天津大學(xué)2018-年碩士研究生入學(xué)復(fù)試科目考試大綱-電子線路基礎(chǔ)、微電子學(xué)與固體電子學(xué)綜合

課程編號(hào)：課程名稱：電子線路基礎(chǔ)

一、考試的總體要求要求考生熟悉、掌握基本半導(dǎo)體器件、基本放大電路和集成運(yùn)算放大器（集成運(yùn)放）的知識(shí)；能夠利用電路技術(shù)領(lǐng)域的基本概念和原理對(duì)采用基本半導(dǎo)體器件和集成運(yùn)放組成的電路進(jìn)行分析、計(jì)算和應(yīng)用，并得到合理有效的結(jié)論。

二、考試內(nèi)容及比例

1．半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)；10%

半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)，晶體二極管理論，晶體二極管電路分析方法與應(yīng)用。

2.晶體三極管；10%

晶體三極管的工作原理，晶體三極管的特性曲線，晶體三極管的小信號(hào)電路模型和分析方法，晶體三極管應(yīng)用原理。

3.場(chǎng)效應(yīng)管；10%

MOS場(chǎng)效應(yīng)管和J型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理、特性曲線、小信號(hào)模型分析方法和應(yīng)用原理。

4.放大器基礎(chǔ)；25%

基本放大器（含差分、多級(jí)放大器）電路的工作原理和指標(biāo)參數(shù)（輸入阻抗、輸出阻抗、增益、帶寬等）分析方法。

5.反饋放大器；20%

反饋類型判斷、負(fù)反饋對(duì)放大器性能的影響，深度負(fù)反饋放大器性能分析，負(fù)反饋放大器的穩(wěn)定性分析。

6.集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用電路；25%

理想集成運(yùn)放應(yīng)用電路及其分析方法，集成運(yùn)放性能參數(shù)及其對(duì)應(yīng)用電路的影響。

三、試卷題型及比例

1、選擇、填空題：20%；

2、分析、判斷題15%；

3、計(jì)算、設(shè)計(jì)題60%；

4、其他5%。

注：以上比例僅供參考，綜合題型是不同部分內(nèi)容或不同題型的混合，在試卷中會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)。

四、考試形式及時(shí)間考試形式為筆試，考試時(shí)間1.5小時(shí)，滿分65分。

五、參考書目1、《電子線路：線性部分（第五版），馮軍謝嘉奎主編，高等教育出版社，2010年1月。

課程編號(hào)：課程名稱：微電子學(xué)與固體電子學(xué)綜合

本復(fù)試考試由兩部分組成，請(qǐng)考生根據(jù)自己的具體情況任選一部分進(jìn)行答題。

第一部分：半導(dǎo)體集成電路復(fù)試大綱（參加微電子學(xué)復(fù)試的考生參考）

一、考試的總體要求"半導(dǎo)體集成電路"是微電子技術(shù)專業(yè)的主干課程。本大綱包括"半導(dǎo)體特種效應(yīng)"、"半導(dǎo)體集成電路"。目的是考察考生對(duì)基本理論、基本知識(shí)、基本技能及分析問題和解決問題的能力。

二、考試內(nèi)容及比例

（一）半導(dǎo)體特種效應(yīng)（40%）

1、半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)：異質(zhì)結(jié)概念及能帶圖，異質(zhì)結(jié)鍺硅雙極晶體管的結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)與原因，高電子遷移率晶體管的結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)與原因；

2、半導(dǎo)體光學(xué)性質(zhì)：半導(dǎo)體光吸收，半導(dǎo)體光電探測(cè)器,半導(dǎo)體太陽電池，半導(dǎo)體發(fā)光概念與應(yīng)用，半導(dǎo)體激光基本原理；

3、半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)、半導(dǎo)體熱電效應(yīng)及其應(yīng)用、半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)。

