DRAM工藝制程明顯落后于國(guó)際水平，且在DRAM上應(yīng)用TSV、micro-bumping和堆疊鍵合等先進(jìn)封裝工藝的經(jīng)驗(yàn)仍有較大差距。未來(lái)隨著國(guó)內(nèi)廠商在生產(chǎn)過(guò)程中不斷積累經(jīng)驗(yàn)和完善工藝，有望實(shí)現(xiàn)HBM的量產(chǎn)突破。n從DRAM三巨頭工藝尺寸的發(fā)展歷程來(lái)看，三星、SK海力士、美光在2016-2017年進(jìn)入1X階段，2018-2019年為1Y階段，2020年處于1Z時(shí)代。后續(xù)，行業(yè)廠商朝著1α、1β、1γ等技術(shù)階段繼續(xù)邁進(jìn)，當(dāng)前全球量產(chǎn)最高制程節(jié)點(diǎn)水平處于1β階段。不同代際的HBM產(chǎn)品采用不同工藝制程技術(shù)，目前我國(guó)長(zhǎng)鑫雖具備DRAM生產(chǎn)工藝，但和市場(chǎng)主流代際差相差2代左右，僅具備制造HBM2的工藝節(jié)點(diǎn)水平。①1納米=十億分之一米②隨著DRAM線寬的縮小，高性能、高容量、低功耗得以實(shí)現(xiàn)③1α、1β、1γ以微米為單位），n國(guó)內(nèi)具備TSV、bumping和堆疊等HBM中使用到的先進(jìn)封裝工藝，但仍需積累生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)以實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。以國(guó)內(nèi)武漢新芯的晶圓級(jí)三維集成技術(shù)為例，主要工作原理是在垂直方向上將載片或功能晶圓堆疊，或?qū)⑿酒c晶圓進(jìn)行堆疊，并在各層之間通過(guò)TSV（硅通孔）、混合鍵合等工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)直接的電氣互連。武漢新芯的三維集成工藝涉及了HBM生產(chǎn)的核心三大工藝（即TSV、bumping和堆疊鍵合技術(shù)但目前國(guó)內(nèi)沒(méi)有HBM的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，能否熟練應(yīng)用晶圓級(jí)先進(jìn)封裝工藝決定了HBM的良率，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)化落地仍需積累大量的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。武漢新芯三維集成工藝流程（以雙晶圓堆疊平臺(tái)為例）n基于HBM在AI發(fā)展中的重要性和國(guó)內(nèi)目前的稀缺性，國(guó)內(nèi)掌握DRAM生產(chǎn)工藝和先進(jìn)封裝工藝的各家廠商或通過(guò)自研，或通過(guò)合作的方式，正積極研發(fā)HBM產(chǎn)品，未來(lái)HBM國(guó)產(chǎn)化路徑有以下猜想（2）代工廠與封測(cè)廠合作模式：由代工廠負(fù)責(zé)生產(chǎn)DRAM晶圓，封測(cè)廠負(fù)責(zé)合作完成TSV、microbumping和堆疊鍵合等HBM先進(jìn)封裝工藝部分，二者的合作或采取深度綁定一對(duì)一形式，或采用一對(duì)多形式進(jìn)行合作。n公司是自動(dòng)化設(shè)備和整體解決方案提供商。公司主要從事自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售及技術(shù)服務(wù)，為客戶(hù)提供自動(dòng)化解決方案。公司的自動(dòng)化設(shè)備主要包括非標(biāo)準(zhǔn)化自動(dòng)化設(shè)備和標(biāo)準(zhǔn)化自動(dòng)化設(shè)備兩大類(lèi)，消費(fèi)電子及新能源汽車(chē)行業(yè)主要是非標(biāo)準(zhǔn)化自動(dòng)化設(shè)備，依據(jù)客戶(hù)需求提供生產(chǎn)制程中所涉及組裝及檢測(cè)的非晶圓缺陷檢測(cè)機(jī)、倒角粗糙度量測(cè)、晶圓字符檢測(cè)機(jī)、晶圓激光打標(biāo)機(jī)、晶圓激光開(kāi)槽機(jī)、光伏組件自動(dòng)化單領(lǐng)域的應(yīng)用，并著力提升單臺(tái)設(shè)備價(jià)值量。通過(guò)“全球技術(shù)+中國(guó)市場(chǎng)”戰(zhàn)略，公司晶圓檢測(cè)及量測(cè)設(shè)備正在快速打開(kāi)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空間，將經(jīng)過(guò)業(yè)內(nèi)頭部客戶(hù)驗(yàn)證的先進(jìn)技術(shù)加速導(dǎo)入國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商，助力國(guó)產(chǎn)晶圓檢測(cè)設(shè)2020-2024年9月收入及增速2020-2024年9月歸母凈利及增速2020-2024年9月毛利率情況n公司是測(cè)試檢測(cè)設(shè)備與系統(tǒng)解決方案提供商。