模擬電子技術(shù)（山東聯(lián)盟-山東建筑大學）知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋山東建筑大學

模擬電子技術(shù)（山東聯(lián)盟-山東建筑大學）知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋山東建筑大學第一章單元測試

電子線路是由電子器件和電子元件組成的具有一定功能的電路。

A:錯B:對

答案:對電子器件又稱無源器件，如電阻、電容、電感等.

A:錯B:對

答案:錯第一代電子器件為晶體管，晶體管出現(xiàn)后，拉開了人類社會步入信息時代的序幕。

A:對B:錯

答案:錯電子器件是電子線路的核心，電子技術(shù)的發(fā)展很大程度上反映在電子器件的發(fā)展上。

A:對B:錯

答案:對電子器件發(fā)展的第三代是集成電路，具有外接元件少、可靠性高、性能穩(wěn)定的特點

A:錯B:對

答案:對模擬電路和數(shù)字電路處理的信號特性是相同的，只是處理信號的幅度有差別。

A:錯B:對

答案:錯計算機能夠直接接收和處理的信號一般為模擬信號

A:對B:錯

答案:錯數(shù)字信號一般指時間和數(shù)值上都連續(xù)的信號

A:對B:錯

答案:錯含有計算機的電子信息系統(tǒng)一般屬于模擬和數(shù)字的混合系統(tǒng)

A:對B:錯

答案:對下列信號不屬于模擬信號的是()

A:4~20mA的電流信號B:燈的亮滅狀態(tài)C:0~5V的電壓信號D:20Hz~20kHz的音頻信號

答案:燈的亮滅狀態(tài)

第二章單元測試

在運算電路中，集成運放的反相輸入端均為虛地

A:對B:錯

答案:錯凡是運算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運算關(guān)系

A:對B:錯

答案:對集成運放在開環(huán)情況下一定工作在非線性區(qū)

A:錯B:對

答案:對理想運算放大器的兩個重要結(jié)論是

A:虛短與虛斷B:短路和斷路C:虛地與反相D:虛短與虛地

答案:虛短與虛斷集成運放的線性和非線性應用電路都存在

A:虛短與虛斷B:虛斷C:虛地D:虛短

答案:虛斷如圖所示電路中，若電阻Rf虛焊，則電路的輸出電壓為

A:0B:無窮大C:＋UOMD:-UOM

答案:＋UOM；-UOM反相輸入積分電路中的電容接在電路的

A:同相輸入端B:反相端與輸出端之間C:同相端與輸出端之間D:反相輸入端

答案:反相端與輸出端之間電路如圖所示，若R1=5KΩ,R2=R3=10KΩ，Vi=1V，則VO=

A:1VB:-2VC:2VD:-1V

答案:2V集成運放能處理

A:交流和直流信號B:直流信號C:交流信號D:正弦信號

答案:交流和直流信號理想運算放大器的輸出電阻Ro為

A:無窮大B:有限值C:零D:不確定

答案:零

第三章單元測試

設(shè)穩(wěn)壓管DZ1和DZ2的穩(wěn)定電壓分別為6V和9V，正向壓降為0.7V，則圖3.2電路中的輸出電壓VO為

A:15VB:6.7VC:9.7VD:3V

答案:6.7V用萬用表的電阻檔測量二極管，當時說明二極管的單向?qū)щ娦院?/p>

A:正向電阻小反向電阻大B:正向電阻反向電阻都小C:正向電阻反向電阻都大D:正向電阻大反向電阻小

答案:正向電阻小反向電阻大如果把一個二極管直接同一個電動勢為1.5V、內(nèi)阻為0的電池正向連接，則該管

A:擊穿B:電流為0C:電流過大而使管子燒壞D:正常導通

答案:電流過大而使管子燒壞二極管穩(wěn)壓電路一般是由穩(wěn)壓二極管（反向接法）和負載并聯(lián)而得到。

A:對B:錯

答案:對當二極管的外加反向電壓增加到一定值時，反向電流急劇增加（反向擊穿），所以二極管不能工作在反向擊穿區(qū)

A:對B:錯

答案:錯P型半導體帶正電，N型半導體帶負電

A:對B:錯

答案:錯當溫度升高時，二極管反向飽和電流將

A:增大B:不變C:減小D:先增大再減小

答案:增大半導體二極管的重要特性之一是

A:溫度穩(wěn)定性B:濾波作用C:放大作用D:單向?qū)щ娦?/p>

答案:放大作用二極管電路如圖3.1所示，則二極管導通情況為

A:都導通B:都截止C:D1導通，D2截止D:D2導通，D1截止

答案:D2導通，D1截止穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在

A:反向截止區(qū)B:正向?qū)▍^(qū)C:反向擊穿區(qū)D:飽和區(qū)

