第四章離子注入

本章內(nèi)容概述離子注入基本原理射程與注入離子的分布離子注入設(shè)備系統(tǒng)實(shí)際的入射離子分布問(wèn)題注入損傷與退火離子注入在MOSIC中的應(yīng)用概述離子注入技術(shù)是六十年代發(fā)展起來(lái)，目前在IC制造中占主導(dǎo)地位的一種摻雜技術(shù)基本原理——將雜質(zhì)原子經(jīng)過(guò)離化變成帶電的雜質(zhì)離子，并使其在電場(chǎng)中加速，獲得一定能量后，直接轟擊到半導(dǎo)體基片內(nèi)，使之在體內(nèi)形成一定的雜質(zhì)分布，起到摻雜的作用。一般CMOS工藝流程需6~12次離子注入典型的離子注入工藝參數(shù)：能量約5~200KeV，劑量約1011~1016/cm2，注入深度平均可達(dá)10nm~10um離子注入技術(shù)的特點(diǎn)雜質(zhì)純劑量均勻溫度低、掩蔽方便雜質(zhì)分布靈活雜質(zhì)不受固溶度的限制橫向擴(kuò)散小適合實(shí)現(xiàn)化合物半導(dǎo)體的摻雜缺點(diǎn)：造成晶格損傷、設(shè)備昂貴等離子注入過(guò)程是一個(gè)非平衡過(guò)程，高能離子進(jìn)入靶后不斷與原子核及其核外電子碰撞，逐步損失能量，最后停下來(lái)。停下來(lái)的位置是隨機(jī)的，大部分不在晶格上，因而沒(méi)有電活性。離子注入基本原理1.1離子的碰撞1）離子和核外電子的碰撞：可看成非彈性碰撞。由于離子質(zhì)量比電子質(zhì)量大很多，每次碰撞損失很少的離子能量，且是小角度散射。Se－電子阻止散射方向是隨機(jī)的，多次散射的結(jié)果，離子運(yùn)動(dòng)方向基本不變。阻止本領(lǐng)：材料中注入離子的能量損失大小。而吸收離子能量的電子，將會(huì)：——使原子的外層電子脫離靶材，產(chǎn)生二次電子；——使原子中的電子能級(jí)發(fā)生躍遷，回落時(shí)，釋放能量，放出光子而發(fā)光。電子阻止：對(duì)于輕離子、高能量條件下占主導(dǎo)地位2）離子與靶原子核碰撞：可看作彈性碰撞。因兩者的質(zhì)量往往是同一個(gè)量級(jí)，一次碰撞可以損失較多能量，且可能發(fā)生大角度散射。定義核阻止：當(dāng)能量較低時(shí)，ESn當(dāng)能量較高時(shí)，ESn能量損失率與離子能量的關(guān)系Sn在某個(gè)能量處有極大值，重離子、低能量時(shí)核阻止占主導(dǎo)地位離子注入的能量損失機(jī)制獲得一定能量后的靶原子核可能離開(kāi)原來(lái)的晶格位置。——若進(jìn)入晶格間隙，留下空位，形成缺陷；——還可以繼續(xù)碰撞另外一個(gè)原子核，使一系列核離開(kāi)晶格位置，造成晶體損傷?！?dāng)劑量很高時(shí)，甚至可以使單晶硅嚴(yán)重?fù)p傷以至變成無(wú)定形硅。-dE/dx：能量損失梯度E：注入離子在其運(yùn)動(dòng)路程上任一點(diǎn)x處的能量Sn(E)：核阻止本領(lǐng)Se(E)：電子阻止本領(lǐng)C:靶原子密度～5

1022cm-3forSi能量E的函數(shù)能量為E的入射粒子在密度為C的靶內(nèi)走過(guò)x距離后損失的能量單位路程上注入離子由于核阻止（Sn(E)）和電子阻止(Se(E))所損失的能量，總能量損失為兩者的和。低能區(qū)中能區(qū)高能區(qū)核阻止本領(lǐng)和電子阻止本領(lǐng)曲線(1)低能區(qū)：Sn(E)占主要地位，Se(E)可忽略(2)中能區(qū)：Sn(E)和Se(E)同等重要(3)高能區(qū)：Se(E)占主要地位，Sn(E)可忽略則入射離子總的能量損失為：射程R

