【華安證券】致力于特種行業(yè)模擬芯片“自主、安全、可控”

敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明證券研究報(bào)告公司研究/公司深度致力于特種行業(yè)模擬芯片“自主、安全、可控”投資評(píng)級(jí)：買(mǎi)入（維持）報(bào)告日期：2023-05-09近12個(gè)月最高/最低（元）148.30/50.84流通股比例（%）56.67臻鐳科技滬深300200%100%0%-100%1:經(jīng)營(yíng)持續(xù)向好，持續(xù)投入研發(fā)夯實(shí)主要觀(guān)點(diǎn)：l聚焦于高性能集成電路芯片的技術(shù)攻關(guān)公司是國(guó)內(nèi)少數(shù)能夠提供終端射頻前端芯片、射頻收發(fā)芯片及高速高精度ADC/DAC、電源管理芯片、微系統(tǒng)及模術(shù)服務(wù)的企業(yè)之一。部分核心產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)達(dá)到威訊聯(lián)合半可微波技術(shù)、亞德諾等外商相當(dāng)?shù)膰?guó)際先進(jìn)水平。公司專(zhuān)注于集成電路芯片和微系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)，先后參與多家國(guó)防科工集產(chǎn)品性能成為部分特種行業(yè)領(lǐng)域項(xiàng)目中的獨(dú)家或核心l持續(xù)加碼研發(fā)，未來(lái)將受益下游高景氣度公司持續(xù)圍繞集成電路芯片和微系統(tǒng)技術(shù)進(jìn)行研發(fā)，不斷擴(kuò)充產(chǎn)品種l投資建議l風(fēng)險(xiǎn)提示研發(fā)不及預(yù)期，下游需求不及預(yù)期，項(xiàng)目建設(shè)不及預(yù)l重要財(cái)務(wù)指標(biāo)46927.3%40.9%37.3%36.1%9.0%87.9%87.3%87.4%87.6%5.2%8.1%58.5042.9644.4229.91敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明2/45 5 6 7 8 8 8 敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明3/45 5 5 6 7 7 7 8 8 9 敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明4/45 敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明5/45組件及微系統(tǒng)設(shè)計(jì)、高密度集成封裝、電性能測(cè)試和可微波模組和微系統(tǒng)，是集設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)、研制、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體化的民營(yíng)高新技術(shù)企業(yè)。目前是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，建有省級(jí)高新技術(shù)企業(yè)研究開(kāi)發(fā)中心。公司現(xiàn)已成為國(guó)內(nèi)行業(yè)通信、雷達(dá)領(lǐng)域中射頻芯片、微系統(tǒng)及模組核心供應(yīng)商之一。敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明6/45人。郁發(fā)新先生作為公司技術(shù)領(lǐng)軍人物，多年深耕以射頻芯片為主的集成電路芯片的研發(fā)工作，是國(guó)防科技卓越青年人才和國(guó)防科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)牽頭人，承擔(dān)國(guó)家多個(gè)1.1無(wú)線(xiàn)通信終端和通信雷達(dá)系統(tǒng)芯片重要供應(yīng)商特種領(lǐng)域通信、雷達(dá)領(lǐng)域中射頻芯片和電源管品已應(yīng)用于多個(gè)國(guó)家重大裝備型號(hào)，其中終端射頻前端芯片已應(yīng)用于無(wú)線(xiàn)通信終端、北斗導(dǎo)航終端和新一代電臺(tái)；射頻收發(fā)芯片已應(yīng)用于高速跳頻寬帶數(shù)據(jù)鏈和數(shù)字相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)；電源管理芯片已應(yīng)用于低軌通信衛(wèi)星星座，以及區(qū)域防護(hù)、預(yù)警、空間目標(biāo)監(jiān)測(cè)雷達(dá)；微系統(tǒng)及模組已應(yīng)用于通信衛(wèi)星和機(jī)載載荷。公司產(chǎn)品作為核無(wú)線(xiàn)通信終端方面，公司研制的終端射頻前端芯片、射頻收發(fā)芯片及電源管理芯片可在終端設(shè)備中提供從天線(xiàn)到信號(hào)處理之間的完整解決方案，并應(yīng)用于無(wú)線(xiàn)通l在發(fā)射鏈路中，射頻收發(fā)芯片接收來(lái)自基帶芯片的數(shù)字基帶信號(hào)，并將其通過(guò)數(shù)模轉(zhuǎn)換、混頻、濾波、放大后傳輸給終端射頻前端芯片，終端射l在接收鏈路中，終端射頻前端芯片對(duì)來(lái)自天線(xiàn)的微弱射頻信號(hào)進(jìn)行放大，并傳輸給射頻收發(fā)芯片，射頻收發(fā)芯片將射頻信號(hào)放大、混頻、濾波、模通信雷達(dá)系統(tǒng)方面，公司研制的微系統(tǒng)及模組等產(chǎn)品是其重要組成部分，具體敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明7/45l饋電網(wǎng)絡(luò)主要由功分器和功合器等無(wú)源器件組成，實(shí)現(xiàn)發(fā)射信號(hào)功率分配lll中頻微系統(tǒng)包括射頻收發(fā)芯片、高速高精度ADCll1.2主營(yíng)業(yè)務(wù)增長(zhǎng)穩(wěn)健，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和業(yè)務(wù)持續(xù)優(yōu)化3210u技術(shù)服務(wù)微系統(tǒng)及模組資料來(lái)源：wind，華安證券研究所資料來(lái)源：wind，敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明8/45公司主營(yíng)業(yè)務(wù)包括芯片產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)兩類(lèi)。公司主營(yíng)業(yè)務(wù)產(chǎn)品包括終端射頻前端芯片、射頻收發(fā)芯片及高速高精度ADC/DAC、電源管理芯片、微系統(tǒng)及模組等，而公司提供的技術(shù)服務(wù)主要根據(jù)客戶(hù)的需求，圍繞上述主營(yíng)業(yè)務(wù)產(chǎn)品開(kāi)展研發(fā)工作。