答案:反向擊穿區(qū)

第四章單元測試

場效應管的漏極電流是由的漂移運動形成的。

A:多子B:少子C:兩種載流子

答案:少子場效應管是一種控制型的電子器件。

A:光B:電流C:電壓

答案:電壓場效應管是利用外加電壓產(chǎn)生的來控制漏極電流的大小的。

A:電流B:電場C:電壓

答案:電場當場效應管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時，它的低頻跨導將：

A:增大B:減小C:不變

答案:增大當柵源電壓VGS＝0V時，能夠工作在恒流區(qū)的場效應管有：

A:耗盡型MOS管B:結(jié)型管C:增強型MOS管

答案:耗盡型MOS管；結(jié)型管廣義地說，結(jié)型場效應管應該：

A:不屬于耗盡型管B:不屬于增強型管C:屬于耗盡型管D:屬于增強型管

答案:屬于耗盡型管圖示是某場效應管的特性曲線。據(jù)圖可知，該管是：

A:N溝道耗盡型MOS管B:N溝道增強型MOS管C:P溝道增強型MOS管D:P溝道耗盡型MOS管

答案:P溝道增強型MOS管某場效應管的特性曲線如圖所示，該管為：

A:N溝道增強型MOS管B:P溝道增強型MOS管C:P溝道結(jié)型場效應管D:N溝道耗盡型MOS管

答案:N溝道耗盡型MOS管圖示場效應管放大電路的組態(tài)是:

A:共漏

B:共源C:差動放大D:共柵

答案:共源測得某FET管的輸出特性如圖所示，則判斷此管為:

A:N溝道耗盡型MOS管B:P溝道耗盡型MOS管C:N溝道結(jié)型FET管D:P溝道結(jié)型FET管

答案:N溝道耗盡型MOS管

第五章單元測試

測得某放大電路半導體三極管三個管腳對地電壓為U1＝3V，U2＝8V，U3＝3.7V，則三個電極為

A:1為集電極，2為基極，3為發(fā)射極B:1為發(fā)射極，2為基極，3為集電極C:1為發(fā)射極，2為集電極，3為基極

答案:1為發(fā)射極，2為集電極，3為基極當輸入電壓為正弦信號時，若NPN管共發(fā)射極放大電路發(fā)生飽和失真，則輸出電壓的波形將

A:正半周削波B:負半周削波C:不削波

答案:負半周削波為了使放大器具有高輸入電阻，低輸出電阻，應采用

A:共基電路B:共集電路C:共射電路

答案:共集電路兩個三極管參數(shù)分別為：甲管β＝200，ICBO＝0.1uA；乙管β＝260，ICEO＝1uA，選用哪個管子較好？

A:甲管B:乙管

答案:乙管測得BJT各極對地電壓為VB=1.8V，VE=0V，VC=12V，則該管工作在（）狀態(tài)。

A:已損壞B:放大C:飽和D:截止

答案:截止雙極型晶體三極管在放大狀態(tài)工作時的外部條件是

A:發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏B:發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏C:發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏D:發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏

答案:發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏溫度升高，半導體三極管的共射輸出特性曲線下移。

A:錯B:對

答案:錯利用兩只NPN型管構(gòu)成的復合管只能等效為NPN型管

A:錯B:對

答案:對產(chǎn)生零點漂移的原因主要是晶體管參數(shù)受溫度的影響。

A:對B:錯

答案:對靜態(tài)工作點是過高可能會導致飽和失真

A:對B:錯

答案:對

第六章單元測試

放大電路的增益和通過信號的頻率無關(guān)

A:錯B:對

答案:錯放大器的增益是隨著輸入信號頻率的改變而改變的，當輸入信號的頻率為上限頻率或下限頻率時，放大器增益的幅值將：

A:降為中頻時的1/2倍B:降為中頻時的0.707倍C:降為中頻時的1.414倍D:降為1

答案:降為中頻時的0.707倍在f<fL的低頻區(qū)，放大電路的增益會隨著信號頻率的降低而增大

A:對B:錯

答案:錯放大電路的電壓放大倍數(shù)在高頻區(qū)下降的主要原因是三極管的級間電容和接線電容的影響

A:錯B:對

答案:對MOS管共源極放大電路在低頻信號作用時電壓放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是耦合電容和旁路電容的影響。

A:對B:錯

答案:對放大電路的增益帶寬積為常數(shù)