:離子從進(jìn)入靶開(kāi)始到停止點(diǎn)所通過(guò)的總路程叫射程。投影射程xp

:射程在離子入射方向的投影長(zhǎng)度稱作投影射程。1.2幾個(gè)基本概念：射程、投影射程及標(biāo)準(zhǔn)偏差射程橫向分量Xt：射程在垂直于入射方向的平面內(nèi)的投影長(zhǎng)度射程、投影射程及標(biāo)準(zhǔn)偏差

平均投影射程RP：雖然入射到靶內(nèi)的是同一種離子、具有的能量也相同，但是各個(gè)入射離子進(jìn)入靶后所經(jīng)歷的碰撞過(guò)程是一個(gè)隨機(jī)過(guò)程，所以各個(gè)離子的射程和投影射程不一定相同。大量入射離子投影射程的統(tǒng)計(jì)平均值稱作平均投影射程，用RP表示。標(biāo)準(zhǔn)偏差ΔRp：各個(gè)入射離子的投影射程xp分散地分布在平均投影射程RP

周?chē)脴?biāo)準(zhǔn)偏差ΔRp表示xp

的分散情況。1.3注入離子的分布LSS理論：有很多科學(xué)家對(duì)于離子注入后的雜質(zhì)分布做了深入的研究，其中最有名的也是最成功的是LSS理論。它是Linhard、Scharff和Schiott三人首先確立的。根據(jù)LSS射程分布的理論，離子注入非晶靶后的雜質(zhì)濃度以高斯函數(shù)的形式分布ΔRp：標(biāo)準(zhǔn)偏差RP：平均投影射程xp：投影射程Cmax：峰值處的離子濃度C(xp)：表示距靶表面深度為xp處的注入離子濃度如果把雜質(zhì)濃度分布公式對(duì)xp

積分，就得到單位面積的表面層中注入的總離子數(shù)，即注入劑量NS

經(jīng)變換和簡(jiǎn)化后，可以得到注入劑量、標(biāo)準(zhǔn)偏差和峰值濃度之間的近似關(guān)系：深度為Rp時(shí)的離子濃度為最大值。注：注入劑量和雜質(zhì)濃度的關(guān)系劑量（個(gè)數(shù)/面積）：往下看，單位面積下所有深度內(nèi)有多少條魚(yú)濃度（個(gè)數(shù)/體積）：特定區(qū)域單位體積內(nèi)有多少條魚(yú)能量（Kev）2050100120160200BRP66216082994349644325297ΔRp283504710766854921PRP2536071238149720192539ΔRp119256456528659775AsRP1593225826868981114ΔRp59118207241308374常用離子在硅中的射程等數(shù)據(jù)200kev注入離子在靶中的高斯分布圖硼原子在不同入射能量對(duì)深度及濃度分布圖高斯分布只在峰值附近與實(shí)際分布符合較好根據(jù)離子注入條件計(jì)算雜質(zhì)濃度的分布已知雜質(zhì)種類(lèi)(P,B,As)，離子注入能量(Kev)，靶材（襯底Si,SiO2,Si3N4等）

求解step1：查L(zhǎng)SS表可得到Rp和ΔRp

已知離子注入時(shí)的注入束流I，靶面積A,注入時(shí)間t

求解step2:計(jì)算離子注入劑量：求解step3：計(jì)算雜質(zhì)最大濃度：

求解step4:寫(xiě)出雜質(zhì)濃度分布公式：根據(jù)公式，可求解某深度Xj處濃度C(Xj);峰值濃度Cmax；平均濃度結(jié)深Xj：假設(shè)襯底為反型雜質(zhì)，且濃度為CB，由C(Xj）=CB，可得2.離子注入設(shè)備系統(tǒng)離子注入三大基本要素：——離子的產(chǎn)生——離子的加速——離子的控制離子注入系統(tǒng)的三大組成部分:1）離子源——雜質(zhì)離子的產(chǎn)生2）加速管——雜質(zhì)離子的加速3）終端臺(tái)——離子的控制2.離子注入設(shè)備系統(tǒng)離子源質(zhì)量分析器加速管聚焦系統(tǒng)掃描部件真空系統(tǒng)電流積分儀注入靶室2.1離子源—產(chǎn)生注入離子的發(fā)生器原理：利用等離子體，在適當(dāng)?shù)牡蛪合?，把氣體分子借電子的碰撞而離化，產(chǎn)生注入機(jī)所需的雜質(zhì)離子。雜質(zhì)氣體（或固態(tài)源）PH3，AsH3，BF3放電室：低氣壓、分解離化氣體BF3B,B+,BF2+,F-,…….離子分離器（目的：把離子源弧光反應(yīng)室當(dāng)中產(chǎn)生的雜質(zhì)離子分離出來(lái)。）引出狹縫：——負(fù)電位，吸引出離子。離子束流量（最大mA量級(jí)）吸極電壓Vext:15~30KV，決定引出離子的能量（速度）通過(guò)吸極電源把離子從離子源引出離子源離子源和吸極交互作用裝配圖++