公司主要從事新型顯示器件檢測(cè)設(shè)備和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件測(cè)試設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售業(yè)務(wù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于以AMOLED為代表的新型顯示器件制造中光學(xué)特性、顯示缺陷、電學(xué)特性等功能檢測(cè)及校準(zhǔn)修復(fù)場(chǎng)合，以及以DRAM為主的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的晶圓測(cè)試和修復(fù)、封裝老化測(cè)試和修復(fù)、封裝顆粒高速測(cè)試等場(chǎng)合。作為國(guó)家級(jí)專(zhuān)精特新“小巨人”及高新技術(shù)企業(yè)，公司持續(xù)發(fā)力于測(cè)試檢測(cè)2020-2024年9月收入及增速2020-2024年9月歸母凈利及增速2020-2024年9月毛利率情況研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，產(chǎn)品主要包括光刻工序涂膠顯影設(shè)備、單片式濕法設(shè)備。經(jīng)過(guò)20余年的技術(shù)發(fā)展，公司在鞏固傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域的基礎(chǔ)上不斷豐富產(chǎn)品布局，目前已形成了前道涂膠顯影設(shè)備、前道清洗設(shè)備、后道先進(jìn)封裝設(shè)備、化合物等小尺寸設(shè)備四大業(yè)務(wù)板塊，產(chǎn)品已完整覆蓋前道晶圓加工、后道先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體等多個(gè)領(lǐng)域。2020-2024年9月收入及增速2020-2024年9月歸母凈利及增速主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高端半導(dǎo)體裝備供應(yīng)商，自成立以來(lái)始終堅(jiān)持自主創(chuàng)新的發(fā)展路線，在納米級(jí)拋光、納米精度膜厚在線檢測(cè)、納米顆粒超潔凈清洗、大數(shù)據(jù)分析及智能化控制等關(guān)鍵技術(shù)層面取得了有效突破和系統(tǒng)布局，開(kāi)發(fā)出了CMP裝備、減薄裝備、劃切裝備、濕法裝備、晶圓再生、關(guān)鍵耗材與維保服務(wù)等，初步實(shí)現(xiàn)了“裝備+服務(wù)”的平臺(tái)化戰(zhàn)略布局。公司主要產(chǎn)品及服務(wù)已廣泛應(yīng)用于集成電路、先進(jìn)封裝、大硅片、第三代半導(dǎo)體、2020-2024年9月收入及增速2020-2024年9月歸母凈利及增速2020-2024年9月毛利率情況n公司主要從事高端半導(dǎo)體設(shè)備及泛半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。公司瞄準(zhǔn)世界科技前沿，基于在半導(dǎo)體設(shè)備制造產(chǎn)業(yè)多年積累的專(zhuān)業(yè)技術(shù)，涉足半導(dǎo)體集成電路制造、先進(jìn)封裝、LED米到14納米、7納米和5納米及更先進(jìn)的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。公司的薄膜沉積設(shè)備已交付客戶(hù)端驗(yàn)證評(píng)估，并如期完成多道工藝驗(yàn)公司MOCVD設(shè)備在行業(yè)領(lǐng)先客戶(hù)的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)，并已成為世界排名前列的氮化鎵基LED設(shè)備制2020-2024年9月收入及增速2020-2024年9月歸母凈利及增速2020-2024年9月毛利率情況n公司主要從事高端半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售與技術(shù)服務(wù)。自成立以來(lái)，公司始終堅(jiān)持自主研發(fā)，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深寬比溝槽填充CVD等薄膜設(shè)備產(chǎn)品系列，該產(chǎn)品系列已廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)集成電路邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片等制造產(chǎn)線。