T-CPIA 0059-2024 晶體硅光伏電池用低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備

CCSL95LowpressurechemicalvapordepositiIT/CPIA0059—2024前言 2規(guī)范性引用文件 3術(shù)語和定義 4工作環(huán)境 5技術(shù)要求 5.1外觀及結(jié)構(gòu)要求 5.2基本性能 5.3工藝運(yùn)行自動化控制 5.4安全要求 5.5可靠性 5.6噪聲 5.7電磁兼容性 6檢驗(yàn)方法 6.1檢驗(yàn)設(shè)備及儀器 6.2外觀及結(jié)構(gòu)檢查 6.3基本性能檢測 6.4工藝運(yùn)行自動化控制檢驗(yàn) 6.5安全要求檢測 6.6可靠性檢測 6.7噪聲檢測 6.8電磁兼容性檢測 7交付檢驗(yàn) 8標(biāo)志、包裝、搬運(yùn)和運(yùn)輸、貯存 8.1標(biāo)志 8.2包裝 8.3搬運(yùn)和運(yùn)輸 8.4儲存 T/CPIA0059—2024本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。本文件由中國光伏行業(yè)協(xié)會標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。本文件由中國光伏行業(yè)協(xié)會標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口。本文件起草單位：深圳市捷佳偉創(chuàng)新能源裝備股份有限公司、無錫市檢驗(yàn)檢測認(rèn)證研究院、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、湖南紅太陽光電科技有限公司、江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司、嘉興阿特斯技術(shù)研究院有限公司、一道新能源科技股份有限公司、正泰新能科技有限公司、晶澳太陽能科技有限公司、英利能源發(fā)展有限公司、常州大學(xué)（江蘇省光伏科學(xué)與工程協(xié)同創(chuàng)新中心）、揚(yáng)州大學(xué)、國信認(rèn)證無錫有限公司、寧夏國信檢研科技有限公司。本文件主要起草人：羅偉斌、張勇、惲?xí)F、吳曉麗、王趕強(qiáng)、孫朋濤、吳志明、王晨光、楊寶立、蘇磊、李碩、章康平、甘曌、王建勃、馬紅娜、袁寧一、李綠洲、欽衛(wèi)國、王炳楠。1T/CPIA0059—2024本文件規(guī)定了晶體硅光伏電池用低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備（以下簡稱“LPCVD設(shè)備”）的術(shù)語和定義、工作環(huán)境、技術(shù)要求、基本性能、檢驗(yàn)方法、交付檢驗(yàn)以及標(biāo)志、包裝、搬運(yùn)和運(yùn)輸、貯存。本文件適用于晶體硅光伏電池用管式LPCVD設(shè)備的生產(chǎn)及檢驗(yàn)。其他類型LPCVD設(shè)備可參考使用。LPCVD設(shè)備可進(jìn)行隧穿氧化層、本征多晶硅（Poly-Si）層、原位摻雜多晶硅（Poly-Si）層等的工藝制備。