+

+

+

+

+++

+

+

+

+

+-

-

----------NSNS120V起弧吸出組件離子源60kV吸引2.5kV抑制源磁鐵5V燈絲ToPA+粒子束參考端(PA電壓)抑制電極接地電極2.2質(zhì)量分析器從離子源引出的離子束里包含幾種甚至十幾種元素，但是需要注入的只是某一種特定元素的離子，所以需要質(zhì)量分析器把該特定元素分選出來(lái)。離子注入機(jī)中采用磁分析器分析。原理：利用不同質(zhì)量和不同帶電荷數(shù)的離子，在經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)時(shí)，受電磁力的效應(yīng)，進(jìn)行不同曲率的圓弧運(yùn)動(dòng)來(lái)進(jìn)行作用：選擇注入所需的特定電荷的雜質(zhì)離子分析磁體石磨離子源分析磁體粒子束吸出組件較輕離子重離子中性離子可變狹縫磁分析器一個(gè)質(zhì)量數(shù)為M的正離子，以速度v垂直于磁力線的方向進(jìn)入磁場(chǎng)，受洛倫茨力的作用，在磁場(chǎng)中作勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為R。⊕

v其中：V為減速電極后電壓（伏特），nq為離子的總電荷數(shù)，B

是磁場(chǎng)強(qiáng)度（特）?？芍簩?duì)不同雜質(zhì)，m↗，r↗；對(duì)同一種雜質(zhì)，nq↗，r↘。離子在行徑質(zhì)量分析器所受的電磁力：離子運(yùn)動(dòng)路徑：離子運(yùn)動(dòng)速率：離子回轉(zhuǎn)半徑與分離電壓的關(guān)系：質(zhì)量分析器及離子源在注入機(jī)中的相對(duì)位置

出口狹縫：只允許一種（m/q)的離子離開(kāi)分析儀石磨離子源分析磁體粒子束吸出組件較輕離子重離子中性離子2.3加速器加速離子，獲得所需能量；高真空（<10-6Torr）靜電加速器：調(diào)節(jié)離子能量100MW100MW100MW100MW100MW0kV+100kV+80kV+20kV+40kV+60kV+100kV粒子束粒子束至工藝腔電極來(lái)自分析磁體Figure17.15

離子從離子源到靶室中的硅片，一般要飛行幾米到幾十米的距離。為了減少離子在行進(jìn)中的損失，必須要對(duì)離子進(jìn)行聚焦。一般聚焦系統(tǒng)在加速管后面。最常用的有靜電四極透鏡和磁四極透鏡。聚焦后的離子束到達(dá)硅片的束斑要盡可能小，一般直徑為幾毫米。靜電透鏡：離子束聚焦靜電偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)：濾除中性粒子

帶正電的離子束從質(zhì)量分析器出來(lái)到硅片表面的過(guò)程中，要經(jīng)過(guò)加速、聚焦等很長(zhǎng)距離，這些帶電粒子將同真空系統(tǒng)中的殘余氣體分子發(fā)生碰撞，其中部分帶電離子會(huì)同電子結(jié)合，成為中性的粒子。

X方向掃描板Y方向掃描板掃描范圍中性束偏轉(zhuǎn)板+-沒(méi)有偏轉(zhuǎn)的中性束粒子繼續(xù)向前

對(duì)于出現(xiàn)在掃描系統(tǒng)以前的中性粒子，掃描電場(chǎng)對(duì)它已不起作用。計(jì)算注入離子數(shù)量的電荷積分儀也檢測(cè)不到，所以這些中性粒子進(jìn)入硅片后就將造成局部區(qū)域的濃度比其它地方高。中性束造成的注入不均勻性2.4電子簇射器離子束膨脹——注入正離子使靶表面積聚很多正電荷，從而使后續(xù)注入的正離子的運(yùn)動(dòng)方向受到影響，產(chǎn)生注入膨脹，造成注入離子均勻性變差，嚴(yán)重影響器件特性。解決方法：再注入電子，使之與正電荷中和。熱燈絲離子束金屬靶二次電子電子簇射器++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++Ionbeam負(fù)偏置孔徑電子槍二次電子靶二次電子正離負(fù)電子復(fù)合WaferFigure17.23

