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文檔簡(jiǎn)介
泰州學(xué)院
教案
2023?2023學(xué)年第二學(xué)期
Q學(xué)院(系、部)_______________________________
教研室(試驗(yàn)室)電氣工程教研室
課程名稱電力電子技術(shù)
授課班級(jí)_______________________________
主講教師_______________________________
職稱_______________________________
使用教材《電力電子技術(shù)》王兆安主編
OXXXXXXX
二。一七年一月
電力電子技術(shù)課程教案
第1講
課程類別理論則實(shí)訓(xùn)課口試驗(yàn)課口習(xí)題課口其他口2
女外
講課題目
1緒論
教學(xué)目的、規(guī)定
1.掌握電力電子技術(shù)的基本概念、學(xué)科地位、基本內(nèi)容;
2.理解電力電子技術(shù)的發(fā)展史;
3.理解電力電子技術(shù)口勺應(yīng)用、電力電子技術(shù)的發(fā)展前景;
4.理解本教材的內(nèi)容。
教學(xué)重點(diǎn)及難點(diǎn)
重點(diǎn):電力電子器件的分類,電能的4種變換形式。
難點(diǎn):無(wú)
措施及手
教學(xué)過程
段
導(dǎo)入:電力電子技術(shù)的應(yīng)用案例。多媒體
新授:
1基本概念
1.1什么是電力電子技術(shù)
舉例講解
電力電子技術(shù):使用電力電子器件對(duì)電能進(jìn)行變換和控制的1技術(shù)目前電力電子器
件均用半導(dǎo)體制成,故也稱電力半導(dǎo)體器件。電力電子技術(shù)變換的“電力”可大到數(shù)百
MW甚至GW,也可小到數(shù)W甚至mW級(jí)。
電子技術(shù)一般即指信息電子技術(shù),廣義而言,也包括電力電子技術(shù)。
1.2兩大分支
(1)電力電子器件制造技術(shù)
電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),理論基礎(chǔ)是半導(dǎo)體物理。
(2)變流技術(shù)(電力電子器件應(yīng)用技術(shù))
用電力電子器件構(gòu)成電力變換電路和對(duì)其進(jìn)行控制的技術(shù),以及構(gòu)成電力電子裝
置和電力電子系統(tǒng)的技術(shù)。電力電子技術(shù)的J關(guān)鍵,理論基礎(chǔ)是電路理論。
電力變換四大類:交流變直流、直流變交流、直流變直流、交流變交流
1.3與有關(guān)學(xué)科的關(guān)系
>電力電子學(xué)(PowerEleclronics)名稱60年代出現(xiàn);
>1974年,美國(guó)B勺WNewcll用倒三角形對(duì)電力電子學(xué)進(jìn)行了描述,被全世界普
遍接受。
(1)與電子學(xué)(信息電子學(xué))的關(guān)系
>都分為器件和應(yīng)用兩大分支;
>器件的材料、工藝基本相似,采用微電子技術(shù):
>應(yīng)用的理論基礎(chǔ)、分析措施、分析軟件也基本相似;
>信息電子電路H勺器件可工作在開關(guān)狀態(tài),也可工作在放大狀態(tài);電力電子電
路的器件一般只工作在開關(guān)狀態(tài);
(2)與電力學(xué)(電氣工程)的關(guān)系
>電力電子技術(shù)廣泛用于電氣工程中:高壓直流輸電、靜止無(wú)功賠償、電力機(jī)
車牽引、交直流電力傳、電解、電鍍、電加熱、高性能交直流電源;
>國(guó)內(nèi)外均把電力電子技術(shù)歸為電氣工程的一種分支,電力電子技術(shù)是電氣工
程學(xué)科中最為活躍的一種分支。
<3)與控制理論(自動(dòng)化技術(shù))的關(guān)系
>電力電子技術(shù)是弱電控制強(qiáng)電的I技術(shù),是弱電和強(qiáng)電時(shí)接口;控制理論是這
種接口的有力紐帶;
>電力電子裝置是自動(dòng)化技術(shù)的基礎(chǔ)元件和重要支撐技術(shù)。
(4)地位和未來(lái)
電力電子技術(shù)和運(yùn)動(dòng)控制一起,和計(jì)算機(jī)技術(shù)共同成為未來(lái)科學(xué)技術(shù)的兩大支柱。
電力電子技術(shù)是一門嶄新日勺技術(shù),二十一世紀(jì)仍將以迅猛的速度發(fā)展。
2電力電子技術(shù)的發(fā)展史
>一般工業(yè):交直流電機(jī)、電化學(xué)工業(yè)、冶金工業(yè);
>交通運(yùn)送:電氣化鐵道、電動(dòng)汽車、航空、航海;
>電力系統(tǒng):高壓直流輸電、柔性交流輸電、無(wú)功賠償;
>電子裝置電源:為信息電子裝置提供動(dòng)力;
>家用電器:“節(jié)能燈”、變頻空調(diào);
>其他:UPS、航天飛行器、新能源、發(fā)電裝置。
3電力電子技術(shù)的應(yīng)用