產(chǎn)品類(lèi)別主要應(yīng)用產(chǎn)品簡(jiǎn)介公司終端射頻前端芯片產(chǎn)品主要包括終端功率放大器、終端低噪聲放大器、終頻開(kāi)關(guān)等，具備超寬帶、高線(xiàn)性、高效率、低片及高速高精度ADC/DAC數(shù)字相控陣系統(tǒng)、移動(dòng)通信射頻收發(fā)芯片基于軟件定義無(wú)線(xiàn)電（SDR）的理念設(shè)計(jì)，包含增益放大波、模數(shù)/數(shù)模轉(zhuǎn)換等功能，具有軟件可配置、多模并發(fā)、快速跳頻、高集成、低功耗等特點(diǎn)；高速高精度ADC/DAC具片航天供配電系統(tǒng)公司電源管理芯片適用于FPGA、DSP和C頻芯片等低噪聲需求的芯片供電，以及GaAs/組公司微系統(tǒng)及模組可應(yīng)用于星載、機(jī)載、艦載、車(chē)載等載荷系統(tǒng)中，采用多芯片組裝和先進(jìn)3D封裝技術(shù)，將功率放大器、低噪聲放大器、數(shù)控移相衰減器發(fā)芯片、混頻器、濾波器、射頻開(kāi)關(guān)、ADC/DAC等器片、基帶處理芯片進(jìn)行異構(gòu)集成，具有高集成度、2.1射頻收發(fā)芯片及高速高精度ADC/DAC業(yè)務(wù)板塊2.1.1射頻收發(fā)芯片：終端通信核心模塊的重要組成軟件無(wú)線(xiàn)電技術(shù)，可通過(guò)一顆射頻芯片即可支持不同通的快速發(fā)展，目前無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)已經(jīng)可以提供包括語(yǔ)音、數(shù)據(jù)傳輸、互聯(lián)網(wǎng)接入、視頻和定位等多種服務(wù)。每種服務(wù)對(duì)應(yīng)多種通信標(biāo)準(zhǔn)，其各自服務(wù)于不同應(yīng)用領(lǐng)域。敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明9/45代移動(dòng)通信技術(shù)中核心技術(shù)之一。軟件無(wú)線(xiàn)電（SoftwareDefinedRadio，SDR）事領(lǐng)域，是為了通過(guò)軟件更改同一種硬件的配置，實(shí)現(xiàn)了單臺(tái)無(wú)線(xiàn)電電臺(tái)支持十種之間電臺(tái)的通信功能及頻段不一的問(wèn)題。后來(lái)，由于軟件無(wú)線(xiàn)電技術(shù)在靈活性和資料來(lái)源：《軟件無(wú)線(xiàn)電系統(tǒng)數(shù)字中頻接收模塊的設(shè)計(jì)與天線(xiàn)一般要覆蓋比較寬的頻帶；射頻前端主要完成模擬上/下變頻、濾波、功率放以保證足夠的動(dòng)態(tài)范圍；DSP器件負(fù)責(zé)承擔(dān)A/D數(shù)字化后的處理任務(wù)。鑒于目前DSP器件水平的限制，A/D之后的數(shù)字信號(hào)可先經(jīng)由專(zhuān)用數(shù)字下變頻器處理，降低敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明10/45數(shù)據(jù)速率，變換到基帶，再由通用DSP進(jìn)行處理，或者采用多片DSP并行處理的方法勢(shì)?？删幊躺漕l收發(fā)芯片能夠?qū)d波頻率和信號(hào)帶寬進(jìn)行編程，其中的信號(hào)帶寬可編程一方面是為了滿(mǎn)足各通信制式的需求，另一方面也是利用掃頻實(shí)現(xiàn)信號(hào)捕獲時(shí)所必須擁有的能力。我國(guó)對(duì)于可編程RF的需求卻非常大，應(yīng)用的領(lǐng)域包括但不限于數(shù)字陣列雷達(dá)、C波段雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信的地面終端設(shè)備、衛(wèi)星移動(dòng)通信40nm40nm90nm0.4~60.5~35.545.1~6--+3.5-13~-3-424042.64540諧波抑制頻率范圍[GHz]--0.5~347~115222115.9敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明11/45資料來(lái)源：《可編程射頻收發(fā)芯片濾波技術(shù)研究2.1.2高速高精度ADC/DAC：模擬電路皇冠上的明珠資料來(lái)源：《基于流水線(xiàn)結(jié)構(gòu)的高速高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器的研究與設(shè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）功能是將輸入的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)化為離散時(shí)間數(shù)字信號(hào)輸出，其工作過(guò)程可以大致分采樣、量化和編碼等三個(gè)步驟。模數(shù)轉(zhuǎn)換器輸入的模擬信號(hào)首先需要通過(guò)抗混疊濾波器把輸入的高頻信號(hào)進(jìn)行濾除，通常避免高頻信號(hào)與ADC常保證輸入信號(hào)的帶寬不超過(guò)ADC采樣率的一半。ADC由采樣時(shí)鐘控制對(duì)輸入信敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明12/45號(hào)進(jìn)行采樣，采樣后一般通過(guò)電容保持電壓住然后開(kāi)始量化，量化器工作完成后輸出數(shù)據(jù)，常見(jiàn)的輸出數(shù)據(jù)格式有：溫度計(jì)碼、二進(jìn)制碼、格雷碼等，需要根據(jù)不同的應(yīng)用進(jìn)行選擇，最常見(jiàn)的方式是通過(guò)編碼電路將資料來(lái)源：《應(yīng)用于無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)的高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器研究與模數(shù)轉(zhuǎn)換器在現(xiàn)代電路系統(tǒng)中成為模擬與數(shù)字世界溝通的橋梁。隨著無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)的不斷發(fā)展，模數(shù)轉(zhuǎn)換器作為接收環(huán)路中模數(shù)接口的核心電路，無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)有不同種類(lèi)架構(gòu)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器被研究出來(lái)，目前主流的架構(gòu)包括逐次逼近型SARADC，它們?cè)谒俣取⒕群凸牡确矫嬗兄@著的差異。在所有架構(gòu)中SARADC、PipelineADC、FlashADC均為奈奎斯特類(lèi)型的ADC，其有效帶寬通常為采樣率的一半，與之相對(duì)應(yīng)的是采用NoiseShaping結(jié)合OverSampling技術(shù)的Sigma資料來(lái)源：《應(yīng)用于無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)的高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明13/45CMOS技術(shù)的進(jìn)步使數(shù)字系統(tǒng)朝著大規(guī)模、復(fù)雜性和魯棒性勢(shì)更是將越來(lái)越多的信號(hào)處理功能從模擬域轉(zhuǎn)移到數(shù)字域，目的是降低芯片成本和提高其可靠性。因此，以往在模擬域中執(zhí)行的許多功能現(xiàn)在都轉(zhuǎn)為在數(shù)字域中執(zhí)行，芯片的性能也得到了極大提升。在兩個(gè)領(lǐng)域間進(jìn)行轉(zhuǎn)換永遠(yuǎn)離不開(kāi)關(guān)鍵設(shè)計(jì)模塊ADC，并且由于數(shù)字信號(hào)處理(DSP)對(duì)微電子系統(tǒng)核心功能的控制，推動(dòng)著高性能資料來(lái)源：《應(yīng)用于無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)的高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器研究與資料來(lái)源：《基于異質(zhì)集成的高速高精度數(shù)模轉(zhuǎn)換器的研究與敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明14/45數(shù)模轉(zhuǎn)換器的基本功能就是將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成模擬信號(hào)。