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實驗+中檔計算題增分練(四)1.(2024·青海玉樹模擬)在做“驗證碰撞中的動量守恒定律”實驗中,裝置如圖甲所示。(1)需要的測量儀器或工具有________。A.刻度尺 B.天平(帶砝碼)C.秒表 D.圓規(guī)(2)必須要求的條件是________。A.入射球和被碰球必須質(zhì)量相等B.斜槽軌道末端的切線必須水平C.斜槽軌道應(yīng)盡量光滑以減小誤差D.入射球每次必須從軌道的同一位置由靜止下滑(3)某次實驗中得出的落點情況如圖乙所示,假設(shè)碰撞過程中動量守恒,則入射小球質(zhì)量m1和被碰小球質(zhì)量m2之比為________。【答案】(1)ABD(2)BD(3)4∶1【解析】(1)根據(jù)實驗原理可知,若碰撞過程中動量守恒,則滿足m1eq\x\to(OP)=m1eq\x\to(OM)+m2eq\x\to(ON),實驗中需要測量的物理量有兩小球質(zhì)量和水平射程;因此應(yīng)用到刻度尺和天平(帶砝碼),測量水平射程前,要確定小球的落點,要用到圓規(guī)。不需要測量時間,不需要秒表。故選ABD。(2)為了保證入射小球不反彈,所以入射球的質(zhì)量要大于被碰球的質(zhì)量,故A錯誤;要保證每次小球都做平拋運動,則軌道的末端必須水平,故B正確;“驗證動量守恒定律”的實驗中,是通過平拋運動的基本規(guī)律求解碰撞前后的速度的,只要離開軌道后做平拋運動,對斜槽是否光滑沒有要求,故C錯誤;要保證碰撞前的速度相同,所以入射球每次都要從同一位置由靜止?jié)L下,故D正確。故選BD。(3)根據(jù)m1eq\x\to(OP)=m1eq\x\to(OM)+m2eq\x\to(O′N)得eq\f(m1,m2)=eq\f(\x\to(O′N),\x\to(OP)-\x\to(OM))=eq\f(41.1-1.1,25.5-15.5)=eq\f(4,1)。2.(2024·廣東廣州模擬)半導(dǎo)體薄膜壓力傳感器是一種常用的傳感器,其阻值會隨壓力變化而改變。某實驗小組想測量某一薄膜壓力傳感器在不同壓力下的阻值RN,其阻值約幾十千歐,現(xiàn)有以下器材;壓力傳感器;電源:電動勢6V,內(nèi)阻不計;電流表A:量程250μA,內(nèi)阻為50Ω;電壓表V:量程3V,內(nèi)阻約為20kΩ;滑動變阻器R1:阻值范圍0~100Ω;滑動變阻器R2,阻值范圍0~20kΩ;開關(guān)S;導(dǎo)線若干(1)為了提高測量的準(zhǔn)確性,應(yīng)該選以下________電路圖進(jìn)行測量,其中,滑動變阻器應(yīng)選________(填元器件符號),使用該電路得到的測量值________(選填“大于”“小于”或者“等于”)真實值;(2)通過多次實驗測得其阻值RN隨壓力F變化的關(guān)系圖像如圖甲所示,該學(xué)習(xí)小組利用該壓力傳感器設(shè)計了如圖乙所示的自動分揀裝置,可以將質(zhì)量大于0.5kg的物體和小于0.5kg的物體進(jìn)行分揀,圖中RN為壓力傳感器,R′為滑動變阻器,電源電動勢為6V(內(nèi)阻不計)。分揀時質(zhì)量不同的物體通過傳送帶運送到托盤上,OB為一個可繞O轉(zhuǎn)動的杠桿,下端有彈簧,當(dāng)控制電路兩端電壓≥2V時,杠桿OB水平,物體水平進(jìn)入通道1;當(dāng)控制電路兩端電壓<2V時,控制電路控制杠桿的B端下移,物體下滑進(jìn)入通道2,從而實現(xiàn)分揀功能。根據(jù)以上原理可知,R′接入電路的阻值為________kΩ(重力加速度大小取10m/s2,結(jié)果保留2位有效數(shù)字),質(zhì)量為0.4kg的物體將進(jìn)入________(選填“通道1”或“通道2”)?!敬鸢浮?1)CR1大于(2)9.0通道2【解析】(1)滑動變阻器應(yīng)便于調(diào)節(jié),故選擇R1,題中待測電阻是大電阻,且其電阻值遠(yuǎn)大于滑動變阻器最大阻值,故電路應(yīng)為分壓,內(nèi)接。