傳感器技術(shù)及應(yīng)用知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋山東工業(yè)職業(yè)學(xué)院

傳感器技術(shù)及應(yīng)用知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋山東工業(yè)職業(yè)學(xué)院第一章單元測(cè)試

自動(dòng)控制技術(shù)、通信技術(shù)、連同計(jì)算機(jī)技術(shù)和（），構(gòu)成信息技術(shù)的完整信息鏈。

A:傳感技術(shù)

B:監(jiān)測(cè)技術(shù)

C:汽車(chē)制造技術(shù)

D:建筑技術(shù)

答案:傳感技術(shù)

傳感器按其敏感的工作原理，可以分為物理型、化學(xué)型和（）三大類。

A:薄膜型

B:生物型

C:材料型

D:電子型

答案:生物型

近年來(lái)，仿生傳感器的研究越來(lái)越熱，其主要就是模仿人的（）的傳感器。

A:聽(tīng)覺(jué)器官

B:視覺(jué)器官

C:感覺(jué)器官

D:嗅覺(jué)器官

答案:感覺(jué)器官

若將計(jì)算機(jī)比喻成人的大腦，那么傳感器則可以比喻為()。

A:手

B:皮膚

C:眼睛

D:感覺(jué)器官

答案:感覺(jué)器官

傳感器主要完成兩個(gè)方面的功能：檢測(cè)和（）。

A:測(cè)量

B:信號(hào)調(diào)節(jié)

C:感知

D:轉(zhuǎn)換

答案:轉(zhuǎn)換

下列指標(biāo)屬于衡量傳感器動(dòng)態(tài)特性的評(píng)價(jià)指標(biāo)的是（）。

A:零點(diǎn)漂移

B:時(shí)域響應(yīng)

C:靈敏度

D:線性度

答案:時(shí)域響應(yīng)

按誤差數(shù)值表示的方法，誤差可以分為()

A:相對(duì)誤差

B:系統(tǒng)誤差

C:引用誤差

D:絕對(duì)誤差

答案:相對(duì)誤差

；引用誤差

；絕對(duì)誤差

評(píng)定儀表品質(zhì)的幾個(gè)主要質(zhì)量指標(biāo)()

A:精度

B:非線性誤差

C:變差

D:靈敏度和靈敏限

答案:精度

；非線性誤差

；變差

；靈敏度和靈敏限

相對(duì)誤差的表示方法有()

A:實(shí)際相對(duì)誤差

B:標(biāo)稱相對(duì)誤差

C:理論相對(duì)誤差

D:相對(duì)百分誤差

答案:實(shí)際相對(duì)誤差

；標(biāo)稱相對(duì)誤差

；相對(duì)百分誤差

重要場(chǎng)合使用的元器件或儀表，購(gòu)入后需進(jìn)行高、低溫循環(huán)老化試驗(yàn)，其目的是為了（）。

A:測(cè)試其各項(xiàng)性能指標(biāo)

B:加速其衰老

C:提高可靠性

D:提高精度

答案:提高可靠性

第二章單元測(cè)試

應(yīng)變測(cè)量中，希望靈敏度高、線性好、有溫度自補(bǔ)償功能，應(yīng)選擇()測(cè)量轉(zhuǎn)換電路。

A:單臂半橋

B:獨(dú)臂

C:四臂全橋

D:雙臂半橋

答案:四臂全橋

應(yīng)變式壓力傳感器受壓時(shí)產(chǎn)生的是()信號(hào)。

A:電阻

B:電勢(shì)

C:電感

D:電容

答案:電阻

全橋差動(dòng)電路的電壓靈敏度是單臂工作時(shí)的()。

A:4倍

B:2倍

C:不變

D:6倍

答案:4倍

直流電橋工作時(shí)不需要平衡。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)全橋的靈敏度最高。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)電阻應(yīng)變式傳感器是把被測(cè)量轉(zhuǎn)換為電阻值的變化。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)金屬絲電阻隨著它所受的機(jī)械變形的大小而相應(yīng)變化的現(xiàn)象，稱為金屬的()。