2.5終端臺(tái)：控制離子束掃描和計(jì)量1）離子束掃描：——掃描方式：靜電掃描、機(jī)械掃描和混合掃描。常用靜電掃描和混合掃描。——靜電光柵掃描適于中低束流機(jī)，機(jī)械掃描適于強(qiáng)束流機(jī)。兩種注入機(jī)掃描系統(tǒng)法拉第杯電流測(cè)量帶硅片的掃描盤(pán)掃描方向法拉第杯抑制柵孔徑電流積分儀在盤(pán)山的取樣狹縫粒子束離子注入機(jī)示意圖離子源分析磁體加速管粒子束等離子體工藝腔吸出組件掃描盤(pán)工藝控制參數(shù)雜質(zhì)離子種類(lèi)：P+，As+，B+，BF2+，P++，B++，…

注入能量（單位：Kev）——決定雜質(zhì)分布深度和形狀，10~200Kev注入劑量（單位：原子數(shù)/cm2）——決定雜質(zhì)濃度束流（單位：mA或uA）——決定掃描時(shí)間注入掃描時(shí)間（單位：秒）——決定注入機(jī)產(chǎn)能當(dāng)劑量固定時(shí)，束流越大，掃描時(shí)間越短，機(jī)器產(chǎn)能越高掃描時(shí)間太短，會(huì)影響注入的均勻性（一般最短10s）注入機(jī)分類(lèi)3.實(shí)際入射離子分布問(wèn)題

3.1溝道效應(yīng)LSS理論是以非晶靶作為研究對(duì)象，故入射離子受到的碰撞過(guò)程是隨機(jī)的；靶對(duì)離子的阻止作用是各向同性的，因此一定能量的離子沿不同方向射入靶內(nèi)將會(huì)得到相同的平均射程。實(shí)際離子注入到單晶靶中，因此靶對(duì)入射離子的阻止作用將不是各向同性的，而與靶晶體取向有關(guān)。如果沿著某些晶向觀察硅晶體，可看到一些由原子列包圍成的直通道，好像管道一樣，稱作溝道?！?00〉晶向〈110〉晶向<111><100><110>離子進(jìn)入的角度及通道

溝道效應(yīng):在單晶靶中，當(dāng)離子速度方向平行于主晶軸時(shí)，部分離子可能無(wú)阻擋地行進(jìn)很長(zhǎng)距離，造成較深的雜質(zhì)分布，形成通道。沿晶軸<110>向和偏轉(zhuǎn)10°方向的晶體結(jié)構(gòu)視圖通道效應(yīng)的克服辦法斜面注入（7°角）：將硅晶片偏離主平面5-10度，也能有防止離子進(jìn)入溝道的效果[圖(b)]。此方法大部分的注入機(jī)器將硅晶片傾斜7度并從平邊扭轉(zhuǎn)22度以防止溝道效應(yīng)。SiO2薄層散射離子：覆蓋一層非晶體的表面層、將硅晶片轉(zhuǎn)向或在硅晶片表面制造一個(gè)損傷的表層。常用的覆蓋層非晶體材料只是一層薄的氧化層（200-250埃）[圖(a)]，此層可使離子束的方向隨機(jī)化，使離子以不同角度進(jìn)入硅晶片而不直接進(jìn)入硅晶體溝道。離子注入離子注入離子注入氧化層晶格晶格晶格損傷的晶格（a）經(jīng)過(guò)非晶體氧化層的注入（b）不對(duì)準(zhǔn)晶軸的入射（c）在單晶層上的預(yù)先損傷襯底非晶化預(yù)處理。先注入大劑量硅或Ar+以破壞硅晶片表面，可在硅晶片表面產(chǎn)生一個(gè)隨機(jī)層[圖(c)]，這種方法需使用昂貴的離子注入機(jī)。通道效應(yīng)的克服辦法40kevP+31注入到硅中的濃度分布00.20.40.60.81.0μm計(jì)數(shù)104