要被轉(zhuǎn)換的數(shù)字信號(hào)對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)。它包括二進(jìn)制開(kāi)關(guān)、加權(quán)網(wǎng)絡(luò)、輸出放大器和基準(zhǔn)電壓源。二進(jìn)敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明15/45D/A轉(zhuǎn)換器可以分成過(guò)采樣型和奈奎斯特型等兩大類(lèi)。過(guò)釆樣型D/A轉(zhuǎn)換器是通過(guò)提高采樣速率及量化噪聲整形來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)帶寬內(nèi)的高信噪比，從而實(shí)現(xiàn)16位以上的超高分辨率，但輸出信號(hào)帶寬也限制在MHz以下，主要應(yīng)用于音頻系統(tǒng)；奈奎斯特型D/A轉(zhuǎn)換器則具有高轉(zhuǎn)換器速率的特有線(xiàn)通信系統(tǒng)中。奈奎斯特型D/A轉(zhuǎn)換器有很多種結(jié)構(gòu)，電阻分壓型、二進(jìn)制權(quán)重電阻型、R-2R梯形結(jié)構(gòu)，電容組成的電荷按比例縮放型和電流舵結(jié)構(gòu)。商AD5791AD9739A960mWAD91755.9GHz商子YD08D250YD14D500500MHz435mWYD14S2G5特種行業(yè)通信、雷達(dá)、電子對(duì)抗等系統(tǒng)的瓶頸。根據(jù)《14位5GSPS高速DAC研究與設(shè)計(jì)》一文，如在雷達(dá)和電子戰(zhàn)系統(tǒng)發(fā)射通道中，其性能指標(biāo)直接決定了無(wú)線(xiàn)發(fā)射系統(tǒng)的頻帶寬度和信號(hào)質(zhì)量。同時(shí)，隨著數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)在儀器儀表、視頻處理及無(wú)線(xiàn)通信等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，在工業(yè)、民用領(lǐng)域，對(duì)高速高精度數(shù)模轉(zhuǎn)換器的需求也是非常迫切。然而，在需求巨大且日益增長(zhǎng)的轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域，目前成熟的高性能數(shù)模轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品幾乎都由國(guó)外公司壟斷，同時(shí)，為了遏制我國(guó)航空航天和特種封鎖，不再過(guò)分依賴(lài)進(jìn)口，我國(guó)必須自主實(shí)現(xiàn)數(shù)模轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的技術(shù)突破，研制具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的速度在GHz以上、精度在12～16位的高速高精度數(shù)模轉(zhuǎn)換器2.1.3公司基于SDR理念設(shè)計(jì)，指標(biāo)已媲美同業(yè)產(chǎn)品公司射頻收發(fā)芯片基于軟件定義無(wú)線(xiàn)電（SDR）的理念設(shè)計(jì)，包含增益放大、混頻、濾波、模數(shù)/數(shù)模轉(zhuǎn)換等功能，具有軟件可配置、多模并發(fā)、快速跳頻、高敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明16/45系列帶射頻收發(fā)芯片系列接收及發(fā)射通道最大帶寬：60MHz增益調(diào)節(jié)范圍：112dB信終接收及發(fā)射通道最大帶寬：250MHz數(shù)據(jù)接口：JESD204B達(dá)高速高精度片系列接收及發(fā)射通道最大帶寬：1.2GHz信雷l公司設(shè)計(jì)的射頻收發(fā)芯片采用了電流復(fù)用低功耗前饋運(yùn)放、噪聲抵消低噪放、數(shù)?；旌细櫺Ｕ囟妊a(bǔ)償?shù)目焖僮詣?dòng)頻率校準(zhǔn)電路等技術(shù)，具備低噪聲、高線(xiàn)性、快速跳頻、寬溫工作等優(yōu)勢(shì)。研發(fā)寬帶多模應(yīng)用存在小信號(hào)大干擾的應(yīng)用場(chǎng)景統(tǒng)需求選擇合適的接收機(jī)體系架構(gòu)，同時(shí)在可實(shí)下，進(jìn)一步比較和選擇接收通道的低噪放、混頻器、濾波構(gòu)的增益、噪聲系數(shù)、線(xiàn)性度，并進(jìn)行系統(tǒng)仿真選擇相關(guān)參數(shù)經(jīng)過(guò)折設(shè)計(jì)技術(shù)研發(fā)在選擇合適的發(fā)射機(jī)架構(gòu)滿(mǎn)足多種模式寬頻需要基礎(chǔ)上，優(yōu)化發(fā)射通道各模塊路設(shè)計(jì)及校正算法，使發(fā)射通道同時(shí)滿(mǎn)足輸出信號(hào)帶外的頻譜干凈度要求，并對(duì)帶外的雜波和鏡頻提供盡可能高的抑制，具有明顯的研發(fā)相控陣系統(tǒng)的多通道需要具備統(tǒng)一的相位特性來(lái)進(jìn)行波束合成，現(xiàn)，在頻率較高時(shí)實(shí)現(xiàn)難度大、功耗高，該技術(shù)設(shè)計(jì)了片上可同步的本振及路，降低了相控陣系統(tǒng)中饋線(xiàn)系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)難度以及功耗，具有多通道組陣同敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明17/45AD9361-200~56000接收噪聲系數(shù)接收噪聲系數(shù)與對(duì)標(biāo)產(chǎn)品相當(dāng)接收輸入三階交調(diào)截點(diǎn)-5dBm@55dB增益-17dBm@最大模擬增益接收輸入三階交調(diào)截點(diǎn)與對(duì)標(biāo)產(chǎn)品相當(dāng)作時(shí)相互干擾相對(duì)更小0.29°@2.4GHz0.37°@2.4GHz-有無(wú)有無(wú)工作溫度(℃)-55~125-40~85公司臻鐳科技德州儀器亞德諾（ADI）公司產(chǎn)品比較說(shuō)明AFE7422AD9082-2T2R1F4T2RADC位數(shù)/采樣頻率ADC位數(shù)/采樣頻率與對(duì)標(biāo)產(chǎn)品相當(dāng)輸入頻率范圍（MHz）輸入頻率范圍與對(duì)標(biāo)產(chǎn)品相當(dāng)ADC無(wú)雜散動(dòng)態(tài)范圍2dBFS）65.2dBFS@2.7G當(dāng)ADC噪底（NSD）-151dBFS/Hz-151dBFS/Hz-153dBFS/Hz接收功耗優(yōu)于對(duì)標(biāo)產(chǎn)品輸出頻率范圍（MHz）輸出頻率范圍與對(duì)標(biāo)產(chǎn)品相當(dāng)當(dāng)-165dBm/Hz@700MHz-166.7dBc/Hz@500MHz公司作為射頻收發(fā)芯片及高速高精度ADC/DAC芯片特種行業(yè)的技術(shù)引領(lǐng)者，公司射頻收發(fā)芯片及高速高精度ADC/DAC芯片產(chǎn)品在數(shù)字相控陣?yán)走_(dá)、數(shù)據(jù)鏈和2.2終端射頻前端芯片業(yè)務(wù)板塊敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明18/452.2.1終端射頻前端芯片：集成電路中難度較高的技術(shù)方向芯片、存儲(chǔ)、顯示屏/觸摸屏、攝像模組、電池、電路板等。