A:電阻形變效應(yīng)

B:壓阻效應(yīng)

C:電阻應(yīng)變效應(yīng)

D:壓電效應(yīng)

答案:電阻應(yīng)變效應(yīng)

制作應(yīng)變片敏感柵的材料中，用的最多的金屬是()

A:鎳鉻合金

B:鉑

C:銅

D:康銅

答案:康銅

電阻應(yīng)變片配用的測(cè)量電路中，為了克服分布電容的影響，多采用()

A:直流平衡電橋

B:交流不平衡

C:直流不平衡電橋

D:交流平衡

答案:交流不平衡

直流電橋平衡的條件是()

A:所有電阻都相等

B:相鄰兩臂電阻的乘積不相等

C:相鄰兩臂電阻的乘積相等

D:相對(duì)兩臂電阻的乘積相等

答案:相對(duì)兩臂電阻的乘積相等

第三章單元測(cè)試

欲測(cè)量極微小的位移，應(yīng)選擇（）自感傳感器。希望線性好、靈敏度高、量程為1mm左右、分辨力為1mm左右，應(yīng)選擇（）自感傳感器為宜。（）

A:電感式，變面積式

B:變隙式，螺線管式

C:變面積式，螺線管式

D:變隙式，變面積式

答案:變隙式，螺線管式

希望線性范圍為±1mm，應(yīng)選擇線圈骨架長(zhǎng)度為（）左右的螺線管式自感傳感器或差動(dòng)變壓器。

A:2mm

B:1mm

C:20mm

D:400mm

答案:20mm

螺線管式自感傳感器采用差動(dòng)結(jié)構(gòu)是為了（）。

A:降低成本

B:增加線圈對(duì)銜鐵的吸引力

C:提高靈敏度，減小溫漂

D:加長(zhǎng)線圈的長(zhǎng)度從而增加線性范圍

答案:提高靈敏度，減小溫漂

自感傳感器或差動(dòng)變壓器采用相敏檢波電路最重要的目的是為了（）。

A:提高靈敏度

B:提高線性度

C:使檢波后的直流電壓能反映檢波前交流信號(hào)的相位和幅度

D:將輸出的交流信號(hào)轉(zhuǎn)換成直流信號(hào)

答案:使檢波后的直流電壓能反映檢波前交流信號(hào)的相位和幅度

欲測(cè)量鍍層厚度，電渦流線圈的激勵(lì)源頻率約為（）。而用于測(cè)量小位移的螺線管式自感傳感器以及差動(dòng)變壓器線圈的激勵(lì)源頻率通常約為（）（）

A:100kHz~2MHz，1~10kHz

B:1~10kHz，100kHz~2MHz

C:10~50kHz，100kHz~2MHz

D:100kHz~2MHz，50~100Hz

答案:100kHz~2MHz，50~100Hz

電感式傳感器的常用測(cè)量電路不包括（）。

A:交流電橋

B:變壓器式交流電橋

C:脈沖寬度調(diào)制電路

D:諧振式測(cè)量電路

答案:脈沖寬度調(diào)制電路

電感式傳感器采用變壓器式交流電橋測(cè)量電路時(shí)，下列說(shuō)法不正確的是（）。

A:根據(jù)輸出的指示可以判斷位移的方向

B:當(dāng)銜鐵位于中間位置時(shí)，電橋處于平衡狀態(tài)