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T191包裝儲運(yùn)圖示標(biāo)志GB/T2297太陽光伏能源系統(tǒng)術(shù)語GB2894—2008安全標(biāo)志及其使用導(dǎo)則GB/T5080.7設(shè)備可靠性試驗(yàn)恒定失效率假設(shè)下的失效率與平均無故障時間的驗(yàn)證試驗(yàn)方案GB/T5226.1—2019機(jī)械電氣安全機(jī)械電氣設(shè)備第1部分:通用技術(shù)條件GB/T6388運(yùn)輸包裝收發(fā)貨標(biāo)志GB/T11164—2011真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件GB/T13306標(biāo)牌GB/T13384機(jī)電產(chǎn)品包裝通用技術(shù)條件GB/T25915.1—2021潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第1部分：空氣潔凈度等級GB/T30116半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施電磁兼容性要求GB51401電子工業(yè)廢氣處理工程設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)CB/T3764—1996金屬鍍層和化學(xué)覆蓋層厚度系列及質(zhì)量要求SJ/T10674—1995涂料涂覆通用技術(shù)條件SJ20984—2008化學(xué)氣相淀積設(shè)備通用規(guī)范TSGD0001—2009壓力管道安全技術(shù)監(jiān)察規(guī)程工業(yè)管道TSG21—2016固定式壓力容器安全技術(shù)監(jiān)察規(guī)程SEMIS6半導(dǎo)體制造設(shè)備排氣通風(fēng)環(huán)境、健康和安全導(dǎo)則（Environmental，Health，andSafetyGuidelineforExhaustVentilationofSemiconductorManufacturingEquipment）3術(shù)語和定義GB/T2297界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1低壓化學(xué)氣相淀積法lowpressurechemicalvapordeposition；LPCVD在低于一個大氣壓的條件下進(jìn)行的化學(xué)氣相沉積方法。[來源：GB/T2297—1989，6.2，有修改]3.2隧穿氧化層tunneloxidelayerTOPCon電池表面有隧穿現(xiàn)象的超薄氧化層。2T/CPIA0059—20244工作環(huán)境管式LPCVD設(shè)備的工作環(huán)境及廠務(wù)應(yīng)滿足以下要求：a)環(huán)境溫度：5℃~40℃;b)相對濕度：不大于70％RH；c)環(huán)境凈化等級：應(yīng)符合GB/T25915.1—2021規(guī)定的ISO7級或優(yōu)于ISO7級；d)大氣壓強(qiáng)：86kPa～106kPa；e)電源：三相五線交流380×(1±10％)V，頻率50×(1±1％)Hz；電網(wǎng)波動不超過±10%;f)冷卻水：采用純水或軟化水，壓力0.3MPa～0.6MPa，進(jìn)出水壓差不小于0.2MPa，進(jìn)水溫度g)工藝氣體壓力：氧氣及氮?dú)猓?.4MPa～0.6MPa，硅烷及磷烷：0.25MPa～0.4MPa；h)壓縮空氣壓力：0.4MPa～0.6MPa；i)排廢及排熱：氣源柜接排廢氣管道，且應(yīng)有良好的抽風(fēng)排毒系統(tǒng)；凈化臺及爐體柜頂部均接排熱抽風(fēng)管道，且應(yīng)有良好的抽風(fēng)排熱系統(tǒng)；真空泵排放口接尾氣處理裝置。j)工作接地，接地電阻不大于3Ω。5技術(shù)要求5.1外觀及結(jié)構(gòu)要求5.1.1外觀要求外觀要求如下：a)設(shè)備表面應(yīng)整齊平整，不應(yīng)有明顯的凹凸不平、劃傷、銹蝕等缺陷，零部件應(yīng)完整無缺。如有適當(dāng)裝飾，應(yīng)色澤協(xié)調(diào)、美觀；b)表面涂覆的零部件，應(yīng)符合SJ/T10674—1995的規(guī)定；c)表面有金屬鍍層及化學(xué)處理的零部件，應(yīng)符合CB/T3764—1996的規(guī)定；d)面板上的文字、符號和標(biāo)志應(yīng)清晰、正確。