DB3708T 28-2023 脫毒甘薯日光溫室育苗技術(shù)規(guī)程　

ICS65.020.20CCSB05DB3708DB3708/T28—20232023-05-16發(fā)布2023-06-16實(shí)施濟(jì)寧市市場監(jiān)督管理局發(fā)布DB3708/T28—2023前言 II 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語和定義 14設(shè)施設(shè)備 15設(shè)施設(shè)備消毒 15.1溫室消毒 15.2穴盤消毒 16基質(zhì)配比與裝盤擺放 26.1基質(zhì)配比 26.2基質(zhì)裝盤 26.3穴盤擺放 27脫毒組培苗扦插 27.1組培苗分段 27.2莖段扦插 2 2 28苗期管理 28.1溫、光、氣管理 28.2水分管理 38.3肥料管理 38.4病蟲草害防控 38.5通風(fēng)降溫?zé)捗?39脫毒苗擴(kuò)繁 310商品苗要求 3 4 5DB3708/T28—2023本文件按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任。本文件由濟(jì)寧市農(nóng)業(yè)農(nóng)村局提出、歸口并組織實(shí)施。1DB3708/T28—2023脫毒甘薯日光溫室育苗技術(shù)規(guī)程1范圍本文件規(guī)定了脫毒甘薯育苗設(shè)施設(shè)備、消毒、基質(zhì)配比與裝盤擺放、脫毒組培苗扦插、苗期管理、脫毒苗擴(kuò)繁、商品苗等要求。本文件適用于脫毒甘薯苗在日光溫室的繁育。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB5084農(nóng)田灌溉水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)GB/T17187農(nóng)業(yè)灌溉設(shè)備滴頭和滴灌管技術(shù)規(guī)范和試驗(yàn)方法NY/T496肥料合理使用準(zhǔn)則通則3術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本文件。根據(jù)植物細(xì)胞具有全能性的理論，利用甘薯外植體組織，在無菌和適宜的人工條件下，培育的脫去對甘薯生產(chǎn)有重大影響的病毒病的甘薯苗。培育的脫去對甘薯生產(chǎn)有重大影響的病毒病的甘薯苗。4設(shè)施設(shè)備日光溫室育苗所需設(shè)施設(shè)備包括：日光溫室、防蟲網(wǎng)、遮陽網(wǎng)、基質(zhì)攪拌機(jī)、育苗穴盤、育苗床、的要求。5設(shè)施設(shè)備消毒5.1溫室消毒消毒。具體操作方法為在水中添加甲醛，然后加入高錳酸鉀，形成煙霧反應(yīng)，而后將溫室封閉48h進(jìn)行消毒處理。5.2穴盤消毒備用。2DB3708/T28—20236基質(zhì)配比與裝盤擺放6.1基質(zhì)配比子對草炭進(jìn)行過篩處理，配制時(shí)需攪拌均勻，每m3基質(zhì)之中可添加三元復(fù)合肥（N含量：P2O5含量：K2100g，對基質(zhì)采取滅菌消毒處理。消毒后，將配制完成的基質(zhì)用塑料薄膜密封7d后方可使用。裝育苗盤時(shí)基質(zhì)含水量以手握緊基質(zhì)不出水，松開不松散為宜。肥料選用要符合NY/T496的規(guī)定。6.2基質(zhì)裝盤育苗盤應(yīng)選擇孔徑和孔深均為4cm～5cm的長方形或者正方形育苗盤。基質(zhì)裝盤時(shí)，需確保所有穴孔均填滿基質(zhì)，并壓緊壓實(shí)，避免中空。6.3穴盤擺放基質(zhì)裝盤后，穴盤平整擺放，保持在同一水平面；穴盤長邊相鄰擺放，每行寬80cm～120cm；為7脫毒組培苗扦插7.1組培苗分段將經(jīng)過煉苗后的脫毒甘薯組培苗，用無菌剪刀剪成帶有一個葉片和一個腋芽的莖段，腋芽下部保留7.2莖段扦插莖段下部扦插入備好的穴盤基質(zhì)中，腋芽露出基質(zhì)表面0.1cm～0.5cm，并壓實(shí)。莖段扦插澆水后用50%多菌靈500～800倍液進(jìn)行葉面噴霧殺菌。農(nóng)藥的選擇應(yīng)符合GB/T8321的規(guī)定。8苗期管理8.1溫、光、氣管理8.1.1發(fā)芽生根初期莖段扦插后1d～7d為莖段腋芽發(fā)8.1.2幼苗發(fā)育前期氣相對濕度保持在75%～90%。3DB3708/T28—20238.1.3幼苗發(fā)育中期空氣相對濕度保持在60%～75%。8.1.4幼苗發(fā)育后期空氣相對濕度保持在45%～60%。氣相對濕度保持在40%～55%。8.2水分管理根據(jù)脫毒甘薯苗發(fā)育情況，每3d～4d噴霧澆一次透水，保持穴盤濕潤。灌溉水質(zhì)要符合GB5084的要求。8.3肥料管理選用應(yīng)符合NY/T496的規(guī)定。8.4病蟲草害防控定。脫毒甘薯日光溫室育苗重點(diǎn)是預(yù)防蚜蟲、粉虱等傳毒媒介傳播病毒病。首先，溫室須配備2～3道門、1～2個緩沖間，緩沖間頂部安裝風(fēng)淋吸蟲器。在溫室通風(fēng)口以及進(jìn)出口處用60目防蟲網(wǎng)封閉。每7d～14d溫室全方位噴施一次化學(xué)殺蟲劑，每間隔2m2～2，薯苗上部放置一個誘蟲燈。農(nóng)藥的選擇應(yīng)符合GB/T8321的規(guī)定。育苗穴盤、育苗床上雜草采用人工拔除，盡量避免應(yīng)用化學(xué)除草劑，以防高溫環(huán)境產(chǎn)生藥害。8.5通風(fēng)降溫?zé)捗?脫毒苗擴(kuò)繁穴盤扦插培養(yǎng)的3節(jié)以上的甘薯脫毒苗，可以再次用無菌剪刀分剪成帶有一個葉片和一個腋芽的莖段，并按照上述5～8的操作技術(shù)方法在穴盤中快速擴(kuò)繁。10商品苗要求4DB3708/T28—2023完整展開葉，發(fā)育良好。11生產(chǎn)檔案對生產(chǎn)過程進(jìn)行詳細(xì)記錄，建立生產(chǎn)檔案并保存，可參照附錄A。5DB3708/T28—2023附錄A生產(chǎn)操作記錄表生產(chǎn)操作記錄表見A.1。