（二）半導(dǎo)體集成電路（60%）

1、MOS反相器及其基本邏輯單元E/D反相器、CMOS反相器、自舉反相器、動(dòng)態(tài)反相器、NMOS邏輯結(jié)構(gòu)、傳輸門邏輯。

2、導(dǎo)線模型及寄生參數(shù)互連參數(shù)、集總式模型、分布式模型。

3、CMOS組合邏輯門的設(shè)計(jì)靜態(tài)CMOS組合邏輯、動(dòng)態(tài)CMOS組合邏輯。

4、時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì)靜態(tài)鎖存器和寄存器、動(dòng)態(tài)鎖存器和寄存器、流水線、非雙穩(wěn)時(shí)序電路。

5、數(shù)字電路中的時(shí)序問題數(shù)字系統(tǒng)的時(shí)序分類、同步設(shè)計(jì)、自定時(shí)電路設(shè)計(jì)、時(shí)鐘的不確定性。

6、設(shè)計(jì)運(yùn)算功能塊數(shù)字處理器結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)通路、加法器、乘法器、移位器。三、試卷題型及比例

1、選擇，填空題：15%；

2、簡(jiǎn)答題：30%；

3、論述題：40%；

4、綜合題：15%。

四、考試形式及時(shí)間

考試形式為筆試，考試時(shí)間1.5小時(shí)，滿分65分。

五、參考書目

1、半導(dǎo)體物理學(xué)，（第七版），劉恩科、朱秉升、羅晉生編著，電子工業(yè)出版社。2、半導(dǎo)體物理與器件，美Neamen著，趙毅強(qiáng)等譯，電子工業(yè)出版社；

3、數(shù)字集成電路--電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)，周潤(rùn)德等譯，電子工業(yè)出版社；

4、半導(dǎo)體集成電路、朱正涌編著，清華大學(xué)出版社。

第二部分：薄膜電子技術(shù)復(fù)試大綱（參加固體電子學(xué)專業(yè)復(fù)試的考生參考）

一、考試的總體要求"薄膜電子技術(shù)"是微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)的主干課程。本課程的考試目的是考察學(xué)生對(duì)基本理論、基本知識(shí)、基本技能的掌握情況，考察學(xué)生分析問題解決問題的能力。

二、考試內(nèi)容及比例

1、薄膜的制備技術(shù)：

1)真空技術(shù)基礎(chǔ)：真空的基本知識(shí)，真空的獲得，真空度的表征和檢測(cè)。

2)物理氣相沉積鍍膜技術(shù)：真空蒸發(fā)鍍膜原理，蒸發(fā)源類型及原理，蒸發(fā)特性及參數(shù)，合金及化合物蒸發(fā)。濺射鍍膜類型及原理、特點(diǎn)，濺射特性參數(shù)。離子鍍膜原理、特點(diǎn)。

3)化學(xué)氣相沉積鍍膜技術(shù)：不同類型化學(xué)氣相沉積鍍膜方法原理及特點(diǎn)常壓化學(xué)氣相沉積，低壓化學(xué)氣相沉積，等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積，光化學(xué)氣相沉積。

4)溶液鍍膜法：化學(xué)鍍，溶膠-凝膠法，LB膜的制備原理和特點(diǎn)。

2、薄膜形成理論：

1）薄膜的形成過程,薄膜的形成與生長(zhǎng)形式。熱適應(yīng)系數(shù)，熱力學(xué)界面能理論，原子聚集理論。

2）薄膜的結(jié)構(gòu)與缺陷：薄膜的組織結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)、表面結(jié)構(gòu)，薄膜的缺陷及產(chǎn)生機(jī)理。

3、薄膜結(jié)構(gòu)與化學(xué)組分檢測(cè)方法：X射線衍射法，掃描電子顯微鏡法，俄歇電子能譜法，X射線光電子能譜法，檢測(cè)原理與特點(diǎn)。

三、試卷題型及比例

1、