每個(gè)組件領(lǐng)域的技術(shù)革新和市場(chǎng)發(fā)展將共同制約著終端產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。其中，終端的無(wú)線(xiàn)通信模塊主要由芯片平臺(tái)、射頻前端和天線(xiàn)三大部分構(gòu)成。其中，芯片平臺(tái)包括基帶芯片、射頻芯片和電源管理芯片等，基帶芯片負(fù)責(zé)物理層算法、高層協(xié)議的處理和多?；ゲ僮魃漕l前端模塊是連接通信收發(fā)芯片（Transceiver）和天線(xiàn)的必經(jīng)通路。它主要包括：功率放大器（PA濾波器（Filter）、雙工器或多工器（Duplexer或一些終端的射頻前端架構(gòu)中，會(huì)在天線(xiàn)開(kāi)關(guān)后增設(shè)雙通器（Diplexer）、連接器雙/多工器，實(shí)現(xiàn)射頻收發(fā)隔離低噪放大器，實(shí)現(xiàn)小信號(hào)放大雙通器，實(shí)現(xiàn)信號(hào)同向分頻構(gòu)成。其中，濾波器（Filter）用于保留特定頻段內(nèi)的信號(hào)，而將特定頻段外的信號(hào)濾除；低噪聲放大器（LNA）用于實(shí)現(xiàn)將接收通道的射頻信號(hào)放大；功率放大器（PA）用于實(shí)現(xiàn)將發(fā)射通道的射頻信號(hào)放大；射頻開(kāi)關(guān)（RFSwitch）用于實(shí)現(xiàn)射頻信號(hào)接收與發(fā)射的切換、不同頻段間的切換；雙工器（由兩個(gè)濾波器組成）用于將發(fā)射和接收信號(hào)通路進(jìn)行隔離，從而保證接收和發(fā)射在共用同一天線(xiàn)的情況下能敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明19/45射頻前端芯片架構(gòu)包括接收通道和發(fā)射通道兩大部分。當(dāng)射頻部分處于接收狀態(tài)時(shí)，開(kāi)關(guān)的接收支路打開(kāi)、發(fā)射通道關(guān)閉，功率放大器（PA）關(guān)閉，從天線(xiàn)接收到的電磁波信號(hào)轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制數(shù)字信號(hào)，通過(guò)開(kāi)關(guān)的接收支路到雙工器，經(jīng)過(guò)濾波后傳遞給低噪聲放大器（LNA）放大，放大后傳遞給收發(fā)機(jī)進(jìn)行信號(hào)處理，完成信號(hào)接收；當(dāng)射頻部分處于發(fā)射狀態(tài)時(shí)，開(kāi)關(guān)的接收支路關(guān)閉、發(fā)射支路打開(kāi)，低噪聲放大器（LNA）處于關(guān)閉狀態(tài)，從收發(fā)機(jī)發(fā)出的二進(jìn)制信號(hào)轉(zhuǎn)換成高頻率的無(wú)線(xiàn)電磁波信號(hào)，經(jīng)過(guò)功率放大器（PA）放大，再通過(guò)濾波器（Filter）濾除雜波，通資料來(lái)源：《高功率高效率GNSS終端功率放大敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明20/45l射頻前端中最主要的耗能元件便是功率放大器芯片，于是如何降低功率放大器芯片功耗提高其效率成為最主要的需求問(wèn)題，同時(shí)作為射頻前端其整l資料來(lái)源：《基于GaAs工藝的射頻功率放大芯片設(shè)計(jì)》l低噪音放大器作為射頻芯片接收通道的關(guān)鍵模塊之一，位于射頻芯片最前其是射頻芯片中接收機(jī)模塊的第一個(gè)有源電路，低噪聲放大器的性能對(duì)接敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明21/452.2.2公司自研技術(shù)，已形成了一系列高性能射頻前端套片公司終端射頻前端芯片采用大寬帶、高線(xiàn)性、高效率、高可靠性設(shè)計(jì)技術(shù)，形系列超短波超短波信信信GaAs開(kāi)關(guān)芯片具有低插損、高隔離度、高站核心技術(shù)方面，公司射頻終端前端芯片主要核心技術(shù)為基于低通濾波器結(jié)構(gòu)有耗式匹配電路技術(shù)、帶閾值跟蹤和溫度補(bǔ)償功能的有源偏置電路技術(shù)、功放堆疊技術(shù)及開(kāi)關(guān)耐受功率提升技術(shù)。敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明22/45技術(shù)名稱(chēng)技術(shù)來(lái)源主要應(yīng)用和貢獻(xiàn)算理論，基于低通濾波結(jié)構(gòu)的寬帶有耗匹配結(jié)構(gòu)，其核心路技術(shù)提升功放、低噪放溫度穩(wěn)定性和線(xiàn)性度動(dòng)。利用片上電阻的溫度變化特性，根據(jù)環(huán)境溫度變化作，具有明顯的寬溫優(yōu)勢(shì)針對(duì)單管胞擊穿電壓低、輸出寄生電容大的缺點(diǎn)，進(jìn)行管胞堆疊設(shè)計(jì)，提升器件的工作電壓和輸出功率，并減小寄生電容提升技術(shù)結(jié)合開(kāi)關(guān)器件模型，優(yōu)化前饋電容容值，對(duì)柵漏進(jìn)行合理分配，研制高耐受功率射頻開(kāi)關(guān)器件l公司設(shè)計(jì)的終端射頻功率放大器采用了全通寬帶有耗匹配架構(gòu)、封裝一體公司臻鐳科技馬科姆（MACOM）公司產(chǎn)品比較說(shuō)明-4040-28@35dBm未提供三階交調(diào)與對(duì)標(biāo)產(chǎn)品相當(dāng)尺寸(mm)尺寸大于對(duì)標(biāo)產(chǎn)品，主要原因系公司產(chǎn)品針對(duì)國(guó)防l公司設(shè)計(jì)的終端低噪聲放大器采用了帶柵極補(bǔ)償負(fù)載網(wǎng)絡(luò)的改進(jìn)型堆疊管-0.03~40.03~426~100.73@1GHz三階交調(diào)優(yōu)于對(duì)標(biāo)產(chǎn)品40輸入回波損耗|S11|（dB）輸入回波損耗優(yōu)于對(duì)標(biāo)產(chǎn)品輸出回波損耗|S11|（dB）輸出回波損耗優(yōu)于對(duì)標(biāo)產(chǎn)品敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明23/452.3電源管理芯片業(yè)務(wù)板塊2.3.1電源管理芯片：應(yīng)用最為廣泛的關(guān)鍵器件子設(shè)備中的關(guān)鍵器件，廣泛應(yīng)用于幾乎所有的電子產(chǎn)品和設(shè)備。電源管理芯片（PowerManagementIntegratedi電荷泵也即開(kāi)關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器，其主要模塊包括比較器，開(kāi)關(guān)陣列，電容陣列以及邏輯電路，其工作方式是通過(guò)開(kāi)關(guān)陣列控制電容陣列的充電與放電，從而實(shí)現(xiàn)電壓的升高。由于電路中不包括電感元件，電荷泵的面積較小，但驅(qū)動(dòng)能力較弱，主敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明24/45的趨勢(shì)。隨著電子信息技術(shù)的不斷發(fā)展，集成電路控制技術(shù)的安全穩(wěn)定性成為現(xiàn)階段電子設(shè)備科技研發(fā)首要關(guān)注的問(wèn)題。