>電源技術(shù):電力電子裝置提供應(yīng)負(fù)載H勺是多種不一樣的電源;
>節(jié)能技術(shù):電力電子技術(shù)對(duì)節(jié)省電能有重要意義,尤其在大型風(fēng)機(jī)、水泵采
用變頻調(diào)速,在使用量十分龐大啊照明電源等方血。
作業(yè)和思索題:
教學(xué)反思:
電力電子技術(shù)課程教案
第2講
課程類別理論課實(shí)訓(xùn)課口試驗(yàn)課口習(xí)題課口其他口2
N女拜
講課題目
2.1電力電子器件概述
2.2不控型器件一電力二極管
教學(xué)目的、規(guī)定
1.掌握電力電子器件的概念和特性;
2.熟悉應(yīng)用電力電子器件日勺系統(tǒng)構(gòu)成;
3.理解電力電子器件的分類;
4.掌握電力二極管的工作特性。
教學(xué)重點(diǎn)及難點(diǎn)
重點(diǎn):器件的工作原理、基本特性、重要參數(shù)以及選擇和使用中應(yīng)注意的某些問題。
難點(diǎn):基本特性及電力電子器件的1兩個(gè)基本規(guī)定。
措施及手
教學(xué)過程
段
導(dǎo)入:
復(fù)習(xí)回憶。
新授:
1.1電力電子器件概述
1.1.1電力電子器件的概念和特性
>主電路(MainPowerCircuit)——電氣設(shè)備或電力系統(tǒng)中,直接承擔(dān)電能的
變換或控制任務(wù)的電路。
>電力電子器件(PowerElectronicDevice)-----可直接用于處理電能日勺主電路
中,實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。
>廣義上電力電子器件可分為電真空器件和半導(dǎo)體器件兩類。
>兩類中,自20世紀(jì)50年代以來(lái),真空管僅在頻率很高(如微波)口勺大功率
高頻電源中還在使用,而電力半導(dǎo)體器件已取代了汞弧整流器(MercuryArc
Rectifier),閘流管(Thyratron)等電真空器件,成為絕對(duì)主力。因此,電力
電子器件目前也往往專指電力半導(dǎo)體器件。
>電力半導(dǎo)體器件所采用H勺重要材料仍然是硅。
>同處理信息的電子器件相比,電力電子器件H勺一般特性:
1)處理電功率日勺能力小至亳瓦級(jí),大至兆瓦級(jí);
2)電力電子器件一般都工作在開關(guān)狀態(tài);
3)電力電子器件往往需要由信息電子電路來(lái)控制;
4)不僅在器件封裝二講究散熱設(shè)計(jì),在其工作時(shí)一般都要安裝散熱器。
1.1.2應(yīng)用電力電子器件的系統(tǒng)構(gòu)成
電力電子系統(tǒng):由控制電路、驅(qū)動(dòng)電路和以電力電子器件為關(guān)鍵的主電路構(gòu)成。
A按照器件可以被控制電路信號(hào)所控制日勺程度,分為如下三類:
A半控型器件:通過控制信號(hào)可以控制其導(dǎo)通而不能控制其關(guān)斷,如晶閘管;
A全控型器件;通過控制信號(hào)既可控制其導(dǎo)通又可控制其美斷,又稱自關(guān)斷器件,
包括絕緣柵雙極晶體管IGBT、電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET以及門極可關(guān)斷晶閘管GTO;
A不可控器件:不能用控制信號(hào)來(lái)控制其通斷,因此也就不需要驅(qū)動(dòng)電路,如電
力二極管。
(2)按照驅(qū)動(dòng)電路加在器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì),分為兩類:
A電流驅(qū)動(dòng)型:通過從控制端注入或者抽出電流來(lái)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或者關(guān)斷的控制;
》電壓驅(qū)動(dòng)型:僅通過在控制端和公共端之間施加一定的電壓信號(hào)就可實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通
或者關(guān)斷的控制。
(3)按照器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的狀況分為三類:
》單極型器件:山一種載流于參與導(dǎo)電的器件;
A雙極型器件:由電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的器件;
》復(fù)合型器件:由單極型器件和雙極型器件集成混合而成的器件。
1.2不可控器件一電力二極管
1.2.1PN結(jié)與電力二極管的工作原理
PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕憾O管的基本原理就在于PN結(jié)的單向?qū)щ娦赃@?重要特性。
導(dǎo)致電力二極管和信息電子電路中的一般二極管區(qū)別的某些原因:
A正向?qū)〞r(shí)要流過很大日勺電流;
A引線和焊接電阻的壓降等均有明顯的影響;