5.1.2結(jié)構(gòu)要求結(jié)構(gòu)要求如下：a)結(jié)構(gòu)布局應(yīng)合理，便于操作、裝拆和維修；b)應(yīng)配有散熱、排廢、抽風(fēng)接口；c)各運(yùn)動機(jī)構(gòu)應(yīng)運(yùn)轉(zhuǎn)靈活，無卡滯現(xiàn)象，無異響；d)緊固件連接應(yīng)牢固，無松動、漏裝現(xiàn)象；e)水冷裝置的進(jìn)出水應(yīng)暢通，無滴漏現(xiàn)象。f)工藝氣體輸送管道材料耐蝕性應(yīng)不低于316不銹鋼，內(nèi)外表面應(yīng)拋光處理，外表面粗糙度≤0.8μmRa，內(nèi)表面粗糙度≤0.25μmRa。g)所有氣體管道、液體管道和接口應(yīng)無漏氣、漏液現(xiàn)象。5.2基本性能5.2.1膜厚不均勻性管式LPCVD設(shè)備膜厚的不均勻性，在硅片對邊尺寸不大于230mm的情況下，應(yīng)滿足以下要求：a)本征多晶硅（Poly-Si）膜厚不均勻性：3)批間：≤4%。b)隧穿氧化層不均勻性：2)片間：≤10%；3T/CPIA0059—20243)批間：≤5%。5.2.2膜厚控制范圍本征多晶硅（Poly-Si）膜厚控制范圍：40nm～400nm。5.2.3工藝溫度管式LPCVD設(shè)備工藝溫度應(yīng)滿足以下要求：a)溫度控制范圍：500℃~650℃;b)恒溫區(qū)溫度控制精度：±1℃（650℃);c)恒溫區(qū)單點(diǎn)穩(wěn)定性：±1℃/4h（650℃);d)升溫時間：從室溫升至650℃所需時間不超過45min。5.2.4壓力控制壓力控制應(yīng)滿足以下要求：a)極限真空：≤1.33Pa；b)真空系統(tǒng)漏氣率：關(guān)閥保壓，壓力上升率≤1Pa/min；c)氣路管道漏氣率：≤1×10-8Pa·m3/s；d)壓力控制范圍：15Pa～200Pa連續(xù)可調(diào)；e)壓力控制精度：±1Pa。5.3工藝運(yùn)行自動化控制計算機(jī)自動控制工藝過程，應(yīng)具有故障診斷、報警和保護(hù)功能。5.4安全要求5.4.1設(shè)置聲光報警，在壓力偏差、流量偏差、超溫、斷偶、斷水時應(yīng)能報警，并能夠根據(jù)實(shí)際情況處理。5.4.2管式LPCVD設(shè)備的對地絕緣電阻應(yīng)不小于1MΩ。5.4.3電氣連接及安全應(yīng)符合GB/T5226.1—2019的規(guī)定。5.4.4設(shè)備外殼溫度應(yīng)不超過35℃。5.4.5反應(yīng)殘余氣體經(jīng)尾氣處理裝置處理后方可排放，應(yīng)符合GB51401的規(guī)定。5.4.6設(shè)備所用特氣如磷烷、硅烷等的泄漏檢測應(yīng)符合SEMIS6的規(guī)定。5.5可靠性5.5.1系統(tǒng)的平均故障間隔時間(MTBF)由供需雙方協(xié)商確定。5.5.2系統(tǒng)的平均維修時間(MTTR)由供需雙方協(xié)商確定。5.6噪聲系統(tǒng)正常運(yùn)行中，系統(tǒng)等效連續(xù)A聲級噪聲應(yīng)不大于75dB（A）。5.7電磁兼容性電磁兼容性應(yīng)符合GB/T30116的規(guī)定。6檢驗(yàn)方法6.1檢驗(yàn)設(shè)備及儀器以下檢驗(yàn)用設(shè)備及儀器應(yīng)經(jīng)專業(yè)計量機(jī)構(gòu)鑒定，并在檢定/校準(zhǔn)合格有效期內(nèi)：a)橢偏儀；b)游標(biāo)卡尺、卷尺；c)兆歐表；d)聲級計；4T/CPIA0059—2024e)氦質(zhì)譜檢漏儀，瓶裝氦氣，減壓閥0MPa～0.4MPa；f)智能電表或電表；g)接觸式溫度檢測儀。