此外，公司推出了應(yīng)用于晶圓級(jí)三維集成領(lǐng)域的混n公司業(yè)務(wù)涉及PECVD、ALD和混合鍵合設(shè)備。公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深寬比溝槽2020-2024年9月收入及增速2020-2024年9月歸母凈利及增速2020-2024年9月毛利率情況n北方華創(chuàng)專(zhuān)注于半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售和技術(shù)服務(wù)。主要產(chǎn)品為電子工藝裝備和電子元器件。電子工藝裝備包括半導(dǎo)體裝備、真空及新能源鋰電裝備，電子元器件包括電阻、電容、晶體器件、模塊電源、微波組件等。北方華創(chuàng)始終堅(jiān)持科技創(chuàng)新，不斷推進(jìn)新產(chǎn)品研發(fā)和產(chǎn)品迭代升級(jí)，積極n在半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)板塊，北方華創(chuàng)的主要產(chǎn)品包括刻蝕、薄襯底材料等制造領(lǐng)域。北方華創(chuàng)借助產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)先、種類(lèi)多樣、工藝覆蓋廣泛等優(yōu)勢(shì)，以產(chǎn)品迭代升級(jí)和成套2020-2024年9月收入及增速2020-2024年9月歸母凈利及增速2020-2024年9月毛利率情況n公司業(yè)務(wù)涉及前道設(shè)備和后道設(shè)備。公司是全球集成電路行業(yè)設(shè)備和工藝解決方案的提供商，堅(jiān)持差異化國(guó)際真空回火、LPCVD、ALD）、前道涂膠顯影Track設(shè)備、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD設(shè)備、無(wú)應(yīng)力拋光2020-2024年9月收入及增速2020-2024年9月歸母凈利及增速2020-2024年9月毛利率情況n公司是國(guó)內(nèi)LED固晶機(jī)和電容器老化測(cè)試智能制造裝備領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)。公司憑借過(guò)硬的產(chǎn)品質(zhì)量、技術(shù)創(chuàng)新能力和高效優(yōu)質(zhì)的配套服務(wù)能力，在持續(xù)同步積極開(kāi)拓半導(dǎo)體及LED領(lǐng)域的合作客戶(hù)。在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域已具等領(lǐng)域，為包括華為、長(zhǎng)電、華天科技、通富微、固锝電子、揚(yáng)杰科技、韶華科技等知名公司在內(nèi)的龐大優(yōu)質(zhì)客戶(hù)群體提供定制化服務(wù)。公司半導(dǎo)體固晶設(shè)備近年來(lái)獲得大批業(yè)內(nèi)優(yōu)秀企業(yè)深度合作，已成為公司業(yè)務(wù)收入的有力支撐點(diǎn)。公司通過(guò)收購(gòu)開(kāi)玖自動(dòng)化，積極研發(fā)半導(dǎo)體焊線設(shè)備，實(shí)現(xiàn)固晶與焊線設(shè)備的協(xié)同銷(xiāo)售，有效2020-2024年9月收入及增速2020-2024年9月歸母凈利及增速2020-2024年9月毛利率情況證券分析師聲明本報(bào)告署名分析師在此聲明，本人具有中國(guó)證券業(yè)協(xié)會(huì)授予的證券投資咨詢(xún)執(zhí)業(yè)資格并注冊(cè)為證券分析師，本報(bào)告表述的所有觀點(diǎn)均準(zhǔn)確反映了本人對(duì)標(biāo)的證券和發(fā)行人的個(gè)人看法。本人以勤勉的職業(yè)態(tài)度，專(zhuān)業(yè)審慎的研究方法，使用合法合規(guī)的信息，獨(dú)立、客觀的出具此報(bào)告，本人所得報(bào)酬的任何部分不曾與、不與，也不將會(huì)與本報(bào)告中的具體投資意見(jiàn)或觀點(diǎn)有直接或間接聯(lián)系。一般聲明華源證券股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“本公司”）具有中國(guó)證監(jiān)會(huì)許可的證券投資咨詢(xún)業(yè)務(wù)資格。本報(bào)告是機(jī)密文件，僅供本公司的客戶(hù)使用。本公司不會(huì)因接收人收到本報(bào)告而視其為本公司客戶(hù)。本報(bào)告是基于本公司認(rèn)為可靠的已公開(kāi)信息撰寫(xiě)，但本公司不保證該等信息的準(zhǔn)確性或完整性。本報(bào)告所載的資料、工具、意