?承受的J電流變化率d〃dz較大;
A為了提高反向耐壓,其摻雜濃度低也導(dǎo)致正向壓降較大。
1.2.2電力二極管H勺基木特性
(1)靜態(tài)特性:伏安特性
當(dāng)電力二極管承受的正向電壓大到一定值(門檻電壓So),正向電流才開始明顯
增長(zhǎng),處在穩(wěn)定導(dǎo)通狀態(tài)。與正向電流丘對(duì)應(yīng)的J電力二極管兩端日勺電壓3即為其正向電
壓降。當(dāng)電力一極管承受反向電壓時(shí),只有少子引起的微小而數(shù)值恒定II勺反向漏電流。
(2)動(dòng)態(tài)特性:因結(jié)電容日勺存在,三種狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換必然有一種過渡過程,此過程
中的電壓一電流特性是隨時(shí)間變化口勺。
(3)開關(guān)特性:反應(yīng)通態(tài)和斷態(tài)之間的轉(zhuǎn)換過程。
電力二極管口勺正向壓降先出現(xiàn)一種過沖UFP,通過一段時(shí)間才趨于靠近穩(wěn)態(tài)壓降的
某個(gè)值(如2V)o這一動(dòng)態(tài)過程時(shí)間被稱為正向恢復(fù)時(shí)間"尸
1.2.3電力二極管的重要參數(shù)
(1)正向平均電流,F(xiàn)(AV)
在指定的管殼溫度(簡(jiǎn)稱克溫,用化表達(dá))和散熱條件下,其容許流過日勺最大工
頻正弦半波電流H勺平均值。
(2)正向壓降UF
指電力二極管在指定溫度下,流過某一指定的穩(wěn)態(tài)正向電流時(shí)對(duì)應(yīng)的正向壓降。
(3)反向反復(fù)峰值電壓URRM
指對(duì)電力二極管所能反復(fù)施加口勺反向最高峰值電壓,一般是其雪崩擊穿電壓UB的
2/3,使用時(shí),往往按照電路中電力二極管也許承受的反向最高峰值電壓的兩倍來(lái)選定。
(4)最高工作結(jié)溫7)M
結(jié)溫是指管芯PN結(jié)的平均溫度,川7)表達(dá),最高工作結(jié)溫7加是指在PN結(jié)不致?lián)p壞
的前提下所能承受的最高平均溫度,TKi一般在125-175笛范圍之內(nèi)。
(5)反向恢復(fù)時(shí)間加
5=加+",關(guān)斷過程中,電流降到0起到恢復(fù)反向阻斷能力止的時(shí)間。
(6)浪涌電流/FSM
指電力二極管所能承受最大II勺持續(xù)一種或幾種工頻周期的過電流。
1.2.4電力二極管的重要類型
A—?般二極管(GeneralPurposeDiode)
A快恢復(fù)二極管(FastRecoveryDiode—FRD)
A肖特基二極管
作業(yè)和思索題:
教學(xué)反思:
電力電子技術(shù)課程教案
第3講
課程類別理論課實(shí)訓(xùn)課口試驗(yàn)課口習(xí)題課口其他口2
N女拜
講課題目
2.3半控型器件一品閘管
教學(xué)目的、規(guī)定
1.掌握晶閘管的工作原理、參數(shù)確實(shí)定和型號(hào)的選擇,熟悉其基本特性,理解晶閘管的派生器件;
2.熟悉可關(guān)斷晶閘管(GTO)的構(gòu)造和工作原理,理解有關(guān)特性和參數(shù)。
教學(xué)重點(diǎn)及難點(diǎn)
重點(diǎn):晶閘管的額定電流、額定電壓參數(shù),品閘管的額定電流計(jì)算,GTO的工作原理;
難點(diǎn):晶閘管口勺額定電流計(jì)算和型號(hào)選擇,幾種重要參數(shù)日勺理解;
措施及手
教學(xué)過程
段
導(dǎo)入;多媒體、
復(fù)習(xí)回憶:舉例
I.二極管的導(dǎo)通原理是什么?錄像
2.功率二極管的額定電流怎樣計(jì)算?
3.功率二極管的伏安特性相比較有什么特點(diǎn)?
新授:
1.3半控型器件一晶閘管
晶閘管(Thyristor):晶體閘流管,又稱可控硅整流器(SiliconControlled
Rectifier——SCR),1956年美國(guó)貝爾試驗(yàn)室(BellLab)發(fā)明了晶閘管,1957年美國(guó)通
用電氣企業(yè)(GE)開發(fā)出第一只晶閘管產(chǎn)品,1958年商業(yè)化,開辟了電力電子技術(shù)迅
速發(fā)展和廣泛應(yīng)用的嶄新時(shí)代,20世紀(jì)80年代以來(lái),開始被性能更好的全控型器件取
代,能承受的電壓和電流容量最高,工作可靠,在大容量口勺場(chǎng)所具有重要地位。
晶閘管的構(gòu)造與工作原理
下外形有螺栓型和平板型兩種封裝,
》引出陽(yáng)極A、陰極K和門極(控制端)G三個(gè)聯(lián)接端,
>對(duì)于螺栓型封裝,一般螺栓是其陽(yáng)極,能與散熱器緊密聯(lián)接且安裝以便,平板型
封裝的晶閘管可由兩個(gè)散熱器將其夾在中間。
M)b)c)
工作原理:
Ici=aiIA+ICBOI:Iu2=a2k+ICBO2:
IK=IA+IG:IA=ICI+IC2O
a)b)
>式中和分別是晶體管V|和V2/、J共基極電流增益;,CBO1和,CBO2分別是V]和V?