103

102

10注入深度對(duì)準(zhǔn)<110>偏<110>2°偏<110>8°3.2實(shí)際入射離子分布問(wèn)題——橫向分布橫向注入效應(yīng)：橫向離散是離子在靶中行進(jìn)的重要效應(yīng)之一。是雜質(zhì)離子與硅原子碰撞所產(chǎn)生的散射而引起的。當(dāng)透過(guò)厚掩膜（掩膜厚度>>Rp+⊿Rp）窗口進(jìn)行注入時(shí)，窗口邊緣附近的離子濃度服從余誤差分布。假設(shè)窗口寬度為2a,當(dāng)a>>⊿Rt時(shí)，有窗口邊緣處濃度為同等深度窗口中心部位濃度的1/2注入離子的橫向分布對(duì)于自對(duì)準(zhǔn)源漏注入工藝是一個(gè)基本限制因素決定器件的電學(xué)溝道長(zhǎng)度橫向系數(shù)大約在0.5左右35keVAs注入120keVAs注入橫向效應(yīng)影響MOS晶體管的有效溝道長(zhǎng)度4.注入損傷與退火注入損傷的形成：高能入射離子與靶原子核發(fā)生碰撞時(shí)，使靶原子離開(kāi)初始晶格位置，并引發(fā)連續(xù)碰撞，引起大量靶原子偏離晶格位置，產(chǎn)生空位和填隙原子等晶格損傷。注入損傷閾值劑量：超過(guò)某一劑量注入后，形成完全損傷，晶體的長(zhǎng)程有序被破壞。離子越輕，閾值劑量越高；溫度越高，閾值劑量越高。注入損傷的分類(lèi)：※一次缺陷：注入過(guò)程引入的空位和填隙原子等點(diǎn)缺陷※二次缺陷：點(diǎn)缺陷重新組合形成擴(kuò)展缺陷，如雙空位、位錯(cuò)環(huán)等退火工藝：——在N2中進(jìn)行，時(shí)間一般在30~60分鐘——退火溫度一般要求在850~1000℃損傷退火的目的去除由注入造成的損傷，讓硅晶格恢復(fù)其原有完美晶體結(jié)構(gòu)讓雜質(zhì)進(jìn)入電活性（electricallyactive）位置－替位位置?；謴?fù)電子和空穴遷移率注意：退火過(guò)程中應(yīng)避免大幅度的雜質(zhì)再分布硼的退火效應(yīng)低溫下，載流子濃度受點(diǎn)缺陷密度控制。退火溫度上升，點(diǎn)缺陷消除，自有載流子濃度提高。500－600℃時(shí)，點(diǎn)缺陷擴(kuò)散率提高，聚集成團(tuán)，形成擴(kuò)展缺陷。高溫下，擴(kuò)展缺陷被消除，激活的載流子濃度接近注入濃度。幾種等時(shí)退火條件下，硅中注入硼離子的激活百分比退火方式及快速熱處理技術(shù)

（Rapidthermalprocessing,RTP）是將晶片快速加熱到設(shè)定溫度，進(jìn)行短時(shí)間快速熱處理的方法，熱處理時(shí)間10-3-102s。過(guò)去幾年間，RTP已逐漸成為微電子產(chǎn)品生產(chǎn)中必不可少的一項(xiàng)工藝，用于快速熱氧化（RTO）、離子注入后的退火、金屬硅化物的形成和快速熱化學(xué)薄膜淀積。

RTP特點(diǎn)RTP系統(tǒng)采用輻射熱源對(duì)單片加熱，溫度測(cè)控由高溫計(jì)完成；RTP工藝使用范圍很廣，控溫在200~1300℃之間，升、降溫速度為20~250℃/秒，還可以控制工藝氣體，可完成復(fù)雜的多階段熱處理工藝。用RTP取代常規(guī)熱處理工藝避免了Si中雜質(zhì)再分布，還縮短工藝周期。RTP系統(tǒng)利用多排鹵化鎢燈對(duì)Si片進(jìn)行加熱，Si片旋轉(zhuǎn)；自動(dòng)載片控制和精確的溫度控制；工藝的全程控制，實(shí)時(shí)圖形曲線顯示，實(shí)時(shí)工藝參數(shù)采集、顯示和分析。AG4100注入方法直接注入 離子在光刻窗口直接注入Si襯底。射程大、雜質(zhì)重時(shí)采用。間接注入；通過(guò)介質(zhì)薄膜或光刻膠注入襯底晶體。間接注入沾污少，可以獲得精確的表面濃度。多次注入 通過(guò)多次注入使雜質(zhì)縱向分布精確可控，與高斯分布接近；也可以將不同能量、劑量的雜質(zhì)多次注入到襯底硅中，使雜質(zhì)分布為設(shè)計(jì)形狀。