C:銜鐵上、下移動(dòng)時(shí)，輸出電壓相位相反

D:銜鐵上、下移動(dòng)時(shí)，輸出電壓隨銜鐵的位移而變化

答案:根據(jù)輸出的指示可以判斷位移的方向

對(duì)于差動(dòng)變壓器，采用交流電壓表測(cè)量輸出電壓時(shí)，下列說(shuō)法正確的是（）。

A:既不能反映位移的方向，也不能消除零點(diǎn)殘余電壓

B:既能反映銜鐵位移的大小，也能反映位移的方向

C:既不能反映位移的大小，也不能反映位移的方向

D:既能反映銜鐵位移的大小，也能消除零點(diǎn)殘余電壓

答案:既不能反映位移的方向，也不能消除零點(diǎn)殘余電壓

零點(diǎn)殘余電壓產(chǎn)生的原因是（）

A:傳感器的兩次級(jí)繞組的幾何尺寸不對(duì)稱

B:傳感器的兩次級(jí)繞組的電氣參數(shù)不同

C:環(huán)境溫度的升高

D:磁性材料磁化曲線的非線性

答案:傳感器的兩次級(jí)繞組的幾何尺寸不對(duì)稱

；傳感器的兩次級(jí)繞組的電氣參數(shù)不同

；磁性材料磁化曲線的非線性

差動(dòng)螺線管式電感傳感器配用的測(cè)量電路有（）。

A:變壓器式交流電橋

B:運(yùn)算放大電路

C:差動(dòng)相敏檢波電路

D:直流電橋

答案:變壓器式交流電橋

第四章單元測(cè)試

如將變面積型電容式傳感器接成差動(dòng)形式，則其靈敏度將（）。

A:保持不變

B:增大一倍

C:增大兩倍

D:減小一倍

答案:增大一倍

用電容式傳感器測(cè)量固體或液體物位時(shí)，應(yīng)該選用（）。

A:變間隙式

B:變面積式

C:變介電常數(shù)式

D:空氣介質(zhì)變間隙式

答案:變介電常數(shù)式

電容式傳感器通常用來(lái)測(cè)量（）。

A:重量

B:位移

C:交流電流

D:電場(chǎng)強(qiáng)度

答案:位移

電容式傳感器做成差動(dòng)結(jié)構(gòu)后，靈敏度提高了（）倍。

A:0

B:1

C:2

D:3

答案:1

電容式傳感器信號(hào)轉(zhuǎn)換電路中，（）用于單個(gè)電容量變化的測(cè)量

A:調(diào)頻電路

B:脈沖寬度調(diào)制電路

C:運(yùn)算放大電路

D:二極管雙T型交流電橋

答案:調(diào)頻電路

；運(yùn)算放大電路

在兩片間隙為1mm的兩塊平行極板的間隙中插入（），可測(cè)得最大的電容量。

A:濕的紙

B:塑料薄膜

C:干的紙

D:玻璃薄片

答案:濕的紙

電子卡尺的分辨率可達(dá)0.01mm，行程可達(dá)200mm，它的內(nèi)部所采用的電容傳感器型式是（）。

A:濕度傳感器

B:變介電常數(shù)式

C:變極距式

D:變面積式

答案:變面積式

在電容傳感器中，若采用調(diào)頻法測(cè)量轉(zhuǎn)換電路，則電路中（）。

A:電容是變量，電感保持不變

B:電容和電感均保持不變

C:電容保持常數(shù)，電感為變量

D:電容和電感均為變量

答案:電容是變量，電感保持不變

利用濕敏電容可以測(cè)量（）。

A:空氣的溫度

B:空氣的相對(duì)濕度

C:紙張的含水量

D:空氣的絕對(duì)濕度

答案:空氣的相對(duì)濕度

轎車(chē)的保護(hù)氣囊用（）控制。

A:濕敏傳感器

B:氣敏傳感器

C:差動(dòng)變壓器

D:電容式加速度傳感器

答案:電容式加速度傳感器

第五章單元測(cè)試

對(duì)石英晶體，下列說(shuō)法正確的是（）。

A:沿光軸方向施加作用力，不會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)，也沒(méi)有電荷產(chǎn)生。

B:沿光軸方向施加作用力，會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)，但沒(méi)有電荷產(chǎn)生。

C:沿光軸方向施加作用力，會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)，也會(huì)有電荷產(chǎn)生。

D:沿光軸方向施加作用力，不會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)，但會(huì)有電荷產(chǎn)生。

答案:沿光軸方向施加作用力，不會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)，也沒(méi)有電荷產(chǎn)生。