通常情況下電源管理芯片系統(tǒng)在啟動(dòng)時(shí)，流經(jīng)電路的電流會(huì)通過(guò)電阻和電容，此階段會(huì)出現(xiàn)一個(gè)電壓上升的過(guò)程，當(dāng)電路電壓上升到開(kāi)啟電壓時(shí)電路開(kāi)始工作，在一些不穩(wěn)定電源管理芯片中，此過(guò)程可能會(huì)因電路瞬時(shí)負(fù)載電流過(guò)大而出現(xiàn)電壓下降情況，導(dǎo)致整個(gè)電路關(guān)閉。對(duì)于電路而言，在供電時(shí)若缺少穩(wěn)定電壓便容易造成電路的關(guān)斷，若因此類(lèi)問(wèn)題頻繁發(fā)生會(huì)對(duì)整個(gè)電路造成不可挽回的影響。為此，設(shè)計(jì)者在開(kāi)啟電路上加入一種上電保護(hù)電路，以2.3.2公司能提供良好供配電和低功耗電源管理射頻芯片等低噪聲需求的芯片供電，以及GaAs/GaN/CMOST/R組件供配電領(lǐng)域， 產(chǎn)品型號(hào)產(chǎn)品功能超高精度電壓控制芯片，可完成電池電壓監(jiān)控和放電功能并具備耐輻靜態(tài)電流：≤200uA航天器的鋰電池敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明25/45終端功率放大器系列輸出電壓可調(diào)接收\(chéng)公共支路調(diào)制最大輸出電流：300mAGaN柵壓調(diào)節(jié)范圍：-1.7V~-3GaAs柵壓調(diào)節(jié)范圍：-0.5V~-0壓調(diào)節(jié)保等航天器電核心技術(shù)方面，電源管理芯片主要核心技術(shù)為耐輻射微型磁隔離固體電子開(kāi)關(guān)敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明26/45技術(shù)名稱(chēng)來(lái)源主要應(yīng)用和貢獻(xiàn)磁隔離固體發(fā)對(duì)磁隔離固體電子開(kāi)關(guān)微型化、耐輻射需求耐輻射磁隔離固體電子開(kāi)關(guān)是航天能源供配電系統(tǒng)的核監(jiān)測(cè)功能簡(jiǎn)單。公司擁有高壓大電流耐輻射微型化磁隔離固體電計(jì)能力，成功量產(chǎn)了耐輻射微型磁隔離固體電子開(kāi)關(guān)芯片和保護(hù)監(jiān)測(cè)功能在芯片內(nèi)集成，最終實(shí)現(xiàn)超小體積全功能保護(hù)的耐輻術(shù)發(fā)輸出需求傳統(tǒng)耐輻射負(fù)載點(diǎn)電源芯片，控制器和驅(qū)動(dòng)以及功率級(jí)一一對(duì)應(yīng)，模塊設(shè)計(jì)技術(shù)發(fā)傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)電源電路需要控制器、功率管、電感、變壓器、電容和等大量電路，占電路板面積且需要用戶(hù)自行配置調(diào)試。通道電源微系統(tǒng)設(shè)計(jì)能力，將外圍磁性器件進(jìn)行微模塊多款高功率密度、高可靠或耐輻射的微電源模塊，可將到微小型封裝內(nèi)，實(shí)現(xiàn)超小體積超高功率密度應(yīng)用，該高功率密度微電源模塊具有一定集成度優(yōu)勢(shì)和明顯高可發(fā)電源管理芯片小型化、芯片化需求保護(hù)、柵壓調(diào)節(jié)等一系列芯片，占用了T/R組件大量的體積、功耗，公輻射T/R組件電源管理芯片，將所有非射頻功能芯片整合至單芯片中，技術(shù)方案較國(guó)內(nèi)外相關(guān)T/R電源管理芯片具有明顯耐輻射和集成度APS2415-輸入電壓與輸出電壓優(yōu)于對(duì)標(biāo)產(chǎn)品，應(yīng)用范圍更廣88無(wú)敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明27/45ADP1764AP1313-5@10kHz4@100kHz5@10kHz4@100kHz噪聲密度與一致ADI對(duì)標(biāo)產(chǎn)品4A46@100kHz、4A4A46@100kHz、4A4435產(chǎn)保護(hù)電路結(jié)構(gòu)、抗輻射片上隔離信號(hào)反饋技術(shù)、固態(tài)功率開(kāi)關(guān)容性負(fù)載驅(qū)動(dòng)技術(shù)、耐輻射反時(shí)限過(guò)流保護(hù)技術(shù)等技術(shù)，具備額定工作電壓大、短路尊瑞公司產(chǎn)品比較說(shuō)明5-額定工作電壓（V）額定工作電流（A）額定工作電流與對(duì)標(biāo)產(chǎn)品相當(dāng)反應(yīng)更迅速反應(yīng)更迅速短路保護(hù)時(shí)間保護(hù)效果更好無(wú)無(wú)射頻芯片等低噪聲需求的芯片供電，以及GaAs/GaN/CMOST/R組件供配電領(lǐng)域，2.4微系統(tǒng)及模組板塊2.4.1微系統(tǒng)及模組：下一代應(yīng)用高集成電子系統(tǒng)的重要方向敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明28/45射頻微系統(tǒng)主要針對(duì)雷達(dá)、電子戰(zhàn)等特種行業(yè)和5G通信、物聯(lián)網(wǎng)等民用領(lǐng)域內(nèi)一體化射頻前端、有源陣面等小型化、輕量化、多功能化的應(yīng)用需求，采用以微納加工技術(shù)為代表的微系統(tǒng)異質(zhì)異構(gòu)集成工藝技術(shù)，將射頻、數(shù)字、光電、能源等分系統(tǒng)進(jìn)行高密度集成，實(shí)現(xiàn)射頻系統(tǒng)體積與功耗大幅降低、性能與可靠性大幅提敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明29/45從全球各領(lǐng)域建設(shè)的現(xiàn)實(shí)需求來(lái)看，微系統(tǒng)技術(shù)正向多功能一體化、三維堆疊、混合異構(gòu)集成、智能傳感等方向發(fā)展;微系統(tǒng)產(chǎn)品也正從芯片級(jí)、部件級(jí)向復(fù)雜程度更高的系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用發(fā)展。MCM、MEMS、SOC及SIP等微系統(tǒng)技術(shù)的發(fā)展正聚集于前沿科技創(chuàng)新的重要領(lǐng)域，尤其在特種行業(yè)，未來(lái)也將有更多的系統(tǒng)基于微系統(tǒng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)微小型化、高度集成化、智能化、輕量化，這些承載了眾多高精尖技術(shù)的微系統(tǒng)將會(huì)對(duì)未來(lái)產(chǎn)生顛覆性的變革。大力推進(jìn)微系統(tǒng)技術(shù)在特種行業(yè)上的應(yīng)用，對(duì)敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明30/452.4.2公司產(chǎn)品有高集成度、高效率、低噪聲、高可靠等特點(diǎn)公司基于低溫共燒多層陶瓷和高溫共燒多層陶瓷封裝技術(shù)，研發(fā)出一系列覆蓋模組統(tǒng)模組控制、短路保護(hù)、過(guò)流保護(hù)等功能，具有高集成度、高功率、高效率等特點(diǎn)統(tǒng)模組幅相控制、延時(shí)等功能，具有低功耗、高效率、高集統(tǒng)統(tǒng)和低溫圓片鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)三維異構(gòu)集成，實(shí)現(xiàn)相控陣信號(hào)收發(fā)、幅相控制等功能，具有超高集成、高效率、低功耗等機(jī)載、地信相控陣術(shù)和低溫圓片鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)三維異構(gòu)集成，合電子系統(tǒng)敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明31/45核心技術(shù)名稱(chēng)主要應(yīng)用和貢獻(xiàn)核心技術(shù)說(shuō)明三維異構(gòu)微系研發(fā)現(xiàn)典型無(wú)源結(jié)構(gòu)的高精度模型提取，建立可支持用戶(hù)仿真型庫(kù)，利用多物理場(chǎng)仿真軟件分析射頻功放芯散熱過(guò)程，評(píng)估立體散熱設(shè)計(jì)的散熱效果，以及電磁-熱-力多物理場(chǎng)聯(lián)合作用下，熱應(yīng)力形變等多物理場(chǎng)問(wèn)題對(duì)TR微系統(tǒng)產(chǎn)生的和可靠性方面的影響，具有高精度和快速設(shè)研發(fā)片、數(shù)字控制芯片和射頻芯片采用三維堆疊的形式集成在很性進(jìn)行研究，了解信號(hào)干擾的機(jī)理，建立量化的研發(fā)相較于傳統(tǒng)的毫米波有源相控陣天線(xiàn)集成方式，毫米控陣天線(xiàn)系統(tǒng)將BGA封裝的T/R組件通過(guò)回流焊接工藝焊接化綜合母板上。