典型離子注入?yún)?shù)離子：P，As，Sb，B，In，O劑量：1011~1018cm-2能量：1–400keV可重復(fù)性和均勻性:±1%溫度：室溫流量：1012-1014cm-2s-15離子注入的其它應(yīng)用

5.1淺結(jié)的形成目的：抑制MOS晶體管的穿通電流，減小器件的短溝效應(yīng)----因此要求減小CMOS源/漏結(jié)的結(jié)深形成淺結(jié)困難很多方法（1）分子注入方法（2）降低注入離子能量（3）預(yù)非晶化5.2自對(duì)準(zhǔn)金屬柵結(jié)構(gòu)

Xj0.8Xj難熔柵SiO2Si源漏Xj難熔柵SiO2Si源漏淺注入層擴(kuò)散形成寄生電容大自對(duì)準(zhǔn)金屬柵結(jié)構(gòu)硅襯底背面損傷形成吸雜區(qū)BacksideDamageLayerFormationforGettering形成SOI結(jié)構(gòu)Silicon-On-InsulatorUsingOxygenorHydrogenImplantation氧注入SOI片的制作，可采用Si中用離子注入O+工藝，通過(guò)退火獲得SiO2層，這種工藝稱為SIMOX技術(shù)。5.3其它應(yīng)用退火O+

對(duì)比內(nèi)

容熱擴(kuò)散離子注入動(dòng)力高溫、雜質(zhì)的濃度梯度平衡過(guò)程動(dòng)能，5-500KeV非平衡過(guò)程雜質(zhì)濃度受表面固溶度限制摻雜濃度過(guò)高、過(guò)低都無(wú)法實(shí)現(xiàn)濃度不受限結(jié)深結(jié)深控制不精確適合深結(jié)摻雜結(jié)深控制精確適合淺結(jié)摻雜橫向擴(kuò)散嚴(yán)重。橫向是縱向擴(kuò)散線度的0.70-0.85倍，擴(kuò)散線寬3μm以上較小。特別在低溫退火時(shí)，線寬可小于1μm均勻性電阻率波動(dòng)約5-10%電阻率波動(dòng)約1%溫度高溫工藝，越1000℃常溫注入，退火溫度約800℃，可低溫、快速退火掩蔽膜二氧化硅等耐高溫薄膜光刻膠、二氧化硅或金屬薄膜工藝衛(wèi)生易沾污高真空、常溫注入，清潔晶格損傷小損傷大，退火也無(wú)法完全消除，注入過(guò)程芯片帶電設(shè)備、費(fèi)用設(shè)備簡(jiǎn)單、價(jià)廉復(fù)雜、費(fèi)用高應(yīng)用深層摻雜的雙極型器件或者是電路淺結(jié)的超大規(guī)模電路熱擴(kuò)散和離子注入的比較本章小結(jié)離子注入工藝是IC制造中主流的摻雜技術(shù)離子注入工藝過(guò)程及相關(guān)設(shè)備：離子產(chǎn)生、加速和控制等入射離子在非晶靶中的分布。雜質(zhì)濃度分布的計(jì)算。實(shí)際的離子分布要考慮溝道效應(yīng)和橫向離散效應(yīng)需要進(jìn)行退火工藝來(lái)消除離子注入帶來(lái)的晶格損傷，并激活雜質(zhì)。離子注入工藝的最大優(yōu)勢(shì)：精確控制摻入雜質(zhì)的劑量和深度分布，且工藝重復(fù)性好【27】：年輕人在經(jīng)過(guò)一時(shí)之沖動(dòng)的激情工作后，往往期望獲得一些相匹配的成果?！?4】：靜謐的夜啊，沉默，是最好的尊敬。月色，洗不盡怠倦，注定，要在這冰冷的星光中堅(jiān)持。我會(huì)燃燒成一顆流星，劃破時(shí)間，映得那朝陽(yáng)如血生氣有害健康，這是不爭(zhēng)的事實(shí)?！痘茨献印け窘?jīng)》上講：“人之性，有侵犯則怒，怒則血充，血充則氣激，氣激則發(fā)怒，發(fā)怒則有所釋憾矣！”祖國(guó)傳統(tǒng)醫(yī)學(xué)認(rèn)為，人在發(fā)怒時(shí)，血液中的腎上腺素含量顯著提高，交感活性物質(zhì)增加，腎上腺素——血管緊張素增加，促使小動(dòng)脈收縮痙攣，致使血壓升高。有人觀察，血壓140毫米汞柱的人，激動(dòng)時(shí)可升高至192毫米汞柱，