h)隨機(jī)儀表：壓控儀、熱電偶、溫控儀、計時器。6.2外觀及結(jié)構(gòu)檢查對照設(shè)備的技術(shù)文件或設(shè)計圖紙，對設(shè)備的外觀和結(jié)構(gòu)進(jìn)行目視檢查。6.3基本性能檢測6.3.1膜厚不均勻性6.3.1.1本征多晶硅（Poly-Si）片內(nèi)不均勻性淀積工藝結(jié)束后，每管按空間位置均勻取n片（至少9片，爐口、爐中及爐尾各取至少3片）的任一片，用橢偏儀測量硅片上5點(diǎn)膜厚ti，取點(diǎn)位置見圖1，周邊四點(diǎn)中心軸線對稱，測量點(diǎn)距硅片邊緣距離≥15mm，按照公式（1）計算片內(nèi)膜厚不均勻性。圖1單片膜厚測量位置示意圖式中：δi——片內(nèi)膜厚不均勻性，單位為百分比（%）；ti——片內(nèi)第i點(diǎn)的膜厚測量值，單位為納米（nm）；tmax——片內(nèi)最大膜厚，max（ti單位為納米（nmtmin——片內(nèi)最小膜厚，min（ti單位為納米（nmtavg——片內(nèi)膜厚平均值，單位為納米（nm）。6.3.1.2本征多晶硅（Poly-Si）片間膜厚不均勻性在采用完全相同的工藝條件和參數(shù)完成淀積工藝的同一批基片中，每管按空間位置均勻取n片（至少9片，爐口、爐中及爐尾各取至少3片）。每片樣品按照6.3.1.1的規(guī)定取點(diǎn)，并采用橢偏儀測量各點(diǎn)的膜厚。按照公式（2）計算片間膜厚不均勻性。5T/CPIA0059—2024式中：δp——片間膜厚不均勻性，單位為百分比（%）；EQ\*jc3\*hps20\o\al(\s\up0(-),t)max——n片片內(nèi)膜厚平均值的最大值，max(tavg)，單位為納米（nm）；EQ\*jc3\*hps20\o\al(\s\up0(-),t)min——n片片內(nèi)膜厚平均值的最小值，min(tavg)，單位為納米（nm）；EQ\*jc3\*hps20\o\al(\s\up0(-),t)avg——n片片內(nèi)膜厚平均值的平均值，單位為納米（nm）。6.3.1.3本征多晶硅（Poly-Si）批間膜厚不均勻性在采用完全相同的工藝條件和參數(shù)完成淀積工藝的若干批基片中，任取5批，每批至少取9片樣品。每片樣品按照6.3.1.1的規(guī)定取點(diǎn)，并采用橢偏儀測量各點(diǎn)的膜厚。按照公式（3）計算批間膜厚不均勻性。式中：δw——批間膜厚不均勻性；EQ\*jc3\*hps20\o\al(\s\up0(-),t)kmax——批間膜厚平均值的最大值，單位為納米（nm）；EQ\*jc3\*hps20\o\al(\s\up0(-),t)kmin——批間膜厚平均值的最小值，單位為納米（nm）；EQ\*jc3\*hps20\o\al(\s\up0(-),t)kavg——批間膜厚平均值的平均值，單位為納米（nm）。6.3.1.4隧穿氧化層不均勻性隧穿氧化層的不均勻性檢測，可采用以下方法之一實(shí)施：使用正常工藝制備的硅片，實(shí)施電池效率檢測，如果電池效率滿足既定要求規(guī)格，視為不均勻性合格。如果電池效率發(fā)生惡化，需同步確認(rèn)隧穿氧化層及其以外的原因。不能使用正常工藝的硅片，需使用鏡面拋光的硅片，采用隧穿氧化層相同的工藝條件和參數(shù)完成氧化層制備樣片，不實(shí)施本征多晶硅（Poly-Si）層工藝制備。樣片制備后，檢測取樣同6.3.1.1，檢測值的范圍應(yīng)符合5.2.1中b）的要求。6.3.2膜厚控制范圍檢測在確保5.2.1不均勻性的前提下，將膜厚設(shè)置為最小值、最大值和任意幾個中間值，調(diào)整鍍膜時長等參數(shù)，設(shè)備應(yīng)能有效制備這些膜厚規(guī)格。6.3.3工藝溫度6.3.3.1溫度控制范圍驗(yàn)證在滿足本文件第4章規(guī)定的工作環(huán)境條件下，在設(shè)備要求的溫度范圍內(nèi)，將溫度設(shè)置為最小值、最大值和任意幾個中間值，設(shè)備應(yīng)能以一定的升溫速率達(dá)到此溫度且溫度穩(wěn)定。