一體化綜合母板主要由天線(xiàn)輻射單元層、饋電層、波控?cái)?shù)據(jù)分發(fā)層、電源分配層及其中之間的隔離地層組成。該綜輸出口和饋電網(wǎng)絡(luò)布線(xiàn)、數(shù)字控制信號(hào)線(xiàn)、電源走線(xiàn)進(jìn)行隔和分析，分析信號(hào)增益大小和隔離度的關(guān)系，接地孔間距通道自激，出現(xiàn)雜散公司微系統(tǒng)及模組可應(yīng)用于星載、機(jī)載、艦載、車(chē)載等載荷系統(tǒng)中，采用多芯片組裝和先進(jìn)3D封裝技術(shù)，將功率放大器、低噪聲放大器、數(shù)控移相衰減器、射頻收發(fā)芯片、混頻器、濾波器、射頻開(kāi)關(guān)、ADC/DAC等器件與電源管理芯片、波控敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明32/453.1市場(chǎng)空間：下游多領(lǐng)域市場(chǎng)空間有望達(dá)到百億美元公司產(chǎn)品及技術(shù)已廣泛應(yīng)用于無(wú)線(xiàn)通信終端、通信雷達(dá)系統(tǒng)、電子系統(tǒng)供配電等特種行業(yè)領(lǐng)域，并逐步拓展至移動(dòng)通信系統(tǒng)、商業(yè)化推廣，射頻前端芯片產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域會(huì)被進(jìn)一步放大，同時(shí)5G時(shí)代通信設(shè)備的射頻前端芯片使用數(shù)量和價(jià)值亦將繼續(xù)上升。根據(jù)QYRElectronicsResearchCenter350300250200500全球射頻前端芯片市場(chǎng)規(guī)模（億美元）同比增速（%）一1201020112012201320142015201620172018201920202023E20%18%16%14%12%10%8%6%4%2%0%資料來(lái)源：QYRElectronicsResearchCen敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明33/45現(xiàn)階段全球射頻前端芯片市場(chǎng)主要被美日大廠(chǎng)占據(jù)，市場(chǎng)集中度較高，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商Murata（村田）四大巨頭通過(guò)并購(gòu)延伸不斷擴(kuò)張，幾乎占據(jù)著全球85%以上的射頻前端芯片市場(chǎng)，長(zhǎng)期壟斷全球射頻前端芯片市場(chǎng)的第一梯隊(duì)。而我國(guó)射頻前端芯片廠(chǎng)商依然在起步階段，市場(chǎng)話(huà)語(yǔ)權(quán)有限；但在自制芯片的政策鼎力支持和移動(dòng)終端的龐大需求背景下，國(guó)產(chǎn)射頻前端芯片將迎來(lái)發(fā)展機(jī)會(huì)。其他,15%其他,15%Murata,20%Qorvo,21%6005004003002000全球電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模（億美元）中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模（億美元）——全球電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模同比增速（%）——中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模同比增速（%）20162017201820192020202120222023E2024E2025E8%6%4%2%0%敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明34/45游市場(chǎng)的發(fā)展，電子設(shè)備數(shù)量及種類(lèi)持續(xù)增長(zhǎng)，從而帶動(dòng)全球電源管理芯片需求增長(zhǎng)。2020年中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)118億美元，2016年至2020年年均復(fù)合增速達(dá)8.5%，占據(jù)全球約35.9%市場(chǎng)份額。未來(lái)幾年，隨著下游電子設(shè)備行業(yè)發(fā)展對(duì)電源管理芯片需求增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模仍將快速增長(zhǎng)。規(guī)模將達(dá)235億美元，2020年至2025年年均復(fù)合增速達(dá)14.8%。100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%晶豐明源圣邦股份富滿(mǎn)電子明微電子芯朋微上海貝嶺其他民用雷達(dá)市場(chǎng)規(guī)模軍用雷達(dá)市場(chǎng)規(guī)模40353025205020142015201620172018201920202025E敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明35/45雷達(dá)市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，相控陣?yán)走_(dá)應(yīng)用逐步普及。隨著國(guó)防裝備費(fèi)用的持續(xù)投入，我70060050040030020002013201420152016201720182019202020212022E2023E2024E2025E20.00%18.00%16.00%14.00%12.00%10.00%8.00%6.00%4.00%2.00%0.00%l衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)方面，政策穩(wěn)健落地推動(dòng)行業(yè)成長(zhǎng)，據(jù)SIA數(shù)據(jù)，2021年中國(guó)500450400350300250200500202120222023E2024E2025E敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明36/45l無(wú)人機(jī)方面，根據(jù)蒂爾集團(tuán)的報(bào)告，2019年-2028l8060402002019202020212022E2023E2024E2025E2026E2027E2028E3.2潛在發(fā)展：五大領(lǐng)域核心技術(shù)儲(chǔ)備助力新產(chǎn)品進(jìn)展應(yīng)用領(lǐng)域輯電路實(shí)現(xiàn)多種不同的工作狀態(tài)放大器放大器增益的變化，通過(guò)采用電象計(jì)偏置電路，能夠?qū)崿F(xiàn)偏執(zhí)電壓工作為-55度到85度范圍內(nèi)增益波動(dòng)不放大器偏斜等非理想因素是影響器件動(dòng)采用數(shù)?