A:錯B:對

答案:對幅度失真和相位失真統(tǒng)稱為:

A:頻率失真B:飽和失真C:截止失真D:交越失真

答案:頻率失真頻率失真是一種非線性失真

A:錯B:對

答案:錯分析放大電路頻率響應的三個分區(qū)不包含

A:低頻區(qū)B:中頻區(qū)C:高頻區(qū)D:特頻區(qū)

答案:特頻區(qū)放大電路頻率響應是指在輸入正弦信號情況下，輸出隨輸入信號頻率連續(xù)變化的穩(wěn)態(tài)響應

A:對B:錯

答案:對

第七章單元測試

差分式放大電路的主要特點是()

A:同時放大差模和共模信號B:同時抑制差模和共模信號C:放大差模信號，抑制共模信號D:放大共模信號，抑制差模信號

答案:放大差模信號，抑制共模信號差分放大電路是為了（）而設(shè)置的

A:提高輸入電阻B:提高放大倍數(shù)C:抑制溫漂D:提高輸出電阻

答案:抑制溫漂雙端輸入、雙端輸出差動放大電路，設(shè)差模電壓增益AVD=-150，共模電壓增益AVC=0，Vi1=30mV，Vi2=20mV，則輸出電壓|Vo|為()

A:1.5VB:2.5VC:3VD:1V

答案:1.5V.直接耦合放大電路存在零點漂移的原因是()

A:晶體管參數(shù)受溫度影響B(tài):電源電壓不穩(wěn)定C:晶體管參數(shù)的分散性D:電阻阻值有誤差

答案:晶體管參數(shù)受溫度影響差分放大電路由雙端輸出變?yōu)閱味溯敵?，則空載時差模電壓增益()

A:不確定B:增加一倍C:為雙端輸出時的1/2D:不變

答案:為雙端輸出時的1/2具有理想電流源(動態(tài)電阻ro無窮大）的差分放大電路，采用不同的連接方式，其共模抑制比()

A:均為無窮小B:完全相同C:不完全相同D:均為無窮大

答案:均為無窮大共模抑制比KCMR越小，表明電路()

A:交流放大倍數(shù)越小B:輸入信號中差模成分越小C:放大倍數(shù)越不穩(wěn)定D:抑制溫漂能力越弱

答案:抑制溫漂能力越弱雙端輸入差分放大電路的共模輸入信號等于兩輸入端信號的平均值。

A:錯B:對

答案:對帶有理想電流源的差分放大電路，只要工作在線性范圍內(nèi)，不論是雙端輸出還是單端輸出，其輸出電壓值均與兩個輸入端電壓的差值成正比，而與兩個輸入端電壓本身的大小無關(guān)。

A:錯B:對

答案:對由于集成運放實際上是一個直接耦合放大電路，因此它只能放大直流信號，不能放大交流信號。

A:錯B:對

答案:錯

第八章單元測試

放大電路的開環(huán)增益-帶寬積與閉環(huán)增益-帶寬積不相等。

A:錯B:對

答案:錯利用輸出短路法，假設(shè)輸出電壓為零，若反饋信號不存在了，說明引入的是電流反饋。

A:錯B:對

答案:錯放大電路引入深度負反饋后，放大電路的增益決定于反饋網(wǎng)絡的反饋系數(shù)，而與基本放大電路幾乎無關(guān)。

A:對B:錯

答案:對負反饋減小非線性失真所指的是反饋環(huán)內(nèi)的失真。如果輸入波形本身就是失真的，這時即使引入負反饋，也是無濟于事。

A:錯B:對

答案:對負反饋放大電路，(1+AF)越大，則閉環(huán)增益的相對變化量越小，閉環(huán)增益的穩(wěn)定性越好。

A:對B:錯

答案:對在反饋放大電路中，通常把(1+AF)稱為反饋深度，則深度負反饋的條件是：

A:|1+AF|=1B:|1+AF|>1C:|1+AF|<1D:|1+AF|>>1

答案:|1+AF|>>1在某放大電路中引入了電壓串聯(lián)負反饋，則下列說法錯誤的是：

A:閉環(huán)輸入電阻是開環(huán)輸入電阻的AF倍。B:可使放大電路的輸入電阻增大。C:可以穩(wěn)定輸出電壓。D:可使放大電路的輸出電阻減小。

答案:閉環(huán)輸入電阻是開環(huán)輸入電阻的AF倍。在放大電路中引入負反饋會對電路的性能產(chǎn)生一些影響，下列說法正確的是：

A:可以擴展帶寬。B:可以提高增益的穩(wěn)定性。C:可以抑制反饋環(huán)外噪聲。D:可以減小反饋環(huán)內(nèi)的非線性失真。

答案:可以擴展帶寬。；可以提高增益的穩(wěn)定性。；可以減小反饋環(huán)內(nèi)的非線性失真。存在于放大電路交流通路中的反饋為交流反饋。交流反饋影響放大電路的交流性能，如：