6.3.3.2恒溫區(qū)溫度控制精度檢測在滿足本文件第4章規(guī)定的工作環(huán)境條件下，將反應(yīng)室溫度設(shè)置為650℃。當(dāng)反應(yīng)室溫度達(dá)到設(shè)定值時，穩(wěn)定30min后，每隔5min記錄一次溫度測量儀器檢測到的溫度值，將所得到的數(shù)據(jù)采用數(shù)理統(tǒng)計方法，用溫度標(biāo)準(zhǔn)差P1表示溫度控制精度。按照SJ20984—2008中公式（4）計算恒溫區(qū)溫度控制精度。6.3.3.3恒溫區(qū)單點(diǎn)穩(wěn)定性檢測在滿足本標(biāo)準(zhǔn)第4章規(guī)定的工作環(huán)境條件下，將溫度設(shè)置為650℃。當(dāng)溫度達(dá)到設(shè)定值時，穩(wěn)定30min后，采用溫度測量儀器測量基片放置區(qū)域中任意一點(diǎn)的溫度值，每隔10min記錄一次，連續(xù)測量2h。將所得到的數(shù)據(jù)采用數(shù)理統(tǒng)計方法，用溫度標(biāo)準(zhǔn)差P2來表示溫度點(diǎn)穩(wěn)定性。按照SJ20984—2008中公式（5）計算恒溫區(qū)單點(diǎn)穩(wěn)定性。6.3.3.4升溫時間驗(yàn)證在滿足本標(biāo)準(zhǔn)第4章規(guī)定的工作環(huán)境條件下，將溫度設(shè)置為650℃或設(shè)備控溫范圍內(nèi)的其他溫度，記錄開始升溫至溫度達(dá)到設(shè)定值的時間。6T/CPIA0059—20246.3.4壓力控制6.3.4.1極限真空檢測根據(jù)GB/T11164—2011中5.1測定。6.3.4.2真空系統(tǒng)漏率檢測對反應(yīng)室（管）抽真空至極限真空，關(guān)閉主抽及預(yù)抽。3min后開始記錄時間和壓控儀的讀數(shù)，每分鐘記1次，共10min。計算單位時間內(nèi)的壓力變化值。6.3.4.3氣路管道漏氣率檢測根據(jù)SJ20984—2008中4.5.4.4.1的規(guī)定檢測。6.3.4.4壓力控制范圍檢測反應(yīng)室（管）抽到本底真空后，通入一定量的工藝氣體，將壓力分別設(shè)置為15Pa～200Pa范圍內(nèi)的任意壓力值，等壓力穩(wěn)定后觀察壓控儀的讀數(shù)。6.3.4.5壓力控制精度檢測向反應(yīng)室（管）通入一定量的工藝氣體，將壓力設(shè)定在15Pa～200Pa范圍內(nèi)的任意壓力值，等壓力穩(wěn)定后觀察壓控儀的讀數(shù)。6.4工藝運(yùn)行自動化控制檢驗(yàn)?zāi)M工藝運(yùn)行，實(shí)際驗(yàn)證工藝參數(shù)的設(shè)定、工藝流程、故障診斷及報警均由計算機(jī)全自動控制。6.5安全要求檢測6.5.1報警檢測根據(jù)SJ20984—2008中4.5.5的規(guī)定逐項(xiàng)進(jìn)行驗(yàn)證。6.5.2絕緣電阻試驗(yàn)將設(shè)備總電源斷開（即設(shè)備電源不接入電網(wǎng)用兆歐表分別測量電網(wǎng)電壓所有輸入端與機(jī)殼之間的電阻值。測試結(jié)果是否滿足5.4.2的要求。6.5.3電氣連接及安全檢測按照GB/T5226.1—2019的規(guī)定進(jìn)行檢測。6.5.4設(shè)備外殼溫度檢測設(shè)備正常生產(chǎn)運(yùn)行情況下，采用接觸式溫度檢測儀測量設(shè)備的外殼溫度。試驗(yàn)結(jié)果是否滿足5.4.4的要求。6.6可靠性檢測按GB/T5080.7的規(guī)定，選定試驗(yàn)方案，進(jìn)行可靠性試驗(yàn)。測試結(jié)果是否滿足5.5的要求。