；旌?、前后臺(tái)結(jié)合的校準(zhǔn)電片及高速高精度ADC/DAC敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明37/45術(shù)采用前饋均衡、反饋均衡、連續(xù)時(shí)間片及高速高精度ADC/DAC術(shù)基準(zhǔn)電壓精確穩(wěn)定，可廣泛應(yīng)用采用自研的耐輻射高階低溫度系數(shù)帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)輻射環(huán)境下極低的基準(zhǔn)電壓漂移水平，配合自研的在線(xiàn)激光修調(diào)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)量產(chǎn)電壓修調(diào)，修調(diào)后批次精度可控制器領(lǐng)域，各類(lèi)開(kāi)控制系統(tǒng)值、反時(shí)限配置參數(shù)，并讀取工作電流、溫度等監(jiān)測(cè)信息，實(shí)現(xiàn)數(shù)重構(gòu)能力，以提供給航天器更加靈活的供配電系統(tǒng)可重構(gòu)能力采用片上集成的隔離線(xiàn)圈實(shí)現(xiàn)超小體30V~200V、1A~20A的寬功率范圍航天器上的電控、過(guò)流保護(hù)領(lǐng)域采用耐輻射數(shù)字隔離技術(shù)實(shí)現(xiàn)高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)拓?fù)涞母哌呺妷鹤粤Ｗ訜龤?wèn)題，配合耐輻射高壓采用片上數(shù)字隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)高邊航天器機(jī)械結(jié)機(jī)、轉(zhuǎn)臺(tái)等采用多種高集成度可重構(gòu)芯片實(shí)三維異構(gòu)集成工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了微尺度內(nèi)的高密度三維集成度低的問(wèn)題，可支持300MHz~18GHz頻統(tǒng)達(dá)采用單根信號(hào)線(xiàn)TSV和雙側(cè)各三合頂部串接的螺旋帶狀線(xiàn)和開(kāi)路橫向尺寸限制下，三維異構(gòu)集成射頻前端通道的高性能射頻垂直互連問(wèn)統(tǒng)采用硅轉(zhuǎn)接板空氣腔底部沉積金屬諧振環(huán)族覆蓋腔體多模諧振頻統(tǒng)統(tǒng)終端項(xiàng)目，系該終端項(xiàng)目的獨(dú)家射頻前端芯片供應(yīng)商，該項(xiàng)目產(chǎn)品可支持天通衛(wèi)星通信、自組網(wǎng)、電臺(tái)、LTE、數(shù)字對(duì)講等多種模式兼容切換。2022年公司終端射頻前端芯片團(tuán)隊(duì)將工作重心騰挪到新領(lǐng)域的拓展及新產(chǎn)品的研發(fā)上，圍繞新興領(lǐng)域作重點(diǎn)突破，公司新研了兩款單刀多擲開(kāi)關(guān)敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明38/45高速高精度ADC/DAC芯片特種行業(yè)的技術(shù)引領(lǐng)者，公司射頻收發(fā)芯片及高速高精度ADC/DAC芯片產(chǎn)品在數(shù)字相控陣?yán)走_(dá)、數(shù)據(jù)鏈和衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用均取得實(shí)質(zhì)進(jìn)展。公司的旗艦產(chǎn)品CX8242K/CX8242KA，ADC采樣頻率3GSPS，精度14bit，SFDR70.5dBFS，接口速率25Gbps，DAC采樣頻率12GSPS，精度14bit，為國(guó)內(nèi)在該性能指標(biāo)范圍內(nèi)的首款全正向設(shè)計(jì)高速高精度ADC/DAC芯片產(chǎn)品，也是國(guó)內(nèi)目前已知已量產(chǎn)的綜合性能指標(biāo)最高的高速高精度ADC/DAC芯片產(chǎn)品。CX8242K/CX8242KA主要用于數(shù)字相控陣?yán)走_(dá)、數(shù)據(jù)鏈、電子對(duì)抗和一體化等領(lǐng)域；自2022年年初定型以來(lái)，受到了行業(yè)與市場(chǎng)的廣泛認(rèn)可，該產(chǎn)品的銷(xiāo)售額已占公司高速高精度ADC/DAC芯片報(bào)告期全年銷(xiāo)售額的46%。公司研發(fā)的CX9261S等射頻收發(fā)芯片已成功應(yīng)用于數(shù)據(jù)鏈、數(shù)字相控陣?yán)走_(dá)等行業(yè)中，并在部分細(xì)分領(lǐng)域占據(jù)了較高的市場(chǎng)份額，隨著國(guó)家逐年加大對(duì)數(shù)據(jù)鏈尤其是情報(bào)鏈、武協(xié)鏈、指控鏈等的重視，公司產(chǎn)品有望獲得更為廣泛的應(yīng)用。在衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用方面，為推動(dòng)我國(guó)衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，公司獲得了國(guó)家某部委支持的地面寬帶終端研制合同，將在2023年主導(dǎo)研發(fā)一款高集成度高速高精度ADC/DAC芯片，應(yīng)用于我國(guó)衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)的地面設(shè)施建設(shè)，該合同的簽署對(duì)公司具有巨大戰(zhàn)略意義。l電源管理芯片領(lǐng)域，2022年公司獲得了多家重點(diǎn)客戶(hù)的認(rèn)可，成為航天科技集團(tuán)為數(shù)不多的合格供應(yīng)商，并在此基礎(chǔ)上固化自身產(chǎn)品體系，已形成了負(fù)載點(diǎn)電源芯片、低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器、邏輯與接口、T/R電源管理芯片、MOSFET/GaN驅(qū)動(dòng)器、PWM控制器、電池均衡器、固態(tài)電子開(kāi)關(guān)8大電源芯片產(chǎn)品線(xiàn)以及負(fù)載點(diǎn)電源模塊和固態(tài)電子開(kāi)關(guān)模塊2大電源模塊產(chǎn)品線(xiàn)。全年公司共開(kāi)發(fā)了37款新產(chǎn)品的定型，產(chǎn)品具有小體積、耐輻射、高效率、高可靠、高集成等特點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于相控陣?yán)走_(dá)和各類(lèi)航天供配電系統(tǒng)中。其中新研的負(fù)載點(diǎn)電源芯片和模塊，具備功率密度高、小尺寸、高效率、耐輻射等特點(diǎn)，已應(yīng)用于要求苛刻的航天器中高可靠等特點(diǎn)，包含電源調(diào)制、串并轉(zhuǎn)換、邏輯門(mén)等功能，已大規(guī)模應(yīng)用于最新的模擬相控陣系統(tǒng)中。新研的固態(tài)電子開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，具有耐輻射、保護(hù)功能全等優(yōu)勢(shì)。此外，公司研發(fā)的負(fù)載點(diǎn)電源芯片C42111RHT、低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器芯片C41101RHT、電池均衡器C41815RH等芯片憑借著其優(yōu)異多具備高效率、小體積、耐輻射等優(yōu)點(diǎn)的電源管理芯片，降本增效，助力l微系統(tǒng)及模組領(lǐng)域，2022年是公司微系統(tǒng)及模組產(chǎn)品落地的關(guān)鍵一年。