石英晶體和壓電陶瓷的壓電效應(yīng)對(duì)比正確的是（）

A:石英晶體比壓電陶瓷的壓電效應(yīng)明顯，穩(wěn)定性也比壓電陶瓷好

B:石英晶體比壓電陶瓷的壓電效應(yīng)明顯，穩(wěn)定性不如壓電陶瓷好

C:壓電陶瓷比石英晶體的壓電效應(yīng)明顯，穩(wěn)定性也比石英晶體好

D:壓電陶瓷比石英晶體的壓電效應(yīng)明顯，穩(wěn)定性不如石英晶體好

答案:壓電陶瓷比石英晶體的壓電效應(yīng)明顯，穩(wěn)定性不如石英晶體好

兩個(gè)壓電元件相并聯(lián)與單片時(shí)相比說(shuō)法正確的是（）

A:并聯(lián)時(shí)電荷量增加了一倍，輸出電容為單片時(shí)的2倍

B:并聯(lián)時(shí)輸出電壓不變，電荷量增加了2倍

C:并聯(lián)時(shí)輸出電壓不變，輸出電容是單片時(shí)的一半

D:并聯(lián)時(shí)電荷量增加了2倍，輸出電容為單片時(shí)2倍

答案:并聯(lián)時(shí)電荷量增加了一倍，輸出電容為單片時(shí)的2倍

兩個(gè)壓電元件相串聯(lián)與單片時(shí)相比說(shuō)法正確的是（）

A:串聯(lián)時(shí)電荷量增大一倍，電容量不變

B:串聯(lián)時(shí)輸出電壓增大一倍，電荷量與單片時(shí)相同

C:串聯(lián)時(shí)輸出電壓不變，電荷量與單片時(shí)相同

D:串聯(lián)時(shí)電荷量增大一倍，電容量為單片時(shí)的一半

答案:串聯(lián)時(shí)輸出電壓增大一倍，電荷量與單片時(shí)相同

壓電石英晶體表面上產(chǎn)生的電荷密度與（）。

A:晶體面積成正比

B:剩余極化強(qiáng)調(diào)成正

C:晶體厚度成反比

D:作用在晶片上的壓力成正比

答案:作用在晶片上的壓力成正比

壓電式傳感器目前多用于測(cè)量（）。

A:靜態(tài)的力或壓力B:溫度C:動(dòng)態(tài)的力或壓力D:位移

答案:動(dòng)態(tài)的力或壓力壓電式加速度傳感器是適合測(cè)量下列哪種信號(hào)（）。

A:適于測(cè)量動(dòng)態(tài)

B:適于測(cè)量緩變

C:適于測(cè)量直流

D:適于測(cè)量任意

答案:適于測(cè)量動(dòng)態(tài)

石英晶體在沿機(jī)械軸y方向的力作用下會(huì)（）。

A:產(chǎn)生橫向壓電效應(yīng)

B:產(chǎn)生逆向壓電效應(yīng)

C:不產(chǎn)生壓電效應(yīng)

D:產(chǎn)生縱向壓電效應(yīng)

答案:產(chǎn)生橫向壓電效應(yīng)

在運(yùn)算放大器放大倍數(shù)很大時(shí)，壓電傳感器輸入電路中的電荷放大器的輸出電壓與（）成正比。

A:電纜電容

B:輸入電荷

C:反饋電容

D:放大倍數(shù)

答案:輸入電荷

石英晶體在沿電軸X方向的力作用下會(huì)（）

A:不產(chǎn)生壓電效應(yīng)

B:產(chǎn)生逆向壓電效應(yīng)

C:產(chǎn)生縱向壓電效應(yīng)

D:產(chǎn)生橫向壓電效應(yīng)

答案:產(chǎn)生縱向壓電效應(yīng)