口勺共基極漏電流”由以上式(1-1)-(1-4)可得
I_%,G+/CBO1+‘CBO2
41一(q+%)
》晶體管H勺特性是:在低發(fā)射極電流下a是很小的,而當(dāng)發(fā)射極電流建立起來(lái)之后,
a迅速增大。
》阻斷狀態(tài):50,0+痣很小,流過晶閘管的漏電流稍不小于兩個(gè)晶體管漏電流
之和。
A開通(門極觸發(fā)):注入觸發(fā)電流使晶體管的發(fā)射極電流增大以致內(nèi)+⑦趨近于1
n勺話,流過晶閘管口勺電流〃(陽(yáng)極電流)將趨近丁?無(wú)窮大,實(shí)現(xiàn)飽和導(dǎo)通。人實(shí)際由外
電路決定。
其他幾種也許導(dǎo)通的狀況:
A陽(yáng)極電壓升高至相稱高口勺數(shù)值導(dǎo)致雪崩效應(yīng);
A陽(yáng)極電壓上升率d〃處過高;
A結(jié)溫較高;
A光直接照射硅片,即光觸發(fā)。光觸發(fā)可以保證控制電路與主電路之間的良好絕
緣而應(yīng)用于高壓電力設(shè)備中之外,其他都因不易控制而難以應(yīng)用于實(shí)踐,稱為光控晶
閘管(LighlTriggeredThyristorLTT)
下只有門極觸發(fā)(包括光觸發(fā))是最精確、迅速而可靠的控制手段。
晶閘管正常工作時(shí)的特性總結(jié):
A承受反向電壓時(shí),不管門極與否有觸發(fā)電流,晶閘管都不會(huì)導(dǎo)通;
A承受正向電壓時(shí),僅在門極有觸發(fā)電流日勺狀況下晶閘管才能開通;
A晶閘管一旦導(dǎo)通,門極就失去控制作用。
要使要閘管關(guān)斷,只能使晶閘管H勺電流降到靠近于零H勺某?數(shù)值如下。
晶閘管的基本特性
(1)正向特性
/G=0時(shí),器件兩端施加正向電壓,只有很小的正向漏電流,為正向阻斷狀態(tài);正
向電壓超過正向轉(zhuǎn)折電壓Ug,則漏電流急劇增大,器件開通;伴隨門極電流幅值的增
大,正向轉(zhuǎn)折電壓減少。
(2)反向特性。
反向阻斷狀態(tài)時(shí),只有極小的反向漏電流流過;當(dāng)反向電壓到達(dá)反向擊穿電壓后,
也許導(dǎo)致晶閘管發(fā)熱損壞。
晶閘管的重要參數(shù)
1)斷態(tài)反復(fù)峰值電壓UDRM
在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí),容許反復(fù)加在器件I:日勺正向峰值電壓。
2)反向反復(fù)峰值電壓URRM
在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí),容許反復(fù)加在器件上U勺反向峰值電壓。
3)通態(tài)(峰值)電壓UT
——晶閘管通以某一規(guī)定倍數(shù)的額定通態(tài)平均電流時(shí)的瞬態(tài)峰值電壓。
A一般取晶閘管『'JUDRM和URRM中較小H勺標(biāo)值作為該器件日勺額定電壓;
A選用時(shí),一般取額定電壓為正常工作時(shí)晶閘管所承受峰值電壓2?3倍。
4)維持電流IH:使晶閘管維持導(dǎo)通所必需的最小電流。
5)擎住電流II:晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號(hào)后,能維持導(dǎo)通所需的
最小電流。對(duì)同一晶閘管來(lái)說,一般h約為IH"勺2?4倍。
6)浪涌電流ITSM:指由「電路異常狀況引起的并使結(jié)溫超過額定結(jié)溫H勺不反復(fù)性最
大正向過載電流。
7)通態(tài)平均電流IT(AV)
使用時(shí)應(yīng)按實(shí)際電流與通態(tài)平均電流所導(dǎo)致的發(fā)熱效應(yīng)相等,即有效值相等的原
則來(lái)選用晶閘管。應(yīng)留一定的裕量,一般取1.5?2倍。
作業(yè)和思索題:P42習(xí)題4、5
教學(xué)反思;
電力電子技術(shù)課程教案
第4講
課時(shí)
課程類別理論課N實(shí)訓(xùn)課口試驗(yàn)課口習(xí)題課口其他口2
安排
講課題目
2.4經(jīng)典全控型器件
教學(xué)目的、規(guī)定
1.熟悉可關(guān)斷晶閘管(GTO)的構(gòu)造和工作原理,理解有關(guān)特性和參數(shù);
2.熟悉電力晶體管(GTR)、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的J構(gòu)造和工作原理。
教學(xué)重點(diǎn)及難點(diǎn)
重點(diǎn):熟悉GTR、P-MOSFET,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的構(gòu)造及其工作原理;