A:靜態(tài)工作點。B:輸入電阻。C:增益。D:輸出電阻。

答案:輸入電阻。；增益。；輸出電阻。放大電路引入負反饋后，下面說法正確的有：

A:增益穩(wěn)定度提高。B:降低了閉環(huán)增益。C:負反饋不能使輸出量保持不變，只能使輸出量趨于不變。D:不同類型的負反饋能穩(wěn)定的增益也不同。

答案:增益穩(wěn)定度提高。；降低了閉環(huán)增益。；負反饋不能使輸出量保持不變，只能使輸出量趨于不變。；不同類型的負反饋能穩(wěn)定的增益也不同。

第九章單元測試

若功放的效率降低了，則在電源供給功率一定情況下，放大器的輸出功率和耗散功率

A:前者增大，后者減小B:前者減小，后者增大C:都減小D:都增大

答案:前者減小，后者增大乙類互補推挽功放常會

A:頻率失真B:飽和失真C:交越失真D:截止失真

答案:交越失真要使互補推挽功放輸出功率為50W，則須選兩個異型管，每個管的PCM不小于

A:100WB:10WC:50WD:25W

答案:10W隨著輸出功率PO的提高，互補推挽功放輸出級的電源供給功率

A:不變B:等于POC:減小D:增大

答案:增大理想情況下，單電源互補對稱功放的最大輸出電壓Vom

A:等于VCC/2B:大于VCCC:等于VCCD:大于VCC/2

答案:等于VCC/2理想情況下，雙電源互補對稱功放的最大輸出電壓Vom

A:大于VCC/2B:等于VCC/2C:大于VCCD:等于VCC

答案:等于VCC甲乙類雙電源功放用±VCC，甲乙類單電源功放用VCC，當RL相同時，甲乙類雙電源功功放的最大輸出功率Pom是甲乙類單電源的

A:2倍B:0.5倍C:相等D:4倍

答案:4倍乙類雙電源互補對稱功率放大電路，在理想情況下其最大效率為

A:25%B:75%C:50%D:100%

答案:75%在乙類單電源互補對稱功率放大電路中，VCC＝24V，RL＝8Ω，理想情況下，Pom＝（）W

A:9B:7C:8D:10

答案:9甲乙類單電源互補對稱功率放大電路，當功率管的飽和壓降VCES增大時，最大輸出功率Pom的變化情況為()

A:不變B:增加C:先增大后減小D:減小

答案:減小

第十章單元測試

只要電路引入了正反饋，就一定會產(chǎn)生正弦波振蕩。

A:錯B:對

答案:錯單限比較器比滯回比較器抗干擾能力強，而滯回比較器比單限比較器靈敏度高。

A:對B:錯

答案:錯從結(jié)構(gòu)上看，正弦波振蕩電路是一個無輸入信號的帶選頻網(wǎng)絡的正反饋放大器

A:對B:錯

答案:對正弦波振蕩電路維持振蕩條件是

A:錯B:對

答案:對低通濾波器的通帶截止頻率一定低于高通濾波器的通帶截止頻率。

A:對B:錯

答案:錯理想情況下，有源高通濾波器在時的放大倍數(shù)就是它的通帶電壓放大倍數(shù)。

A:對B:錯

答案:對正弦波振蕩電路的決定了電路有唯一頻率的振蕩波形輸出。

A:反饋網(wǎng)絡B:選頻網(wǎng)絡C:穩(wěn)幅環(huán)節(jié)D:基本放大電路

答案:選頻網(wǎng)絡欲實現(xiàn)將正弦波電壓轉(zhuǎn)換成占空比50%的方波電壓，應選用。

A:正弦波振蕩電路B:積分電路C:過零比較器D:遲滯比較器

答案:過零比較器在RC橋式正弦波振蕩電路中，若RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡中的電阻均為R，電容均為C，則其振蕩頻率f0＝1/RC。

A:對B:錯

答案:錯以下電路可能產(chǎn)生正弦波振蕩的是：

A:左下B:左上C:右下D:右上

答案:右下；右上

第十一章單元測試

直流電源是一種能量轉(zhuǎn)換電路，它將交流能量轉(zhuǎn)換為直流能量

A:錯B:對