第六章單元測(cè)試

制造霍爾元件的半導(dǎo)體材料中，目前用的較多的是鍺、銻化銦、砷化銦，其原因是這些（）。

A:半導(dǎo)體材料的電子遷移率比較大

B:半導(dǎo)體材料的霍爾常數(shù)比金屬的大

C:半導(dǎo)體中電子遷移率比空穴高

D:N型半導(dǎo)體材料較適宜制造靈敏度較高的霍爾元件

答案:N型半導(dǎo)體材料較適宜制造靈敏度較高的霍爾元件

磁電式傳感器測(cè)量電路中引入積分電路是為了測(cè)量（）。

A:光強(qiáng)

B:速度

C:加速度

D:位移

答案:位移

磁電式傳感器測(cè)量電路中引入微分電路是為了測(cè)量（）

A:速度

B:位移

C:光強(qiáng)

D:加速度

答案:加速度

霍爾電勢(shì)與（）成反比

A:霍爾器件寬度

B:磁感應(yīng)強(qiáng)度

C:激勵(lì)電流

D:霍爾器件長(zhǎng)度

答案:霍爾器件長(zhǎng)度

霍爾元件不等位電勢(shì)產(chǎn)生的主要原因不包括（）

A:周?chē)h(huán)境溫度變化

B:霍爾電極安裝位置不對(duì)稱或不在同一等電位上

C:半導(dǎo)體材料不均勻造成電阻率不均勻或幾何尺寸不均勻

D:激勵(lì)電極接觸不良造成激勵(lì)電流不均勻分配

答案:周?chē)h(huán)境溫度變化

磁場(chǎng)垂直于霍爾薄片，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，當(dāng)磁場(chǎng)反向時(shí)，霍爾電動(dòng)勢(shì)（），因此霍爾元件可用于測(cè)量交變電場(chǎng)。

A:絕對(duì)值相反，符號(hào)相反。

B:絕對(duì)值相反，符號(hào)相同。

C:絕對(duì)值相同，符號(hào)相同。

D:絕對(duì)值相同，符號(hào)相反。

答案:絕對(duì)值相同，符號(hào)相反。

屬于四端元件的是（）

A:壓電晶片

B:熱敏電阻

C:霍爾元件

D:應(yīng)變片

答案:霍爾元件

多將開(kāi)關(guān)型霍爾IC制作成具有施密特特性是為了（），回差越大，效果越明顯。

A:增加靈敏度

B:減小溫漂

C:提高分辨力

D:抗機(jī)械擾動(dòng)

答案:抗機(jī)械擾動(dòng)

霍爾轉(zhuǎn)速表不可以測(cè)齒輪的正反轉(zhuǎn)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)霍爾電流表測(cè)量電流時(shí)，根據(jù)右手定律，產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度就越大。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第七章單元測(cè)試

目前我國(guó)采用的溫標(biāo)是()。

A:華氏溫標(biāo)

B:UPTS-68溫標(biāo)

C:ITS-90溫標(biāo)

D:攝氏溫標(biāo)

答案:攝氏溫標(biāo)

熱電偶測(cè)溫原理基于()。

A:熱磁效應(yīng)

B:熱壓效應(yīng)

C:熱電效應(yīng)

D:熱阻效應(yīng)

答案:熱電效應(yīng)

Ptl00在0℃時(shí)的電阻值為()。

A:53Ω

B:101.1Ω

C:0Ω

D:100Ω

答案:100Ω

當(dāng)用熱電偶測(cè)溫時(shí)，若連接導(dǎo)線使用的是補(bǔ)償導(dǎo)線，就可以不考慮熱電偶冷端的補(bǔ)償。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)銅熱電阻的測(cè)溫范圍比鉑熱電阻測(cè)溫范圍寬。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)熱電偶補(bǔ)償導(dǎo)線具有冷端溫度補(bǔ)償功能。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)在實(shí)驗(yàn)室中測(cè)量金屬的熔點(diǎn)時(shí),冷端溫度補(bǔ)償采用()。