難點(diǎn):上述多種器件的導(dǎo)通和關(guān)斷過程分析。
措施及手
教學(xué)過程
段
導(dǎo)入:多媒體
復(fù)習(xí)回憶:
1.晶閘管的額定電流怎樣計(jì)算?2.晶閘管的重要參數(shù)有哪些?3、與一般晶閘管
相比較,對(duì)GTO日勺構(gòu)造、工作原理進(jìn)行比較分析。
新授:舉例講解
1.4經(jīng)典全控型器件
門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)在20世紀(jì)80年代問世,是晶閘管的一種派生器件,標(biāo)
志電力電子技術(shù)進(jìn)入了一種嶄新時(shí)代,經(jīng)典代表包括門極可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管、
電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管、絕緣柵雙極晶體管。
門極可關(guān)斷晶閘管
(1)重要特點(diǎn):
A可以通過在門極施加負(fù)口勺脈沖電流使其關(guān)斷
AGTO的電壓、電流容量較大。
(2)構(gòu)造:(與一般晶閘管相比)
》相似點(diǎn):PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)造,外部引出陽(yáng)極、陰極和門極。
?不一樣點(diǎn):GTO是一種多元的J功率集成器件。
(3)工作原理:一般晶閘管同樣,可以用圖所示的雙晶體管模型來(lái)分析。
電力晶體管
A電力晶體管(GiantTransistor—GTR,直譯為巨型晶體管);
A耐高電壓、大電流H勺雙極結(jié)型晶體管(BipolarJunctionTransistor----BJT),英
文有時(shí)候也稱為PowerBJTo
A應(yīng)用:20世紀(jì)80年代以來(lái),在中、小功率范圍內(nèi)取代晶間管,但目前又大多被IGBT
和電力MOSFET取代。
1.GTRI向構(gòu)造和工作原理
(1)靜態(tài)特性
A共發(fā)射極接法時(shí)的經(jīng)典輸出特性:截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū);
A在電力電子電路中GTR工作在開關(guān)狀態(tài);
(2)動(dòng)態(tài)特性
A開通過程:延遲時(shí)間la和上升時(shí)間。,兩者之和為開通時(shí)間
?關(guān)斷過程:儲(chǔ)存時(shí)間&和下降時(shí)間tf,兩者之和為關(guān)斷時(shí)間。
GTR的開關(guān)時(shí)間在幾微秒以內(nèi),比晶閘管和GTO都短諸多。
(3)參數(shù)
1)最高工作電壓
AGTR上電壓超過規(guī)定值時(shí)會(huì)發(fā)生擊穿;
?擊穿電壓不僅和晶體管自身特性有關(guān),還與外電路接法有關(guān);
xBUcbo>BUcex>BUc?>BUCCr>Blkw。
2)集電極最大耗散功率PcM
A最高工作溫度下容許日勺耗散功率。
》一次擊穿:集電極電壓升高至擊穿電壓時(shí),k迅速增大,只要Ic不超過程度,GTR
一般不會(huì)損壞,工作特性也不變。
?二次擊穿:一次擊穿發(fā)生時(shí),Ic忽然急劇上升,電壓隧然下降,常常立即導(dǎo)致器
件的永久損壞,或者工作特性明顯衰變。
電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管
一般重要指絕緣柵型中歐1Mos型(MelalOxideSemiconductorFET),簡(jiǎn)稱電力
MOSFET(PowerMOSFET)。
構(gòu)造
DD
J
^
J二-
IA
I
-G」-
S
s
道
研p沏
N-
a)b)
截止:漏源極間加正電源,柵源極間電壓為零;
P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成H勺PN結(jié)L反偏,漏源極之間無(wú)電流流過。
導(dǎo)電:在柵源極間加正電壓UGS
當(dāng)UGS不小于UT時(shí),P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層,該反型層形成N溝
道而使PN結(jié)Ji消失,漏極和源極導(dǎo)電。
(2)特性
》漏極電流ID和柵源間電壓UGSH勺關(guān)系稱為MOSFETH勺轉(zhuǎn)移特性。
AID較大時(shí),ID與UGS的關(guān)系近似線性,曲線的斜率定義為跨導(dǎo)Gf3.