微系統(tǒng)及模組具備較強(qiáng)的定制性，因此公司與客戶(hù)深度協(xié)同研發(fā)，在產(chǎn)品研發(fā)伊始便深度參與論證工作。公司全年共研發(fā)了30余款微系統(tǒng)及模組產(chǎn)品，其中10余款產(chǎn)品處于量產(chǎn)或者鑒定階段；并基于已定型的微系統(tǒng)及模組產(chǎn)品，新研了5款有源相控陣天線(xiàn)系統(tǒng)。此類(lèi)新一代有源相控陣天線(xiàn)系統(tǒng)極大地提高了相控陣天線(xiàn)系統(tǒng)的集成度，產(chǎn)品重量大幅縮減至傳敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明39/45統(tǒng)的有源相控陣天線(xiàn)系統(tǒng)30%以?xún)?nèi)，剖面高度僅為傳統(tǒng)有源相控陣天線(xiàn)系統(tǒng)剖面高度的1/5，實(shí)現(xiàn)了新一代裝備的小型化、輕量化、高集成、低成03，尺寸僅為14.4mm*14.4mm*3.2mm，重量?jī)H為1.9g，體積重量較傳統(tǒng)方案均下降了90%以上。截至2022年底，公司微系統(tǒng)事業(yè)部已服務(wù)客戶(hù)近十幾家，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于新一代的衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)通信和目標(biāo)探測(cè)雷達(dá)等領(lǐng)域。未來(lái)，公司將會(huì)繼續(xù)響應(yīng)客戶(hù)對(duì)于產(chǎn)品高頻化、輕薄化、多功能化的技術(shù)需求，持續(xù)布局研發(fā)異構(gòu)集成的低成本射頻微系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù)，維項(xiàng)目名稱(chēng)進(jìn)展或階段性成果擬達(dá)到目標(biāo)技術(shù)水平具體應(yīng)用前景針對(duì)宇航電源系統(tǒng)高可靠性、高冗余、全功能監(jiān)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先統(tǒng)究證，樣片回片測(cè)試針對(duì)5G通信、基站等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)ADRV9002射頻收國(guó)際先進(jìn)站國(guó)內(nèi)領(lǐng)先數(shù)字相控針對(duì)智能終端、5G通信等領(lǐng)域結(jié)合新工藝和新架?chē)?guó)內(nèi)領(lǐng)先站研究國(guó)內(nèi)領(lǐng)先基帶射頻微系統(tǒng)研究展版圖布局布線(xiàn)及微系低互連損耗，顯著減少對(duì)外引腳數(shù)量和空間國(guó)際先進(jìn)數(shù)據(jù)鏈終端密微電源模塊研究微電源模塊部分型號(hào)已國(guó)內(nèi)領(lǐng)先敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明40/45毛利率方面，2018年-2022年，公司主營(yíng)業(yè)務(wù)毛利率分別為85.18%、82.94%、88.16%、88.46%和87.88%,毛利率較高且相對(duì)穩(wěn)定。公司上述產(chǎn)品和服務(wù)主要領(lǐng)域?yàn)闊o(wú)線(xiàn)通信終端和通信雷達(dá)系統(tǒng)等，特種行業(yè)與民品行業(yè)不具有可比性，一般特種行業(yè)產(chǎn)品具有集成度高、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、性能參數(shù)指標(biāo)嚴(yán)苛等特征，且在產(chǎn)品銷(xiāo)售前需經(jīng)過(guò)指標(biāo)論證、方案設(shè)計(jì)、初樣試樣研制、產(chǎn)品定型等多個(gè)環(huán)節(jié)，研發(fā)所需的時(shí)間周期較長(zhǎng)、前期投入較大，產(chǎn)品擁有極高的行業(yè)壁壘。在此因素100%80%60%40%20%0%——射頻收發(fā)芯片及高速高精度ADC/DAC芯片電源管理芯片微系統(tǒng)及模組技術(shù)服務(wù)終端射頻前端芯片201820192020202120223500300025002000150010005000終端射頻前端芯片技術(shù)服務(wù)微系統(tǒng)及模組電源管理芯片射頻收發(fā)芯片及高速高精度ADC/DAC芯片20182019202020212022資料來(lái)源：wind，華安證券研究所資料來(lái)源：wind，長(zhǎng)幅度基本一致。2020年公司終端射頻前端芯片成本呈現(xiàn)明顯下降趨勢(shì)，主要系1200%1000%800%600%400%200%0%9000800070006000500040003000200010000銷(xiāo)售費(fèi)用率（%）900080007000600050004000300020001000020182019202020212022aa研發(fā)費(fèi)用（萬(wàn)元）——研發(fā)費(fèi)用占總營(yíng)收比例（%）20182019202020212022450%400%350%300%250%200%150%100%50%0%資料來(lái)源：wind，華安證券研究所資料來(lái)源：wind，華安證券研究所敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明41/45三費(fèi)方面，2018-2022年，公司期間費(fèi)用分別為5,890.88萬(wàn)研發(fā)費(fèi)用率波動(dòng)較大，主要系公司營(yíng)業(yè)收入的快速增長(zhǎng)、2018年存在大敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明42/455.1盈利預(yù)測(cè)關(guān)鍵假設(shè)1：基于下游衛(wèi)星通信等應(yīng)用行業(yè)的景氣度，預(yù)計(jì)公司射頻收發(fā)芯片關(guān)鍵假設(shè)2：成本方面，募投項(xiàng)目建設(shè)完畢，伴隨著產(chǎn)能逐漸釋放，規(guī)模效應(yīng)關(guān)鍵假設(shè)3：隨著銷(xiāo)售體系的完善及募投項(xiàng)目的穩(wěn)步推進(jìn)，預(yù)計(jì)費(fèi)用保持相對(duì)基于上述關(guān)鍵假設(shè)，我們對(duì)公司未來(lái)三年業(yè)績(jī)做出預(yù)測(cè)。我們預(yù)計(jì)公司202346939.4140.94%36.10%4330.225906.9841032.4355936.7187.33%2.14%60.13%933.105987.369431.5294.90%93.36%93.40%94.71%95.48%9069.87979.145892.2191.66%91.70%91.85%92.45%微系統(tǒng)及模組4864.10478.214961.25敬請(qǐng)參閱末頁(yè)重要聲明及評(píng)級(jí)說(shuō)明43/4557.12%992.73-22.38%-71.80%549.5384.39%-88.44%86.39%86.35%5.2公司估值公司主要經(jīng)營(yíng)集成電路芯片和微系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售業(yè)務(wù)，我們選取擁有