6.7噪聲檢測系統(tǒng)負(fù)載運(yùn)行中，用精度為2dB的聲級計，在設(shè)備正前方1m處、高出地面1.2m～1.5m處，測量噪聲聲壓級(A計權(quán))。測試結(jié)果是否滿足5.6的要求。6.8電磁兼容性檢測電磁兼容性檢驗(yàn)應(yīng)按照GB/T30116的規(guī)定進(jìn)行。7交付檢驗(yàn)7T/CPIA0059—20247.1交付檢驗(yàn)項(xiàng)目應(yīng)符合表1的規(guī)定。表1檢驗(yàn)項(xiàng)目1●2●3●4●5●7●8●9●●●7.2交付檢驗(yàn)應(yīng)在用戶現(xiàn)場安裝、調(diào)試后進(jìn)行。7.3交付檢驗(yàn)項(xiàng)目中任一項(xiàng)出現(xiàn)故障時，應(yīng)停止檢驗(yàn)，查出故障原因，排除故障后，重新進(jìn)行檢驗(yàn)。重新檢驗(yàn)中若再次出現(xiàn)故障，應(yīng)將該設(shè)備判為不合格。8標(biāo)志、包裝、搬運(yùn)和運(yùn)輸、貯存8.1標(biāo)志8.1.1設(shè)備標(biāo)牌管式LPCVD設(shè)備應(yīng)在明顯部位設(shè)置字跡清晰、牢固耐久的標(biāo)牌，并符合GB/T13306的規(guī)定。標(biāo)牌中至少應(yīng)包含以下內(nèi)容：a)設(shè)備名稱和型號；b)設(shè)備額定電壓、額定電流、額定功率；c)設(shè)備外形尺寸和重量；d)出廠編號、制造日期；e)制造單位名稱或商標(biāo)。8.1.2零件、部件和導(dǎo)線標(biāo)志管式LPCVD設(shè)備的零件、部件和導(dǎo)線標(biāo)志要求如下：a)管式LPCVD設(shè)備的接線柱、接線板、插頭座、接插件、線纜的代號及其連接點(diǎn)、端頭應(yīng)加以標(biāo)記；b)管式LPCVD設(shè)備的控制裝置和檢測裝置附近，應(yīng)有表示用途（如“接通”“斷開”等）的清晰標(biāo)記或圖形符號；c)控制面板上的開關(guān)、旋鈕、按鈕、指示燈等應(yīng)有字跡清晰、格式規(guī)范的文字標(biāo)識；d)導(dǎo)線兩端應(yīng)采用塑料套管并印有相應(yīng)的導(dǎo)線編號，且應(yīng)與電路圖保持一致。8.1.3安全標(biāo)志管式LPCVD設(shè)備的安全標(biāo)志要求如下：a)安全標(biāo)志圖形的含義、顏色組合與使用方法應(yīng)符合GB2894—2008的規(guī)定；b)設(shè)備的特殊安全要求及應(yīng)遵守的操作規(guī)程應(yīng)根據(jù)需要制成標(biāo)牌，固定在醒目位置。8.1.4包裝標(biāo)志8T/CPIA0059—20248.1.4.1包裝箱上應(yīng)“易碎物品”“禁止翻滾”“向上”“怕雨”等儲運(yùn)圖示標(biāo)志，需要吊裝的包裝箱應(yīng)有“由此吊起”標(biāo)志，且儲運(yùn)圖示標(biāo)志應(yīng)符合GB/T191的規(guī)定。8.1.4.2需要時，包裝箱應(yīng)按GB/T6388的規(guī)定標(biāo)明收發(fā)貨標(biāo)志，至少應(yīng)包含商品分類圖示標(biāo)志、設(shè)備名稱、型號和規(guī)格、包裝箱體積和重量、收貨地點(diǎn)和單位、發(fā)貨單位、包裝日期等信息。8.2包裝8.2.1管式LPCVD設(shè)備應(yīng)采用箱裝，同時采用防潮包裝、防震包裝等防護(hù)包裝，具體應(yīng)滿足GB/T13384的相應(yīng)規(guī)定。包裝應(yīng)牢固可靠，包裝箱邊角用扎帶加固，防止開裂。8.2.2包裝材料應(yīng)清潔干燥，且具有防霉、防蛀等特性，不應(yīng)使用導(dǎo)致設(shè)備銹蝕及產(chǎn)生有害氣體的材料（如石棉）。緩沖和包裹材料應(yīng)