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
(I)構(gòu)造和工作原理
》三端器件:柵極G、集電極C和發(fā)射極E;
AN溝道VDMOSFET與GTR組合——N溝道IGBT:
AIGBT比VDMOSFET多一層P+注入?yún)^(qū),具有很強(qiáng)的J通流能力;
A簡(jiǎn)化等效電路表明,IGBT是GTR與MOSFET構(gòu)成的達(dá)林頓構(gòu)造,一種由MOSFET
驅(qū)動(dòng)的厚基區(qū)PNP晶體管;
>RN為晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。
A驅(qū)動(dòng)原理與電力MOSFET基本相似,場(chǎng)控器件通斷由柵射極電壓UGE決定:
導(dǎo)通:UGE不小于啟動(dòng)電壓UGW)時(shí),MOSFET內(nèi)形成溝道,為晶體管提供基極電
流,IGBT導(dǎo)通;
通態(tài)壓降:電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小,使通態(tài)壓降戒??;
關(guān)斷:柵射極間施加反壓或不加信號(hào)時(shí),MOSFET內(nèi)的溝道消失,晶體管的基極
電流被切斷,IGBT關(guān)斷。
(2)基本特性
作業(yè)和思索題;
教學(xué)反思:
電力電子技術(shù)課程教案
第5講
課程類別理論課實(shí)訓(xùn)課口試驗(yàn)課口習(xí)題課口其他口2
N女拜
講課題目
3.1單相可控整流電路
教學(xué)目的、規(guī)定
1.掌握單相半波可控整流電路的電路構(gòu)造、工作原理、波形分析、數(shù)量關(guān)系;
2.掌握不一樣負(fù)載時(shí),單相橋式全控整流電路的構(gòu)造、工作原理、波形分析和數(shù)量關(guān)系。
教學(xué)重點(diǎn)及難點(diǎn)
重點(diǎn):1.掌握單相半波可控整流電路的工作原理、波形分析和數(shù)最關(guān)系;
2.掌握單相橋式全控整流電路的工作原理、波形分析和數(shù)量關(guān)系;
難點(diǎn):1.單相半波可控整流電路的工作原理、波形分析。
2.單相橋式全控整流電路的工作原理、波形分析。
措施及手
教學(xué)過程
段
導(dǎo)入;多媒體
復(fù)習(xí)回憶:
新授:
2.1單相可控整流電路
單相半波可控整流電路(電阻負(fù)載)
舉例講解
》變壓器T起變換電壓和電氣隔離H勺作用;
A電阻負(fù)載的特點(diǎn):電壓與電流成正比,兩者波形相似:
A基本數(shù)量關(guān)系:
Ud=—jV2f/2sin(otd(cot)=-(1+cosa)=0.45U2
VTH勺移相范圍為180。,通過控制觸發(fā)脈沖歐I相位來(lái)控制直流輸出電壓大小的方式
稱為相位控制方式,簡(jiǎn)稱相控方式。
觸發(fā)延遲角:從晶閘管開始承受正向陽(yáng)極電壓起到施加觸發(fā)脈沖止的電角度,用a
表達(dá),也稱觸發(fā)角或控制角。
導(dǎo)通角:晶閘管在一種電源周期中處在通態(tài)H勺電角度,用。表達(dá)。
2.1.2單相半波可控整流電路(阻感負(fù)載)
(1)特點(diǎn):
A電感對(duì)電流變化有抗拒作用.使得流過電感的電流不發(fā)生突變:
AVT的移相范圍為180。;
A簡(jiǎn)樸,但輸出脈動(dòng)大,變壓器二次側(cè)電流中含直流分量,導(dǎo)致變壓器鐵芯直流
磁化。
(2)討論負(fù)載阻抗角0、觸發(fā)角a、晶閘管導(dǎo)通角。的關(guān)系。
?當(dāng)9過零變負(fù)時(shí),VDR導(dǎo)通,ud為零,VT承受反壓關(guān)斷;
AL儲(chǔ)存日勺能量保證了電流id在L-R-VDR回路中流通,此過程?般稱為續(xù)流,數(shù)量
關(guān)系(id近似恒為h):
7F4-6Z
IdVDR
2兀
2.1.3單相橋式全控整流電路
1.帶電阻負(fù)載的工作狀況
b)
M'W0
C)_
04
III⑼
d)
(1)工作原理及波形分析
AVT1和VT4構(gòu)成一對(duì)橋臂,在U2正半周承受電壓u2,得到觸發(fā)脈沖即導(dǎo)通,當(dāng)u2
過零時(shí)關(guān)斷。
AVT2和VT3構(gòu)成另一對(duì)橋臂,在u2正半周承受電壓川2,得到觸發(fā)脈沖即導(dǎo)通,
當(dāng)u2過零時(shí)關(guān)斷。
(2)數(shù)量關(guān)系
2y[2U1+cosa
(21+costz
Ua=—^\[2U2sinotd(cot)=0.9U,
式22
>a的移相范圍為180。。
A向負(fù)載輸出的平均電流值為:
U2Cu>1+costzU、1+coscr
,d=d
--------=------------------二-------------------------0.9—------------------
R7rR2R2
A流過晶閘管的電流平均值只有輸出直流平均值的二分之一,即:
U21+COS6Z
—/=0.45
dVT2dR2
A流過晶閘管的電流有效值:
技A.、2々、U、7i-a
-------^smw)-d(m)=1—sin2a-+
R叵R7171
A變壓器二次測(cè)電流有效值L與輸出直流電流I有效值相等:
2.帶阻感負(fù)載的I工作狀況
(I)工作原理及波形分析
A假設(shè)電路已工作于穩(wěn)態(tài),id^l平均值不變;
》假設(shè)負(fù)載電感很大,負(fù)載電流id持續(xù)且波形近似為一水平線;
UA=—j^°\/2U2sincoid((ot)=^^-U2cosa=0.9U2cosa
(2)數(shù)量關(guān)系
A晶閘管移相范圍為90。。
A晶閘管導(dǎo)通用。與a無(wú)關(guān),均為180。。電流的平均值和有效值:
=0.707/
9d
作業(yè)和思索題:P97習(xí)題1、3
教學(xué)反思:
電力電子技術(shù)課程教案
第6講
課時(shí)
課程類別理論課N實(shí)訓(xùn)課口試驗(yàn)課口習(xí)題深口其他口2
安排
講課題目
3.2三相可控整流電路(三相半波可控整流電路)
教學(xué)目的、規(guī)定
1.掌握三相半波可控整流電路的電路構(gòu)造、工作原理、波形分析?、數(shù)量關(guān)系。
教學(xué)重點(diǎn)及難點(diǎn)
重點(diǎn):工作原理、輸出電壓波形、晶閘管電壓波形分析;
難點(diǎn):三相可控整流電路時(shí),強(qiáng)調(diào)自然換流點(diǎn)、觸發(fā)脈沖移相范圍、臨界持續(xù)點(diǎn)等概念。
措施及手
教學(xué)過程
段
導(dǎo)入:多媒體
復(fù)習(xí)回憶:
新授:
2.2三相可控整流電路
舉例講解
A交流測(cè)由三相電源供電。
A負(fù)載容量較大,或規(guī)定直流電壓脈動(dòng)較小、輕易濾波“
A基本的是三相半波可控整流電路,三相橋式全控整流電路應(yīng)用最廣。
T
叫
叫
三相半控整流電路
1.電阻性負(fù)載
(1)電路特點(diǎn)
A變壓器二次側(cè)接成星形得到零線,而一次側(cè)接成三角形防止3次諧波流入電網(wǎng)。
A三個(gè)晶閘管分別接入a、b、c三相電以3其陰極埼二接在一一起一共陰極接法。
(2)自然換相點(diǎn)
二極管換相時(shí)刻為自然換相點(diǎn),是各在1晶閘管能蒯!發(fā)導(dǎo)追卅、J最早時(shí)刻,將其作為
計(jì)算各晶閘管觸發(fā)角a的起點(diǎn),即。=0。。
(3)整流電壓平均值口勺計(jì)算
AaW30。時(shí),負(fù)載電流持續(xù),有:
13疾
Ud=互叵U、sincjt)td(cot)='、U、cosa=1.17U,cosa
2%
3
》〃>30。時(shí),負(fù)載電流斷續(xù),晶閘管導(dǎo)通角減小,此時(shí)有:
3叵v2TC
U.=1一■V2/7,sin①id(①I)------(7JI+cos(—Fa)=0.6751+cos6+a)
女J丁2萬(wàn)66
3
(4)負(fù)載電流平均值為
(5)晶閘管承受的最大反向電壓,為變壓器二次線電壓峰值,即
r
%=V2XCU?=V6C2=2.45心
(6)晶閘管陽(yáng)極與陰極間FI勺最大正向電壓等于變壓器二次相電壓R勺峰值,即
=J2U2
2.電阻性負(fù)載
%町
d
R
(1)特點(diǎn):阻感負(fù)載,L值很大,id波形基本平直。
A4W30。時(shí):整流電壓波形與電阻負(fù)載時(shí)相似。
A>30。時(shí)(如〃=60。時(shí)時(shí)波形如圖2-16所示)。
下〃2過零時(shí),VT1不關(guān)斷,直到VT21內(nèi)脈沖到來(lái),才換流,——〃d波形中出現(xiàn)負(fù)的
部分。
Aid波形有一定的脈動(dòng),但為簡(jiǎn)化分析及定量計(jì)算,可將id近似為一條水平線。
A阻感負(fù)載時(shí)時(shí)移相范圍為90。。
(2)數(shù)量關(guān)系
4=4。=1.17力
A變壓器二次電流即晶閘管電流的有效值為
G嘖「0577£
A晶閘管的I額定電流為
’VT(AV)=]—0.368/d
A?/
A晶閘管最大正、反向電壓峰值均為變壓器二次線電壓峰值
UFM=URM=2.45%
作業(yè)和思索題:P97習(xí)題7
教學(xué)反思:
電力電子技術(shù)課程教案
第7講
課時(shí)
課程類別理論課N實(shí)訓(xùn)課口試驗(yàn)課口習(xí)題涕口其他口
安排
講課題目
3.2三相可控整流電路(三相橋式全控整流電路)
教學(xué)目的、規(guī)定
1.掌握三相橋式全控整流電路的電路構(gòu)造、工作原理、波形分析、數(shù)量關(guān)系。
教學(xué)重點(diǎn)及難點(diǎn)
重點(diǎn):工作原理、輸出電壓波形、晶閘管電壓波形分析;
難點(diǎn):三相可控整流電路時(shí),強(qiáng)調(diào)自然換流點(diǎn)、觸發(fā)脈沖移相范圍、臨界持續(xù)點(diǎn)等概念。