故選C。由歐姆定律可知RN=eq\f(U,I)。電路中因為電流表分壓,導(dǎo)致電壓表讀數(shù)大于RN兩端電壓,故RN測量值大于真實值。(2)質(zhì)量為0.5kg的物體對RN的壓力為F=mg=5N,由圖甲可知,此時RN=18.0kΩ,由閉合電路的歐姆定律E=U+I(xiàn)RN且R′=eq\f(U,I),聯(lián)立解得R′=9.0kΩ,由圖甲可知,壓力變小,RN阻值變大,故電路中電流變小,R′兩端電壓變小,小于2V,故物體進(jìn)入通道2。3.(2024·山東青島三模)如圖是一款杯蓋上帶吸管的透明塑料水杯,在溫度恒為27℃的室內(nèi),向杯內(nèi)注入開水并迅速蓋上杯蓋,吸管上端封閉,杯蓋與杯身間有縫隙,發(fā)現(xiàn)吸管下端有氣泡溢出。當(dāng)水與吸管內(nèi)氣體溫度降為97℃時,吸管下端不再有氣泡溢出,水面距離吸管上端為2cm,吸管總長為22cm。已知外界大氣壓強p0=1.0×105Pa,水的密度ρ=1.0×103kg/m3,吸管內(nèi)氣體可視為理想氣體,重力加速度g=10m/s2。(1)求從吸管內(nèi)溢出氣體的質(zhì)量與吸管內(nèi)初始?xì)怏w質(zhì)量的比值;(2)將水杯拿到室外,靜置一段時間后,將杯蓋豎直緩慢拿出,吸管最下端有一段4cm高的水柱,求此時室外溫度?!敬鸢浮?1)0.173(2)22.6℃【解析】(1)對吸管內(nèi)氣體,升溫過程,由理想氣體狀態(tài)方程得eq\f(p0LS,T0)=eq\f(p1L+ΔLS,T1)其中p1=p0+ρg(L-l)=1.02×105Pa溢出氣體與初始?xì)怏w質(zhì)量的比值η=eq\f(ΔL,L+ΔL)=eq\f(32,185)≈0.173。(2)杯蓋拿出過程,對吸管內(nèi)剩余氣體,有eq\f(p1LS,T1)=eq\f(p0-ρghL-h(huán)S,T2)解得T2≈295.6K=22.6℃。4.(2024·廣東惠州期末)在芯片制造過程中,離子注入是其中一道重要的工序。如圖所示是離子注入簡化工作原理的示意圖,一粒子源于A處不斷釋放質(zhì)量為m,帶電量為+q的離子,其初速度視為零,經(jīng)電壓為U的加速電場加速后,沿圖中半徑為R1的圓弧形虛線通過eq\f(1,4)圓弧形靜電分析器(靜電分析器通道內(nèi)有均勻輻向分布的電場)后,從P點沿直徑PQ方向進(jìn)入半徑為R2的圓形勻強磁場區(qū)域,磁場方向垂直于紙面向外。經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn),離子最后垂直打在平行PQ放置且與PQ等高的硅片上,硅片到PQ的距離為eq\r(3)R2,不計離子重力。求:(1)靜電分析器通道內(nèi)虛線處電場強度的大小E;(2)磁感應(yīng)強度大小B;(3)若加速電壓和靜電分析器中電場的大小可以調(diào)節(jié),離子在靜電分析器中仍沿虛線圓弧運動,要讓從P點沿直徑PQ方向進(jìn)入圓形勻強磁場區(qū)域的離子全部打在硅片上,求加速電壓的變化范圍。(結(jié)果用U表示)【答案】(1)eq\f(2U,R1)(2)eq\f(1,R2)eq\r(\f(2mU,q))(3)eq\f(U,3)≤U′≤3U【解析】(1)離子通過加速電場,根據(jù)動能定理得qU=eq\f(1,2)mv2離子經(jīng)過靜電分析器,電場力提供向心力qE=eq\f(mv2,R1)解得E=eq\f(2U,R1)。(2)由幾何知識可知r=R2根據(jù)洛倫茲力提供向心力有qvB=meq\f(v2,r)其中v=eq\r(\f(2qU,m))解得B=eq\f(1,R2)eq\r(\f(2mU,q))。(3)要讓離子全部打在硅片上,其臨界狀態(tài)的軌跡如圖所示,設(shè)圓心分別為O3、O4,半徑分別為r1、r2,由幾何關(guān)系可知,O4恰為硅片的最低點,r2=eq\r(3)R2設(shè)圓心為O3的離子在磁場中做圓周運
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