A:機(jī)械儀表調(diào)零

B:計(jì)算修正

C:冰浴法

D:補(bǔ)償導(dǎo)線

答案:冰浴法

對(duì)熱電偶傳感器，形成熱電勢(shì)的必要條件是：()。

A:兩種導(dǎo)體材料相同；節(jié)點(diǎn)所處的溫度相同

B:兩種導(dǎo)體材料不同；節(jié)點(diǎn)所處的溫度相同

C:兩種導(dǎo)體材料相同；節(jié)點(diǎn)所處的溫度不同

D:兩種導(dǎo)體材料不同；節(jié)點(diǎn)所處的溫度不同

答案:兩種導(dǎo)體材料不同；節(jié)點(diǎn)所處的溫度不同

半導(dǎo)體熱敏電阻率隨著溫度上升，電阻率()。

A:歸零

B:迅速下降

C:保持不變

D:上升

答案:迅速下降

下列各熱電偶中，非標(biāo)準(zhǔn)化熱電偶是()。

A:鎳鈷－鎳硅熱電偶

B:鎳鉻－鎳硅熱電偶

C:鐵－銅鎳熱電偶

D:銅－銅鎳

答案:鎳鈷－鎳硅熱電偶

第八章單元測(cè)試

下列光電器件是根據(jù)外光電效應(yīng)做出的是（）。

A:光電池

B:光敏電阻

C:光敏二極管

D:光電管

答案:光電管

當(dāng)光電管的陽(yáng)極和陰極之間所加電壓一定時(shí)，光通量與光電流之間的關(guān)系稱為光電管的（）。

A:光照特性

B:伏安特性

C:光譜特性

D:頻率特性

答案:光照特性

下列光電器件是基于光導(dǎo)效應(yīng)的是（）。

A:光電池

B:光電管

C:光敏二極管

D:光敏電阻

答案:光敏電阻

光敏電阻的相對(duì)靈敏度與入射波長(zhǎng)的關(guān)系稱為（）。

A:伏安特性

B:光譜特性

C:頻率特性

D:光照特性

答案:光譜特性

下列關(guān)于光敏二極管和光敏三極管的對(duì)比不正確的是（）。

A:光敏二極管的光電流很小，光敏三極管的光電流則較大

B:光敏二極管的線性特性較差，而光敏三極管有很好的線性特性

C:光敏二極管與光敏三極管的暗點(diǎn)流相差不大

D:工作頻率較高時(shí)，應(yīng)選用光敏二極管；工作頻率較低時(shí)，應(yīng)選用光敏三極管

答案:光敏二極管的線性特性較差，而光敏三極管有很好的線性特性

光敏電阻的特性是（）。

A:有光照時(shí)亮電阻很大

B:無(wú)光照時(shí)暗電阻很小

C:受一定波長(zhǎng)范圍的光照時(shí)亮電流很大

D:無(wú)光照時(shí)暗電流很大

答案:受一定波長(zhǎng)范圍的光照時(shí)亮電流很大

基于光生伏特效應(yīng)工作的光電器件是（）。

A:光電倍增管

B:光電池

C:光電管

D:光敏電阻

答案:光電倍增管

CCD以（）為信號(hào)。

A:電荷

B:電流

C:電壓

D:電壓或者電流

答案:電荷

構(gòu)成CCD的基本單元是（）。

A:P型硅

B:光電二極管

C:MOS電容器

D:PN結(jié)

答案:MOS電容器

下面的哪些傳感器不屬于內(nèi)光電傳感器（）。

A:光敏電阻

B:光電池

C:光電管

D:光電二/三極管

答案:光電管

第九章單元測(cè)試

超聲波頻率越高，（）。

A:波長(zhǎng)越短，指向角越小，方向性越好

B:波長(zhǎng)越短，指向角越小，方向性越差

C:波長(zhǎng)越短，指向角越大，方向性越好

D:波長(zhǎng)越長(zhǎng)，指向角越大，方向性越好

答案:波長(zhǎng)越短，指向角越小，方向性越好

超聲波在有機(jī)玻璃中的聲速比在水中的聲速（），比在鋼中的（）。（）

A:大10

B:相等

C:小，大

D:大，小

答案:大，小

人講話時(shí)，聲音y從口腔沿水平方