教學(xué)過程
導(dǎo)入:多媒體
復(fù)習(xí)回憶:
新授:
2.2.2三相全控整流電路
三相橋是應(yīng)用最為廣泛的整流電路。舉例講解
ft
2砸
i.帶電阻負(fù)載時(shí)的工作狀況
A當(dāng)aW60。時(shí),ud波形均持續(xù),對(duì)于電阻負(fù)載,id波形與ud波形形狀同樣,也持續(xù)。
a=0°:
也
81
st
(Ot
A當(dāng)a>60。時(shí),ud波形每60。中有一段為零,ud波形不能出現(xiàn)負(fù)值波形圖:
a=90°:
帶電阻負(fù)載時(shí)三相橋式全控整流電路a角R勺移相范圍是120°
對(duì)觸發(fā)脈沖的規(guī)定:
/
>?VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT60'J次序,相位依次差6()。;
A共陰極組VT|、VT3、VT5的脈沖依次差120。,共陽(yáng)極組VTj、VTs、VT?也依次差
120°;同一相的上下兩個(gè)橋臂,即V,與VT4,VT3與VT6,VTs與VTz,脈沖相差180。;
Aud一周期脈動(dòng)6次,每次脈動(dòng)的波形都同樣,故該電路為6脈波整流電路;
A需保證同步導(dǎo)通的2個(gè)晶閘管均有脈沖。
2.阻感負(fù)載時(shí)的|工作狀況
(1)aW60。時(shí)
波形持續(xù),工作狀況與帶電阻負(fù)載時(shí)十分相似。各晶閘管的通斷狀況、輸出
整流電壓〃d波形、晶閘管承受的電壓波形。
A區(qū)別在于:得到口勺負(fù)載電流id波形不一樣。當(dāng)電感足夠大的時(shí)候,汨的波形可
近似為一條水平線。
(2)a>60。時(shí)
A阻感負(fù)載時(shí)的工作狀況與電阻負(fù)載時(shí)不一樣;
A電阻負(fù)載時(shí),〃d波形不會(huì)出現(xiàn)負(fù)的部分;
A阻感負(fù)載時(shí),“d波形會(huì)出現(xiàn)負(fù)的部分;
A帶阻感負(fù)載時(shí),三相橋式全控整流電路日勺a角移相范圍為90。。
。=90°
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T/、
4、
義/T\\/\
定量分析:
?當(dāng)整流輸出電壓持續(xù)時(shí)(即帶阻感負(fù)載時(shí),或帶電阻負(fù)載aW60。時(shí))的平均值為:
V6C72sincotd{cot)=2.34C/2cosez
A帶電阻負(fù)載且〃>60。時(shí),整流電壓平均值為:
sin(Dtd{cut)=2.34^721+cos(----ba)
輸出電流平均值為:3U/R
A當(dāng)整流變壓器為采用星形接法,帶阻感負(fù)載時(shí),變壓器二次側(cè)電流有效值為:
人二七11(,,丁2+("、2^[2
作業(yè)和思索題:P97習(xí)題7、13
教學(xué)反思:
電力電子技術(shù)課程教案
第8講
課
時(shí)
課程類別理論課刊實(shí)訓(xùn)課口試驗(yàn)課口習(xí)題課口其他口2
安
排
講課題目
3.3變壓器漏感對(duì)整流電路R勺影響
教學(xué)目的、規(guī)定
1.掌握變壓器漏感對(duì)整流電路的影響及換相壓降的計(jì)算
教學(xué)重點(diǎn)及難點(diǎn)
重點(diǎn):換相過程中口勺換相重疊角概念、換相期間的整流電壓和換相壓降、重疊角的計(jì)算;
難點(diǎn):重疊角11勺產(chǎn)生,換相期間整流電壓、換相壓降和重疊角的計(jì)算。
措
施
及
教學(xué)過程
手
段
多
導(dǎo)入:
媒
復(fù)習(xí)回憶。
體
新授:
2.3變壓器漏感對(duì)整流電路的影響
考慮包括變壓器漏感在內(nèi)的交流側(cè)電感口勺影響,該漏感可用一種集中的電感£B表達(dá),現(xiàn)以
三相半波為例,然后將其結(jié)論推廣。
舉
例
講
解
(1)VT1換相至VT21內(nèi)過程:
因a、b兩相均有漏感,故由、小均不能突變。于是VT1和VT2同步導(dǎo)通,相稱于將a、b兩相
短路,在兩相構(gòu)成㈣可路中產(chǎn)生環(huán)流水;永=也是逐漸增大時(shí)而ia=/d-/k是逐漸減小丹當(dāng)水增大
到等于/d時(shí),h=0,VT1關(guān)斷,換流過程結(jié)束。
(2)換相重疊角——換相過程持續(xù)的時(shí)間,用電角度7'表達(dá)。
?換相過程中,整流電壓⑷為同步導(dǎo)通的兩個(gè)晶閘管所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)相電壓的平均值:
「dz『dzu..+u.
=u+Lr>k—=w_Lnk—=--------
d°B”卜hf由2
A換相壓降一與不考慮變壓器漏感時(shí)相比,〃d平均值減少的多少。
?a+y+—(J/
△4=擊匚不防-〃m(血)=5/
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